一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術中第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線金屬交疊區(qū)域容易形成靜電擊穿的問題。本發(fā)明中陣列基板包括位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線，位于非顯示區(qū)域、與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)，還包括：位于非顯示區(qū)域的第二檢測短路環(huán)和連接線，所述第二檢測短路環(huán)設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，所述連接線通過過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接。第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)、數(shù)據(jù)信號線都無交疊區(qū)域，防止第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線交疊區(qū)域形成靜電擊穿。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制作領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]為檢測陣列基板制作過程中的不良缺陷，現(xiàn)有的陣列基板中往往在陣列基板的周邊區(qū)域(非顯示區(qū)域)設置檢測短路環(huán)，該檢測短路環(huán)與位于顯示區(qū)域的若干條順序排列的數(shù)據(jù)信號線連接，如圖1所示為現(xiàn)有的陣列基板中檢測短路環(huán)設計示意圖，由圖中可知現(xiàn)有陣列基板中設置兩個檢測短路環(huán)，分別為第一檢測短路環(huán)I和第二檢測短路環(huán)2，第一檢測短路環(huán)I與源漏極位于同一層，并由制作數(shù)據(jù)信號線3的數(shù)據(jù)金屬制作，與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3連接為一體結構，第二檢測短路環(huán)2與柵極位于同一層，并由制作柵極的柵極金屬制作而成，然后通過過孔與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接。
[0003]陣列基板制作過程中，往往會產生靜電荷，過多的靜電荷積累，容易在金屬交疊的區(qū)域形成靜電擊穿，由圖1可知，現(xiàn)有的檢測短路環(huán)設計中，第一檢測短路環(huán)I與第二檢測短路環(huán)2設置在不同層，第二檢測短路環(huán)2設置在第一檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線3連接的一側(即第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側)，這樣第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3存在交疊區(qū)域30，第二檢測短路環(huán)由柵極金屬制作，數(shù)據(jù)信號線由數(shù)據(jù)金屬制作，由于靜電荷的積累，容易在第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線金屬交疊的區(qū)域，形成靜電擊穿。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術中第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線金屬交疊區(qū)域容易形成靜電擊穿的問題。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明一方面提供了一種陣列基板，包括位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線，以及位于非顯示區(qū)域、與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)，所述數(shù)據(jù)信號線位于所述第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側，還包括:位于非顯示區(qū)域的第二檢測短路環(huán)和連接線，所述第二檢測短路環(huán)設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，所述連接線通過過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接。
[0007]本發(fā)明中，所述連接線通過過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接起來，使得第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)不具有交疊區(qū)域，能夠避免形成靜電擊穿。
[0008]較佳的，所述第二檢測短路環(huán)與所述第一檢測短路環(huán)同層設置、并具有相同的制作材料，能夠在制作數(shù)據(jù)信號線時，同時制作第一檢測短路環(huán)和第二檢測短路環(huán)，工藝實現(xiàn)簡單。
[0009]較佳的，開設有過孔的鈍化層形成在所述第二檢測短路環(huán)、以及排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線之上，在所述鈍化層上形成有通過所述過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接起來的連接線，使得第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線過孔連接方式簡單，工藝實現(xiàn)簡單。
[0010]進一步的，所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)的一側設置有檢測信號線，所述檢測信號線的數(shù)量和與該第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同；
