一種全方位發(fā)光的倒裝led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種能全方位發(fā)光的倒裝LED芯片。一種全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，包括位于芯片底部的P型焊接電極和N型焊接電極，所述P型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第一反射層，第一反射層覆蓋P型焊接電極的上表面，其中第一反射層能將射向P型焊接電極的光進行反射，具有導(dǎo)電性能。所述N型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第二反射層，第二反射層層覆蓋N型焊接電極的上表面，其中第二反射層能將射向N型焊接電極的光進行反射，具有導(dǎo)電性能。通過在焊接電極處設(shè)反射層，有效的利用了射向焊接電極處的這部分光，提高光的利用率；采用透明基板焊接，光能全方位發(fā)射出去，該結(jié)構(gòu)的倒裝LED芯片適用于室內(nèi)要求全方位照明的LED燈泡。
【專利說明】一種全方位發(fā)光的倒裝LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是涉及一種能全方位發(fā)光的倒裝LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]倒裝LED芯片與正裝LED芯片相比，倒裝LED芯片具有較好的散熱功能和發(fā)光效率，具有低電壓、高亮度、高可靠性、高飽和電流密度等優(yōu)點，性能方面有較大的優(yōu)勢，具有良好的發(fā)展前景。
[0003]目前，倒裝LED芯片的封裝首先制備具有適合共晶焊接的倒裝LED芯片，同時制備相應(yīng)尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接電極的金導(dǎo)電層和引出導(dǎo)電層(超聲波金絲球焊點)。然后，利用共晶焊接設(shè)備將倒裝LED芯片與硅底板焊在一起。根據(jù)熱沉底板不同，目前市場上常見有兩種熱沉底板的倒裝法:一是利用共晶焊接設(shè)備，將倒裝LED芯片與硅底板焊接在一起，這稱為硅底板倒裝法；一種是陶瓷底板倒裝法，制備具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)和大出光面積的LED芯片，并在陶瓷底板制作共晶焊接導(dǎo)電層和引出導(dǎo)電層，利用共晶焊接設(shè)備將倒裝LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。
[0004]由于現(xiàn)有倒裝LED芯片的封裝焊料和焊接電極是不透光的，發(fā)光層射向焊接電極處的這部分光會被吸收，無法有效的進行利用，另外倒裝LED芯片由于焊接原因，底面通常是不透光的，芯片發(fā)出的光只能從芯片的五個面發(fā)射出去，底面沒有光通過。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)在技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，使芯片發(fā)出的光的利用效率達到最大，同時發(fā)出的光能通過底面發(fā)射出去。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
[0007]提供一種全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，包括位于芯片底部的P型焊接電極和N型焊接電極，所述P型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第一反射層，第一反射層覆蓋P型焊接電極的上表面，其中第一反射層能將射向P型焊接電極的光進行反射，并且具有導(dǎo)電性能。
[0008]進一步的，所述N型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第二反射層，第二反射層層覆蓋N型焊接電極的上表面，其中第二反射層能將射向N型焊接電極的光進行反射，具有導(dǎo)電性能。
[0009]所述第一反射層和第二反射層分別選自Al反射層、銀反射層、DBR反射層(分布布拉格反射鏡)中的一種幾種組合。由于Al具有較好的反射效果和導(dǎo)電性能，所述第一反射層和第二反射層優(yōu)選為Al反射層。另外第一反射層和第二反射層還可以選自Ag反射層
[0010]為了達到立體全方位發(fā)光的更好效果，對上述倒裝LED芯片的焊接基板進行限制，所述倒裝LED芯片焊接在透明的基板上。所述倒裝LED芯片底部未設(shè)有反射層，芯片產(chǎn)生的光能從底部發(fā)射出去。
[0011]本發(fā)明的有益效果在于:通過在焊接電極處設(shè)反射層，有效的利用了射向焊接電極處的這部分光，提高光的利用率；采用透明基板焊接，光能全方位發(fā)射出去，該結(jié)構(gòu)的倒裝LED芯片適用于室內(nèi)要求全方位照明的LED燈泡?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0012]圖1是實施例的倒裝LED芯片的發(fā)光原理結(jié)構(gòu)示圖。
[0013]圖2是實施例的倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖與具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做詳細說明。
[0015]參照圖1所示，本實施例的倒裝LED芯片是焊接在透明的基板I上，通過共晶焊或錫焊進行焊接，由于P型焊接極8、N型焊接電極11和焊料12都是不透光，為充分利用從發(fā)光層射向這部分光，在P型焊接極的上側(cè)設(shè)有第一反射層7，在P型焊接極的上側(cè)設(shè)有第二反射層10，其中第一反射層和第二反射層均選自Al反射層。在倒裝LED芯片底部未設(shè)有反射層，芯片產(chǎn)生的光能從底部發(fā)射出去，穿過透明的基板1，形成全方位的立體發(fā)光。
[0016]參照圖2所示，本實施例的倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)，包括藍寶石襯底2、N-GaN層3、發(fā)光層4、P-GaN層5、P型焊接電極8、位于P型焊接電極一側(cè)的P型歐姆接觸電極層6和第一反射層7、N型焊接電極U、以及位于P型焊接電極一側(cè)的N型歐姆接觸電極層9和第二反射層10。
[0017]以上實施例為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明不限于上述實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明技術(shù)原理的基礎(chǔ)上所做的任何顯而易見的改動，都屬于本發(fā)明的構(gòu)思和所附權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，包括位于芯片底部的P型焊接電極和N型焊接電極，其特征在于:所述P型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第一反射層，第一反射層覆蓋P型焊接電極的上表面，其中第一反射層能將射向P型焊接電極的光進行反射，具有導(dǎo)電性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全方們發(fā)光泊倒裝LED芯片，其特征在于:所述N型焊接電極的上側(cè)設(shè)有第二反射層，第二反射層層覆蓋N型焊接電極的上表面，其中第二反射層能將射向N型焊接電極的光進行反射，具有導(dǎo)電性能。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的全方位發(fā)光泊倒裝LED芯片，其特征在于:所述第一反射層和第二反射層分別選自Al反射層、銀反射層、DBR反射層中的一種幾種組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，其特征在于:所述倒裝LED芯片底部未設(shè)有反射層，芯片產(chǎn)生的光能從底部發(fā)射出去。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全方位發(fā)光的倒裝LED芯片，其特征在于:所述倒裝LED芯片焊接在透明的基板上。
【文檔編號】H01L33/10GK103456866SQ201310399111
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】唐小玲, 夏紅藝, 羅路遙 申請人:深圳市智訊達光電科技有限公司