用于通過檢驗(yàn)技術(shù)判斷半導(dǎo)體重疊工藝窗口的方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種用于通過檢驗(yàn)技術(shù)判斷半導(dǎo)體重疊工藝窗口的方法及系統(tǒng)，其中，精密半導(dǎo)體裝置中重疊區(qū)的形成是一項(xiàng)無法基于習(xí)知測量及設(shè)計(jì)策略有效率地予以評(píng)估的關(guān)鍵態(tài)樣。為此，本揭露提供測量技術(shù)及系統(tǒng)，其中上覆裝置圖案轉(zhuǎn)換成相同材料層，藉以形成通過建立良好的缺陷檢驗(yàn)技術(shù)而可接取的組合圖案。一旦幾何性地調(diào)制這些組合圖案中的一些組合圖案，即可達(dá)成重疊工藝窗口的系統(tǒng)性評(píng)估。
【專利說明】用于通過檢驗(yàn)技術(shù)判斷半導(dǎo)體重疊工藝窗口的方法及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭露涉及制造如集成電路的微結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域，并且更涉及圖案化處理期間用于判斷對(duì)齊(alignment)精確度以及圖案放置精密度的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]如集成電路的微結(jié)構(gòu)的制造需要尺寸受到精確控制的細(xì)微區(qū)而予以形成于如硅襯底、SOI (上覆硅絕緣體)襯底、或其它合適載體材料等合適襯底的材料層中。這些尺寸受到精確控制的細(xì)微區(qū)使用微影(lithography)、蝕刻、布植、沉積、氧化處理及諸如此類通過圖案化材料層予以產(chǎn)生，其中，通常至少在圖案化處理的特定階段，可于待處理的材料層上形成掩模層(mask layer)以界定這些細(xì)微區(qū)。一般而言，掩模層可由通過通常是光微影(photolithography)處理的微影處理予以圖案化的光阻層組成或形成。在光微影處理期間，阻劑(resist)可予以旋轉(zhuǎn)涂布在襯底表面上并且接著透過如分劃板(reticle)的相應(yīng)的微影掩模選擇性地予以曝露于照射(radiation)，藉以使分劃板圖案成像(image)于阻劑層以形成潛像(latent image)于其中。光阻顯影后，取決于阻劑種類，也就是，正阻劑或負(fù)阻劑，移除曝露部分或非曝露部分用以在光阻層中形成所需的圖案?；诖俗鑴﹫D案，可通過如蝕刻、布植、退火處理、以及諸如此類的進(jìn)一步制造程序形成真實(shí)的裝置圖案。鑒于效能增強(qiáng)，由于對(duì)縮減精密集成微結(jié)構(gòu)裝置中的圖案尺寸有固定需求，用于圖案化裝置特征的處理工具及工藝配方(recipe)對(duì)于分辨率及上覆(overlay)精確度必須符合非常嚴(yán)苛的要求。在這方面，分辨率視為測度(measure)，用于指定在預(yù)界定制造變異的條件下印制最小尺寸影像的一致性能力。改良分辨率的一項(xiàng)重要因素是微影處理，其中，內(nèi)含于光罩(photo mask)或分劃板中的圖案經(jīng)由光成像系統(tǒng)予以光轉(zhuǎn)移至襯底。因此，已對(duì)穩(wěn)定改良微影系統(tǒng)的光特性作出巨大努力，如數(shù)值孔徑、焦深、以及所用光源的波長。
[0003]微影成像的品質(zhì)對(duì)于產(chǎn)生非常小特征尺寸極為重要?？稍谝r底表面上定位影像的精確度是至少相當(dāng)重要。一般而言，如集成電路的微結(jié)構(gòu)通過循序圖案化材料層予以制造，其中，連續(xù)材料層上的特征互有空間關(guān)系。每一個(gè)在后續(xù)材料層中形成的圖案都必須在指定的配準(zhǔn)公差(registration tolerance)內(nèi)對(duì)齊于先前圖案化材料層中形成的相應(yīng)圖案。這些配準(zhǔn)公差由例如襯底上因阻劑厚度、烘焙溫度、曝照劑量(exposure dose)以及時(shí)間與顯影條件等參數(shù)的非均勻性導(dǎo)致的光阻影像變異所造成的。此外，蝕刻處理的非均勻性也可導(dǎo)致蝕刻特征的變異。另外，在光罩影像光微影性地轉(zhuǎn)移到襯底上時(shí)，將目前材料層的圖案影像上覆至先前所形成材料層的蝕刻過或者界定過的圖案存在有不確定性。許多因素促使成像系統(tǒng)上覆兩層的能力有瑕疵(imperfect)，如一組掩模內(nèi)的瑕疵、不同曝照次數(shù)的差異、對(duì)齊工具的有限配準(zhǔn)能力(registration capability)以及,作為對(duì)齊誤差的主要作用(major contribution),如透鏡畸變(lens distortion)等曝照工具本身的瑕疵、與如襯底固持件(substrate holder)等對(duì)齊硬件造成的畸變、以及諸如此類。當(dāng)不同的曝照工具用于界定后續(xù)裝置層時(shí)，曝照工具及相關(guān)組件內(nèi)的固有誤差可在不同工具間變化，使情況變得更糟。[0004]雖然，相同的曝照工具可能用于成像關(guān)鍵的裝置層，實(shí)際上，此等限制在對(duì)于相同裝置層通常包含多個(gè)微影工具的復(fù)雜制造環(huán)境中可不使整體處理流程有效率。所以，用于判斷可予以最終取得的最小特征尺寸的主導(dǎo)準(zhǔn)則(dominant criteria)為用于在單獨(dú)襯底層中產(chǎn)生特征的分辨率以及上述因素所促成的總上覆誤差。
[0005]因此，有必要在特定材料內(nèi)持續(xù)監(jiān)測分辨率，也就是，可靠并且再生地產(chǎn)生最小特征尺寸的能力，也稱為臨界尺寸(critical dimension,⑶)，以及持續(xù)判斷已連續(xù)形成并且必須互相對(duì)齊的材料層圖案的上覆精確度。例如，在形成用于集成電路的接線結(jié)構(gòu)時(shí)，由于顯著失準(zhǔn)可在確實(shí)未連接線間造成短路，因此連接兩堆棧金屬區(qū)的各別金屬線及導(dǎo)孔可必須以嚴(yán)苛的工藝余裕(process margin)予以互相對(duì)齊以便導(dǎo)致界定良好的重疊,藉以可能產(chǎn)生重大裝置缺陷，而意欲的(intended)重疊區(qū)的縮減則可造成因接觸與串聯(lián)電阻導(dǎo)致的效能損失。類似準(zhǔn)則對(duì)需要界定良好的重疊區(qū)以確保適當(dāng)裝置功能的其它裝置層也適用。
