半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法和裝置制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法及裝置，其中，半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法包括：提供待檢測晶圓；獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷；獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法效率高、精確度高，檢測結(jié)果準(zhǔn)確穩(wěn)定。
【專利說明】半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法及裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路芯片通過批量處理制作，在同一襯底上會形成大量各種類型的半導(dǎo)體器件，并將其互相連接以具有完整的電子功能。其中，任一步驟中所產(chǎn)生的缺陷，都可能導(dǎo)致電路制作的失敗。因此，在制作工藝中，常需要對各步工藝的制作結(jié)構(gòu)進(jìn)行缺陷檢測及分析，找出缺陷發(fā)生的原因，并加以排除。然而，隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI，UltraLarge Scale Integrat1n)的迅速發(fā)展,芯片的集成度越來越高,器件的尺寸越來越小,相應(yīng)的，在工藝制作中產(chǎn)生的足以影響器件成平率的缺陷尺寸也越來越小，給半導(dǎo)體器件的缺陷檢測提出了更高的要求。
[0003]現(xiàn)有的缺陷檢測方法包括:提供待檢測晶圓；對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，獲得待檢測晶圓上的缺陷位置；根據(jù)待測晶圓上的缺陷位置，手動使各類用于檢測的裝置對應(yīng)到待檢測晶圓上的缺陷位置，并檢測所對應(yīng)的缺陷的實際情況。最后，根據(jù)缺陷的實際情況做出處理該缺陷的相應(yīng)判斷。
[0004]然而，現(xiàn)有的缺陷檢測方法耗時較長、工作量大而且精確度低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法及裝置，。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，包括:提供待檢測晶圓；獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷；獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
[0007]可選的，所述關(guān)心區(qū)域的尺寸大于或等于8微米。
[0008]可選的，所述關(guān)心區(qū)域的分辨率范圍為0.12微米?0.20微米。
[0009]可選的，對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測的方法包括:根據(jù)關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取缺陷參數(shù)。
[0010]可選的，所述缺陷參數(shù)包括缺陷位置參數(shù)和缺陷尺寸參數(shù)。
[0011]可選的，還包括:根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
[0012]可選的，獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置的方法包括:采用熱點規(guī)范和設(shè)計圖形標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，標(biāo)出與熱點規(guī)范或設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范不符的位置，以獲取待檢測晶圓上的缺陷位置。
[0013]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置，包括:缺陷定位單元，用于根據(jù)缺陷判定規(guī)則，獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；關(guān)心區(qū)域定位單元，用于根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷；位置數(shù)據(jù)提取單元，用于獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；檢測單元，用于根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
[0014]可選的，復(fù)查單元，用于根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
[0015]可選的，所述檢測單元包括:數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元，用于采用關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；掃描單元，用于根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取缺陷參數(shù)。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0017]在所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法中，由于所述關(guān)心區(qū)域根據(jù)缺陷位置自動生成，其精確度較高，能夠使每一關(guān)心區(qū)域準(zhǔn)確覆蓋至少一個缺陷，因此所確定的關(guān)心區(qū)域內(nèi)不易發(fā)生錯漏缺陷的問題；其次，根據(jù)所述缺陷位置生成關(guān)心區(qū)域還能夠提高檢測效率，并減少工作量。而后續(xù)通過所述關(guān)心區(qū)域進(jìn)行缺陷參數(shù)的檢測，所獲得的缺陷參數(shù)精確，保證了缺陷檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。
[0018]在所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置中，由于具有關(guān)心區(qū)域定位單元，能夠根據(jù)缺陷位置自動生成若干關(guān)心區(qū)域，并使每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷，因此所確定的關(guān)心區(qū)域精確度高，且不易發(fā)生錯漏缺陷的問題。而且，由于具有關(guān)心區(qū)域定位單元，使關(guān)心區(qū)域的定位效率提高，因此，能夠使裝置的檢測效率提高。因此，所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置所獲得的缺陷參數(shù)精確，且缺陷檢測結(jié)果準(zhǔn)確穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是一種缺陷檢測方法的流程示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法的流程示意圖；
