使用來自測量設備的反饋的自適應半導體處理的制作方法
【專利摘要】一種半導體處理設備及其操作方法。該方法可以包括測量半導體晶片的至少一個性質并且基于至少一個性質確定用于處理半導體晶片的處理方法。可以基于確定的處理方法使用多個化學機械拋光(CMP)模塊處理半導體晶片，其中處理方法包括用于由多個CMP模塊中的每個CMP模塊使用的至少一個參數(shù)的值。測量可以由內建度量設備原位進行。處理方法和與處理方法關聯(lián)的各種參數(shù)可以由半導體處理設備的控制器確定。
【專利說明】使用來自測量設備的反饋的自適應半導體處理
【背景技術】
[0001]可以使用多種工具(諸如沉積工具和化學機械拋光(CMP)工具)來制造半導體器件。通常在包括多個半導體器件的半導體晶片上制造半導體器件。沉積工具可以用來向器件添加材料，而CMP工具可以用來從器件去除材料并且平坦化晶片的表面。在向器件添加材料層時，添加的層的頂表面可能由于器件的下層部分的外形而不均勻。因而，CMP工具可以用來去除添加的層的部分并且跨越每個個別器件并且跨越作為整體的晶片平坦化該層。
[0002]CMP工具可以包括各自執(zhí)行拋光工藝的多個CMP工具。制作工藝的拋光工藝可以包括經(jīng)歷多個CMP模塊的拋光動作。例如第一 CMP模塊可以快速去除晶片上的大量材料，而第二 CMP模塊可以精確和緩慢去除材料的剩余數(shù)量。
[0003]在從晶片去除材料之前，已知使用內建(inline)度量設備(諸如渦電流測量設備)以測量晶片的性質。晶片性質可以用來確定用于第一CMP模塊的第一拋光動作的參數(shù)。也已知使用晶片的原位測量以確定每個拋光動作的結束點。
[0004]多年來已經(jīng)設計半導體器件以求更快切換速度和更大功能。一種用于實現(xiàn)具有這些能力的器件的方式一直是減少半導體器件內的特征的尺寸。

【發(fā)明內容】

[0005]發(fā)明人已經(jīng)認識到，隨著半導體器件的特征尺寸減少，在制作工藝期間跨越晶片的局部和全局均勻性對于制造具有長壽命和低故障率的器件而言變得關鍵。晶片的均勻性可以貫穿半導體器件制造的拋光階段以不可預測的方式改變。因而，這里描述用于反饋來自內建度量設備的晶片測量和在每個CMP模塊的原位晶片測量二者以控制后續(xù)拋光參數(shù)的技術。
[0006]發(fā)明人也已經(jīng)認識到可以使用具有多個微探測器的單個內建測量裝置來更快速和精確確定跨越晶片的局部和全局均勻性。因而這里描述用于執(zhí)行內建度量的裝置和使用內建度量設備以制造半導體器件的方法。
[0007]—些實施例涉及一種制造半導體器件的方法?？梢詼y量半導體晶片以確定晶片的至少一個性質，該至少一個性質可以是半導體晶片的頂表面的至少一個性質。例如它可以是半導體晶片的頂表面的均勻性。至少一個性質可以用來確定用于處理半導體晶片的處理方法。可以是CMP模塊的多個拋光模塊繼而根據(jù)該處理方法處理半導體晶片。該處理方法可以包括用于由多個拋光模塊中的每個拋光模塊使用的至少一個參數(shù)的值。處理方法指定的至少一個參數(shù)可以是壓強、漿流速、轉速和/或持續(xù)時間。
[0008]在一些實施例中，該方法可以包括基于確定的處理方法用清潔模塊處理半導體晶片。處理方法包括用于清潔模塊的至少一個參數(shù)的值。用于清潔模塊的至少一個參數(shù)可以指示清潔模塊將使用的化學物類型。
[0009]一些實施例涉及一種用于處理半導體晶片的半導體處理設備。該設備可以包括多個拋光模塊，這些拋光模塊可以是CMP模塊。每個拋光模塊可以包括用于接收指定如何處理半導體晶片的至少一個參數(shù)的接口。半導體處理設備也可以包括被配置用于測量半導體晶片的至少一個性質的內建度量設備。至少一個性質可以是半導體晶片的頂層的至少一個性質。該設備也可以包括控制器，該控制器被配置用于:從內建度量單元接收半導體晶片的至少一個性質；為每個拋光模塊生成指定如何處理半導體晶片的至少一個相應參數(shù)；并且向多個拋光模塊中的每個拋光模塊發(fā)送至少一個相應參數(shù)。每個拋光模塊接收的至少一個參數(shù)可以包括如下參數(shù)，諸如壓強、漿流速、轉速和/或持續(xù)時間。
[0010]在一些實施例中，半導體處理設備包括用于基于至少一個清潔參數(shù)清潔半導體晶片的清潔模塊。控制器可以被配置用于:基于半導體晶片的至少一個性質生成指定如何清潔半導體晶片的至少一個清潔參數(shù)；并且向清潔模塊發(fā)送至少一個清潔參數(shù)。至少一個清潔參數(shù)可以指示清潔模塊將使用的化學物類型。
[0011]一些實施例涉及一種制造半導體器件的方法。第一拋光模塊可以處理半導體晶片?？梢栽诘谝粧伖饽K處理半導體晶片時原位測量半導體晶片以確定第一性質?？梢曰诘谝恍再|確定用于處理半導體晶片的第一參數(shù)。第二拋光模塊可以基于第一參數(shù)處理半導體晶片。第一參數(shù)可以是如下參數(shù)，諸如壓強、漿流速、轉速和/或持續(xù)時間。第一性質可以是半導體晶片的頂表面的均勻性。
[0012]在一些實施例中，在用第一拋光模塊處理半導體晶片之前，該方法可以用內建測量設備測量第二性質?？梢曰诘诙再|確定用于處理半導體晶片的第二參數(shù)?？梢曰诘诙?shù)執(zhí)行用第一拋光模塊處理半導體晶片。在一些實施例中，拋光模塊可以是CMP模塊。
[0013]一些實施例涉及一種用于執(zhí)行晶片的度量的裝置。該裝置可以包括襯底上的多個微探測器。至少一個光源將光引向多個微探測器中的每個微探測器上。多個光電檢測器可以檢測從多個微探測器中的每個微探測器反射的光。檢測光可以生成與微探測器中的每個微探測器關聯(lián)的檢測信號。該裝置可以包括用于向多個微探測器中的每個微探測器發(fā)送驅動信號并且基于檢測信號中的每個檢測信號確定晶片的高度分布和表面電荷分布的至少一個控制器。
[0014]在一些實施例中，測量的晶片可以包括多個器件。多個微探測器可以包括多個子集，多個子集中的每個子集包括多個微探測器中的一個或者多個微探測器，其中多個子集中的每個子集可以與晶片的多個器件之一關聯(lián)。多個子集中的每個子集可以包括多個微探測器中的多于一個微探測器。在一些實施例中，至少一個控制器可以向用于處理晶片的制作工具發(fā)送至少一個制作參數(shù)。在一些實施例中，保護膜可以保護多個微探測器中的每個微探測器。保護膜可以由可以具有在20nm與200nm之間的孔尺寸的有孔材料形成。有孔材料可以是沸石化合物或者金屬有機框架。