[0011]所述過孔包括開設在所述檢測信號線設定位置處的第一過孔和開設在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處的第二過孔，所述連接線的一端通過第一過孔與所述檢測信號線連接，所述連接線的另一端通過第二過孔與所述數(shù)據(jù)信號線連接。
[0012]本發(fā)明中通過在第二檢測短路環(huán)上設置檢測信號線，并通過檢測信號線與數(shù)據(jù)信號線過孔連接，能夠降低線電阻。
[0013]較佳的，所述第二檢測短路環(huán)與陣列基板的柵極同層設置、具有相同的制作材料，使得在制作柵極時候能夠完成第二檢測短路環(huán)的制作，工藝實現(xiàn)簡單。
[0014]進一步的，在所述第二檢測短路環(huán)上形成有柵極絕緣層和鈍化層，在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線上形成有鈍化層，其中，
[0015]在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處的所述鈍化層開設有第三過孔，在所述第二檢測短路環(huán)設定位置處貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層開設有第四過孔，在所述鈍化層上形成有通過所述第三過孔和所述第四過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接起來的連接線，使得第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線過孔連接方式連接，工藝實現(xiàn)簡單。
[0016]進一步的，所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)的一側設置有檢測信號線，所述檢測信號線的數(shù)量和與該第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同；所述第四過孔位于所述檢測信號線設定位置處，能夠降低線電阻。
[0017]較佳的，連接線為透明導電薄膜，使得第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)交疊區(qū)域采用透明導電薄膜跨接，透明導電薄膜與數(shù)據(jù)金屬材料之間不會產生靜電擊穿，避免靜電擊穿的形成
[0018]較佳的，本發(fā)明陣列基板還包括:與所述第一檢測短路環(huán)連接、為所述第一檢測短路環(huán)加載電信號的第一檢測電極；以及與所述第二檢測短路環(huán)連接、為所述第二檢測短路環(huán)加載電信號的第二檢測電極，以方便進行信號檢測。
[0019]本發(fā)明另一方面還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板，陣列基板的第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域、與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過過孔連接、并設置于第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域一側，使得第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)不具有交疊區(qū)域，能夠避免形成靜電擊穿。
[0020]本發(fā)明再一方面還提供了一種陣列基板制作方法，包括下述步驟:
[0021]形成柵極絕緣層；
[0022]形成有源層；
[0023]形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線的電路圖案，與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構、位于非顯示區(qū)域的第一檢測短路環(huán)的電路圖案，以及第二檢測短路環(huán)的電路圖案，所述數(shù)據(jù)信號線位于所述第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側，所述第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域，并設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側；[0024]形成鈍化層，對所述鈍化層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第一過孔，對所述鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝形成第二過孔；
[0025]形成透明導電薄膜，將所述第二檢測短路環(huán)和所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過所述第一過孔和所述第二過孔，進行連接。
[0026]本發(fā)明上述陣列基板制作方法，第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)、數(shù)據(jù)信號線在同一工藝下形成，第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域、與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過過孔連接、并設置于第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域一側，使得第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)不具有交疊區(qū)域，能夠避免形成靜電擊穿。
[0027]較佳的，第二檢測短路環(huán)的電路圖案包括若干條檢測信號線，其中，所述檢測信號線形成在所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)一側，且數(shù)量與該第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同；
