一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層，所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，所述混合阻擋層的材質(zhì)為氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料，該有機(jī)電致發(fā)光器件采用多層材料層交替封裝，致密性高，可有效地減少氧和水汽對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和陰極層之間夾有多層有機(jī)材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會發(fā)光。近年來，有 機(jī)電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動電壓以及 節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最有 可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。
[0003] 目前，有機(jī)電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因為有機(jī)材料薄膜很疏 松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。在實(shí)際工作時，陰極層被腐蝕 10%就會嚴(yán)重影響器件的工作。因此，有必要提供一種能夠有效阻隔水氧滲透的有機(jī)電致 發(fā)光器件的封裝方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層采用多層碳氮化硅阻擋層與混合阻擋層交替封裝，致密 性高，可有效地減少氧和水汽對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光 器件的壽命。本發(fā)明方法適用于以導(dǎo)電玻璃為基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于以 塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電 致發(fā)光器件。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā) 光功能層、陰極層和封裝層，其特征在于所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的碳氮化硅阻擋層 和混合阻擋層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，所述混合阻擋層的材質(zhì)為 氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料，所述金屬硒化物為三硒化二銻（Sb2Se3)、硒化鑰 (MoSe2)、三硒化二鉍（Bi2Se3)、硒化鈮（NbSe2)、硒化鉭（TaSe2)、或硒化亞銅（Cu2Se),所述 氮化物為氮化硅（Si3N4)、氮化鋁（A1N)、氮化硼（BN)、氮化鉿（HfN)、氮化鉭（TaN)或氮化鈦 (TiN)0
[0006] 優(yōu)選地，在所述氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料中，所述金屬硒化物的摻 雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
[0007] 優(yōu)選地，所述碳氮化娃阻擋層的厚度為IOOnm?150nm，所述混合阻擋層的厚度均 為IOOnm?150nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層依次交替重復(fù)設(shè)置3?5次。
[0009] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子 傳輸層和電子注入層。
[0010] 優(yōu)選地，所述陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娝芰匣蚪饘俦∧せ濉?br> [0011]空穴注入層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν' -(1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)摻雜MoO3 (三氧化鑰）。
[0012] 空穴傳輸層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)0
[0013] 發(fā)光層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)摻雜三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy) 3)。
[0014] 電子傳輸層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)。
[0015] 電子注入層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)摻 雜疊氮化銫（CsN3)。
[0016] 陰極層可以為非透明金屬陰極層(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極層（介質(zhì)層夾 雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0017] 優(yōu)選地，陰極層為非透明金屬陰極層，材質(zhì)優(yōu)選為鋁、銀、金。
[0018] 所述封裝層采用碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層依次交替疊層設(shè)置的方式沉積在 陰極層表面，可以保護(hù)發(fā)光功能層和陰極層在后續(xù)操作過程中免遭破壞；所述封裝層中的 混合阻擋層為氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料，結(jié)構(gòu)致密，能夠有效地阻隔水氧滲 透進(jìn)入器件內(nèi)部，其中，氮化物阻水性能高，金屬硒化物硬度不大，具有內(nèi)應(yīng)力小的優(yōu)點(diǎn)，氮 化物摻雜金屬硒化物形成的混合阻擋層在有效阻隔水氧的同時還可以緩解膜層應(yīng)力；所述 碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，其抗腐蝕能力強(qiáng)，平整度高，是非常好的襯底， 能進(jìn)一步延長水、氧滲透路徑，有效阻擋外界水汽和氧氣對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而 延長器件壽命。
[0019] 另一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0020] (1)在潔凈的導(dǎo)電基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板； 采用真空蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基板上制備發(fā)光功能層和陰極層；
[0021] (2)在陰極層上制備封裝層，制備方法如下：
[0022] (a)碳氮化硅阻擋層的制作：
[0023] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻 擋層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程 中采用的氣源為甲基硅烷（麗S)、氨氣（NH3)和氫氣（H2)，其中，所述氫氣的流量為190? 21〇SCCm，所述甲基硅烷的流量為4?lOsccm，所述氨氣的流量為甲基硅烷流量的20?30 倍；
[0024] (b)混合阻擋層的制作：
[0025] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻 擋層的材質(zhì)為氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料，所述金屬硒化物為三硒化二銻 (Sb2Se3)、硒化鑰（MoSe2)、三硒化二鉍（Bi2Se3)、硒化鈮（NbSe2)、硒化鉭（TaSe2)、或硒化亞 銅（Cu2Se)，所述氮化物為氮化硅（Si3N4)、氮化鋁（AlN)、氮化硼（BN)、氮化鉿（HfN)、氮化鉭 (TaN)或氮化鈦（TiN)，所述磁控濺射過程中的本底真空度為IXKT5Pa?IX10_3Pa。