[0015]在一些實施例中，多個光電檢測器中的每個光電檢測器可以是包括多段的段式光電二極管。檢測信號可以包括各自來自光電二極管的相應段的多個段信號?？梢詮亩鄠€段信號確定高度分布和表面電荷分布。在一些實施例中，可以向干涉儀中輸入從每個微探測器反射的光。干涉儀可以包括集成光學電路。
[0016]一些實施例涉及一種在晶片上制造半導體器件的方法?？梢蕴峁┛梢园ǘ鄠€微探測器的測量探測器?？刂破骺梢韵蚨鄠€微探測器中的每個微探測器發(fā)送驅動信號?？梢詫⒐庖蛭⑻綔y器中的每個微探測器，并且可以從微探測器中的每個微探測器檢測反射的光。生成與微探測器中的每個微探測器關聯(lián)的檢測信號，并且可以基于與多個微探測器中的每個微探測器關聯(lián)的檢測信號確定晶片的高度分布和表面電荷分布?？梢栽诰谋砻嬷蠏呙铚y量探測器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]附圖未旨在于按比例繪制。在附圖中，在各種圖中圖示的每個相同或者接近相同的部件由相似標號代表。為了清楚，可以未在每幅圖中標注每個部件。在附圖中:
[0018]圖1是示例拋光工具的框圖；
[0019]圖2是用于拋光半導體晶片的第一示例方法的流程圖；
[0020]圖3是用于拋光半導體晶片的第二示例方法的流程圖；
[0021]圖4是用于拋光半導體晶片的第三示例方法的流程圖；
[0022]圖5圖示用于執(zhí)行晶片的度量的測量探測器；
[0023]圖6圖示測量探測器的部分的第一示例實施例；
[0024]圖7圖示測量探測器的部分的第二示例實施例；并且
[0025]圖8是用于生產(chǎn)半導體器件的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026]發(fā)明人已經(jīng)認識和理解，隨著半導體器件的特征尺寸減少，在制作工藝期間跨越晶片的局部和全局均勻性在制造具有長壽命和低故障率的器件時發(fā)揮重要作用。發(fā)明人已經(jīng)進一步認識和理解，可以通過反饋來自內建度量設備的測量和/或在拋光工具的一個或者多個模塊的原位晶片測量來提高晶片的局部和全局均勻性二者。測量可以用來控制拋光工藝的后續(xù)動作、由此允許在拋光工藝期間對晶片均勻性的更佳控制。
[0027]已知使用原位測量以確定拋光模塊執(zhí)行的個別拋光動作的結束點。然而發(fā)明人已經(jīng)理解，可以通過基于拋光工具的一個或者多個拋光模塊進行的原位測量動態(tài)選擇制作處理方法的后續(xù)動作的性質來實現(xiàn)晶片性質的更精確控制。
[0028]發(fā)明人也已經(jīng)認識和理解，可以使用具有多個微探測器的單個內建測量裝置來更快速和精確確定跨越晶片的局部和全局均勻性。半導體制造的內建測量階段可以是制造工藝中的瓶頸。通過減少進行這些內建測量所花費的時間，可以向制作工具更快反饋測量從而允許更快制造半導體器件。發(fā)明人已經(jīng)進一步認識和理解，可以通過使用具有多個微探測器的測量裝置來進行更快內建測量。
[0029]圖1是圖示一些實施例的示例拋光工具100的框圖。圖示拋光工具100為化學機械拋光(CMP)工具。然而可以使用任何適當拋光工具。例如可以使用無摩擦拋光工具或者化學蝕刻工具。
[0030]拋光工具100包括多個CMP模塊140、150和160。圖1通過示例圖示三個CMP模塊。然而應當理解，可以使用任何數(shù)目的CMP模塊。每個CMP模塊可以執(zhí)行整個拋光工藝的拋光動作。每個CMP可以以拋光參數(shù)的不同集合執(zhí)行拋光動作?？梢杂萌魏芜m當方式、例如基于來自至少一個其它CMP模塊或者內建度量設備120執(zhí)行的測量的反饋來確定用于每個CMP模塊的拋光參數(shù)。
[0031]經(jīng)由加載鎖110向CMP工具100中加載使用工具而制作的半導體器件。可以使用任何適當數(shù)目的加載鎖110。例如圖1圖示三個加載鎖110?？梢韵蚣虞d鎖110中一次加載任何適當數(shù)目的半導體器件。例如可以向加載鎖110中加載包括多個半導體器件的單個晶片。另外，可以向加載鎖110中加載多個晶片占用的盒。
[0032]向加載鎖110中加載半導體器件可以是在制造工藝的任何階段。例如可以將制造工藝分離成稱為前端工藝(FEOL)和后端工藝(BEOL)的兩個部分。FEOL是指器件制作的第一部分，其中在半導體中圖案化器件的個別元件。BEOL是指器件制作的第二部分，其中互連器件的個別元件。CMP工具100在一些實施例中僅負責BEOL處理或者僅負責FEOL處理。然而實施例不限于此。
[0033]一旦向加載鎖110中加載半導體晶片，傳送機構112用來從加載鎖110去除晶片?？梢允褂萌魏芜m當傳送機構112。例如傳送機構112可以是機器人手臂。然而可以使用其它傳送機構，諸如使用抽吸或者傳送帶來保持半導體器件的真空管。可以使用多于一個傳送機構。例如，如圖1中所示，傳送機構112可以經(jīng)過通道113向第二傳送機構114傳遞半導體器件。傳送機構114可以向CMP模塊140、150或者160之一傳遞半導體器件。
[0034]CMP工具100包括多個CMP模塊140、150和160。用于執(zhí)行CMP的技術是已知的，并且實施例不限于任何具體CMP實現(xiàn)方式。每個CMP模塊140 / 150 / 160可以包括部件，諸如漿分散臂143 / 153 / 163、調控臂145 / 155 / 165、壓盤142 / 152 / 162、壓盤工藝窗144 / 154 / 164和CMP頭141 / 151 / 161?？梢允褂帽绢I域已知的技術來構造CMP模塊140 / 150 / 160及其部件。半導體器件可以由多個CMP模塊中的每個CMP模塊輪流處理。例如每個CMP模塊可以在執(zhí)行CMP時使用不同參數(shù)?？梢宰兓膮?shù)包括但不限于壓盤的轉速、漿分散速率、持續(xù)時間和壓強。每個CMP模塊使用的參數(shù)可以例如由控制器170確定。
