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一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線的制作方法

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一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線,涉及天線【技術(shù)領(lǐng)域】。為解決現(xiàn)有微帶天線無(wú)法實(shí)現(xiàn)寬帶化、小型化且交叉極化抑制比不理想的問(wèn)題而發(fā)明。本發(fā)明微帶天線用輻射貼片上開設(shè)有十字型槽,所述十字型槽包括至少四條呈十字型分布的封閉長(zhǎng)槽,各封閉長(zhǎng)槽之間互不連通。本發(fā)明可用于移動(dòng)通訊基站天線的設(shè)計(jì)。
【專利說(shuō)明】一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及天線【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線。
【背景技術(shù)】
[0002]微帶天線具有厚度低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,可加工性好等方面的優(yōu)勢(shì),因此獲得了很廣泛的應(yīng)用。微帶天線包含很多種結(jié)構(gòu)形式,從微帶天線的構(gòu)成來(lái)看,微帶天線包含三個(gè)基本的組成部分,分別是輻射單元、參考地和饋電結(jié)構(gòu)。
[0003]本發(fā)明方案針對(duì)的應(yīng)用場(chǎng)景是無(wú)線蜂窩通訊單頻段低剖面微帶天線;工作頻率在2GHz附近,天線厚度從輻射單元頂部到參考地距離小于10mm。
[0004]針對(duì)以上需求,現(xiàn)有的微帶天線主要采用的輻射單元是雙層方型或圓形貼片天線;簡(jiǎn)單的雙層方型或圓形貼片存在的最大問(wèn)題在于交叉極化抑制比不理想,單個(gè)輻射單元典型值在10_15dBc之間,不滿足極化MIMO(Multi_input Mult1-output,多輸入多輸出)對(duì)隔離度的要求;同時(shí),現(xiàn)有的微帶天線輻射單元采用方型貼片時(shí),為了滿足移動(dòng)通訊基站設(shè)備對(duì)天線的要求,其尺寸一般為58mmX58mm以上,高度為8mm以上,輻射單元面積較大,厚度較厚,不利于產(chǎn)品小型化設(shè)計(jì)的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種微帶天線用輻射貼片及微帶天線,實(shí)現(xiàn)寬帶化的設(shè)計(jì)目的,同時(shí)還可以提高輻射場(chǎng)的極化純度,起到提升交叉極化抑制比的目的。
[0006]為達(dá)到上述目的,第一方面,本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種微帶天線用輻射貼片,所述輻射貼片上開設(shè)有十字型槽,所述十字型槽包括至少四條呈十字型分布的封閉長(zhǎng)槽,各封閉長(zhǎng)槽之間互不連通。
[0007]在第一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,結(jié)合第一方面,所述封閉長(zhǎng)槽為四條,各所述封閉長(zhǎng)槽的形狀和尺寸均相同且呈十字型對(duì)稱分布。
[0008]在第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述輻射貼片為圓形貼片或正多邊形貼片。
[0009]在第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述輻射貼片為圓形貼片,所述十字型槽的中心設(shè)置于所述圓形貼片的圓心。
[0010]在第四種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述輻射貼片為正多邊形貼片,所述十字型槽的中心設(shè)置于所述正多邊形貼片的中心。
[0011]在第五種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第一方面或第一種至第四種中任一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述輻射貼片上開設(shè)有若干饋電連接孔。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例提供的微帶天線用輻射貼片,將輻射貼片上開設(shè)有十字型槽,所述十字型槽包括四條形狀和尺寸均相同且沿十字線對(duì)稱分布的封閉長(zhǎng)槽,且各封閉長(zhǎng)槽之間互不連通;由此,將輻射貼片應(yīng)用于微帶天線的微帶輻射單元時(shí),降低了微帶輻射單元的封閉性,增加了對(duì)外輻射窗口,十字型結(jié)構(gòu)的開槽可以約束電流分布,形成兩種諧振頻率接近的電流模式,實(shí)現(xiàn)寬帶化的設(shè)計(jì)目的;同時(shí)通過(guò)十字型開槽約束電流分布,還可以提高輻射場(chǎng)的極化純度,起到提升交叉極化抑制比的目的。