[0021]圖3至圖7是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測過程實施例的示意圖；
[0022]圖8是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置實施例的示意圖。

【具體實施方式】
[0023]如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有的缺陷檢測方法耗時較長、工作量大而且精確度低。
[0024]具體請參考圖1，為一種缺陷檢測方法的流程示意圖，包括:
[0025]步驟S11，提供待檢測晶圓；
[0026]步驟S12，對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，標(biāo)出待檢測晶圓上的缺陷位置；
[0027]步驟S13，根據(jù)所標(biāo)出的缺陷位置，獲取所述待檢測晶圓上的所有的缺陷位置數(shù)據(jù)；
[0028]在步驟S13之后，執(zhí)行步驟S14或S15，其中:
[0029]步驟S14，根據(jù)所述缺陷位置數(shù)據(jù)，使查看裝置(例如顯微鏡)在待檢測晶圓上找到缺陷所在位置，并通過所述檢測裝置查看所述缺陷的實際情況，例如缺陷處的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的位置、結(jié)構(gòu)、尺寸與設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)之間的差異；
[0030]步驟S15，將所述缺陷位置數(shù)據(jù)輸入檢測裝置(Inspect1n Tool)，根據(jù)所述缺陷位置數(shù)據(jù)在所述檢測裝置中劃定關(guān)心區(qū)域，使所述檢測裝置對關(guān)心區(qū)域進(jìn)行掃描檢測，若檢測裝置掃描到關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷，則獲取缺陷參數(shù)(包括位置、結(jié)構(gòu)、尺寸)；
[0031]在步驟S15之后，執(zhí)行步驟S16，根據(jù)所述缺陷參數(shù)，采用復(fù)查裝置(Review Tool)對待測晶圓上的缺陷進(jìn)行復(fù)查，以確定缺陷的實際情況。
[0032]由上述過程可知，無論在步驟S13之后執(zhí)行步驟S14還是步驟S15，均需要根據(jù)缺陷位置數(shù)據(jù)，手動定位查看裝置或檢測裝置。具體的，在執(zhí)行步驟S14時，在獲取待測晶圓的缺陷位置數(shù)據(jù)之后，根據(jù)所述缺陷位置數(shù)據(jù)，手動移動查看裝置到對應(yīng)的缺陷處，并一一查看每一缺陷的實際情況，以便做出對這些缺陷的處理判斷。而在執(zhí)行步驟S15時，將缺陷位置數(shù)據(jù)輸入檢測裝置之后，需要根據(jù)所述缺陷位置數(shù)據(jù)在檢測裝置中手動劃定若干關(guān)心區(qū)域，使每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷，再使檢測裝置依次對這些關(guān)心區(qū)域進(jìn)行掃描，從而獲得各關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
[0033]其中，當(dāng)通過手動定位查看裝置時，準(zhǔn)確定位所述查看裝置到缺陷處的難度較大，而且一一查看每一缺陷的情況，造成巨大的工作量，而且耗時冗長。其次，根據(jù)所述缺陷位置數(shù)據(jù)在檢測裝置中手動劃定若干關(guān)心區(qū)域時，難以保證所述關(guān)心區(qū)域能夠準(zhǔn)確覆蓋缺陷位置，容易造成掃描獲取的缺陷參數(shù)不精確；而且，手動劃定關(guān)心區(qū)域同樣會造成工作量增力口。因此，上述缺陷檢測的方法耗時較長、工作量大而且精確度低。
[0034]為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，包括:獲取待檢測晶圓上的缺陷位置；根據(jù)所述缺陷位置生成關(guān)心區(qū)域，所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)具有至少一個缺陷；獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。其中，由于所述關(guān)心區(qū)域通過缺陷位置自動生成，其精確度較高，能夠使每一關(guān)心區(qū)域準(zhǔn)確覆蓋至少一個缺陷，因此所確定的關(guān)心區(qū)域內(nèi)不易發(fā)生錯漏缺陷的問題；其次，根據(jù)所述缺陷位置生成關(guān)心區(qū)域還能夠提高檢測效率，并減少工作量。而后續(xù)通過所述關(guān)心區(qū)域進(jìn)行缺陷參數(shù)的檢測，所獲得的缺陷參數(shù)精確，保證了缺陷檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。
[0035]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。
[0036]圖2是本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法的流程示意圖，包括:
[0037]步驟SlOl，提供待檢測晶圓；
[0038]步驟S102，采用熱點規(guī)范和設(shè)計圖形標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，標(biāo)出與熱點規(guī)范或設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范不符的位置，以獲取待檢測晶圓上的缺陷位置；
[0039]步驟S103，根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷；
[0040]步驟S104，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；
[0041]步驟S105，根據(jù)關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；
[0042]步驟S106，根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)；
[0043]步驟S107，根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
[0044]圖3至圖7是本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測過程的示意圖。
[0045]請參考圖3，提供待檢測晶圓200 ;采用熱點規(guī)范和設(shè)計圖形標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，標(biāo)出與熱點規(guī)范或設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范不符的位置，以獲取待檢測晶圓200上的缺陷位置201。