[0035]壓盤工藝窗144 / 154 / 164可以用來在制作工藝期間執(zhí)行晶片的原位測量?？梢栽谙鄳狢MP模塊拋光晶片時進行測量。備選地或者附加地，可以在每個CMP模塊執(zhí)行拋光之前和/或之后進行測量?？梢詧?zhí)行任何適當測量，并且許多不同類型的原位測量為本領域普通技術人員所知。例如各種形式的光學、X射線、聲學、傳導率和摩擦感測技術在本領域中已知。
[0036]漿分散臂143 / 153 / 163分別向壓盤142 / 152 / 162上沉積化學漿。漿可以包括輔助拋光半導體器件的表面的摩擦粒子的懸浮物?？刂破?70可以確定用于每個CMP模塊的漿分散的一個或者多個參數(shù)。例如控制器170可以確定漿分散臂143 / 153 / 163分散漿的流速。每個流速可以不同并且可以由控制器170使用在半導體器件制造工藝的先前動作進行的測量來確定。漿分散的其它參數(shù)也可以由控制器170控制。例如漿分散臂143 / 153 / 163分散的漿類型可以不同并且可以由控制器170基于先前在制造工藝中進行的測量來確定。不同漿可以更多或者更少摩擦、獲得不同化學物、具有不同粒子尺寸和/或不同粒子濃度。在一些實施例中，控制器170可以確定每個CMP模塊使用的漿的性質。
[0037]漿分散臂143 / 153 / 163可以是摩擦墊粘附到的平坦金屬平臺。漿分散臂143 /153 / 163旋轉以分別拋光附著到CMP頭141 / 151 / 161的晶片?？刂破?70可以確定壓盤142 / 152 / 162的一個或者多個參數(shù)。例如控制器170可以確定每個壓盤的轉速。另外，可以確定向每個對應晶片施加每個壓盤時的壓強。例如更高壓強可以用來從晶片的頂層快速去除材料，而低壓強可以用來從晶片的頂層緩慢去除材料。
[0038]CMP頭141 / 151 / 161可以在每個相應CMP模塊140 / 150 / 160的制作工藝期間保持半導體晶片。每個CMP頭141 / 151 / 161可以在與壓盤相反的方向上旋轉。例如，如果壓盤在逆時針方向上旋轉，則CMP頭可以在順時針方向上旋轉晶片?？刂破?70可以確定CMP頭141 / 151 / 161旋轉的速度。另外，可以確定CMP頭向拋光墊施加晶片時的壓強。在一些實施例中，CMP頭141 / 151 / 161可以包括多個區(qū)段?？梢詥为毧刂泼總€區(qū)段，從而在不同區(qū)段中施加不同壓強?？梢杂萌魏芜m當方式布置CMP頭的區(qū)段。例如可以在CMP頭上徑向放射狀布置多個區(qū)段，從而每個區(qū)段為環(huán)形并且在區(qū)段之間的屏障為同心圓。多個區(qū)段中的每個區(qū)段可以具有相同或者不同尺寸?？梢詥为毧刂泼總€CMP頭的多個區(qū)段中的每個區(qū)段以施加不同壓強。例如，如果確定圓形晶片在晶片的外邊緣附近具有全局更大高度分布，則與晶片的外邊緣對應的區(qū)段可以施加更高壓強。備選地，如果確定圓形晶片在晶片的外邊緣附近具有全局更小高度分布，則與晶片的外邊緣對應的區(qū)段可以施加更低壓強。
[0039]調控臂145 / 155 / 165重新調控每個相應CMP模塊中的用來拋光半導體器件的摩擦墊。重新調控從墊的表面去除粒子，并且確保墊保持摩擦，從而它可以充分拋光晶片。調控臂145 / 155 / 165可以使用在壓盤的相反方向上旋轉的摩擦調控墊以重新調控墊?？刂破?70可以確定調控臂145 / 155 / 165的調控墊旋轉的速度，并且由此控制如何對墊進行重新調控。
[0040]CMP工具100也可以包括用于從傳送機構114接收半導體器件并且向CMP模塊之一的CMP頭提供半導體器件的傳送機構116。
[0041]CMP工具100也可以包括附加工具。例如可以在CMP工具100中包括清潔工具180和內建度量設備120。由于CMP工具100使用具有許多摩擦粒子的漿來實施濕工藝，所以清潔工具180可以在制造工藝完成之前清潔半導體器件。控制器170可以基于來自先前晶片測量(諸如CMP模塊中的一個或者多個CMP進行的原位測量)的反饋來確定待使用的一個或者多個清潔參數(shù)。例如清潔模塊180使用的化學物類型可以由控制器170基于先前測量結果來確定。
[0042]內建度量設備120可以在制造工藝的各種階段用來測量制造的晶片的各種性質。傳送機構112、114和/或116可以向和從內建度量設備120移動晶片?？梢栽贑MP模塊140 / 150 / 160中的一個或者多個CMP模塊中處理半導體晶片之前使用內建度量設備120?？刂破?70可以使用來自內建度量設備120的測量結果以確定用于MP模塊140 /150 / 160中的一個或者多個CMP模塊的拋光參數(shù)。另外，來自內建度量設備120的結果可以用來確定用于清潔模塊的一個或者多個參數(shù)。也可以在制造工藝的拋光階段之后使用內建度量設備120。例如，內建度量設備120可以測量晶片以確定晶片是否滿足用于局部和全局均勻性的規(guī)格和/或容限集。如果未滿足規(guī)格，則可以發(fā)送回晶片用于進一步處理。備選地，如果測量指示晶片不可挽救，則丟棄晶片。
[0043]在一些實施例中，內建度量設備120可以是用來測量半導體器件的金屬層的性質的渦電流測量工具。然而內建度量設備120不限于任何具體度量技術。例如內建度量設備120可以利用一個或者多個開爾文探測器力顯微鏡以測量半導體器件的表面電荷分布和/或高度分布。以下將更具體描述在一些實施例中使用的開爾文探測器力顯微鏡的一些方面。
[0044]可以用任何適當方式實施控制器170。例如控制器170可以包括能夠執(zhí)行在一個或者多個存儲設備上保存的計算機可讀指令的一個或者多個處理器。計算機可讀指令可以包括用于選擇適當拋光處理方法的控制算法?？梢匀鐖D1中所示實施控制器170為單個單獨單元，或者控制器170可以包括遍布于CMO工具100的多個單元。例如控制器170的部分可以與每個CMP模塊140 / 150 / 160、清潔模塊180和內建度量設備120關聯(lián)。