[0026] 優(yōu)選地，在所述氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料中，所述金屬硒化物的摻 雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
[0027] 優(yōu)選地，所述碳氮化硅阻擋層的厚度為IOOnm?150nm，所述混合阻擋層的厚度均 為IOOnm?150nm。
[0028] 優(yōu)選地，所述碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層依次交替重復(fù)設(shè)置3?5次。
[0029] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子 傳輸層和電子注入層。
[0030] 優(yōu)選地，所述陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娝芰匣蚪饘俦∧せ濉?br> [0031] 空穴注入層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν' -(1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)摻雜MoO3 (三氧化鑰）。
[0032] 空穴傳輸層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)0
[0033] 發(fā)光層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)摻雜三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy) 3)。
[0034] 電子傳輸層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)。
[0035] 電子注入層采用行業(yè)內(nèi)常用材料，優(yōu)選為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)摻 雜疊氮化銫（CsN3)。
[0036] 陰極層可以為非透明金屬陰極層(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極層（介質(zhì)層夾 雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0037] 優(yōu)選地，陰極層為非透明金屬陰極層，材質(zhì)優(yōu)選為鋁、銀、金。
[0038] 通過上述步驟制得所述有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極導(dǎo)電基板、 發(fā)光功能層、陰極層和封裝層。
[0039] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法采用PECVD在陰極上制備碳氮化硅阻擋層，能 獲得平整度高、膜層均勻的碳氮化硅阻擋層，此外，該P(yáng)ECVD方法能在溫度較低的條件下進(jìn) 行，能防止高溫操作對器件有機(jī)層的損害，該器件的制備方法制得了多層材料層交替封裝 結(jié)構(gòu)，制備方法簡便，采用的封裝材料比較廉價，易于大面積制備，該方法尤其適用于封裝 柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0040] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0041] (1)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層的存在可以保護(hù)發(fā) 光功能層和陰極層，采用多層材料層交替設(shè)置，致密性高，可有效地減少氧氣和水汽對有機(jī) 電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0042] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能（WVTR)達(dá)到7· 5X10_6g/m2 .day，壽命達(dá) 13, 500小時以上（T70@1000cd/m2:即起始亮度為1000cd/m2,亮度衰減到70%所用的時間）；
[0043] (3)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽極基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也 適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用 于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0044] (4)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價，封裝方法工藝簡單，易大面積制備，適于 工業(yè)化大規(guī)模使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0046] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0047] 實(shí)施例1
[0048] 如圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā) 光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0049] (1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層20和陰極層30
[0050]a.導(dǎo)電玻璃基板的前處理
[0051] 取ITO玻璃基板10,依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗， 均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?；對?凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的 功函數(shù)；ITO厚度為IOOnm;
[0052] b.發(fā)光功能層20和陰極層30的制備
[0053] 采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板10上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層構(gòu)成發(fā)光功能層20,方法如下：
[0054] 空穴注入層的制備：在ITO玻璃基板10上蒸鍍由NPB摻雜MoO3形成的混合材料， MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，該層厚度為10nm，真空度3XKT5Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S;
[0055] 空穴傳輸層的制備：在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層，采用4, 4'，4''-三(咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.丨Α/s，蒸發(fā)厚度 30nm；
[0056] 發(fā)光層的制備：在空穴傳輸層上蒸鍍發(fā)光層，發(fā)光層的主體材料米用1，3, 5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，客體材料采用三（2-苯基吡啶）合銥 (Ir(ppy) 3)，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%，真空度3XKT5Pa,蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm;
[0057] 電子傳輸層的制備：在發(fā)光層上蒸鍍一層4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)作 為電子傳輸材料，真空度3XKT5Pa,蒸發(fā)速度〇.丨Α/s,蒸發(fā)厚度IOnm;
[0058] 電子注入層的制備：在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層，將CsN3摻入Bphen中，摻雜 質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%，真空度3XKT5Pa,蒸發(fā)速度〇. 2A/S,蒸發(fā)厚度20nm;
