一種led管芯片電極的制作方法、led管芯片及l(fā)ed管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種焊線成本低，焊點(diǎn)可靠的LED芯片電極的制作方法，包括在襯底上依次生長出N型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，1）在所述P型半導(dǎo)體層上需要制作P型電極的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層非奧姆接觸的第一電極接觸層；2）在所述第一電極接觸層上鍍上電流阻擋層；3）在所述P型半導(dǎo)體層上，未被上述第一電極接觸層和電流阻擋層覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層；4）在所述電流阻擋層上鍍上與電流擴(kuò)散層歐姆接觸的第二電極接觸層；5）在所述第二電極接觸層上鍍上第三電極接觸層；6）在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層。
【專利說明】—種LED管芯片電極的制作方法、LED管芯片及LED管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED管芯片的制作方法、LED芯片及LED,尤其一種LED管芯片上的電極的制作方法，采用該方法的LED芯片及LED。
【背景技術(shù)】
[0002]所謂的LED管(LED)就是將具備直接能隙的半導(dǎo)體材料層做成P/N 二極管，在熱平衡的條件下，大部份的電子沒有足夠的能量躍升至導(dǎo)電帶。再施以順向偏壓，則電子會(huì)躍升至導(dǎo)電帶，而電子在原價(jià)鍵帶上的原位置即產(chǎn)生空穴。在適當(dāng)?shù)钠珘合拢娮?、空穴便?huì)在P/N節(jié)區(qū)域(P-N Juction)結(jié)合而發(fā)光，電源的電流會(huì)不斷的補(bǔ)充電子和空穴給負(fù)N型半導(dǎo)體和正P型半導(dǎo)體，使得電子、空穴結(jié)合而發(fā)光得以持續(xù)進(jìn)行。LED發(fā)光的原理是電子和空穴的結(jié)合，電子所帶的能量，以光的形式釋放出來，稱為自發(fā)放射。一般LED所放出的光便是屬于此種類型。
[0003]一顆傳統(tǒng)的藍(lán)綠光芯片架構(gòu)如圖1所示，可分成正極焊點(diǎn)01、透明電極02、正型氮化鎵03、發(fā)光層04、極焊點(diǎn)05、負(fù)型氮化鎵06、本質(zhì)型氮化鎵緩沖07、藍(lán)寶石襯底8組成。其電極結(jié)構(gòu)是直接在正型氮化鎵03和負(fù)型氮化鎵06上蒸發(fā)鍍金或?yàn)R射鍍金的Cr，Pt，Au。采用這種電極結(jié)構(gòu)的芯片在封裝是必需使用材料為金的連接線，且由于共金性不好，焊線
質(zhì)量不可靠。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種封裝成本低、焊線質(zhì)量可靠的LED管芯片制作方法、芯片及采用該芯片的LED管。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段是:
[0006]—種LED管芯片電極的制造方法,包括在襯底上依次生長出N型半導(dǎo)體層,發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，I)在所述P型半導(dǎo)體層上需要制作P型電極的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層非奧姆接觸的第一電極接觸層；2)在所述第一電極接觸層上鍍上電流阻擋層；3)在所述P型半導(dǎo)體層上，未被上述第一電極接觸層和電流阻擋層覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層；4)在所述電流阻擋層上鍍上與電流擴(kuò)散層歐姆接觸的第二電極接觸層；5)在所述第二電極接觸層上鍍上第三電極接觸層；6)在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層。
[0007]一種LED管芯片，包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層。
[0008]一種LED管，包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線和焊點(diǎn)、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體，將芯片固定在支架14上的導(dǎo)電膠141，所述芯片包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于:所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層，所述焊線和焊點(diǎn)材料為:Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明采用依次鍍上的第一電極接觸層、電流阻擋層、電流擴(kuò)散層、第二電極接觸層、第三電極接觸層及最后在第三電極接觸層上用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層的結(jié)構(gòu)。