[0013]第二方面,本發(fā)明實(shí)施例供了一種微帶天線,包括堆疊設(shè)置的參考地和若干微帶輻射單元,至少一個(gè)微帶輻射單元由上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的輻射貼片構(gòu)成。
[0014]在第一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,結(jié)合第二方面,所述參考地與微帶輻射單元之間以及各微帶輻射單元之間均通過(guò)絕緣層隔開,所述參考地與其中一個(gè)微帶輻射單元之間通過(guò)饋電結(jié)構(gòu)連接。
[0015]在第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述絕緣層包括限位墊片和/或PCB (Print Circuit Board印制線路板)的絕緣基板,所述微帶福射單元包括堆疊設(shè)置的第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元,所述第一微帶輻射單元由所述輻射貼片構(gòu)成,所述參考地與所述輻射貼片之間通過(guò)饋電結(jié)構(gòu)連接。
[0016]在第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述微帶天線的工作頻率為2500MHz?2690MHz,所述輻射貼片為圓形貼片,其直徑為28?30mm,所述封閉長(zhǎng)槽的長(zhǎng)度為8?13mm,寬度為I?2mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽的間隔為I?3mm,所述微帶天線總厚度為5?6mm,所述第一微帶福射單元和第二微帶福射單元的間隔為4?5_。
[0017]在第四種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述微帶天線的工作頻率為2600MHz,所述輻射貼片的直徑為28mm,所述封閉長(zhǎng)槽的長(zhǎng)度為11.5mm,寬度為2mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽的間隔為3mm,所述微帶天線總厚度為6mm,所述第一微帶輻射單元和第二微帶福射單元的間隔為5_。
[0018]在第五種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種至第四種中任一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為PCB的絕緣基板,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板。
[0019]在第六種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種至第四種中任一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為限位墊片,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板。
[0020]在第七種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,根據(jù)第二種至第四種中任一種可能實(shí)現(xiàn)的方式,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的微帶天線,在構(gòu)成微帶輻射單元的輻射貼片上開設(shè)有十字型槽,所述十字型槽包括四條形狀和尺寸均相同且沿十字線對(duì)稱分布的封閉長(zhǎng)槽,且各封閉長(zhǎng)槽之間互不連通;由此,降低了微帶輻射單元的封閉性,增加了對(duì)外輻射窗口,十字型結(jié)構(gòu)的開槽可以約束電流分布,形成兩種諧振頻率接近的電流模式,實(shí)現(xiàn)寬帶化的設(shè)計(jì)目的;同時(shí)通過(guò)十字型開槽約束電流分布,還可以提高輻射場(chǎng)的極化純度,起到提升交叉極化抑制比的目的。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線用輻射貼片的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的一種具體的結(jié)構(gòu)截面示意圖;
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的另一種具體的結(jié)構(gòu)截面示意圖;
[0028]圖6為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的回波損耗測(cè)試結(jié)果圖;