[0059] 再在電子注入層上蒸鍍制備陰極層30,金屬陰極層30采用鋁（Al)，厚度為lOOnm， 真空度3XKT5Pa,蒸發(fā)速度5A/S。
[0060] (2)在陰極層30上制備封裝層40
[0061]a.碳氮化娃阻擋層401的制作：
[0062] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層30表面沉積碳氮化硅 阻擋層401，所述碳氮化硅阻擋層401的材質(zhì)為氮碳化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層401的 厚度為llOnm，所述沉積碳氮化硅阻擋層401的過程中采用的氣源為甲基硅烷（MMS)、氨氣 (NH3)和氫氣（H2)，其中，所述H2的流量為190sccm，所述MMS的流量為5sccm，所述NH3/MMS 的比值為20 ;
[0063]b.混合阻擋層402的制作：
[0064] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層401上制備混合阻擋層402,所述混 合阻擋層402的材質(zhì)為TiN摻雜金屬Cu2Se,Cu2Se的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述混合阻擋層 402的厚度為120nm，所述磁控濺射過程中的本底真空度為IXKT3Pa;
[0065] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層401和混合阻擋層402分別3次，形成封裝層40,得 到有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖1所示，本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件依次包括ITO玻璃基 板10、發(fā)光功能層20、陰極層30、封裝層40,所述封裝層為碳氮化硅阻擋層401和混合阻擋 層402的疊層組合重復(fù)3次而成，其中，所述碳氮化硅阻擋層401的厚度為110nm，所述混合 阻擋層402的厚度為120nm。
[0066]本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)可以表不為ITO(IOOnm) / NPB: 30wt%Mo0s (IOnm)/TCTA(30nm) /TPBI: 5wt°/〇(Ir(ppy) 3) (20nm)/Bphen(IOnm) / Bphen:30wt%CsN3/Al(100nm) / 氮碳化娃（110nm)/TiN:20wt%Cu2Se(120nm) / 氮碳化娃 (IlOnm)/TiN: 20wt%Cu2Se(120nm) / 氮碳化硅（IlOnm)/TiN: 20wt%Cu2Se(120nm);其中，斜杠 "/"表示層狀結(jié)構(gòu)，"wt%"表示質(zhì)量百分?jǐn)?shù)，氮碳化硅為本發(fā)明實(shí)施例1制備的碳氮化硅化 合物。
[0067] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)為7. 5X KT6g/ m2 ·day，壽命為13, 504小時。
[0068]實(shí)施例2
[0069] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0070] (1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0071] 同實(shí)施例一；
[0072] (2)在陰極層上制備封裝層
[0073]a.碳氮化硅阻擋層的制作：
[0074] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋 層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層的的厚度為140nm， 所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲基硅烷(MMS)、氨氣（NH3)和氫氣（H2), 其中，所述H2的流量為205sccm，所述MMS的流量為8sccm，所述NH3/MMS的比值為24 ;
[0075] b.混合阻擋層的制作：
[0076] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層 的材質(zhì)為AlN摻雜MoSe2,MoSe2的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，所述混合阻擋層的厚度為lOOnm，所 述磁控濺射過程中的本底真空度為IXKT5Pa;
[0077] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層4次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0078] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能（WVTR)為6.IXΚΓ6,g/ m2 ·day，壽命為13, 563小時。
[0079] 實(shí)施例3
[0080] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0081] (1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0082] 同實(shí)施例一；
[0083] (2)在陰極層上制備封裝層
[0084]a.碳氮化硅阻擋層的制作：
[0085] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋 層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層的的厚度為140nm， 所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲基硅烷(MMS)、氨氣（NH3)和氫氣（H2), 其中，所述H2的流量為21〇SCCm，所述麗S的流量為6SCCm，所述NH3/MMS的比值為21;
[0086]b.混合阻擋層的制作：
[0087] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層 的材質(zhì)為BN摻雜Bi2Se3,Bi2Se3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23%，所述混合阻擋層的厚度為120nm， 所述磁控濺射過程中的本底真空度為IXKT5Pa;
[0088] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層3次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0089] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能（WVTR)為6. 5XKT6g/ m2 ·day，壽命為13, 541小時。
[0090] 實(shí)施例4
[0091] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0092] (1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0093] 同實(shí)施例一；
[0094] (2)在陰極層上制備封裝層
[0095]a.碳氮化娃阻擋層的制作：
[0096] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋 層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層的的厚度為130nm， 所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲基硅烷(MMS)、氨氣（NH3)和氫氣（H2), 其中，所述H2的流量為190sccm，所述麗S的流量為lOsccm，所述NH3/MMS的比值為20; [0097] b.混合阻擋層的制作：
[0098] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層 的材質(zhì)為HfN摻雜NbSe2,NbSe2的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述混合阻擋層的厚度為140nm，所 述磁控濺射過程中的本底真空度為5XKT5Pa;