[0046]所述待檢測晶圓200包括襯底、以及形成于所述襯底內(nèi)或襯底表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠用于構(gòu)成芯片電路，以實現(xiàn)特定的芯片功能；其中，所述襯底包括硅襯底、鍺襯底、碳化硅襯底、鍺硅襯底、絕緣體上硅襯底、絕緣體上鍺襯底；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成工藝包括光刻、沉積、刻蝕和離子注入等，所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括刻蝕通孔、金屬互聯(lián)線、多晶硅結(jié)構(gòu)等。
[0047]對于現(xiàn)有形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝來說，難以避免地會使所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有缺陷，而在工藝過程中任一步驟中所產(chǎn)生的缺陷都容易導(dǎo)致所形成的芯片電路失效。而且，隨著芯片的集成度不斷提高，芯片中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸不斷縮小，使得工藝過程中所產(chǎn)生的缺陷對芯片成平率的影響也更大，未來及早發(fā)現(xiàn)工藝過程中的缺陷，盡可能降低缺陷對芯片制成的影響，需要在工藝過程中所產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行檢測，并對缺陷進(jìn)行判定，以找出消除缺陷的方法。
[0048]所述待檢測晶圓200即已形成有部分芯片中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底，所述待測晶圓200具有若干呈陣列排列的單元區(qū)域(shot)，而至少兩個單元區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同。當(dāng)單元區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同時，所述相同的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通過相同的工藝形成，因此，在具有相同半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的單元區(qū)域內(nèi)，缺陷的位置相同。如圖3所示，示出了一個單元區(qū)域210。
[0049]將所述待檢測晶圓200裝載至檢測設(shè)備之后，對所述待檢測晶圓200進(jìn)行檢測，獲得所述待檢測晶圓200表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的圖形布圖。將所述待檢測晶圓200表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的圖形布圖輸入至缺陷定位單元中，以針對所述圖形布圖確定所述待檢測晶圓200的缺陷位置。
[0050]所述缺陷定位單元中具有熱點規(guī)范(Hotspot Spec)和設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范(DesignPattern Spec)，在將待測晶圓200的圖形布圖輸入缺陷定位單元之后，所述缺陷定位單元能夠?qū)⑺龃郎y晶圓200的圖形布圖與熱點規(guī)范、設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范進(jìn)行比較，當(dāng)所述待測晶圓200的圖形布圖與熱點規(guī)范或設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范不一致時，即標(biāo)記出所述不一致的位置，從而得到待測晶圓200上的缺陷位置201。
[0051]其中，所述熱點規(guī)范為所述待測晶圓200表面容易出現(xiàn)缺陷的位置處，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)圖形。具體的，在檢測所述待測晶圓200之前，提供若干晶圓，且所述若干晶圓表面的半導(dǎo)體圖形和形成工藝、與待測晶圓200表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的圖形和形成工藝相同；依次檢測若干晶圓表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的缺陷，記錄若干晶圓中出現(xiàn)過缺陷的熱點位置、以及所述熱點位置處的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)圖形，形成熱點規(guī)范。在檢測所述待測晶圓200時，在待測晶圓200的圖形布圖上找到熱點位置，并檢測待測晶圓200的熱點位置處的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)圖形是否與標(biāo)準(zhǔn)圖形相符。
[0052]所述設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范為所述待測晶圓200表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計時的標(biāo)準(zhǔn)圖形。在檢測所述待測晶圓200時，使待測晶圓200的圖形布圖與標(biāo)準(zhǔn)圖形進(jìn)行比較匹配，若是不相符，則對不一致的位置進(jìn)行標(biāo)記。
[0053]請參考圖4，圖4是圖3中單元區(qū)域210的放大圖，根據(jù)所述缺陷位置201生成若干關(guān)心區(qū)域202，每一關(guān)心區(qū)域202內(nèi)至少具有一個缺陷；獲取關(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)。
[0054]在獲取待檢測晶圓200 (如圖3所示)上的若干缺陷位置201之后，關(guān)心區(qū)域定位單元能夠針對缺陷位置201自動生成一個關(guān)心區(qū)域202，所述關(guān)心區(qū)域202即后續(xù)需要采用檢測單元進(jìn)行缺陷檢測的區(qū)域；各關(guān)心區(qū)域202至少完全覆蓋一個缺陷位置201 ;而且，所述關(guān)心區(qū)域202的尺寸需要大于或等于預(yù)設(shè)尺寸；本實施例中，所述預(yù)設(shè)尺寸為8微米。由于所述關(guān)心區(qū)域202由關(guān)心區(qū)域定位單元根據(jù)缺陷位置201自動生成，能夠縮短檢測時間，提高檢測效率，而且降低了檢測人員的工作量，而且，所得到的關(guān)心區(qū)域202也更為準(zhǔn)確，從而使后續(xù)的以掃描單元對缺陷進(jìn)行掃描時，定位更快速準(zhǔn)確，所得到的缺陷參數(shù)也更準(zhǔn)確。因此，所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測效率提高、且精確度提高。