由于采用該方法獲得的電流焊線層的質(zhì)地比較軟，焊接性能好，在后續(xù)封裝時(shí)，可以選擇價(jià)格低廉的焊線材料如Al、Ag、Pd和Cu以降低成本，即使選擇Au為焊線也可以形成比現(xiàn)有的電極結(jié)構(gòu)更可靠的焊點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是現(xiàn)有技術(shù)LED芯片的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0011]圖2是雙電極LED芯片的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3是圖2A-A方向剖面的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖4是圖2A-A方向剖面的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖5是單電極LED芯片剖面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖6是雙電極LED芯片焊線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖7是雙電極LED芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖8是單電極LED芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0019]實(shí)施例1，參考圖2、圖3和圖4，一種LED管芯片電極的制造方法，包括在襯底I上依次生長出N型半導(dǎo)體層2，發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4 ;在所述P型半導(dǎo)體層上刻蝕部分區(qū)域，去除該區(qū)域的P型半導(dǎo)體層4、發(fā)光層3至顯露負(fù)N型半導(dǎo)體層2 ;顯露的N型半導(dǎo)體層2形成N型電極區(qū)21，用于制作N型電極22，未被蝕刻的P型半導(dǎo)體層4形成P型電極區(qū)41，用于制作P型電極42，所述P型電極42的制作方法包括以下步驟:1)在所述P型電極區(qū)41上需要制作P型電極42的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層4非奧姆接觸的第一電極接觸層10 ;2)在所述第一電極接觸層10上鍍上電流阻擋層5 ;3)在所述P型電極區(qū)41上，未被上述第一電極接觸層10和電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層6 ;4)在所述電流阻擋層5上鍍上與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸的第二電極接觸層11 ；5)在所述第二電極接觸層11上鍍上第三電極接觸層7 ；6)在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層8。
[0020]具體是，選用制作好的LED外延片，其包括藍(lán)寶石襯底1，藍(lán)寶石襯底I上生長有氮化鎵材料的N型半導(dǎo)體層2、銦鎵氮材料的發(fā)光層3以及氮化鎵材料的P型半導(dǎo)體層4。在P型半導(dǎo)體層4上蝕刻部分區(qū)域，蝕刻深度穿過發(fā)光層2至顯露N型半導(dǎo)體層，所顯露的N型半導(dǎo)體層為N型電極區(qū)21，用于制作N型電極22 ;而P型半導(dǎo)體層4上未被蝕刻的區(qū)域?yàn)镻型電極區(qū)41，用于制作P型電極42。由于電流阻擋層5的材料與P型半導(dǎo)體層粘合不可靠，故在制作電流阻擋層5時(shí)，先在P型電極區(qū)41上，擬設(shè)計(jì)P型電極42的區(qū)域鍍上Ti或Cr或Al或Ag或Pt材料，形成第一電極接觸層10 ;再在該第一電極接觸層10鍍上Ti02或A1203或Si02或Si3N4或ZnO，形成電流阻擋層5，從而防止因電流阻擋層的粘合性不好而造成電極脫落。然后在P型電極區(qū)41上，未被上述第一電極接觸層10和電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層6。再在電流擴(kuò)散層6上，用Ti或Ni覆蓋所述電流阻擋層5作為第二電極接觸層11，并在所述第二電極接觸層11上鍍上Au或Pt或Cr或Wu或Pd作為第三電極接觸層7。所述第二電極接觸層11和第三電極接觸層7均與電流擴(kuò)散層6形成良好的歐姆接觸。電流通過第二電極接觸層11和第三電極接觸層7流向電流擴(kuò)散層6，電流擴(kuò)散層6將電流更均勻擴(kuò)散到阻擋層外5的發(fā)光層3。第二電極接觸層11的目的也為了更好的將第三電極接觸層7附著在電流阻擋層5上；而鍍第三電極接觸層7的目的是為了在后續(xù)采用化學(xué)方式鍍材料為金的電極焊線層8時(shí)，誘使金沉淀在其上。所述化學(xué)鍍金是利用化學(xué)還原反應(yīng)的原理，使溶液中的金離子在第三電極接觸層上成為金析出，主要反應(yīng)方程式如下:
[0021 ] R+H20 — 0x+H.+e
[0022]NaAu (SO3) 2 — Au +Na +2 (SO3)
[0023]e+Au +2e — Au
[0024]2H++2e — H2
[0025]但反應(yīng)初期是溶液中的金離子與第三電極接觸層上的金屬置換優(yōu)先，其后再發(fā)生還原反應(yīng)，以后析出的金有自己的觸媒作用，順利進(jìn)行還原。
[0026]以上為雙電極LED芯片的P電極42的制作方法，由于N型電極區(qū)可以不制作電流阻擋層5和電流擴(kuò)散層6，所以N電極22的制作方法可以與P電極42的方法稍有不同。
[0027]參考圖3，其中一種制作N電極22的方法是，在上述P型電極區(qū)41上制作所述第
I)、第2)、第4)、第5)和第6)步工藝中，即是在P型電極區(qū)41上鍍上第一電極接觸層10、電流阻擋層5、第二電極接觸層11、第三電極接觸層7和電極焊線層8時(shí)，也在N型電極區(qū)21上同時(shí)鍍上第一電極接觸層10、電流阻擋層5、第二電極接觸層11、第三電極接觸層7和電極焊線層8，只有制作電流擴(kuò)散層6工藝時(shí)，不需要在N型電極區(qū)21上形成。當(dāng)然，也可以如圖4所示，僅在N電極22上加入包括電極焊線層8與第三電極接觸層7的組合；或包括電極焊線層8加第三電極接觸層7和第二電極接觸層11等一種或幾種組合。這樣，由于N電極22的結(jié)構(gòu)在制作P電極42的工藝中同時(shí)形成，就可以避免在制作P電極42的過程中覆蓋保護(hù)膜保護(hù)N型電極區(qū)21的工藝，工藝比較簡單。