[0006]基于這些理由，正在對(duì)偵測關(guān)鍵重疊區(qū)進(jìn)行重大努力，也就是，一旦確實(shí)將各別裝置層的布局實(shí)現(xiàn)到半導(dǎo)體裝置材料內(nèi)即產(chǎn)生偏離原始設(shè)計(jì)的相應(yīng)偏移時(shí)可造成嚴(yán)重裝置故障或效能衰減的重疊區(qū)。例如，設(shè)計(jì)許多空間相關(guān)性裝置層的布局以致確保完美重疊，其可含括布局層級(jí)(layout level)上各種測試策略的應(yīng)用。然而，在微影處理及后續(xù)蝕刻處理期間，例如通過薄化小結(jié)構(gòu)及諸如此類，可造成初始布局圖案顯著變更。一般而言，布局層的特定圖案轉(zhuǎn)移期間可出現(xiàn)多個(gè)擾動(dòng)(fluctuation)，布局層予以初始轉(zhuǎn)移至分劃板或微影掩模并且接著依次用于將圖案重復(fù)成像至半導(dǎo)體襯底上的材料層。如上述，在半導(dǎo)體裝置的材料層中確實(shí)形成期望圖案時(shí)所含括的各個(gè)程序步驟可或多或少顯著帶來工藝瑕疵，例如，微影掩模對(duì)半導(dǎo)體襯底的非完美對(duì)齊，如機(jī)械應(yīng)力所致襯底的透鏡像差(lensaberration)與畸變及諸如此類的成像處理所造成的工藝允差(process tolerance),還有，蝕刻處理期間的各種允差(tolerance)可導(dǎo)致所形成裝置圖案的不精確性，其依次可從而導(dǎo)致上覆精確度降低。由于兩后續(xù)裝置層各別裝置特征的重疊可強(qiáng)烈取決于最終達(dá)成的上覆精確度，尤其是在非常小的三維結(jié)構(gòu)中，正在對(duì)識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)以及增加整體上覆精確度作出重大努力。例如，在布局層級(jí)上，可施加復(fù)雜的光學(xué)鄰近校正技術(shù)(opticalproximity correction technique)以便修改至少一些裝置特征的基本幾何布局用以適應(yīng)(accommodate)尤其在成像處理期間可出現(xiàn)的特定工藝變異。雖然可通過使用例如光學(xué)鄰近校正技術(shù)提升工藝穩(wěn)健的程度，然而，因含括至少兩道后續(xù)圖案轉(zhuǎn)移處理而仍難以識(shí)別最關(guān)鍵重疊區(qū)，以至于用于產(chǎn)生上覆誤差的許多可能來源可相當(dāng)高，以便通過OPC策略用相應(yīng)模型預(yù)期任何此等工藝變異。另一方面，由于可能無法通過如掃描式電子顯微鏡等建立良好的檢驗(yàn)技術(shù)接取(accessible)下伏層(underlying layer),因此直接觀測關(guān)鍵重疊區(qū)非常困難。
[0007]為此，已開發(fā)替代策略用以識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)。例如，可基于經(jīng)特定設(shè)計(jì)的上覆目標(biāo)測量微影工具的磁場內(nèi)特定位置處的側(cè)向平移(lateral translation)?？赏ㄟ^使用仿真(simulation)基于測量數(shù)據(jù)計(jì)算跨越整個(gè)磁場的上覆效能。然而，此程序的結(jié)果強(qiáng)烈取決于底層模型及仿真算法的精確度。在其它策略中，例如通過形成接觸鏈(contact chain)并且使用具有特定「失準(zhǔn)(misalignment)」程度的接觸件，基于電測量程序測量上覆效能。然而，此方法受限于影像場(image field)或芯片區(qū)內(nèi)部的特殊結(jié)構(gòu)及位置。在其它情況下，良率測量數(shù)據(jù)(yield measurement data)可用于識(shí)別關(guān)鍵上覆區(qū),然而,其中，除非可基于剖面電子顯微鏡測量判斷相應(yīng)失準(zhǔn)，否則難以判斷關(guān)鍵上覆區(qū)對(duì)所產(chǎn)生生產(chǎn)良率的直接影響，然而，剖面電子顯微鏡測量因樣本的剖面制備而非常昂貴。另外，此策略導(dǎo)致非常長的響應(yīng)時(shí)間，以至于關(guān)鍵重疊區(qū)的識(shí)別仍因大量處理不當(dāng)?shù)囊r底而導(dǎo)致顯著的良率損失。此夕卜，如上所述，任何用以識(shí)別基本半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中關(guān)鍵重疊結(jié)構(gòu)的算法皆在襯底層級(jí)仍可需要確認(rèn)并且可未妥善適應(yīng)各種工藝瑕疵。
[0008]鑒于上述情況，本揭露涉及用于在半導(dǎo)體裝置中形成重疊裝置特征時(shí)識(shí)別關(guān)鍵區(qū)，同時(shí)避免或至少降低一或多個(gè)上述所識(shí)別問題的效應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]一般而言，本揭露提供技術(shù)及系統(tǒng)，其中，對(duì)于上覆精確度從而對(duì)于重疊故障可視為關(guān)鍵的半導(dǎo)體裝置區(qū)，可通過使用可輕易取得的合適的偵測方法，例如通過使用缺陷偵測或檢驗(yàn)技術(shù)，予以更有效率地識(shí)別，藉以確保相較于習(xí)知策略，整體耗費(fèi)(effort)降低而響應(yīng)時(shí)間快速。為此，半導(dǎo)體裝置的兩后續(xù)布局層可轉(zhuǎn)移至相同的材料層以便取得組合圖案，接著可基于合適的偵測技術(shù)檢查(examine)組合圖案而無需昂貴的剖面分析處理。本文所揭露的一種描述性方法包含將半導(dǎo)體裝置的第一布局層的第一圖案轉(zhuǎn)移至襯底的第一測試區(qū)與第二測試區(qū)上方形成的材料層。本方法進(jìn)一步包含將半導(dǎo)體裝置的第二布局層的第二圖案轉(zhuǎn)移至第一測試區(qū)上方形成的材料層，其中，第一與第二布局層互呈空間相關(guān)以界定重疊區(qū)。此外，本方法包含將第二圖案的幾何調(diào)制版本(geometric modulationversion)轉(zhuǎn)移至第二測試區(qū)上方形成的材料層。另外，本方法包含判斷第一測試區(qū)與第二測試區(qū)間材料層的結(jié)構(gòu)差異以評(píng)定(assess)對(duì)于重疊區(qū)的工藝余裕。