[0045]控制器170可以用任何適當方式與CMP工具100的各種部分通信。例如圖1圖示在控制器170與每個CMP模塊140 / 150 / 160、清潔模塊180和內建度量設備120之間的直接連接。這些通信線允許測量的性質從CMP工具100的各種部分向控制器170的通信。通信線也允許用于由CMP工具100的各種部件使用的確定的參數(shù)向相應部件的通信?？梢允褂萌魏芜m當通信線。例如在本領域中已知并且可以在實施例中使用各種網(wǎng)絡和總線連接。
[0046]控制器170可以基于在晶片制作的各種階段進行的測量來確定CMP工具100將使用的拋光處理方法。拋光處理方法可以包括每個CMP模塊和/或清潔模塊180將在拋光工藝期間使用的參數(shù)匯集。可以用任何適當方式完成確定拋光處理方法。例如一個或者多個表格和/或一個或者多個等式可以用來將測量的性質與處理方法的拋光參數(shù)相關。例如內建度量設備120可以在使晶片受到CMP模塊140 / 150 / 160中的一個或者多個CMP模塊的拋光之前測量晶片的一個或者多個性質?？刂破?70可以基于關于內建測量的結果確定用于多個CMP模塊中的每個CMP模塊的參數(shù)。例如測量的性質可以是晶片的高度分布。如果有跨越晶片的表面的高度變化，則CMP模塊可以在不同區(qū)段使用不同壓強。各種區(qū)段參數(shù)可以是參數(shù)中的一個或者多個參數(shù)。測量的性質也可以指示在晶片的頂表面上使用的材料。這一性質可以用來確定漿類型和/或壓盤旋轉的速度。CMP工具100也可以在晶片制作工藝期間在每個CMP模塊執(zhí)行附加原位測量?？刂破?70可以基于原位測量結果更新或者改變后續(xù)拋光和/或清潔動作的參數(shù)。另外，可以基于內建度量設備測量的性質確定在給定的CMP模塊中執(zhí)行的原位測量類型。
[0047]在一些實施例中，控制器170可以與除了拋光工具之外的工具通信。例如使用例如來自內建度量設備120的測量結果，控制器170可以確定將在晶片上沉積附加材料。例如如果確定有在晶片的表面高度上的局部化下降，則這可以出現(xiàn)?？刂破?70可以確定向沉積工具發(fā)送晶片以沉積附加材料作為處理方法的部分。另外，如果內建度量工具120檢測到大的局部化凸起部分，則控制器170可以確定將向蝕刻工具(例如反應離子蝕刻(RIE)工具)發(fā)送晶片。實施例不限于可以使用的任何具體工具類型。
[0048]拋光工具100的實施例不限于圖1中所示示例。例如在一些實施例中，拋光工具100可以是更大集成工具的部分，該集成工具包括至少一個沉積工具和/或至少一個蝕刻工具。在這樣的實施例中，用于制作晶片的處理方法可以包括用于控制沉積和蝕刻動作的參數(shù)以及用于控制拋光動作的參數(shù)。
[0049]圖2圖示用于例如使用CMP工具100來拋光半導體晶片的示例方法200的流程圖。實施例不限于必然包括方法200的每個動作，也不限制實施例包括方法200未圖示的更多動作。
[0050]在動作202處，測量產(chǎn)生的半導體晶片的至少一個性質。這可以用任何適當方式來完成。例如內建度量設備120可以測量晶片的一個或者多個性質。測量的性質可以是晶片的頂層的性質。例如渦電流測量工具可以測量半導體器件的金屬層的傳導性質。備選地，開爾文力探測器顯微鏡可以用來測量半導體晶片的高度分布和/或表面電荷。
[0051]在一些實施例中，半導體晶片的至少一個性質可以由CMP模塊140 / 150 / 160之一的原位測量設備測量。實施例不限于進行的測量類型或者如何進行測量。例如各種形式的光學、X射線、聲學、傳導率和基于摩擦的原位測量技術在本領域中是已知的。
[0052]在動作204處，確定如下處理方法，該處理方法包括多個CMP模塊中的每個CMP模塊將使用的至少一個參數(shù)。這可以例如由控制器170完成?？梢允褂萌魏芜m當參數(shù)。如以上討論的那樣，可以向每個CMP模塊供應壓盤的轉速、CMP頭的轉速、調控臂的轉速、與壓盤關聯(lián)的壓強、與CMP頭關聯(lián)的壓強、漿流速、漿類型或者用來確定拋光動作的性質的任何其它適當參數(shù)。在一些實施例中，來自內建度量設備120的測量結果可以用來確定用于多個CMP模塊140 / 150 / 160中的每個CMP模塊的至少一個參數(shù)。在其它一些實施例中，可以僅針對多個CMP模塊的子集確定至少一個參數(shù)。實施例不限于確定的參數(shù)類型也不限于為其確定至少一個參數(shù)的模塊數(shù)目。
[0053]在動作206處，CMP模塊中的每個CMP模塊基于相應的確定的參數(shù)處理半導體晶片。通過確定CMP模塊中的每個CMP模塊的處理方法使用，可以局部地和全局地使晶片的表面更均勻。例如，如果傳入晶片具有跨越晶片的大變化，則第一 CMP模塊的第一拋光動作可能不足以糾正所有變化。因而，剩余CMP模塊的后續(xù)拋光動作以微調并且進一步減少觀測的非均勻性。
[0054]圖3是用于拋光半導體晶片的示例方法300的流程圖。方法300可以由拋光工具的部件執(zhí)行并且例如由控制器170控制。在動作302處，測量半導體晶片的第二性質。與方法200的動作202 —樣，可以用任何適當方式進行這一測量。例如測量302可以由內建
度量工具進行。
[0055]在動作304處，基于第二性質確定第二參數(shù)。這一確定可以例如由控制器170進行。第二參數(shù)可以例如是拋光工具100將使用的處理方法的部分。與方法200的動作204一樣，參數(shù)可以是確定一個或者多個CMP模塊的拋光動作的任何適當參數(shù)。例如第二參數(shù)可以是第一 CMP模塊140使用的參數(shù)。
[0056]在動作306處，基于第二參數(shù)用第一 CMP模塊140處理制作的晶片。如以上所言，第二參數(shù)可以是用來確定CMP模塊140執(zhí)行的拋光動作的性質的任何適當參數(shù)。例如第二參數(shù)可以指示壓盤142的轉速、CMP頭141的轉速、調控臂145的轉速、與壓盤142關聯(lián)的壓強、與CMP頭141關聯(lián)的壓強、漿流速、漿類型或者用來確定拋光動作的性質的任何其它適當參數(shù)。
[0057]在動作308處，在具體CMP模塊中時原位測量晶片的第一性質?？梢栽诘谝?CMP模塊140處理晶片時測量第一性質。在其它實施例中，可以在CMP模塊140已經(jīng)完成拋光動作之后測量第一性質。如以上討論的那樣，可以使用本領域已知的任何適當類型的原位測量。