[0028]采用實(shí)施例1的一種LED管芯片的電極制造方法所形成的一種LED管芯片的結(jié)構(gòu)是:包括襯底1，和依次覆蓋在襯底I上的N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，所述P型半導(dǎo)體層4上的部分區(qū)域被去除至顯露N型半導(dǎo)體層2形成N型電極區(qū)21，P型半導(dǎo)體層4上未被去除的區(qū)域形成P型電極區(qū)41。所述P型電極區(qū)41上設(shè)置有第一電極接觸層10，所述第一接觸層10上設(shè)置有電流阻擋層5，所述P型電極區(qū)41上除電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層6，所述電流阻擋層5上設(shè)置有第二電極接觸層11，所述第二電極接觸層11上設(shè)置有第三電極接觸層7，所述第二電極接觸層11和第三電極接觸層7與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸，所述第三電極接觸層11上設(shè)置材料為金的電極焊線層8。所述N型電極區(qū)21上也設(shè)置有與所述P型電極區(qū)41上相同的第一電極接觸層10、電流阻擋層5、第二電極接觸層11、第三電極接觸層7和材料為金的電極焊線層8。
[0029]參考圖6和圖7，采用實(shí)施例1的一種LED管芯片的電極制造方法獲得芯片封裝后的LED結(jié)構(gòu)是，包括支架14、安裝于支架14上芯片、電連接芯片與支架14的焊線13和焊點(diǎn)12、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體15，所述芯片包括襯底1，和依次覆蓋在襯底I上的N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，所述P型半導(dǎo)體層4上的部分區(qū)域被去除至顯露N型半導(dǎo)體層2形成N型電極區(qū)21，P型半導(dǎo)體層4上未被去除的區(qū)域形成P型電極區(qū)41。所述P型電極區(qū)41上設(shè)置有第一電極接觸層10，所述第一接觸層10上設(shè)置有電流阻擋層5，所述P型電極區(qū)41上除電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層6，所述電流阻擋層5上設(shè)置有第二電極接觸層11，所述第二電極接觸層11上設(shè)置有第三電極接觸層7，所述第二電極接觸層11和第三電極接觸層7與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸，所述第三電極接觸層11上設(shè)置材料為金的電極焊線層8。所述焊線12和焊點(diǎn)12的材料為:Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。所述N型電極區(qū)21上也設(shè)置有與所述P型電極區(qū)41上相同的第一電極接觸層10、電流阻擋層5、第二電極接觸層11、第三電極接觸層7和材料為金的電極焊線層8。
[0030]實(shí)施例2，本發(fā)明的方法還可以應(yīng)用于單電極芯片上，當(dāng)芯片襯底為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，或應(yīng)用去除襯底的方法獲得的芯片上，或應(yīng)用其他結(jié)構(gòu)致使襯底具有導(dǎo)電功能的芯片上，僅需要在P型半導(dǎo)體層上制作一個(gè)電極即可。參考圖5，實(shí)施例2的大部分工藝與實(shí)施例1的工藝相同，不同之處在于實(shí)施例2不需要刻蝕P型半導(dǎo)體層4、發(fā)光層3至負(fù)N型半導(dǎo)體層2，不需要顯露的N型半導(dǎo)體層4形成N型電極區(qū)41，即是不需要制作N電極22的相關(guān)工藝，僅需要制作P電極42的工藝即可。
[0031]具體包括，在襯底I上依次生長出N型半導(dǎo)體層2，發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4 ;在所述P型半導(dǎo)體層4上需要制作P型電極42的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層4非奧姆接觸的第一電極接觸層10 ;在所述第一電極接觸層10上鍍上電流阻擋層5 ;在所述P型半導(dǎo)體層4上，未被上述第一電極接觸層10和電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層6 ;在所述電流阻擋層5上鍍上與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸的第二電極接觸層11 ;在所述第二電極接觸層11上鍍上第三電極接觸層7 ;在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層8。所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為:Ti02或A1203或Si02或Si3N4或ZnO。所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