[0010]本文所述的另一描述性方法包含在襯底的第一測試區(qū)中所形成的材料層中由半導(dǎo)體裝置的第一布局層與第二布局層形成第一組合圖案，其中，第一與第二布局圖案界定重疊區(qū)。本方法進(jìn)一步包含在襯底的第二測試區(qū)中所形成的材料層中由第一布局層與第二布局層形成第二組合圖案，其中，第二組合圖案相對(duì)于第一組合圖案包括幾何調(diào)制(geometric modulation)。本方法另外包含在第一與第二測試區(qū)中至少對(duì)重疊區(qū)實(shí)施檢驗(yàn)程序(inspection process)。
[0011]本文所揭露的一種描述性重疊偵測系統(tǒng)包含經(jīng)配置用以從包含第一組合圖案的第一測試區(qū)取得第一檢驗(yàn)數(shù)據(jù)并且從包含第二組合圖案的第二測試區(qū)取得第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)的檢驗(yàn)工具。第一與第二組合圖案各自從半導(dǎo)體裝置的第一布局層與第二布局層予以形成，其中，第二組合圖案是第一組合圖案的調(diào)制版本。重疊偵測系統(tǒng)進(jìn)一步包含控制器，控制器經(jīng)操作性地連接以接收第一與第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)并且經(jīng)配置通過比較第一與第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)以及由其判斷所述第一與第二組合圖案間的結(jié)構(gòu)差異以識(shí)別第一與第二圖案中的關(guān)鍵重疊區(qū)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]本揭露的進(jìn)一步具體實(shí)施例界定在附加的權(quán)利要求書中，并且引用附圖研讀以下的詳細(xì)說明將變得更明顯，其中:
[0013]圖1a根據(jù)描述性具體實(shí)施例概述半導(dǎo)體裝置的測試區(qū)的俯視圖，其中，組合圖案由兩后續(xù)布局層予以形成；[0014]圖1b根據(jù)描述性具體實(shí)施例概述第二測試區(qū)的俯視圖，其中，組合圖案經(jīng)形成而相對(duì)于第一組合圖案予以空間性或幾何性調(diào)制以便識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)；
[0015]圖2a至圖2d根據(jù)描述性具體實(shí)施例概述半導(dǎo)體裝置的剖面圖，其包含用于在材料層中形成組合圖案化的兩測試區(qū)以在各個(gè)制造階段期間識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)；
[0016]圖2e至圖2h根據(jù)進(jìn)一步描述性具體實(shí)施例概述半導(dǎo)體裝置200的剖面圖，其中，可根據(jù)進(jìn)一步描述性具體實(shí)施例使用不同類型的蝕刻配方及/或材料層的不同材料組成；
[0017]圖2i根據(jù)描述性具體實(shí)施例概述測試襯底的俯視圖，其包括具有不同幾何調(diào)制的多個(gè)測試區(qū)以便識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)統(tǒng)計(jì)相關(guān)性；以及
[0018]圖3根據(jù)又進(jìn)一步描述性具體實(shí)施例用于偵測關(guān)鍵重疊區(qū)的系統(tǒng)。
[0019]【符號(hào)說明】
[0020]100半導(dǎo)體裝置
[0021]110測試區(qū)
[0022]IlOa測試區(qū)
[0023]IlOb測試區(qū)
[0024]120第一布局層
[0025]120a、…、120d 基本布局特征
[0026]121a、…、121d 額外布局特征
[0027]122a、…、122d 第一圖案特征、裝置特征
[0028]130布局層
[0029]130a、…、130d 特征
[0030]140a、…、140d 圖案特征
[0031]200半導(dǎo)體裝置
[0032]201襯底
[0033]202材料層
[0034]202a第一子層
[0035]202b第二子層
[0036]203掩模層
[0037]204第二掩模層
[0038]210a第一測試區(qū)
[0039]210b第二測試區(qū)
[0040]210a、…、210f 測試區(qū)
[0041]225第一圖案
[0042]226組合圖案
[0043]227組合圖案
[0044]227b結(jié)構(gòu)差異
[0045]228a重疊區(qū)
[0046]235第二圖案
[0047]235m幾何調(diào)制圖案[0048]301襯底
[0049]310a、3 IOb測試區(qū)
[0050]350系統(tǒng)
[0051]351襯底固持件
[0052]352偵測器
[0053]353a>353b檢驗(yàn)數(shù)據(jù)
[0054]354比較器
[0055]355控制器
[0056]356數(shù)據(jù)
[0057]357檢驗(yàn)工具?！揪唧w實(shí)施方式】
[0058]盡管引用如以下詳細(xì)說明中以及圖式中所述的具體實(shí)施例說明本揭露，仍應(yīng)理解以下詳細(xì)說明以及圖式非意欲用來限制本揭露于所述的特定描述性具體實(shí)施例，反而所述的描述性具體實(shí)施例僅列舉本揭露的各種態(tài)樣，本揭露的范疇通過附加的權(quán)利要求書予以界定。