[0058]在動作310處，基于第一性質確定第一參數(shù)。與上述動作304 —樣，可以使用拋光動作的任何適當參數(shù)。在動作312處，第二 CMP模塊150基于第一參數(shù)處理晶片。例如，如果第一參數(shù)是漿流速，則第二 CMP模塊150可以使用確定的漿流速來拋光晶片。
[0059]方法300是一個示例實施例。并非在實施例中必須執(zhí)行每個動作。例如在一些實施例中，可以未執(zhí)行動作203和304和306。另外，實施例可以包括在方法300中未示出的附加動作。例如在動作312期間，原位測量設備可以測量晶片的第三性質，該第三性質可以用來確定用于拋光工藝的后續(xù)拋光動作的參數(shù)。
[0060]圖4是用于拋光半導體晶片的示例方法400的流程圖。方法400可以由拋光工具的部件執(zhí)行并且例如由控制器170控制。在動作402處，測量半導體晶片的當前性質。與方法200的動作202 —樣，這可以用任何適當方式來完成。例如測量可以由內建度量設備120進行。在動作404處，基于當前測量性質確定當前參數(shù)。這可以例如由控制器170完成。
[0061]在動作406處，當前CMP模塊基于確定的當前參數(shù)處理半導體晶片。例如，如果當前參數(shù)是壓盤的具體轉速，則以確定的速度旋轉CMP模塊的壓盤。在動作406處，原位測量晶片的附加性質?？梢杂萌魏芜m當方式完成這一測量。例如各種形式的光學、X射線、聲學、傳導率和基于摩擦的原位測量技術在本領域中是已知的。
[0062]在動作408處，基于附加性質確定附加參數(shù)。例如附加參數(shù)可以是后續(xù)CMP模塊執(zhí)行的拋光動作的參數(shù)。附加參數(shù)也可以是用于由CMP工具100的清理模塊180使用的參數(shù)。例如參數(shù)可以指示清理工具180將使用的化學物類型。
[0063]在動作412處，確定是否用于執(zhí)行半導體晶片的附加處理的后續(xù)CMP模塊。如果有附加CMP模塊，則在動作414處設置確定的附加參數(shù)為當前參數(shù)并且設置后續(xù)CMP模塊為當前CMP模塊。方法400然后返回到動作406用于附加處理。這一循環(huán)繼續(xù)直至在動作412處確定無用于處理晶片的后續(xù)CMP模塊。在進行這一確定時，方法400可以繼續(xù)動作416，其中清潔模塊180基于在最終循環(huán)中的動作410期間確定的附加參數(shù)處理晶片。
[0064]在一些實施例中，并未執(zhí)行方法400的每個動作。例如在一些實施例中，當在動作412處確定無用于處理晶片的后續(xù)CMP模塊時，清潔模塊可以處理晶片而無來自先前測量的反饋。在這樣的實施例中，可以未在貫穿方法400的最終循環(huán)的動作408進行測量。此夕卜，在一些實施例中，可以執(zhí)行在方法400中未示出的附加動作。例如可以在貫穿方法400的每個循環(huán)期間確定多于一個參數(shù)。在這樣的實施例中，可以基于多個確定的參數(shù)執(zhí)行晶片的后續(xù)處理。
[0065]在一些實施例中，拋光晶片的方法可以包括例如由內建度量設備120在拋光動作完成之后執(zhí)行的至少一個附加測量動作。測量結果可以用來確定晶片是否滿足工具的用戶設置的規(guī)格和/或容限。如果未滿足規(guī)格，則向拋光工具或者不同工具返回晶片用于附加處理。在一些實施例中，控制器170可以基于測量結果確定晶片不可修復并且應當被丟棄。
[0066]在一些實施例中，用于制作晶片的處理方法可以包括詳述除了拋光之外的動作的參數(shù)。例如內建度量工具120進行的測量或者原位測量可以由控制器170用來確定用于由沉積工具或者蝕刻工具使用的參數(shù)。實施例不限于任何具體數(shù)目的參數(shù)或者參數(shù)類型。
[0067]圖5圖示可以用來在一些實施例中執(zhí)行晶片的內建度量的測量探測器。在任何具體CMP模塊以外執(zhí)行并且可以在任何時間執(zhí)行內建測量。例如可以在實施拋光工藝之前執(zhí)行內建測量。用于制造半導體器件的前述拋光裝置和方法不限于任何具體內建度量設備120。例如渦電流度量設備可以在一些實施例中用來測量晶片的金屬層的性質。然而發(fā)明人已經(jīng)認識和理解，可以使用包括多個微探測器的測量裝置來進行晶片性質的更快、更精確測量。
[0068]在一些實施例中，稱為開爾文探測器力顯微鏡的原子力顯微鏡變體可以用來測量晶片的性質。已知使用開爾文探測器力顯微鏡以從樣本獲得高度和表面電荷信息。然而通過同時使用多個顯微鏡，可以在跨越晶片的表面的多個點同時測量晶片的高度分布和表面電荷分布。
[0069]圖5圖示可以用來在晶片的表面上的各種位置同時測量高度分布和表面電荷分布的示例測量探測器500。測量探測器500可以包括多個微探測器520。每個微探測器可以包括至少一個懸臂522和頂端524。在一些實施例中，向懸臂522中集成頂端524。在其它實施例中，可以未使用專用頂端524，并且懸臂522本身充當頂端。微探測器520可以由任何適當材料形成。例如微探測器520可以是任何傳導材料，諸如金屬、傳導聚合物或者基于碳的材料。在一些實施例中，可以在襯底上形成微探測器520。襯底可以例如是半導體晶片。
[0070]多個微探測器520可以包括多個子集510。每個子集可以包括至少一個顯微鏡520。子集可以包括單個微探測器或者多個微探測器。在一些實施例中，測量的晶片可以包括多個器件。多個子集中的每個子集可以與晶片的器件之一關聯(lián)。以這一方式，可以在晶片的表面之上掃描微探測器，從而任何具體微探測器子集僅掃描晶片的其中關聯(lián)器件所在的區(qū)域。在每個子集中的微探測器越多，晶片的掃描就可以越快。任何數(shù)目的微探測器520可以在子集510中。圖5圖示52個微探測器子集，每個子集510包括十六個微探測器520。然而實施例不限于任何具體子集數(shù)目或者微探測器數(shù)目。例如可以每子集僅有一個微探測器。