[0055]具體的，所述關(guān)心區(qū)域202的圖形能夠為圓形、矩形、三角形或多邊形；當(dāng)所述關(guān)心區(qū)域202的圖形為圓形時，圓形的直徑大于或等于8微米；當(dāng)所述關(guān)心區(qū)域202的圖形為矩形或三角形時，所述矩形或三角形的邊長大于或等于8微米；當(dāng)關(guān)心區(qū)域202的圖形為多邊形時，貫穿所述多邊形的最大尺寸大于或等于8微米。本實施例中，所述關(guān)心區(qū)域202的圖形為矩形，所述矩形的邊長大于8微米。
[0056]在生成關(guān)心區(qū)域202之后，位置數(shù)據(jù)提取單元能夠?qū)㈥P(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置201轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)并輸出，從而得到關(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)，所述缺陷位置數(shù)據(jù)用于后續(xù)掃描缺陷以獲取缺陷參數(shù)時，用于定位掃描單元。
[0057]具體的，所述位置數(shù)據(jù)提取單元首先使關(guān)心區(qū)域202的圖形布圖具有高分辨率，則在所述高分辨率的關(guān)心區(qū)域202內(nèi)，缺陷位置201能夠被精確顯示，則所提取的缺陷位置數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確；所述關(guān)心區(qū)域202的分辨率在0.12微米?0.20微米的范圍內(nèi)；在提高了關(guān)心區(qū)域202的圖形布圖的分辨率之后，所述位置數(shù)據(jù)提取單元能夠?qū)㈥P(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置201轉(zhuǎn)換成缺陷位置數(shù)據(jù)輸出。例如以所述待檢測晶圓200內(nèi)的一點為原點，在所述待測晶圓200表面構(gòu)建垂直坐標(biāo)系，則關(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置201均能夠以坐標(biāo)數(shù)據(jù)輸出，即缺陷位置數(shù)據(jù)。
[0058]請參考圖5，根據(jù)關(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取關(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷參數(shù)。
[0059]在獲取缺陷位置數(shù)據(jù)之后，能夠采用檢測單元(Inspect1n Tool)根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測。其中，所述檢測單元包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元和掃描單元。
[0060]首先，在位置數(shù)據(jù)提取單元輸出了缺陷位置數(shù)據(jù)之后，所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元獲取所述缺陷位置數(shù)據(jù)，并將所述缺陷未知數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為缺陷分布圖(如圖5所示)。之后，所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單將缺陷分布圖輸入掃描單元，而所述掃描單元能夠根據(jù)所述缺陷分布單元在待檢測晶圓表面定位，使所述掃描單元能夠?qū)﹃P(guān)心區(qū)域202內(nèi)的缺陷進(jìn)行掃描，以獲取待檢測晶圓200內(nèi)的各缺陷的具體缺陷參數(shù)，所述缺陷參數(shù)包括缺陷位置參數(shù)和缺陷尺寸參數(shù)，即缺陷位置處的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的實際尺寸、位置、結(jié)構(gòu)參數(shù)。而檢測人員能夠根據(jù)所述待檢測晶圓200的缺陷參數(shù)，對所述各缺陷做出判斷，或進(jìn)行復(fù)查。
[0061]需要說明的是，在本實施例中，在形成所述關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖之后，對缺陷進(jìn)行掃描之前，對所述關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖進(jìn)行核查。具體的，如圖6所示，在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元將缺陷位置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為缺陷分布圖之后，將所述缺陷分布圖與模擬缺陷圖進(jìn)行匹配比較，以核查所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元輸出的缺陷分布圖是否正確；其中，所述模擬缺陷圖通過模擬單元獲取缺陷位置數(shù)據(jù)之后，將所述缺陷位置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為圖形而獲得。
[0062]請參考圖7，根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域202的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
[0063]在獲得所述缺陷參數(shù)后，檢測人員能夠?qū)λ鋈毕輩?shù)進(jìn)行分析判斷，以決定對所述缺陷的處理。當(dāng)檢測人員認(rèn)為需要對某一缺陷進(jìn)行復(fù)查時，能夠根據(jù)該缺陷的缺陷位置參數(shù)使復(fù)查單元(Review Tool)在待檢測晶圓200 (如圖3所示)表面進(jìn)行定位，以查看該缺陷的實際情況；其中，所述復(fù)查工具能夠為電子顯微鏡。如圖7所示，為復(fù)查工具根據(jù)缺陷參數(shù)查看到的缺陷的實際情況，其中，相鄰金屬互聯(lián)線之間發(fā)生了橋接，如區(qū)域220所示，所述金屬互聯(lián)線之間的橋接會導(dǎo)致芯片電路短路，使芯片電路失效。根據(jù)所查看到的缺陷的實際情況，能夠?qū)π纬伤龃龣z測晶圓200表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝進(jìn)行調(diào)整，實現(xiàn)消除所述缺陷的目的。
[0064]本實施例的半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法中，由于所述關(guān)心區(qū)域根據(jù)缺陷位置自動生成，其精確度較高，能夠使每一關(guān)心區(qū)域準(zhǔn)確覆蓋至少一個缺陷，因此所確定的關(guān)心區(qū)域內(nèi)不易發(fā)生錯漏缺陷的問題；其次，根據(jù)所述缺陷位置生成關(guān)心區(qū)域還能夠提高檢測效率，并減少工作量。而后續(xù)通過所述關(guān)心區(qū)域進(jìn)行缺陷參數(shù)的檢測，所獲得的缺陷參數(shù)精確，保證了缺陷檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。