[0029]圖7為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線的交叉極化方向測(cè)試結(jié)果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的
方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0032]參照?qǐng)D1,圖1為本發(fā)明實(shí)施例微帶天線用輻射貼片的一個(gè)具體實(shí)施例,本實(shí)施例中輻射貼片I上開設(shè)有十字型槽2,所述十字型槽2包括至少四條呈十字型分布的封閉長(zhǎng)槽21,各封閉長(zhǎng)槽21之間互不連通。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的輻射貼片1,在制作微帶天線時(shí),可將輻射貼片I用于制作微帶天線的微帶輻射單元,由于將輻射貼片I上開設(shè)有十字型槽2,所述十字型槽2包括四條呈十字型分布的封閉長(zhǎng)槽21所述封閉長(zhǎng)槽21為在輻射貼片的邊緣以內(nèi)開設(shè)的長(zhǎng)槽,且各封閉長(zhǎng)槽21之間互不連通;由此,將輻射貼片應(yīng)用于微帶天線的微帶輻射單元時(shí),降低了微帶福射單元的封閉性,增加了對(duì)外福射窗口,降低了微帶福射單元的Q(Quality factor,品質(zhì)因數(shù))值,因此利于獲得更大的工作頻率帶寬,十字型結(jié)構(gòu)的開槽可以約束電流分布,形成兩種諧振頻率接近的電流模式,實(shí)現(xiàn)寬帶化的設(shè)計(jì)目的;同時(shí)通過(guò)十字型開槽約束電流分布,還可以提高輻射場(chǎng)的極化純度,起到提升交叉極化抑制比的目的,十字型結(jié)構(gòu)的開槽還可以延長(zhǎng)電流分布路徑,降低輻射單元的諧振頻率,達(dá)到小型化設(shè)計(jì)目的。
[0034]也就是說(shuō),如果將微帶輻射單元看成一個(gè)諧振電路,那么十字型槽2所起的作用就是降低諧振電路Q值、降低諧振頻率、增加諧振頻點(diǎn);最終實(shí)現(xiàn)的效果包括多頻、寬帶、小型化。
[0035]優(yōu)選地,如圖1所示,可選擇四條形狀和尺寸均相同的封閉長(zhǎng)槽21來(lái)構(gòu)成十字型槽2,并將各封閉長(zhǎng)槽21呈十字型對(duì)稱分布。由此,可使微帶天線在各方向上的能量分布更加均勻,能量覆蓋更全面。
[0036]需要說(shuō)明的是,封閉長(zhǎng)槽21可以為多種形狀的長(zhǎng)條結(jié)構(gòu),如長(zhǎng)方形、橢圓形、梯形、菱形等,在此不一一列舉。具體形狀(如長(zhǎng)方形長(zhǎng)寬比例,具體數(shù)值)可以根據(jù)產(chǎn)品性能指標(biāo)的需求通過(guò)仿真、實(shí)驗(yàn)得到,這里并不進(jìn)行具體的限定。
[0037]輻射貼片I可以采用多種形狀結(jié)構(gòu),優(yōu)選地,輻射貼片I可以采用圓形貼片或正多邊形結(jié)構(gòu)。外形采用圓形或正多邊結(jié)構(gòu)有利于減小輻射單元面積,在單元間距較近的陣列天線設(shè)計(jì)中有利于降低輻射單元之間的相互耦合,起到提升隔離度和改善方向圖的作用。
[0038]當(dāng)所述輻射貼片I采用圓形貼片時(shí),所述十字型槽2的中心可設(shè)置于所述圓形貼片的圓心。由此,可充分利用圓形貼片的表面積進(jìn)行開槽,有利于減小圓形貼片面積。
[0039]當(dāng)所述輻射貼片I采用正多邊形貼片時(shí),所述十字型槽2的中心設(shè)置于所述正多邊形貼片的中心。由此,可充分利用正多邊形貼片的表面積進(jìn)行開槽,有利于減小正多邊形貼片面積。
[0040]為了將輻射貼片I便于與饋電結(jié)構(gòu)連接,優(yōu)選地,可在輻射貼片I上開設(shè)有若干饋電連接孔3。由此,可將福射貼片I通過(guò)饋電連接孔3與饋電結(jié)構(gòu)連接。在制作微帶天線時(shí)方便安裝。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種微帶天線,包括參考地和若干微帶輻射單元,參考地和若干微帶輻射單元堆疊設(shè)置,其中至少一個(gè)微帶輻射單元由上述任一實(shí)施例所述的輻射貼片構(gòu)成。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例提供的微帶天線,在構(gòu)成微帶輻射單元的輻射貼片I上開設(shè)有若干組十字型槽2,十字型槽2包括四條形狀和尺寸均相同且沿十字線對(duì)稱分布的封閉長(zhǎng)槽21,且各封閉長(zhǎng)槽21之間互不連通;由此,降低了微帶輻射單元的封閉性,增加了對(duì)外輻射窗口,十字型結(jié)構(gòu)的開槽可以約束電流分布,形成兩種諧振頻率接近的電流模式,實(shí)現(xiàn)寬帶化的設(shè)計(jì)目的;同時(shí)通過(guò)十字型槽2約束電流分布,還可以提高輻射場(chǎng)的極化純度,起到提升交叉極化抑制比的目的。