[0071]圖6圖示測量探測器600的一個實施例的部分，該部分示出單個微探測器520。微探測器以任何適當方式粘附到襯底640。用探測器保護層632保護襯底640。探測器保護層632可以由任何適當材料形成。例如絕緣材料(諸如氧化物)可以用來使用常規(guī)晶片制作技術來保護襯底640。微探測器保護膜630可以用來保護微探測器520免受損壞。例如頂端524可能易受來自與其它物體接觸的損壞。微探測器保護膜620可以由任何適當材料形成。例如可以使用有孔材料。在一些實施例中，有孔材料可以是具有范圍從20nm至200nm的孔徑尺寸的微孔材料。有孔材料可以是本領域已知的材料，諸如沸石化合物或者金屬有機框架。
[0072]控制器610可以如本領域所知地向微探測器520提供電驅動信號?？刂破?10可以包括用于控制驅動信號的處理器和/或電路裝置。例如控制器610可以包括鎖定(lock-1n)放大器和/或反饋控制器，從而基于檢測到的信號確定驅動信號。驅動信號可以是在微探測器的共振頻率附近的頻率的正弦信號。在一些實施例中，頻率可以在微探測器的共振頻率以上。響應于驅動信號，由于在微探測器與測量的晶片之間的電壓差而相對于晶片移位微探測器。
[0073]為了測量微探測器520的移位，光源640向微探測器520的表面上照射光束。光束從微探測器520反射并且由收集光學裝置654接收?？梢允褂萌魏芜m當收集光學裝置654。例如透鏡(諸如物鏡或者非球面透鏡)可以將反射的光束引入光纖中。在一些實施例中，可以向集成的光學電路中直接耦合反射的光。來自光源640的光束的部分從分光器660反射并且使用收集光學裝置650經(jīng)由光纖向集成的光學電路620中耦合?？梢允褂萌魏芜m當收集光學裝置650。
[0074]集成的光學電路620可以包括用于使用從微探測器520反射的光束干涉從分光器660反射的光的干涉儀。干涉儀可以包括用于干涉接收的光束的至少一個附加分光器。也可以在集成的光學電路中包括光電檢測器用于檢測光學干涉信號。在其它實施例中，可以在控制器610中包括光電檢測器，并且可以經(jīng)由光纖將光學干涉信號引向控制器610。實施例不限于光電檢測器的任何具體位置。
[0075]在一些實施例中可以在集成的光學電路620中包括分光器660。在其它實施例中，可以使用光纖和光纖稱合器，諸如本領域已知的2x2 f禹合器來實施分光器660。在一些實施例中，未使用集成的光學電路，而使用光纖和光纖耦合器來實施干涉儀。
[0076]在一些實施例中，光源640可以是發(fā)射光束的激光。激光可以由控制器610控制。然而實施例不限于此。例如單個激光可以用來發(fā)射用于與測量探測器500關聯(lián)的多個光源640中的每個光源的光。例如可以使用分光器(諸如光纖耦合器)將單個激光拆分成多個光束?？梢越?jīng)由光纖向光源640發(fā)送多個光束中的每個光束。在這樣的實施例中，光源640可以包括準直光學裝置，從而發(fā)射準直的光束。實施例不限于任何具體激光數(shù)目。例如一個激光可以用于每個微探測器子集。可以用任何適當方式向多個微探測器中的每個微探測器分布從激光發(fā)射的光束。例如可以時間復用和/或導引單個激光，從而將光束依次引向多個微探測器中的每個微探測器。
[0077]來自多個光電檢測器的檢測信號可以由控制器用作對向多個探測器中的每個探測器發(fā)送的驅動信號的反饋。可以使用并且本領域已知任何適當鎖定和/或反饋技術。
[0078]使用本領域已知的技術，控制器610可以基于多個光電檢測器生成的檢測信號確定測量的晶片的高度分布和表面電荷分布。多個微探測器520 —起確定局部和全局高度分布以及表面電荷分布?？刂破?10可以如以上描述的那樣利用這些分布以確定將在半導體制造工藝中使用的參數(shù)。
[0079]可以使用任何數(shù)目的控制器610。圖6圖示每微探測器520 —個控制器。然而實施例不限于此。單個控制器可以用于所有微探測器或者微探測器的子集。
[0080]圖7圖示測量探測器700的另一實施例的部分，該部分示出單個微探測器520。圖7中所示部件中的一些部件與圖6中所示部件相同或者相似并且用相同標識號來標注。
[0081]在這一實施例中，探測器700未使用干涉儀以測量微探測器520的移位。代之以使用包括多段的光電檢測器710以檢測從微探測器520反射的光束。例如圖7圖示具有兩段712和714的光電檢測器710。實施例不限于此，因為可以使用任何適當數(shù)目的段。反射的光束具有斑尺寸，并且光束斑在光電檢測器710上的位置基于微探測器520的移位。光電檢測器的每段可以輸出它自己的關聯(lián)檢測信號?？刂破?10可以例如使用兩個信號之差以確定微探測器520的移位。
[0082]盡管以上討論的實施例描述使用干涉儀和多段光電檢測器以測量微探測器520中的每個微探測器的移位，但是可以使用任何適當技術。實施例不限于任何具體測量技術。
[0083]圖8是圖示用于生產(chǎn)半導體器件的示例方法800的流程圖。在動作802處，提供具有多個微探測器的探測器。如以上描述的那樣，微探測器可以包括懸臂和頂端，并且可以被分割成與晶片上的半導體器件關聯(lián)的子集。
[0084]在動作804處，向微探測器中的每個發(fā)送驅動信號。這可以例如使用控制器來完成。驅動信號可以是正弦信號并且至少部分基于從用來測量每個相應微探測器的移位的至少一個光電檢測器接收的檢測信號。[0085]在動作806處，將來自光源的光束引向微探測器中的每個微探測器上。光束可以源于任何適當光源。例如光源可以是激光。在一些實施例中，可以使用分光器(諸如光纖耦合器)將單個激光拆分成多個光束?？梢越?jīng)由光纖向光源640發(fā)送多個光束中的每個光束。在這樣的實施例中，光源640可以包括準直光學裝置，從而發(fā)射準直的光束。實施例不限于任何具體類型的光源。
[0086]在動作808處，至少一個光電檢測器檢測從微探測器中的每個微探測器反射的光束。這可以用任何適當方式來完成。例如可以用參考光束干涉反射的光束從而產(chǎn)生光學干涉信號。光學干涉信號可以由光電檢測器檢測。備選地，包括多段的光電檢測器可以檢測從微探測器反射的光。在其它實施例中，可以時間復用和/或導引單個激光，從而將光束依次引向多個微探測器中的每個微探測器。實施例不限于用于檢測反射的光束的任何具體技術。
[0087]在動作810處，生成與微探測器中的每個微探測器關聯(lián)的檢測信號。在一些實施例中，檢測信號可以包括多個信號。例如，如果在動作808中使用段式光電檢測器，則檢測信號可以包括與多段中的每段關聯(lián)的段信號。