[0059]本揭露一般涉及處理策略及相應(yīng)系統(tǒng)，其中，如掃描式電子顯微法及諸如此類高效率及建立良好的檢驗(yàn)技術(shù)可用于識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)。為此，可將對(duì)應(yīng)于第一布局層的布局圖案的裝置圖案轉(zhuǎn)移至合適的材料層，接著是基于布局層的第二布局圖案轉(zhuǎn)移第二裝置圖案，以便形成可通過相應(yīng)檢驗(yàn)技術(shù)接取的組合裝置圖案。第一與第二布局層呈空間性相關(guān)，以致視需要對(duì)考慮的集成電路的合適功能界定各自的重疊區(qū)。例如，第一布局層可界定如柵極電極結(jié)構(gòu)、漏極與源極區(qū)及諸如此類的導(dǎo)線(conductive line)，其必須與各別接觸組件接觸，其從而代表必須與底層圖案精確對(duì)齊的第二布局層的裝置特征。在其它情況中，第一金屬化層必須基于相應(yīng)的導(dǎo)孔連接至后續(xù)金屬化層，從而導(dǎo)孔與下伏及/或上覆金屬化層的金屬線需要精確重疊。
[0060]因此，將互呈空間性相關(guān)的不同裝置圖案轉(zhuǎn)移至可包含二或更多子層的相同材料層后，組合圖案包括所形成上覆精確度的信息以及從而上覆區(qū)的效能。為了判斷合適的工藝窗口，也就是評(píng)定相應(yīng)基本裝置布局與設(shè)計(jì)結(jié)合所有所含括成像處理的穩(wěn)健性，可在兩組合圖案間作比較，其中之一可基于有意引進(jìn)的空間或幾何調(diào)制予以形成，用以能夠判斷布局與處理策略相對(duì)于所有工藝變異的敏感度。
[0061]例如，在一描述性具體實(shí)施例中，可基于給定的處理策略通過轉(zhuǎn)移第一與第二圖案以形成組合圖案，而在另一測試區(qū)中，第一與第二圖案可通過指定量彼此有意地置換。依此方式，基于檢驗(yàn)技術(shù)可輕易地判斷兩組合圖案的結(jié)構(gòu)差異，藉以可靠評(píng)定工藝穩(wěn)健性。
[0062]在其它描述性具體實(shí)施例中，一旦形成第二組合圖案即可修改第一及/或第二圖案中至少一些裝置特征的尺寸，從而也取得兩組合圖案間的結(jié)構(gòu)差異，其可輕易地予以判斷并且用于評(píng)定重疊區(qū)?？墒褂梦⒂把谀＜爸T如此類中的專屬修改圖案，通過實(shí)現(xiàn)不同臨界尺寸，例如通過適當(dāng)?shù)嘏浜铣上裉幚砑爸T如此類，完成對(duì)至少一些圖案特征尺寸的修改，而在其它情況中，可變更圖案從微影掩模成像至光阻的放大率(magnification)以取得相應(yīng)裝置特征的側(cè)向尺寸(lateral dimension)的全局變化。[0063]在其它描述性具體實(shí)施例中，可施加至少一些圖案特征的側(cè)向平移及尺寸變更的組合以取得兩組合圖案間的結(jié)構(gòu)差異。
[0064]不同布局層的圖案的轉(zhuǎn)移可基于微影結(jié)合一或多道蝕刻處理予以完成，其中，視需要，可施加相同或不同的蝕刻配方以涵蓋可在實(shí)際制造程序期間出現(xiàn)的工藝變異的期望范圍。在其它描述性具體實(shí)施例中，僅基于微影程序，也就是基于含括曝照處理結(jié)合顯影處理而實(shí)際上無需異向性蝕刻處理的處理程序，即可完成圖案轉(zhuǎn)移。例如，可施加雙重曝照技術(shù)，其中，可在相應(yīng)阻劑層系統(tǒng)中形成潛像，相應(yīng)阻劑層系統(tǒng)因此在顯影后由組合圖案構(gòu)成，此組合圖案可與雙重曝照處理所得的組合圖案作比較，其中，可實(shí)現(xiàn)特定的幾何調(diào)制，如上所述。
[0065]在進(jìn)一步描述性具體實(shí)施例中，可將組合圖案轉(zhuǎn)移至實(shí)質(zhì)均質(zhì)(homogenous)材料層，例如一般的硬式掩模材料，或其它適用的材料，而在其它情況中，可用二或更多子層的形式提供材料層以界定不同工藝條件用于轉(zhuǎn)移不同的裝置圖案。
[0066]現(xiàn)在將引用附圖更詳細(xì)地說明進(jìn)一步描述性具體實(shí)施例。
[0067]圖1a概述半導(dǎo)體裝置100的俯視圖，其可代表測試襯底及諸如此類，然而，其可能夠含括于形成各種裝置層中裝置圖案的各個(gè)處理步驟期間也用在實(shí)際半導(dǎo)體裝置中的處理策略的應(yīng)用。在圖1a中，俯視圖中描述測試區(qū)110a，其中，多個(gè)第一圖案特征122a、…、122d形成于材料層中，為了簡便，圖1a中未顯示材料層。圖案特征122a、…、122d可表示也可在形成實(shí)際半導(dǎo)體裝置時(shí)予以使用的半導(dǎo)裝置100的特定結(jié)構(gòu)。例如，特征122a、...、122d可表示如柵極電極結(jié)構(gòu)、金屬線及諸如此類的必須予以接觸的導(dǎo)電半導(dǎo)體線。因此，圖案122a、…、122d代表第一布局層120的特征，其依次說明這些特征的二維幾何配置。為了簡便，在圖1a中，特征122a、...、122d的各別布局也以參考組件符號(hào)120a、...、120d予以描述及指示。此外，可用可通過例如OPC技術(shù)予以取得的額外布局特征121a、…、121d補(bǔ)充基本布局特征120a、…、120d，以便至少某種程度補(bǔ)償可在將布局特征120a、…、120d實(shí)際成像至裝置特征122a、…、122d期間所引進(jìn)的瑕疵。
[0068]此外，特征130a、…、130d的第二圖案如特征122a、…、122d予以形成在相同材料層中，其中，特征130a、…、130d可代表實(shí)際半導(dǎo)體裝置中需與特征122a、…、122d精確重疊的區(qū)域。例如，特征130a、…、130d可代表可必須緊接于布局層120上方或下方予以形成的布局層130的接觸組件、導(dǎo)孔及諸如此類。
[0069]在圖1a中所示的實(shí)施例中，用于形成特征122a、...、122d及130a、...、130d的處
理程序可導(dǎo)致這些特征的期望重疊，然而，無需實(shí)際指示這些重疊區(qū)的那一區(qū)可非常敏感地呼應(yīng)任何例如因工具漂移(tool drift)、工藝配方更動(dòng)及諸如此類所造成可在量產(chǎn)過程期間實(shí)際出現(xiàn)的工藝擾動(dòng)。