[0043]如圖2所示,所述微帶天線可以采用如下結(jié)構(gòu):包括堆疊設(shè)置的參考地100和若干微帶輻射單元200,所述參考地100與微帶輻射單元200之間以及各微帶輻射單元200之間均通過(guò)絕緣層300隔開。
[0044]具體地,參照?qǐng)D2、圖3,微帶輻射單元200包括堆疊設(shè)置的第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202,參考地100與第一微帶輻射單元201之間通過(guò)饋電結(jié)構(gòu)400連接。此時(shí),第一微帶輻射單元201可選用如圖1所示的結(jié)構(gòu),采用圓形的輻射貼片1,并在輻射貼片I上開設(shè)十字型槽2。在輻射貼片I上還開設(shè)有兩個(gè)饋電連接孔3,兩個(gè)饋電連接孔3與輻射貼片I的圓心的連線夾角為90°。
[0045]上述微帶天線優(yōu)選如下尺寸范圍:圓形的輻射貼片I的直徑為28?30mm,封閉長(zhǎng)槽21沿十字線的長(zhǎng)度h為8?13mm,寬度b為I?2mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽21的間隔w為I?3mm,微帶天線厚度a為5?6mm,其中,第一微帶福射單元201和第二微帶福射單元202的間隔d為4?5mm。上述微帶天線的優(yōu)選工作頻率為2500MHz?2690MHz。
[0046]將上述尺寸范圍內(nèi)的微帶天線進(jìn)行回波損耗測(cè)試,選擇圓形的輻射貼片I的直徑為28mm,封閉長(zhǎng)槽21沿十字線的長(zhǎng)度h為11.5mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽21的間隔w為3mm,寬度b為2mm,微帶天線厚度a為6mm,其中,第一微帶福射單元201和第二微帶福射單元202的間隔d為5mm,其測(cè)試結(jié)果如圖6所示,從測(cè)試結(jié)果可以看出,在2500MHz?2690MHz頻率范圍內(nèi),天線的回波損耗<_17dB,將上述尺寸的微帶天線進(jìn)行交叉極化方向測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如圖7所示,從測(cè)試結(jié)果可以看出,O度方向交叉極化抑制比>20dB。以上測(cè)試結(jié)果均滿足移動(dòng)通訊基站設(shè)備對(duì)天線的要求,上述微帶天線的優(yōu)選工作頻率為2600MHz。
[0047]所述絕緣層300可以選擇多種結(jié)構(gòu),例如可以選擇由限位墊片302和/或PCB的絕緣基板301制得,如圖3所示,所述參考地100與所述第一微帶輻射單元201之間的絕緣層300可以為PCB的絕緣基板301,所述第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202之間的絕緣層300可以為若干限位墊片302和設(shè)置于限位墊片302上的PCB的絕緣基板301。由此,限位墊片302可以使第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202之間保持一個(gè)確定的距離,使得天線在特定頻率范圍內(nèi)獲得良好的輻射效果。
[0048]參照?qǐng)D4,絕緣層300還可以選擇如下方式設(shè)置:將參考地100與第一微帶輻射單元201之間的絕緣層300設(shè)置為限位墊片302,將第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202之間的絕緣層300設(shè)置為若干限位墊片302和設(shè)置于限位墊片302上的PCB的絕緣基板301。由此,使得所述參考地100與所述第一微帶輻射單元201之間僅通過(guò)限位墊片302隔開即可,便于控制參考地100與第一微帶輻射單元201之間的距離且節(jié)省了材料。
[0049]參照?qǐng)D5,參考地100與第一微帶輻射單元201之間的絕緣層300還可以為若干限位墊片302和設(shè)置于限位墊片302上的PCB的絕緣基板301,所述第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202之間的絕緣層300可以為若干限位墊片302和設(shè)置于限位墊片302上的PCB的絕緣基板301。由此,此結(jié)構(gòu)可通過(guò)限位墊片302調(diào)整第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202之間的距離,以及參考地100與第一微帶輻射單元201之間的距離,且由于第一微帶輻射單元201和第二微帶輻射單元202均設(shè)置于PCB的絕緣基板301上,使得天線結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固。