[0065]相應(yīng)的，本發(fā)明的實施例還提供一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置，請參考圖8，包括:缺陷定位單元300，用于根據(jù)缺陷判定規(guī)則，獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；關(guān)心區(qū)域定位單元301，用于根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷；位置數(shù)據(jù)提取單元302，用于獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)；檢測單元303，用于根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
[0066]其中，所述檢測單元303包括:數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元330，用于采用關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；掃描單元331，用于根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取缺陷參數(shù)。
[0067]半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置還包括:復(fù)查單元304，用于根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
[0068]此外，所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置還包括模擬單元305，用于獲取缺陷位置數(shù)據(jù)之后，并將所述缺陷位置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬缺陷圖；所述模擬缺陷圖用于與缺陷分布圖匹配比較，以核查數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元輸出的缺陷分布圖是否正確。
[0069]本實施例中，半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置中，由于具有關(guān)心區(qū)域定位單元，能夠根據(jù)缺陷位置自動生成若干關(guān)心區(qū)域，并使每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷，因此所確定的關(guān)心區(qū)域精確度高，且不易發(fā)生錯漏缺陷的問題。而且，由于具有關(guān)心區(qū)域定位單元，使關(guān)心區(qū)域的定位效率提高，因此，能夠使裝置的檢測效率提高。因此，所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置所獲得的缺陷參數(shù)精確，且缺陷檢測結(jié)果準(zhǔn)確穩(wěn)定。
[0070]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，包括: 提供待檢測晶圓； 獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置； 根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷； 獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述關(guān)心區(qū)域的尺寸大于或等于8微米。
3.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述關(guān)心區(qū)域的分辨率范圍為0.12微米?0.20微米。
4.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測的方法包括:根據(jù)關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取缺陷參數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述缺陷參數(shù)包括缺陷位置參數(shù)和缺陷尺寸參數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，還包括:根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
7.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置的方法包括:采用熱點規(guī)范和設(shè)計圖形標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范對所述檢測晶圓進(jìn)行檢測，標(biāo)出與熱點規(guī)范或設(shè)計圖形標(biāo)規(guī)范不符的位置，以獲取待檢測晶圓上的缺陷位置。
8.一種半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置，其特征在于，包括: 缺陷定位單元，用于根據(jù)缺陷判定規(guī)則，獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置； 關(guān)心區(qū)域定位單元，用于根據(jù)所述缺陷位置生成若干關(guān)心區(qū)域，每一關(guān)心區(qū)域內(nèi)至少具有一個缺陷； 位置數(shù)據(jù)提取單元，用于獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)； 檢測單元，用于根據(jù)所述關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)對所述關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行檢測，獲取關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷參數(shù)。
9.如權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置，其特征在于，還包括:復(fù)查單元，用于根據(jù)所述缺陷參數(shù)對關(guān)心區(qū)域的缺陷進(jìn)行復(fù)查。
10.如權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體器件的缺陷檢測裝置，其特征在于，所述檢測單元包括:數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元，用于采用關(guān)心區(qū)域內(nèi)的缺陷位置數(shù)據(jù)生成關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖；掃描單元，用于根據(jù)關(guān)心區(qū)域缺陷分布圖對缺陷進(jìn)行掃描，以獲取缺陷參數(shù)。
【文檔編號】H01L21/66GK104425302SQ201310398712
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】張靜 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司