發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基座以及至少一發(fā)光二極管芯片。所述基座沿第一方向的長度大于沿垂直第一方向的第二方向的長度。所述基座上形成一收容腔，該收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端。收容腔在基座的頂部具有一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側(cè)向開口。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述收容腔中，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線通過基座的正向開口以及側(cè)向開口射出。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的光場能夠在第一方向上被拉長延伸，如此，可以形成一長條形的光場形狀。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管（LightEmittingDiode，LED)具有重量輕、體 積小、污染低、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越廣泛地應(yīng)用。
[0003] 傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光場形狀大多為圓形，但是在某些照明場合 下，常常需要長條形的光場，例如道路照明，若路燈的光場為圓形，則一部分光線會照出道 路范圍之外，不但造成資源浪費(fèi)還可能形成錯誤交通引導(dǎo)，如此，則要求路燈所形成的照明 區(qū)域大致呈長條形為佳，在沿道路的方向上具有較大的照明長度，而在垂直于道路的方向 上具有較小的照明長度。所以說如何提供一種具有長條形光場的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，成 為業(yè)內(nèi)人士需要解決的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種具有長條形光場形狀的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0005] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基座以及至少一發(fā)光二極管芯片。所述基座 沿第一方向的長度大于沿垂直第一方向的第二方向的長度。所述基座上形成一收容腔，該 收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端。收容腔在基座的頂部具有一正向開 口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側(cè)向開口。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述收 容腔中，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線通過基座的正向開口以及側(cè)向開口射出。
[0006] 上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，基座上形成收容腔，該收容腔在基座的頂部具有 一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側(cè)向開口，發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基 座的收容腔中，其發(fā)出的光線由基座的正向開口以及基座的沿第一方向的兩側(cè)的側(cè)向開口 射出，由此，可以使得發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的光場在第一方向上被拉長延伸，如此，可以形 成一長條形的光場形狀。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0008] 圖2為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0009] 圖3為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視圖。
[0010] 圖4為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0011] 圖5為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座的立體圖。
[0012] 圖6為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光場形狀示意圖。
[0013] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基座以及至少一發(fā)光二極管芯片，其特征在于： 所述基座沿第一方向的長度大于沿垂直第一方向的第二方向的長度，所述基座上形成一收 容腔，該收容腔貫通基座的頂部以及基座沿第一方向上的兩端，收容腔在基座的頂部具有 一正向開口，在基座的沿第一方向上的兩端分別具有側(cè)向開口，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置 于所述收容腔中，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線通過基座的正向開口以及側(cè)向開口射出。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基座包括一絕緣座以 及設(shè)置于該絕緣座上的第一電極構(gòu)造和第二電極構(gòu)造。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣座呈一長方體結(jié) 構(gòu)，該長方體結(jié)構(gòu)的長邊沿第一方向延伸，短邊沿第二方向延伸。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣座包括長方形的 底壁以及由該底壁的兩個長邊垂直向上延伸的兩側(cè)壁，所述兩側(cè)壁平行相對，并與底壁共 同圍成所述收容腔。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極構(gòu)造包括第 一內(nèi)部電極、第一延伸電極以及第一外部電極，所述第二電極構(gòu)造包括第二內(nèi)部電極、第二 延伸電極以及第二外部電極，所述第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極相互間隔設(shè)置于所述收容 腔中的絕緣座的底壁上，所述第一延伸電極以及第二延伸電極分別設(shè)置在絕緣座的底壁的 下表面上，并分別通過該底壁與第一內(nèi)部電極以及第二內(nèi)部電極電連接，所述第一外部電 極以及第二外部電極分別由第一延伸電極以及第二延伸電極延伸至絕緣座的側(cè)壁上。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置 于所述基座的收容腔內(nèi)并分別電性連接第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 還包括一封裝層，該封裝層填充于所述基座的整個收容腔內(nèi)，并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片。
【文檔編號】H01L33/48GK104425675SQ201310373567
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】張潔玲, 吳致慧, 黃志強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司