[0070]圖1b概要描述裝置100的俯視圖，其中，第二測試區(qū)IlOb予以描述，其中，基本上，可在材料層中提供相同的圖案特征122a、《"、122d，而另一方面，可依幾何調(diào)制方式形成特征130a、…、130d，藉以形成圖案特征140a、…、140d。在所示實(shí)施例中，可通過施加指定的側(cè)向平移，例如依正y方向平移例如20納米，取得幾何或空間調(diào)制，而整體尺寸，也就是特征130a、…、130d的臨界尺寸也已增加大約20納米以取得特征140a、…、140d。因此，通過比較測試區(qū)IlOa的組合圖案，也就是，特征122a、...、122d結(jié)合特征130a、…、130d,與形成于測試區(qū)IlOb中的組合圖案，也就是，特征122a、...、122d及140a、...、140d的組合，可識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)。例如，由圖1a及圖1b得以明白，相應(yīng)于特征130b的圖案特征140b維持完全「重疊」，也就是，特征140c完全形成于特征122b內(nèi)，藉以指出此重疊區(qū)的高度工藝穩(wěn)健性。另一方面，特征140a、140c和140d不再完全重疊，也就是位于相應(yīng)特征122a、122c和122d內(nèi)，藉以指出相關(guān)于工藝變異降低的穩(wěn)健性。尤其是，特征140c、140d因接觸電阻增加以及尤其因?qū)τ诟髯脏徑泳€結(jié)構(gòu)可能的短路而導(dǎo)致嚴(yán)重的裝置故障。因此，基于測試區(qū)IlOaUlOb間的比較，可判斷合適的工藝窗口及/或可制作相應(yīng)的重新設(shè)計(jì)以取得優(yōu)良的工藝穩(wěn)健性。測試區(qū)IlOaUlOb的比較可通過使用檢驗(yàn)工具或任何其它測量技術(shù)的合適系統(tǒng)予以輕易地完成，其中，介于測試區(qū)IlOaUlOb間的結(jié)構(gòu)差異可輕易地予以判斷并且相關(guān)于相應(yīng)布局及/或考慮中的處理程序的重疊效能。后面將引用圖2a及圖3說明相應(yīng)的制造技術(shù)及測量策略。
[0071]圖2a概要描述半導(dǎo)體裝置200的剖面圖，例如以測試裝置及諸如此類的形式予以提供，其中，可提供第一測試區(qū)210a及至少一個(gè)第二測試區(qū)210b以形成各自的結(jié)合圖案于其中，其可通過建立良好的檢驗(yàn)技術(shù)予以接取。如圖所示，裝置200可包含如半導(dǎo)體襯底及諸如此類的襯底201。此外，材料層202可在襯底201上方形成并且從而在測試區(qū)210a、210b中或上方延伸。材料層202可適用于基于兩道圖案轉(zhuǎn)移處理在其中形成組合圖案，其中，可在測試區(qū)之一施加幾何調(diào)制以對(duì)于這些測試區(qū)中形成的組合圖案產(chǎn)生對(duì)稱差異。為了在材料層202中形成組合圖案，可使用任何合適的配置及材料組成。例如，實(shí)質(zhì)均質(zhì)材料組成(圖未示)可例如基于如二氧化硅、硅氮化物、硅氫氧化物及諸如此類的建立良好的硬式掩模材料予以用在層件202中，而在其它情況中，可使用如聚合物材料及諸如此類的有機(jī)材料。在又其它清況中，材料層202可代表一或多層照射敏感性材料(radiation-sensitive material),藉以基于例如用在雙重曝照微影技術(shù)的二或更多道后續(xù)曝照處理以及一或多道顯影處理使層件202圖案化。在圖2a中所示的具體實(shí)施例中，層件202可由可具有實(shí)質(zhì)相同或不同的材料組成的第一子層202a及第二子層202b所構(gòu)成。例如，可依介電質(zhì)ARC (抗反射性涂布)材料的形式提供層件202a、202b之一或兩者，如同形成半導(dǎo)體裝置的技術(shù)中所良好建立一般。在其它情況中，ARC材料的單一層可用于層件202。
[0072]在圖標(biāo)的制造階段中，可在層件202上方提供如阻劑材料等掩模層203已形成于其中的第一圖案225以便能夠后續(xù)將圖案225轉(zhuǎn)移至層件202的至少一部分。應(yīng)了解的是，圖案225可相當(dāng)于裝置200的第一布局層的相應(yīng)布局圖案，舉例如以上引用裝置100所述。然而，應(yīng)了解的是，圖案225對(duì)于相應(yīng)的初始布局圖案或者也與微影掩模上所形成相應(yīng)圖案作比較因可在用于將微影掩模的圖案轉(zhuǎn)移至如層件203等照射敏感性材料的成像處理時(shí)含括的任何瑕疵而可具有特定差異，亦如先前所述。類似地，例如可由襯底201內(nèi)區(qū)域210a、210b的不同位置所造成的些微變異除外，層件203可在第二測試區(qū)210b中層件202上形成并且可具有實(shí)質(zhì)相同的圖案225形成于其中。例如，可基于相應(yīng)微影工具的不同像場(image field)以形成測試區(qū)210a、210b，藉以可能地在測試區(qū)210a的圖案225與測試區(qū)210b的圖案225間引進(jìn)特定差異。
[0073]如圖2a中所述的裝置200可基于其中層件202可例如通過CVD (化學(xué)氣相沉積)技術(shù)、旋涂式技術(shù)及諸如此類予以施加的任何建立良好的工藝技術(shù)予以形成。另外，可實(shí)施任何額外處理以取得期望的材料特性。應(yīng)了解的是，可在任何合適的襯底上方形成層件202而在材料層202下方不需要任何特定處理裝置層。在其它情況中，若認(rèn)為合適，可在層件202下形成再處理層(further processed layer)。之后,可施加掩模層203并且可使用微影處理以在層件203中形成圖案225，這在區(qū)域210a、210b提供于微影工具的不同像場中時(shí)可包括不同的曝照步驟。在其它情況中，可在相同微影處理期間形成區(qū)域210a、210b。應(yīng)了解的是，微影處理在曝照步驟前與后也可包括層件203的任何預(yù)處理及后處理，并且也可包括顯影處理以便從先前層件203中產(chǎn)生的潛像形成圖案225。