[0032]參考圖5,米用實(shí)施例2的一種LED管芯片的電極制造方法所形成的一種LED管芯片的結(jié)構(gòu)是:包括襯底1，和依次覆蓋在襯底I上的N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，所述P型半導(dǎo)體層4設(shè)置有第一電極接觸層10，所述第一接觸層10上設(shè)置有電流阻擋層5，所述P型半導(dǎo)體層4上除電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層6，所述電流阻擋層5上設(shè)置有第二電極接觸層11，所述第二電極接觸層11上設(shè)置有第三電極接觸層7，所述第二電極接觸層11和第三電極接觸層7與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸，所述第三電極接觸層11上設(shè)置材料為金的電極焊線層8。所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為:Ti02或A1203或Si02或Si3N4或ZnO。所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
[0033]參考圖8，采用實(shí)施例2的一種LED管芯片的電極制造方法獲得芯片封裝后的LED結(jié)構(gòu)是，包括支架14、安裝于支架14上芯片、電連接芯片與支架14的焊線13和焊點(diǎn)12、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體15，芯片固定在支架14上的導(dǎo)電膠141。所述芯片包括襯底1，和依次覆蓋在襯底I上的N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3和P型半導(dǎo)體層4，所述P型半導(dǎo)體層4設(shè)置有第一電極接觸層10，所述第一接觸層10上設(shè)置有電流阻擋層5，所述P型半導(dǎo)體層4上除電流阻擋層5覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層6，所述電流阻擋層5上設(shè)置有第二電極接觸層11，所述第二電極接觸層11上設(shè)置有第三電極接觸層7，所述第二電極接觸層11和第三電極接觸層7與電流擴(kuò)散層6歐姆接觸，所述第三電極接觸層11上設(shè)置材料為金的電極焊線層8。所述焊線12和焊點(diǎn)12的材料為:Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。
【權(quán)利要求】
1.一種LED管芯片電極的制造方法，包括在襯底上依次生長出N型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，其特征在于: 1)在所述P型半導(dǎo)體層上需要制作P型電極的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層非奧姆接觸的第一電極接觸層； 2)在所述第一電極接觸層上鍍上電流阻擋層； 3)在所述P型半導(dǎo)體層上，未被上述第一電極接觸層和電流阻擋層覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴(kuò)散層； 4)在所述電流阻擋層上鍍上與電流擴(kuò)散層歐姆接觸的第二電極接觸層； 5)在所述第二電極接觸層上鍍上第三電極接觸層； 6)在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片電極的制造方法，其特征在于:所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為:Ti02或A1203或Si02 或 Si3N4 或 ZnO。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片電極的制造方法，其特征在于:所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
4.一種LED管芯片，包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于:所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管芯片，其特征在于:所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為:Ti02或A1203或Si02或Si3N4或 ZnO0
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管芯片，其特征在于:所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni,所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
7.—種LED管，包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線和焊點(diǎn)、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體，將芯片固定在支架14上的導(dǎo)電膠141，所述芯片包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于:所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層，所述焊線和焊點(diǎn)材料為:Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED管，其特征在于:所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為:Ti02或A1203或Si02或Si3N4或ZnO。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED管，其特征在于:所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni,所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
【文檔編號】H01L33/40GK103441193SQ201310386066
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】劉晶, 葉國光 申請人:劉晶