[0028]所述對所述鈍化層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第一過孔，具體包括:
[0029]對所述鈍化層在對應所述檢測信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第一過孔。
[0030]上述通過在第二檢測短路環(huán)上設置檢測信號線，進行第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線的連接能夠降低線電阻。
[0031]本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括以下步驟:
[0032]形成柵極金屬層，并形成包括第二檢測短路環(huán)的電路圖案，所述第二檢測短路環(huán)形成在非顯示區(qū)域，并位于預形成的第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側；
[0033]形成柵極絕緣層和有源層；
[0034]形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線的電路圖案、以及與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)的電路圖案；
[0035]形成鈍化層，對所述鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第三過孔；對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝，形成第四過孔；
[0036]形成透明導電薄膜，將所述第二檢測短路環(huán)和所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過所述第三過孔和所述第四過孔，進行連接。
[0037]本發(fā)明上述陣列基板制作方法，第二檢測短路環(huán)與柵極在同一工藝下形成，第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域、與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過過孔連接、并設置于第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域一側，使得第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)不具有交疊區(qū)域，能夠避免形成靜電擊穿。
[0038]較佳的，第二檢測短路環(huán)的電路圖案包括若干條檢測信號線，其中，所述檢測信號線形成在所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)一側，且數(shù)量和與第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同；
[0039]對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第四過孔，具體包括:
[0040]對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述檢測信號線設定位置處進行過孔工藝形成第四過孔。[0041]上述通過在第二檢測短路環(huán)上設置檢測信號線，進行第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線的連接能夠降低線電阻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1為現(xiàn)有技術中陣列基板中檢測短路環(huán)排布的俯視示意圖；
[0043]圖2為本發(fā)明實施例提供的檢測短路環(huán)排布方式俯視示意圖；
[0044]圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板截面示意圖；
[0045]圖4為本發(fā)明實施例提供的檢測短路環(huán)另一排布方式俯視示意圖
[0046]圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板另一截面示意圖；
[0047]圖6為本發(fā)明實施例提供的設置有檢測電極的檢測短路環(huán)排布俯視示意圖；
[0048]圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法流程圖；
[0049]圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板另一制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0050]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，并不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0051]實施例一
[0052]本發(fā)明實施例一提供一種陣列基板，該陣列基板包括位于顯示區(qū)域、若干條順序排列的數(shù)據(jù)信號線，與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)，數(shù)據(jù)信號線位于第一檢測短路環(huán)的一側，還包括:
[0053]位于非顯示區(qū)域的第二檢測短路環(huán)和連接線，
[0054]所述第二檢測短路環(huán)設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，
[0055]所述連接線通過過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接。即第二檢測短路環(huán)設置于，與第一檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接一側相對的一側，并且與第一檢測短路環(huán)不具有交疊區(qū)域，如圖2所示。