[0074]之后，合適的蝕刻配方可用于將圖案225轉(zhuǎn)移至材料層202，例如至上層202a，這可通過使用建立良好的異向性蝕刻配方并且使用層件203作為蝕刻掩模予以完成。
[0075]圖2b概要描述再進(jìn)一步制造階段中的裝置200，其中，掩模層203予以移除并且圖案225轉(zhuǎn)移至層件202a。然而，應(yīng)了解層件202a中的圖案225因所施加的蝕刻處理而可某種程度不同于掩模層203 (請(qǐng)參閱圖2a)中形成的層件225。例如，各別開口的剖面輪廓及/或臨界尺寸在圖2a及圖2b的圖案225中可不相同。
[0076]圖2c概要描述再進(jìn)一步制造階段中的裝置200，其中，第二掩模層204可予以形成于層件202上方并且可具有第二圖案235合并于其中，其相當(dāng)于裝置200的第二布局層，亦如以上引用圖1a及圖1b所述。也就是，圖案225和235互有空間相關(guān)性，以致得以界定一或多個(gè)重疊區(qū)。例如，重疊區(qū)228a示于圖2c中。關(guān)于形成掩模層204并且取得圖案235于其中，可如前述施加相同的準(zhǔn)則。也就是，可施加建立良好的微影程序以形成圖案化掩模層204。應(yīng)了解的是，若認(rèn)為有必要，可通過使用任何合適的平整化技術(shù)，如使用光平整化材料及諸如此類，平整化先前形成的表面形貌(surface topography)。在第二測試區(qū)210b中，層件204設(shè)有要予以理解為圖案235空間性或幾何性調(diào)制版本的圖案235m。也就是，圖案235,235m具有高度相似性，其中，除了可能的統(tǒng)計(jì)擾動(dòng)，還引進(jìn)系統(tǒng)偏移以便在介于測試區(qū)210a與210b間的層件202中產(chǎn)生所形成組合圖案的系統(tǒng)差異。例如，如上所述，圖案235m的至少一些圖案特征的尺寸及/或位置可相對(duì)于圖案235予以修改。在依+y方向的側(cè)向平移所示的實(shí)施例中，如上述除了任何些微工藝擾動(dòng)外，可形成圖案235m，而可保存任何臨界尺寸。之后，可施加合適的蝕刻處理，其可基于如層件202中形成圖案225所使用的相同工藝配方予以實(shí)施，或其中不同的工藝配方可予以使用，端視整體處理策略而定。
[0077]圖2d概述再進(jìn)一步制造階段中的裝置200，其組合圖案226形成于層件202中，其為測試區(qū)210a中圖案225與235的組合。類似地，在測試區(qū)210b中取得組合圖案227，其為圖案225與235m的組合。由于圖案235m相對(duì)于圖案235的系統(tǒng)幾何調(diào)制，結(jié)構(gòu)差異例如以額外裝置特征或「缺陷(defect)」227b的形式予以取得，其可通過建立良好的缺陷檢驗(yàn)技術(shù)予以輕易偵測。此外，可施加臨界尺寸和上覆精確度的測量及/或一般而言，例如基于掃描式電子顯微鏡及諸如此類的工藝窗口定性技術(shù)(qualification technique)可用于偵測結(jié)構(gòu)差異227b (structural difference)?；趥蓽y到的結(jié)構(gòu)差異227b,可評(píng)定關(guān)于所含括基本布局的重疊效能并且進(jìn)行處理策略。例如，結(jié)構(gòu)差異227b的尺寸可予以判斷并且可當(dāng)作準(zhǔn)則以供評(píng)定基本裝置布局及/或相應(yīng)處理程序的正確性。
[0078]應(yīng)了解的是，不同的材料及/或工藝配方以及策略可用在比較組合圖案用以提供所形成評(píng)定優(yōu)良涵蓋率(coverage)。此外，通過使用不同的處理策略及/或測試區(qū)配置，可「仿真」相應(yīng)的各種工藝擾動(dòng)而能有可靠度工藝窗口關(guān)于形成重疊區(qū)(如關(guān)于導(dǎo)線的接觸件和導(dǎo)孔)的穩(wěn)健定義，舉例如以上引用圖1a及圖1b所述。[0079]請(qǐng)參閱圖2e至圖2h，可說明用于形成組合圖案226、227的處理程序，然而，其中一或多個(gè)工藝參數(shù)例如相對(duì)于增強(qiáng)缺陷偵測及諸如此類予以不同地選擇。
[0080]圖2e概述如前引用圖2a所述呈類似配置的裝置200。因此，層件203包含必須予以轉(zhuǎn)移至層件202的圖案225。然而，在此情況中，可施加增加的蝕刻時(shí)間以「仿真」相應(yīng)的工藝變異，其可導(dǎo)致相應(yīng)的圖案225修改并且也可導(dǎo)致層件202內(nèi)增加的蝕刻深度。
[0081]圖2f概述再進(jìn)一步制造階段中的裝置200，其中，已施加實(shí)質(zhì)兩倍的蝕刻時(shí)間將圖案225轉(zhuǎn)移至層件202。在此情況中，層件202a、202b可具有相同的材料成份，藉以圖案化層件202a和202b兩者，端視其初始厚度而定。 [0082]圖2g概述具有層件204的裝置200，層件204具有第一測試區(qū)210a中的圖案235以及第二測試區(qū)210b中的幾何調(diào)制圖案235m合并于其中。還有，在此情況中，例如通過使用上述相同的蝕刻配方將各別圖案轉(zhuǎn)移至層件202。
[0083]圖2h概述測試區(qū)210a中的組合圖案226以及測試區(qū)210b中的組合圖案227，其中，也可因系統(tǒng)幾何調(diào)制而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)差異227b，如上所述。然而，應(yīng)了解的是由于不同的工藝參數(shù)，如不同的蝕刻時(shí)間，一般而言，結(jié)構(gòu)差異227b有別于先前取得的結(jié)構(gòu)差異。依此方式，可通過比較相應(yīng)的「缺陷」227b定量評(píng)定處理策略中差異的各種影響。
[0084]應(yīng)了解的是，除了工藝配方或處理時(shí)間的修改或二擇一地，可使用其它差異以取得有統(tǒng)計(jì)意義的結(jié)果以及涵蓋范圍廣的工藝擾動(dòng)。例如，可例如通過提供多個(gè)不同的測試區(qū)提供具有不同類型調(diào)制的圖案235m，其可基于相同或不同的處理策略予以處理。