[0088]在動作812處，可以基于檢測信號中的每個檢測信號確定高度分布和/或表面電荷分布。例如，開爾文探測器力顯微鏡技術在本領域中已知用于基于檢測信號確定高度和表面電荷分布。實施例不限于用于從檢測信號確定分布的任何具體技術。
[0089]在動作814處，在晶片的表面之上掃描測量探測器。如以上描述的那樣，在測量探測器上的微探測器越多，需要的掃描時間越少，并且局部和全局均勻性的測量就越快?？梢杂萌魏芜m當方式掃描測量探測器。例如在一些實施例中，可以在保持測量探測器靜止時移動晶片。在其它實施例中，可以相對于彼此移動測量探測器和晶片。
[0090]并非在每個實施例中需要方法800的動作，實施例也不僅限于方法800中所示動作。例如附加動作可以包括確定一個或者多個制作工具，諸如CMP工具或者清潔工具將使用的一個或者多個制作參數(shù)?？梢韵蚬ぞ甙l(fā)送參數(shù)用于在制造一個或者多個半導體器件時使用。
[0091]可以用許多方式中的任何方式實施以上描述的實施例。例如可以使用硬件、軟件或者其組合來實施一些實施例。在用軟件實施時，可以在任何適當處理器或者無論是否在單個計算機中提供的或者在多個處理器之中分布的處理器匯集上執(zhí)行軟件代碼?？梢詫嵤┻@樣的處理器為集成電路而在集成電路部件中有一個或者多個處理器。然而可以使用任何適當形式的電路裝置來實施處理器。
[0092]另外應當理解，可以用許多形式、諸如架裝計算機、桌面型計算機、膝上型計算機或者寫字板計算機中的任何形式體現(xiàn)計算機。
[0093]這樣的計算機可以由任何適當形式的一個或者多個網(wǎng)絡互連、包括作為局域網(wǎng)或者廣域網(wǎng)、諸如企業(yè)網(wǎng)或者因特網(wǎng)。這樣的網(wǎng)絡可以基于任何適當技術并且可以根據(jù)任何適當協(xié)議來操作并且可以包括無線網(wǎng)絡、有線網(wǎng)絡或者光纖網(wǎng)絡。
[0094]也可以編碼這里概述的各種方法或者工藝為在運用多種操作系統(tǒng)或者平臺中的任何操作系統(tǒng)或者平臺的一個或者多個處理器上可執(zhí)行的軟件。此外，可以使用許多適當編程語言和/或編程或者腳本工具中的任何編程語言和/或編程或者腳本工具來編寫這樣的軟件，并且也可以編譯這樣的軟件為在框架或者虛擬卷上執(zhí)行的可執(zhí)行機器語言代碼或者中間代碼。
[0095]就這一點而言，實施例可以包括用一個或者多個程序編碼的一個計算機可讀存儲介質(或者多個計算機可讀介質)(例如計算機存儲器、一個或者多個軟盤、緊致盤(CD)、光盤、數(shù)字視頻盤(DVD)、磁帶、閃存、在現(xiàn)場可編程門陣列或者其它半導體器件中的電路配置或者其它有形計算機存儲介質)，該一個或者多個程序在一個或者多個計算機或者其它處理器上被執(zhí)行時執(zhí)行如下方法，這些方法實施以上討論的各種實施例。如從前述示例清楚的那樣，計算機可讀存儲介質可以將信息保留充分時間以提供非瞬態(tài)形式的計算機可執(zhí)行指令。這樣的一個或者多個計算機可讀存儲介質可以是可移植的，從而可以向一個或者多個不同計算機或者其它處理器上加載其上存儲的一個或者多個程序以實施如以上討論的實施例的各種方面。如這里所用，術語“計算機可讀存儲介質”僅涵蓋可以視為制造物(即制造品)或者機器的計算機可讀介質。備選地或者附加地，實施例可以包括除了計算機可讀存儲介質之外的計算機可讀介質、諸如傳播信號。
[0096]術語“程序”或者“軟件”這里在一般意義上用來指代任何類型的計算機代碼或者計算機可執(zhí)行指令集，可以運用該計算機代碼或者計算機可執(zhí)行指令集以對計算機或者其它處理器編程以實施如以上討論的實施例的各種方面。此外，應當理解，根據(jù)這一實施例的一個方面，在被執(zhí)行時執(zhí)行實施例的方法的一個或者多個計算機陳錫嘏無需在單個計算機或者處理器上駐留、但是可以用模塊方式分布于多個不同計算機或者處理器之中以對實施例的各種方面進行實施。
[0097]計算機可執(zhí)行指令可以有一個或者多個計算機或者其它設備執(zhí)行的許多形式、諸如程序模塊。一般而言，程序模塊包括執(zhí)行具體任務或者實施具體抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對象、部件、數(shù)據(jù)結構等。通?？梢栽诟鞣N實施例中如希望的那樣組合或者分布程序模塊的功能。
[0098]也可以用任何適當形式在計算機可讀介質中存儲數(shù)據(jù)結構。為了簡化示例，可以示出數(shù)據(jù)結構具有通過在數(shù)據(jù)結構中的位置來相關的字段?？梢酝ㄟ^在輸送在字段之間的關系的計算機可讀介質中向用于字段的存儲裝置分配位置來實現(xiàn)這樣的關系。然而任何適當機構可以用來建立在數(shù)據(jù)結構的字段中的信息之間的關系、包括通過使用子幀、標簽或者建立在數(shù)據(jù)元之間的關系的其它機構。
[0099]可以單獨、在組合中或者在前文中描述的實施例中未具體討論的多種布置中使用實施例的各種方面，因此在應用上不限于在前文描述中闡述的或者在附圖中圖示的部件的細節(jié)和布置。例如可以用任何方式組合在一個實施例中描述的方面與在其它實施例中描述的方面。
[0100]實施例也可以是方法，已經(jīng)提供該方法的示例?？梢杂萌魏芜m當方式對作為方法的部分而執(zhí)行的動作排序。因而，可以構造如下實施例，在這些實施例中按照與所示順序不同的如下順序執(zhí)行動作，該順序可以包括同時執(zhí)行盡管在示例實施例中表示為依次動作的
一些動作。
[0101]在權利要求中使用序數(shù)術語、諸如“第一”、“第二”、“第三”等以修飾權利要求要素本身未表示一個權利要求要素較另一權利要求要素而言的任何優(yōu)先、居先或者順序或者執(zhí)行方法的動作的時間順序、但是僅用作如下標記，這些標記用于區(qū)分具有某個名稱的一個權利要求要素與具有相同名稱(但是使用序數(shù)術語)的另一要素以區(qū)分權利要求要素。[0102]這里所用措詞和術語也用于描述的目的而不應視為限制。這里使用“包括”或者“具有”、“包含”、“涉及到”及其變體是為了涵蓋其后列舉的項目及其等效項目以及附加項目。