[0056]具體的，如圖2所示為本發(fā)明實施例提供的第一檢測短路環(huán)I與第二檢測短路環(huán)2的排布方式示意圖，第二檢測短路環(huán)2位于非顯示區(qū)域，并設置于第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，即設置在與第一檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接一側相對的一側，使得第一檢測短路環(huán)I與第二檢測短路環(huán)2不具有交疊區(qū)域，本發(fā)明實施例中優(yōu)選將第二檢測短路環(huán)2與第一檢測短路環(huán)I平行設置，當然并不引以為限。
[0057]進一步的，本發(fā)明實施例中第二檢測短路環(huán)2與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3進行電連接時，可采用過孔連接方式，本發(fā)明實施例中與第二檢測短路環(huán)2連接的數(shù)據(jù)信號線是排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線，與第一檢測短路環(huán)I連接的數(shù)據(jù)信號線排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線，并不引以為限，也可以是第一檢測短路環(huán)I與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接，第二檢測短路環(huán)2與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接，即與不同檢測短路環(huán)連接的數(shù)據(jù)信號線是交錯排列的即可。
[0058]由圖2可知，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中第一檢測短路環(huán)I與第二檢測短路環(huán)2的排布方式使得第二檢測短路環(huán)2，與第一檢測短路環(huán)I和數(shù)據(jù)信號線3都不具有交疊區(qū)域，因此能夠避免形成靜電擊穿。
[0059]實施例二
[0060]本發(fā)明實施例二提供一種陣列基板，第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3同層設置，并采用相同的材料制作而成，具體的排布方式可再次參閱圖2所示。
[0061]如圖3所示，為本發(fā)明實施例二提供的設置有第一檢測短路環(huán)和第二檢測短路環(huán)的陣列基板局部截面示意圖，包括柵極絕緣層4、有源層5、數(shù)據(jù)信號線3、第一檢測短路環(huán)
1、第二檢測短路環(huán)2、鈍化層6和連接線7。
[0062]具體的，本發(fā)明實施例中將第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3同層設置，能夠簡化制作工藝，并且本發(fā)明實施例中第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3采用相同的制作材料，由數(shù)據(jù)金屬材料制作而成，能夠降低線電阻。
[0063]進一步的，本發(fā)明實施例中第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3同層設置，第一檢測短路環(huán)I與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3連接為一體結構，為實現(xiàn)第二檢測短路環(huán)2與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3之間的電連接，本發(fā)明實施例中連接線通過過孔將二者連接。
[0064]具體的，本發(fā)明實施例中鈍化層6形成在第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3之上，故本發(fā)明實施例中可在該形成在第一檢測短路環(huán)1、第二檢測短路環(huán)2和數(shù)據(jù)信號線3之上的鈍化層6開設過孔，所述過孔對應第二檢測短路環(huán)2設定位置處和數(shù)據(jù)信號線3設定位置處，并在鈍化層6上形成有連接線7，通過鈍化層6上開設的過孔，以及連接線7通過過孔將第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3連接起來。
[0065]進一步的，為了進一步降低線電阻，本發(fā)明實施例中第二短路環(huán)2靠近第一短路環(huán)I的一側設置有若干檢測信號線20，檢測信號線20的數(shù)量和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3的數(shù)量相同，通過在檢測信號線20上開設過孔將第二檢測短路環(huán)2與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3連接，故本發(fā)明實施例中鈍化層6上形成的過孔包括開設在對應檢測信號線20 (第二檢測短路環(huán)2)設定位置處的第一過孔8和開設在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3設定位置處的第二過孔9，連接線7的一端通過第一過孔8與檢測信號線20連接，連接線7的另一端通過第二過孔9與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3連接，具體如圖3所示。
[0066]需要說明的是，本發(fā)明實施例一以及以下各實施例中涉及的各種過孔對應的設定位置處，可以是設定的方便連接，又不影響陣列基板性能的任何設定位置，比如，第一過孔8對應的檢測信號線20 (第二檢測短路環(huán)2)設定位置處，可以是設定在檢測信號線20靠近數(shù)據(jù)信號線一側的端部位置處，第二過孔9對應的排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3設定位置處，可以是數(shù)據(jù)信號線靠近檢測信號線20的端部位置處。
[0067]進一步的，本發(fā)明實施例中優(yōu)選透明導電薄膜作為連接線7，通過透明導電薄膜將第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3進行電連接，使得第二檢測短路環(huán)2與第一檢測短路環(huán)I交疊區(qū)域采用透明導電薄膜跨接，透明導電薄膜與數(shù)據(jù)金屬材料之間不會產生靜電擊穿，避免靜電擊穿的形成。