[0085]圖2i概述裝置200的俯視圖，其中，可在襯底201上形成多個(gè)測試區(qū)210a、…、210f以取得涵蓋范圍廣的各種擾動(dòng)用于形成重疊區(qū)并且用以對(duì)每個(gè)不同類型測試區(qū)達(dá)到統(tǒng)計(jì)關(guān)聯(lián)性。例如，可緊密靠近具有幾何調(diào)制圖案形成于其中的各別測試區(qū)提供多個(gè)測試區(qū)210a，如上述。例如，基本上可相當(dāng)于上述測試區(qū)210a的測試區(qū)210a因而可依x方向及y方向覆蓋襯底201以致有效率地評(píng)估跨襯底變異。類似地，可提供其中可依+X方向基于側(cè)向平移形成組合圖案的多個(gè)測試區(qū)210b，其中，可使用合適的平移幅度，例如可使用25納米。類似地，可依+X方向基于側(cè)向平移形成測試區(qū)210c，其中，可使用相同或不同的幅度。例如，可使用50納米。類似地，測試區(qū)210e、210f可設(shè)有例如使用+50納米及-25納米依y方向基于側(cè)向平移形成的組合圖案。另一方面，測試區(qū)210d可設(shè)有例如通過增加臨界尺寸10納米基于所含括臨界尺寸調(diào)制而形成的組合圖案。
[0086]因此，一旦基于任何合適的檢驗(yàn)技術(shù)檢驗(yàn)襯底210，即可使用介于鄰近區(qū)域210a與區(qū)域210b、210c、210d、210e、210f間的結(jié)構(gòu)差異以識(shí)別關(guān)鍵重疊區(qū)。此外，由于各類多個(gè)測試區(qū)的提供，可取得統(tǒng)計(jì)關(guān)聯(lián)結(jié)果，而不同類型測試區(qū)進(jìn)一步允許基于種種擾動(dòng)評(píng)定效能。應(yīng)了解以上在各別測試區(qū)中用于幾何調(diào)制組合圖案的測試區(qū)配置及參數(shù)僅屬于描述性質(zhì)并且任何其它幾何調(diào)制都可予以施加，例如藉助于使用任何平移幅度及/或下伏布局圖案的尺寸修改。
[0087]圖3概述可用于偵測關(guān)鍵重疊區(qū)以及從而用于評(píng)定并且評(píng)估特定裝置設(shè)計(jì)及/或處理流程的上覆效能的系統(tǒng)350而予以制造。如圖所示，系統(tǒng)350可包含檢驗(yàn)工具357，例如合適地經(jīng)配置以判斷臨界尺寸、上覆誤差、表面缺陷及諸如此類，其可包含其上可安置可包含具有組合圖案形成于其中的至少兩測試區(qū)310a、310b的襯底301的襯底固持件351，如先前引用圖1及圖2所述。也就是，測試區(qū)310a包含具有組合圖案基于相當(dāng)于兩不同裝置層級(jí)所形成用以界定重疊區(qū)的圖案形成于其中的圖案化材料層，其中，區(qū)域310a、310b中的各別組合圖案通過系統(tǒng)幾何調(diào)制而彼此不同。襯底固持件351經(jīng)合適地配置而能夠在襯底301與偵測器352間相對(duì)側(cè)向移動(dòng)，偵測器352可接收入射至襯底301的任何類型照射響應(yīng)束。例如，電子束可通過入射電子束所產(chǎn)生受到偵測的照射用于判斷襯底301的表面特性。在其它情況中，如紫外線照射、及諸如此類的任何類型的照射皆可用于判斷上覆特性及/或臨界尺寸的特性。偵測器352經(jīng)合適地配置以提供檢驗(yàn)數(shù)據(jù)353a、353b，其可具有結(jié)構(gòu)信息編碼于其中，例如臨界尺寸、特定對(duì)象尺寸及諸如此類。此外，系統(tǒng)350可包含控制器355，其經(jīng)合適地配置以接收檢驗(yàn)數(shù)據(jù)353a、353b，其例如可呈位地圖及諸如此類的形式予以提供以容許量化估計(jì)分別相當(dāng)于區(qū)域310a、310b或其一部分的像素。例如，數(shù)據(jù)353a、353b各可代表微影處理所形成的像場。
[0088]此外，控制器355可包含比較器354，其中，檢驗(yàn)數(shù)據(jù)353a可與數(shù)據(jù)353b作比較，例如藉助的是像素對(duì)像素比較以偵測結(jié)構(gòu)差異，其依次可用于評(píng)估特定布局的上覆效能及/或處理流程，也如以上所述。因此，比較器354可提供各別數(shù)據(jù)356，其可指示布局的上覆效能以及施加于形成測試區(qū)310a、310b的處理程序。例如，區(qū)域310a、310b兩者「缺陷」存在的比較可指示相應(yīng)設(shè)計(jì)及/或處理程序?qū)τ诳赡芄に嚁_動(dòng)給定范圍的不正確性，這可基于相應(yīng)的幾何調(diào)制予以仿真，也如上所述。
[0089]結(jié)果是，本揭露提供技術(shù)及系統(tǒng)，其中，上覆效能可例如使用缺陷檢驗(yàn)工具基于快速及可靠測量技術(shù)予以評(píng)估。為此，可形成合適的測試襯底而不需要完全處理過的襯底并且避免任何精密制備技術(shù)，例如TEM測量用剖面樣本的制備。根據(jù)本文所揭露的原理，關(guān)鍵位置關(guān)于上覆精確度的直接檢驗(yàn)可對(duì)任何工藝擾動(dòng)致能快速響應(yīng)并且也可容許可靠及穩(wěn)健的工藝窗口定義以供形成上覆區(qū)。
[0090]鑒于本說明，本揭露的進(jìn)一步改進(jìn)及改變對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員將顯而易知。因此，本說明僅要予以推斷為描述性并且目的在于指導(dǎo)本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員實(shí)施本揭露的一般方式。要理解的是，本文所示及所述的形式屬于目前較佳的具體實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包含: 將半導(dǎo)體裝置的第一布局層的第一圖案轉(zhuǎn)移至襯底的第一測試區(qū)與第二測試區(qū)上方所形成的材料層； 將該半導(dǎo)體裝置的第二布局層的第二圖案轉(zhuǎn)移至該第一測試區(qū)上方所形成的該材料層，該第一與第二布局層彼此空間性相關(guān)以便界定重疊區(qū)； 將該第二圖案的幾何調(diào)制版本轉(zhuǎn)移至該第二測試區(qū)上方所形成的該材料層；以及 判斷介于該第一測試區(qū)與該第二測試區(qū)間該材料層中的結(jié)構(gòu)差異以便評(píng)定關(guān)于該重疊區(qū)的工藝余裕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將該第二圖案的幾何調(diào)制版本轉(zhuǎn)移至該第二測試區(qū)上方所形成的該材料層包含施加該第二圖案相對(duì)于該第一圖案的預(yù)界定側(cè)向平移。