[0099] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層3次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0100] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)為7.OXKT6g/ m2 ·day，壽命為13, 528小時。
[0101] 實(shí)施例5
[0102] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0103] (1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0104] 同實(shí)施例一；
[0105] (2)在陰極層上制備封裝層
[0106]a.碳氮化娃阻擋層的制作：
[0107] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋 層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層的的厚度為lOOnm， 所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲基硅烷(MMS)、氨氣（NH3)和氫氣（H2), 其中，所述H2的流量為190sccm，所述麗S的流量為4sccm，所述NH3/MMS的比值為30 ;
[0108]b.混合阻擋層的制作：
[0109] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層 的材質(zhì)為TaN摻雜TaSe2,TaSe2的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述混合阻擋層的厚度為130nm，所 述磁控濺射過程中的本底真空度為5XKT5Pa;
[0110] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層3次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0111] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)為7. 3XKT6g/ m2 ·day，壽命為13, 517小時。
[0112] 實(shí)施例6
[0113] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0114] ( 1)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0115] 同實(shí)施例一；
[0116] ( 2 )在陰極層上制備封裝層
[0117]a.碳氮化硅阻擋層的制作：
[0118] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD)在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋 層，所述碳氮化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，所述沉積碳氮化硅阻擋層的的厚度為150nm， 所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲基硅烷(MMS)、氨氣（NH3)和氫氣（H2), 其中，所述H2的流量為200sccm，所述麗S的流量為7sccm，所述NH3/MMS的比值為25 ;
[0119]b.混合阻擋層的制作：
[0120] 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層 的材質(zhì)為Si3N4摻雜Sb2Se3,Sb2Se3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述混合阻擋層的厚度為150nm， 所述磁控濺射過程中的本底真空度為IXKT5Pa;
[0121] 交替重復(fù)制備碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層5次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0122] 本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能（WVTR)為6.OXKT6g/ m2 ·day，壽命為13, 585小時。
[0123] 綜上，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對有機(jī) 電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)陰極層免遭破 壞。
[0124] 封裝膜層致密性至關(guān)重要，根據(jù)器件測試結(jié)果可選擇合適的工藝條件。以上所述 是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā) 明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝 層，其特征在于，所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的碳氮化硅阻擋層和混合阻擋層，所述碳氮 化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，所述混合阻擋層的材質(zhì)為氮化物摻雜金屬硒化物形 成的混合材料，所述金屬硒化物為三硒化二銻、硒化鑰、三硒化二鉍、硒化鈮、硒化鉭或硒化 亞銅，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，在所述氮化物摻雜金屬硒化 物形成的混合材料中，所述金屬硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻擋層的厚度 為100nm?150nm，所述混合阻擋層的厚度均為100nm?150nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻擋層和混合 阻擋層依次交替重復(fù)設(shè)置3?5次。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層 疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 在潔凈的導(dǎo)電基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板；采用 真空蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基板上制備發(fā)光功能層和陰極層； (2) 在陰極層上制備封裝層，制備方法如下： (a) 碳氮化娃阻擋層的制作： 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋層，所述碳氮 化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅化合物，所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中采用的氣源為甲 基娃燒、氨氣和氫氣，其中，所述氫氣的流量為190?210sccm，所述甲基娃燒的流量為4? lOsccm，所述氨氣的流量為甲基硅烷流量的20?30倍； (b) 混合阻擋層的制作： 通過磁控濺射的方法在所述碳氮化硅阻擋層上制備混合阻擋層，所述混合阻擋層的材 質(zhì)為氮化物摻雜金屬硒化物形成的混合材料，所述金屬硒化物為三硒化二銻、硒化鑰、三硒 化二鉍、硒化鈮、硒化鉭或硒化亞銅，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭 或氮化鈦，所述磁控濺射過程中的本底真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述氮化物摻 雜金屬硒化物形成的混合材料中，所述金屬硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碳氮化硅阻 擋層的厚度為l〇〇nm?150nm，所述混合阻擋層的厚度均為lOOnm?150nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碳氮化硅阻 擋層和混合阻擋層依次交替重復(fù)設(shè)置3?5次。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層 包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號】H01L51/56GK104425748SQ201310384535
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司