[0068]實施例三
[0069]本發(fā)明實施例三提供一種陣列基板，第一檢測短路環(huán)I與第二檢測短路環(huán)2異層設置，將第二檢測短路環(huán)2與柵極同層設置，并采用與柵極相同的制作材料進行制作，如圖4所示為本發(fā)明實施例三提供的檢測短路環(huán)排布方式俯視示意圖。
[0070]如圖5所示，為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板截面示意圖，第二檢測短路環(huán)2設置在與柵極(圖中未標示)相同的一層，第二檢測短路環(huán)2上形成有柵極絕緣層4和鈍化層6，柵極絕緣層上設定設定位置處形成有有源層5，有源層5上形成有順序排列的數(shù)據(jù)信號線3和第一檢測短路環(huán)I，數(shù)據(jù)信號線3和第一檢測短路環(huán)I上形成有鈍化層6。
[0071]具體的，本發(fā)明實施例中第一檢測短路環(huán)I與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3為一體結構，第二檢測短路環(huán)2與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線3通過過孔進行連接，對應數(shù)據(jù)信號線3設定位置處的鈍化層6上開設有第三過孔10，對應與柵極同層設置的第二檢測短路環(huán)2設定位置處的貫穿柵極絕緣層4和鈍化層6開設有第四過孔11，在鈍化層6上形成有連接線7，連接線7的一端通過第三過孔10與數(shù)據(jù)信號線3連接，連接線7的另一端通過第四過孔11與第二檢測短路環(huán)2相連接，從而通過連接線7實現(xiàn)第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3的連接。
[0072]進一步的，本發(fā)明實施例中為了進一步降低線電阻，在第二短路環(huán)2靠近第一短路環(huán)I的一側設置有若干檢測信號線20，檢測信號線20的數(shù)量和與第二檢測短路環(huán)2連接的數(shù)據(jù)信號線3的數(shù)量相同，通過在鈍化層上對應檢測信號線20上設定位置處開設過孔將第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3連接，即本發(fā)明實施例中貫穿柵極絕緣層4和鈍化層6開設的第四過孔11對應于檢測信號線20設定位置處，請參閱圖5。
[0073]需要說明的是，本發(fā)明實施例中將第二檢測短路環(huán)與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接的過孔的數(shù)量，并不作限定，可以根據(jù)實際情況進行設定。
[0074]優(yōu)選的，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，還包括與第一檢測短路環(huán)I連接、為第一檢測短路環(huán)I加載電信號的第一檢測電極12 ;以及與第二檢測短路環(huán)2連接、為第二檢測短路環(huán)2加載電信號的第二檢測電極13,第一檢測電極12與第二檢測電極13 —般位于陣列基板周邊的非顯示區(qū)域，為檢測設備加載電信號，如圖6所示。
[0075]進一步的，本發(fā)明實施例中優(yōu)選透明導電薄膜作為連接線7，通過透明導電薄膜將第二檢測短路環(huán)2與數(shù)據(jù)信號線3進行電連接，使得第二檢測短路環(huán)2與第一檢測短路環(huán)I交疊區(qū)域為透明導電薄膜，透明導電薄膜與數(shù)據(jù)金屬材料之間不會產生靜電擊穿，避免靜電擊穿的形成。
[0076]實施例四
[0077]本發(fā)明實施例四提供一種陣列基板的制作方法，如圖7所示，包括:
[0078]SlOl:形成柵極絕緣層。
[0079]具體的，本發(fā)明實施例中一般在基板上形成柵極絕緣層，基板可以是玻璃基板、石英基板等基于無機材料的基板，也可以是采用有機材料的基板。
[0080]本發(fā)明實施例在基板上形成柵極絕緣層時,可優(yōu)選采用PECVD (Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,等離子體增強化學氣相沉積)法形成，當然并不引以為限,還可以是涂敷、濺射等多種方式。
[0081]S102:形成有源層。
[0082]具體的，本發(fā)明實施例中有源層例如可包括半導體層和摻雜半導體層，可采用PECVD形成有源層，當然也可采用其他方式形成有源層。[0083]S103:形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成包括數(shù)據(jù)信號線、與數(shù)據(jù)信號線連接為一體的第一檢測短路環(huán)、以及第二檢測短路環(huán)的電路圖案。
[0084]具體的，本發(fā)明實施例中采用磁控濺射法形成數(shù)據(jù)金屬層，并采用例如光刻和濕法刻蝕的方法，對形成的數(shù)據(jù)金屬層進行刻蝕，一步形成所需的數(shù)據(jù)信號線、與數(shù)據(jù)信號線連接為一體的第一檢測短路環(huán)、以及第二檢測短路環(huán)的電路圖案。當然本發(fā)明實施例中數(shù)據(jù)金屬層的形成方式以及形成所需電路圖案的構圖方式，可采用其他方式，本發(fā)明實施例不做限定。
[0085]進一步的，本發(fā)明實施例中形成的數(shù)據(jù)信號線位于顯示區(qū)域、并順序排列，第一檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域、與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構，數(shù)據(jù)信號線位于第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側，第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域，并設置于第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，即第二短路環(huán)形成在與第一檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接一側相對的一側，并且第一檢測短路環(huán)和第二檢測短路環(huán)位置不交疊。