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將該第二圖案的幾何調(diào)制版本轉(zhuǎn)移至該第二測試區(qū)上方所形成的該材料層包含通過使用具有不同臨界尺寸的該第二圖案的至少一些圖案特征提供該幾何調(diào)制版本。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將該第二圖案的幾何調(diào)制版本轉(zhuǎn)移至該第二測試區(qū)上方所形成的該材料層包含修改該第二圖案的至少一些圖案特征的側(cè)向尺寸并且以修改過的側(cè)向尺寸施加預(yù)界定側(cè)向平移于具有所述至少一些特征的該第二圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將該第一與第二圖案的至少一個(gè)轉(zhuǎn)移至該材料層包含實(shí)施微影處理以及至少一蝕刻處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，將該第一圖案轉(zhuǎn)移至該材料層包含實(shí)施第一蝕刻處理以及其中，將該第二圖案與該第二圖案的該幾何調(diào)制版本轉(zhuǎn)移至該材料層包含實(shí)施第二蝕刻處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，該第一與第二蝕刻處理通過使用相同的工藝配方予以實(shí)施。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，轉(zhuǎn)移該第一與第二圖案與該第二圖案的該調(diào)制版本包含實(shí)施一系列微影處理而未用到蝕刻處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該材料層為均質(zhì)材料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該材料層包含第一子層以及第二子層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，判斷介于該第一測試區(qū)與該第二測試區(qū)間的結(jié)構(gòu)差異包含實(shí)施襯底檢驗(yàn)程序。
12.—種方法,其包含: 在襯底的第一測試區(qū)中所形成的材料層中由半導(dǎo)體裝置的第一布局層與第二布局層形成第一組合圖案，該第一與第二布局圖案界定重疊區(qū)； 在該襯底的第二測試區(qū)中所形成的該材料層中由該第一布局層與該第二布局層形成第二組合圖案，該第二組合圖案相對(duì)于該第一組合圖案包括幾何調(diào)制；以及 在該第一與第二測試區(qū)中至少對(duì)該重疊區(qū)實(shí)施檢驗(yàn)程序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包含通過使用該檢驗(yàn)程序的結(jié)果判斷處理流程及該重疊區(qū)的布局設(shè)計(jì)的至少一個(gè)的正確性。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，該第一與第二組合圖案通過使用雙重曝照微影處理程序予以形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，該第一與第二組合圖案的各個(gè)通過循序使用第一微影/蝕刻程序以及第二微影/蝕刻程序予以形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，相同的蝕刻配方用在該第一與第二微影/蝕刻程序。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，不同的蝕刻配方用在該第一與第二微影/蝕刻程序。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包含通過使用該第一布局層與該第二布局層之一中至少一些圖案特征的側(cè)向平移及尺寸變異的至少一個(gè)產(chǎn)生該幾何調(diào)制。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包含在該襯底的第三測試區(qū)中所形成的該材料層中由該第一布局層與該第二布局層形成第三組合圖案，其中，該第三組合圖案相對(duì)于該第一與第二組合圖案包括幾何調(diào)制。
20.一種重疊偵測系統(tǒng)，其包含: 經(jīng)配置用以從包含第一組合圖案的第一測試區(qū)取得第一檢驗(yàn)數(shù)據(jù)并且用以從包含第二組合圖案的第二測試區(qū)取得第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)的檢驗(yàn)工具，該第一與第二組合圖案各由半導(dǎo)體裝置的第一布局層與第二布局層所形成，該第二組合圖案相對(duì)于該第一組合圖案包括幾何調(diào)制；以及 操作性地予 以連接以接收該第一與第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)以及經(jīng)配置通過比較該第一與第二檢驗(yàn)數(shù)據(jù)并且由其判斷該第一與第二組合圖案間結(jié)構(gòu)差異的控制器。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103681400SQ201310403818
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月6日
【發(fā)明者】L·巴赫 申請(qǐng)人:格羅方德半導(dǎo)體公司