[0050]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種微帶天線用輻射貼片,其特征在于: 所述輻射貼片上開設(shè)有十字型槽,所述十字型槽包括至少四條呈十字型分布的封閉長(zhǎng)槽,各封閉長(zhǎng)槽之間互不連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微帶天線用輻射貼片,其特征在于:所述封閉長(zhǎng)槽為四條,各所述封閉長(zhǎng)槽的形狀和尺寸均相同且呈十字型對(duì)稱分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微帶天線用輻射貼片,其特征在于:所述輻射貼片為圓形貼片或正多邊形貼片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微帶天線用輻射貼片,其特征在于:所述輻射貼片為圓形貼片,所述十字型槽的中心設(shè)置于所述圓形貼片的圓心。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微帶天線用輻射貼片,其特征在于:所述輻射貼片為正多邊形貼片,所述十字型槽的中心設(shè)置于所述正多邊形貼片的中心。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的微帶天線用輻射貼片,其特征在于:所述輻射貼片上開設(shè)有若干饋電連接孔。
7.一種微帶天線,包括堆疊設(shè)置的參考地和若干微帶輻射單元,其特征在于,至少一個(gè)微帶輻射單元由權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的輻射貼片構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微帶天線,其特征在于,所述參考地與微帶輻射單元之間以及各微帶輻射單元之間均通過(guò)絕緣層隔開,所述參考地與其中一個(gè)微帶輻射單元之間通過(guò)饋電結(jié)構(gòu)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微帶天線,其特征在于,所述絕緣層包括限位墊片和/或PCB的絕緣基板,所述微帶輻射.單元包括堆疊設(shè)置的第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元,所述第一微帶輻射單元由所述輻射貼片構(gòu)成,所述參考地與所述輻射貼片之間通過(guò)饋電結(jié)構(gòu)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微帶天線,其特征在于,所述微帶天線的工作頻率為2500MHz~2690MHz,所述輻射貼片為圓形貼片,其直徑為28~30mm,所述封閉長(zhǎng)槽的長(zhǎng)度為8~13mm,寬度為I~2mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽的間隔為I~3mm,所述微帶天線總厚度為5~6mm,所述第一微帶福射單元和第二微帶福射單元的間隔為4~5_。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微帶天線,其特征在于,所述微帶天線的工作頻率為2600MHz,所述輻射貼片的直徑為28mm,所述封閉長(zhǎng)槽的長(zhǎng)度為11.5mm,寬度為2mm,相對(duì)兩封閉長(zhǎng)槽的間隔為3mm,所述微帶天線總厚度為6mm,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元的間隔為5mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求9~11中任一項(xiàng)所述的微帶天線,其特征在于,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為PCB的絕緣基板,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求9~11中任一項(xiàng)所述的微帶天線,其特征在于,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為限位墊片,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求9~11中任一項(xiàng)所述的微帶天線,其特征在于,所述參考地與所述第一微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的絕緣基板,所述第一微帶輻射單元和第二微帶輻射單元之間的絕緣層為若干限位墊片和設(shè)置于限位墊片上的PCB的 絕緣基板。
【文檔編號(hào)】H01Q13/08GK103474756SQ201310410571
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】羅兵, 楊仕文, 朱全江 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司
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