[0086]S104:通過例如干法刻蝕等構圖工藝，將第一檢測短路環(huán)、第二檢測短路環(huán)、數(shù)據(jù)信號線以外區(qū)域的有源層刻蝕掉，露出柵極絕緣層。
[0087]S105:形成鈍化層。
[0088]具體的，本發(fā)明實施例中鈍化層形成的方式可以有多種，在此不做限定，例如可以采用PECVD方法形成，并采用例如氮化硅作為材料。
[0089]S106:對S105中形成的鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處以及第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝，分別形成第一過孔和第二過孔，優(yōu)選的，在所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線靠近第二檢測短路環(huán)的端部對應的鈍化層上開設過孔，優(yōu)選的，在所述第二檢測短路環(huán)靠近數(shù)據(jù)線的端部對應的鈍化層上開設過孔。。
[0090]具體的，本發(fā)明實施例中形成過孔時，可采用例如干法刻蝕的方法，對鈍化層在對應第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝，暴露出第二檢測短路環(huán)形成第一過孔，對鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝，暴露出數(shù)據(jù)信號線，形成第二過孔。
[0091]S107:形成透明導電薄膜，將第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過第一過孔和第二過孔，進行連接。
[0092]具體的，本發(fā)明實施例在形成第一過孔和第二過孔的基板上采用例如PECVD方法沉積形成透明導電薄膜，使其覆蓋第一過孔暴露的第二檢測短路環(huán)，以及第二過孔暴露的數(shù)據(jù)信號線，進而通過該透明導電薄膜，將第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接。
[0093]優(yōu)選的，本發(fā)明實施例中為了減小線電阻，在S103中形成的第二檢測電路的圖案包括若干檢測信號線，該檢測信號線形成在第二檢測短路環(huán)靠近第一檢測短路環(huán)的一側，檢測信號線的數(shù)量和與排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線的數(shù)量相同，通過在檢測信號線上開設過孔將第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接。故S106中形成第一過孔的過程，具體可采用對鈍化層在對應檢測信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第一過孔。
[0094]本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法，在數(shù)據(jù)金屬層同步制作出第一檢測短路環(huán)，以及與數(shù)據(jù)信號線連接為一體的第一檢測短路環(huán)，第二檢測短路環(huán)形成在第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)以及數(shù)據(jù)信號線不具有交疊區(qū)域，能夠避免靜電擊穿。[0095]實施例五
[0096]本發(fā)明實施例五提供另一種陣列基板的制作方法，如圖8所示，包括:
[0097]S201:形成柵極金屬層，并形成包括第二檢測短路環(huán)的電路圖案。
[0098]具體的，本發(fā)明實施例中一般在基板上形成包括柵極線電路圖案、第二檢測短路環(huán)電路圖案的柵極金屬層，基板可以是玻璃基板、石英基板等基于無機材料的基板，也可以是采用有機材料的基板。第二檢測短路環(huán)與柵極為同種材料在同層制作，一般可采用非透光導電材料制成，例如金屬材料，采用同一構圖工藝形成。
[0099]進一步的，本發(fā)明實施例中形成的第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域，并形成在待形成第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，第一檢測短路環(huán)和第二檢測短路環(huán)位置不交疊。
[0100]S202:形成柵極絕緣層和有源層。
[0101]具體的，本發(fā)明實施例中形成柵極絕緣層和有源層，可分別采用PECVD (PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強化學氣相沉積)法形成，當然并不引以為限，還可以是涂敷、濺射等多種方式。其中柵極絕緣層可采用例如氮化硅等材料進行制作，有源層例如可包括半導體層和摻雜半導體層。
[0102]S203:形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成包括數(shù)據(jù)信號線、與數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)的電路圖案。
[0103]具體的，本發(fā)明實施例中采用磁控濺射法形成數(shù)據(jù)金屬層，并采用例如光刻和濕法刻蝕的放方法，對形成的數(shù)據(jù)金屬層進行刻蝕，一步形成所需的數(shù)據(jù)信號線、與數(shù)據(jù)信號線連接為一體的第一檢測短路環(huán)的電路圖案。當然本發(fā)明實施例中數(shù)據(jù)金屬層的形成方式以及形成所需電路圖案的構圖方式，可采用其他方式，本發(fā)明實施例不做限定。
[0104]進一步的，本發(fā)明實施例中數(shù)據(jù)信號線形成在顯示區(qū)域并順序排列，第一檢測短路環(huán)形成在非顯示區(qū)域，并與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構。