[0103]已經(jīng)這樣描述本發(fā)明的至少一個實施例的若干方面，將理解本領域技術人員將容易想到各種變更、修改和改進。這樣的變更、修改和改進旨在于是本公開內容的部分并且旨在于在本發(fā)明的精神實質和范圍內。另外，盡管指示本發(fā)明的優(yōu)點，但是應當理解，本發(fā)明的并非每個實施例將包括每個描述的優(yōu)點。一些實施例可以未實施如這里和在一些實例中描述為有利的任何特征。因而，前文描述和附圖僅通過示例。
【權利要求】
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括: 測量半導體晶片的至少一個性質； 基于所述至少一個性質確定用于處理所述半導體晶片的處理方法；并且基于所述確定的處理方法使用多個拋光模塊處理所述半導體晶片，其中所述處理方法包括用于由所述多個拋光模塊中的每個拋光模塊使用的至少一個參數(shù)的值。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中: 測量所述半導體晶片的至少一個性質包括測量所述半導體晶片的頂表面的至少一個性質。
3.根據(jù)權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中: 所述至少一個性質是所述半導體晶片的所述頂表面的均勻性。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中: 從由壓強、漿流速、轉速和持續(xù)時間構成的組選擇由所述處理方法指定的所述至少一個參數(shù)。
5.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括: 基于所述確定的處理方法使用清潔模塊處理所述半導體晶片，其中所述處理方法包括用于所述清潔模塊的至少一個參數(shù)的值。
6.根據(jù)權利要求4所述的 制造半導體器件的方法，其中: 用于所述清潔模塊的所述至少一個參數(shù)包括所述清潔模塊將使用的化學物類型的指/Jn ο
7.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中: 測量所述半導體晶片的所述至少一個性質包括使用渦電流度量設備。
8.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中: 所述多個拋光模塊中的至少一個拋光模塊是化學機械拋光(CMP)模塊。
9.一種用于處理半導體晶片的半導體處理設備，所述設備包括: 多個拋光模塊，每個拋光模塊包括: 接口，用于接收指定如何處理所述半導體晶片的至少一個參數(shù)； 內建度量設備，被配置用于測量所述半導體晶片的至少一個性質； 控制器，被配置用于: 從所述內建度量單元接收所述半導體晶片的所述至少一個性質； 為每個拋光模塊生成指定如何處理所述半導體晶片的至少一個相應參數(shù)；并且 向所述多個拋光模塊中的每個拋光模塊發(fā)送所述至少一個相應參數(shù)。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體處理設備，其中: 所述內建度量設備測量的所述至少一個性質是所述半導體晶片的頂層的至少一個性質。
11.根據(jù)權利要求9所述的半導體處理設備，其中: 從由壓強、漿流速、轉速和持續(xù)時間構成的組選擇由每個拋光模塊接收的所述至少一個參數(shù)。
12.根據(jù)權利要求9所述的半導體處理設備，還包括: 清潔模塊，用于基于至少一個清潔參數(shù)清潔所述半導體晶片；其中所述控制器被配置用于: 基于所述半導體晶片的所述至少一個性質生成指定如何清潔所述半導體晶片的所述至少一個清潔參數(shù)；并且 向所述清潔模塊發(fā)送所述至少一個清潔參數(shù)。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體處理設備，其中: 所述至少一個清潔參數(shù)包括所述清潔模塊將使用的化學物類型的指示。
14.根據(jù)權利要求9所述的半導體處理設備，其中: 所述內建度量設備包括渦電流度量設備。
15.根據(jù)權利要求9所述的半導體處理設備，其中: 所述多個拋光模塊中的至少一個拋光模塊是化學機械拋光(CMP)模塊。
16.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括: 使用第一拋光模塊處理半導體晶片； 在所述第一拋光模塊處理所述半導體晶片時，原位測量所述半導體晶片的第一性質； 基于所述第一性質 確定用于處理所述半導體晶片的第一參數(shù)；并且 基于所述第一參數(shù)使用第二拋光模塊處理所述半導體晶片。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，還包括: 在使用第一拋光模塊處理所述半導體晶片之前，使用內建測量設備測量第二性質；并且 基于所述第二性質確定用于處理所述半導體晶片的第二參數(shù)， 其中基于所述第二參數(shù)執(zhí)行使用所述第一拋光模塊處理所述半導體晶片。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中: 從由壓強、漿流速、轉速和持續(xù)時間構成的組選擇所述第一參數(shù)。
19.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中: 所述第一性質是所述半導體晶片的頂表面的均勻性。
20.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中: 所述第一拋光模塊和所述第二拋光模塊中的至少一個拋光模塊是化學機械拋光(CMP)模塊。
【文檔編號】H01L21/321GK103681399SQ201310384327
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月27日 優(yōu)先權日:2012年9月14日
【發(fā)明者】J·H·張 申請人:意法半導體公司