[0105]S204:通過例如干法刻蝕等構圖工藝，將第一檢測短路環(huán)和數(shù)據(jù)信號線以外區(qū)域的有源層刻蝕掉，露出柵極絕緣層。
[0106]S205:形成鈍化層。
[0107]在形成有上述各層的基板上形成鈍化層，本發(fā)明實施例中鈍化層形成的方式可以有多種，在此不做限定，例如可以采用PECVD方法形成，并采用例如氮化硅作為材料。
[0108]S206:對S205中形成的鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第三過孔；對3205中形成的鈍化層和S202中形成的柵極絕緣層在對應第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝，形成第四過孔。優(yōu)選的，在所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線靠近第二檢測短路環(huán)的端部對應的鈍化層上開設第三過孔，優(yōu)選的，在所述第二檢測短路環(huán)靠近排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)線的端部對應的鈍化層上開設第四過孔。
[0109]S207:形成透明導電薄膜，將第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過第三過孔和第四過孔，進行連接。
[0110]具體的，本發(fā)明實施例在形成第三過孔和第四過孔的基板上采用例如PECVD方法沉積形成透明導電薄膜，使其覆蓋第三過孔暴露的數(shù)據(jù)信號線，以及第四過孔暴露的第二檢測短路環(huán)，進而通過該透明導電薄膜，將第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接。
[0111]優(yōu)選的，本發(fā)明實施例中為了減小線電阻，在S201中形成的第二檢測電路的圖案包括若干檢測信號線，該檢測信號線形成在第二檢測短路環(huán)靠近預形成的第一檢測短路環(huán)的一側，檢測信號線的數(shù)量和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線的數(shù)量相同，通過在檢測信號線設定位置處對應的鈍化層上開設過孔將第二檢測短路環(huán)與數(shù)據(jù)信號線連接。故S206中形成第四過孔的過程，具體可為:對鈍化層和柵極絕緣層在對應檢測信號線設定位置處進行過孔工藝形成第四過孔。優(yōu)選的，在所述檢測信號線靠近排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)線的端部對應的鈍化層上開設第四過孔。
[0112]本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法，在柵極金屬層上預設設定位置處形成第二檢測短路環(huán)，在數(shù)據(jù)金屬層上形成與數(shù)據(jù)信號線連接為一體的第一檢測短路環(huán)，并且第二檢測短路環(huán)形成在第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側，第二檢測短路環(huán)與第一檢測短路環(huán)和數(shù)據(jù)信號線不具有交疊區(qū)域，能夠避免靜電擊穿。
[0113]實施例六
[0114]基于上述實施例提供的陣列基板及其制作方法，本發(fā)明實施例六提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實施例涉及的陣列基板，其他結構與現(xiàn)有相同，在此不再贅述。
[0115]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，第二檢測短路環(huán)形成在第一檢測短路環(huán)未連接數(shù)據(jù)信號線的一側，使得陣列基板中第二檢測短路環(huán)，與第一檢測短路環(huán)和數(shù)據(jù)信號線都不具有交疊區(qū)域，因此能夠避免形成靜電擊穿。
[0116]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線，以及位于非顯示區(qū)域、與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)，所述數(shù)據(jù)信號線位于所述第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側，其特征在于，還包括: 位于非顯示區(qū)域的第二檢測短路環(huán)和連接線， 所述第二檢測短路環(huán)設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側， 所述連接線通過過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二檢測短路環(huán)與所述第一檢測短路環(huán)同層設置、并具有相同的制作材料。
3.如權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，開設有過孔的鈍化層形成在所述第二檢測短路環(huán)、以及排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線之上，在所述鈍化層上形成有通過所述過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接起來的連接線。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)的一側設置有檢測信號線，所述檢測信號線的數(shù)量和與該第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同； 所述過孔包括開設在所述檢測信號線設定位置處的第一過孔和開設在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處的第二過孔，所述連接線的一端通過第一過孔與所述檢測信號線連接，所述連接線的另一端通過第二過孔與所述數(shù)據(jù)信號線連接。
5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二檢測短路環(huán)與陣列基板的柵極同層設置、具有相同的制作材料。
6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述第二檢測短路環(huán)上形成有柵極絕緣層和鈍化層，在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線上形成有鈍化層，其中， 在排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處的所述鈍化層開設有第三過孔，在所述第二檢測短路環(huán)設定位置處貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層開設有第四過孔，在所述鈍化層上形成有通過所述第三過孔和所述第四過孔將所述第二檢測短路環(huán)和排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接起來的連接線。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)的一側設置有檢測信號線，所述檢測信號線的數(shù)量和與該第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同； 所述第四過孔位于所述檢測信號線設定位置處。
8.如權利要求4或7所述的陣列基板，其特征在于，所述連接線為透明導電薄膜。
9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 與所述第一檢測短路環(huán)連接、為所述第一檢測短路環(huán)加載電信號的第一檢測電極；以及 與所述第二檢測短路環(huán)連接、為所述第二檢測短路環(huán)加載電信號的第二檢測電極。
10. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的陣列基板。
11.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括下述步驟: 形成柵極絕緣層； 形成有源層； 形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線的電路圖案，與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構、位于非顯示區(qū)域的第一檢測短路環(huán)的電路圖案，以及第二檢測短路環(huán)的電路圖案，所述數(shù)據(jù)信號線位于所述第一檢測短路環(huán)靠近顯示區(qū)域的一側，所述第二檢測短路環(huán)位于非顯示區(qū)域，并設置于所述第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側； 形成鈍化層，對所述鈍化層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第一過孔，對所述鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝形成第二過孔； 形成透明導電薄膜，將所述第二檢測短路環(huán)和所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過所述第一過孔和所述第二過孔，進行連接。
12.如權利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，第二檢測短路環(huán)的電路圖案包括若干條檢測信號線，其中，所述檢測信號線形成在所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)一側，且數(shù)量和與第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同； 所述對所述鈍化層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第一過孔，具體包括: 對所述鈍化層在對應所述檢測信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第一過孔。
13.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 形成柵極金屬層，并形成包括第二檢測短路環(huán)的電路圖案，所述第二檢測短路環(huán)形成在非顯示區(qū)域，并位于預形成的第一檢測短路環(huán)遠離顯示區(qū)域的一側； 形成柵極絕緣層和有源層； 形成數(shù)據(jù)金屬層，并形成位于顯示區(qū)域、順序排列的若干條數(shù)據(jù)信號線的電路圖案、以及與排列順序為奇數(shù)的數(shù)據(jù)信號線連接為一體結構的第一檢測短路環(huán)的電路圖案； 形成鈍化層，對所述鈍化層在對應排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線設定位置處進行過孔工藝，形成第三過孔；對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝，形成第四過孔； 形成透明導電薄膜，將所述第二檢測短路環(huán)和所述排列順序為偶數(shù)的數(shù)據(jù)信號線通過所述第三過孔和所述第四過孔，進行連接。
14.如權利要求13所述的陣列基板制作方法，其特征在于，第二檢測短路環(huán)的電路圖案包括若干條檢測信號線，其中，所述檢測信號線形成在所述第二檢測短路環(huán)靠近所述第一檢測短路環(huán)一側，且數(shù)量和與第二檢測短路環(huán)通過過孔連接的數(shù)據(jù)信號線數(shù)量相同； 對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述第二檢測短路環(huán)設定位置處進行過孔工藝形成第四過孔，具體包括: 對所述鈍化層和所述柵極絕緣層在對應所述檢測信號線設定位置處進行過孔工藝形成第四過孔。
【文檔編號】H01L27/12GK103474418SQ201310415110
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權日:2013年9月12日
【發(fā)明者】蔡振飛, 張明, 李琳, 郝昭慧 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司