用于獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及采用該結(jié)構(gòu)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法。關(guān)于獲取方法，包括：通過對(duì)兩晶圓鍵合前后的電阻分別進(jìn)行測(cè)量，后依據(jù)兩晶圓鍵合前后的電阻、晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻之間的串并聯(lián)關(guān)系獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。獲取方法不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻較為精準(zhǔn)。
【專利說明】用于獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及采用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，半導(dǎo)體器件大規(guī)模集成化的發(fā)展驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)人員與制造商不斷尋求新的電路設(shè)計(jì)方式以使得芯片空間最大化利用。三維集成電路(3D Integrated Circuit, 3DIC)是一種系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)，其由多個(gè)晶圓結(jié)合而成，其中每個(gè)晶片的內(nèi)部含有多個(gè)平面器件層的疊層。基于上述優(yōu)點(diǎn)，3D集成電路越來越多地被研發(fā)人員關(guān)注。
[0003]典型的3D集成電路中，采用銅-銅鍵合(Cu Cu Bonding)將兩個(gè)各自制作有有源器件的晶圓鍵合在一起，上述也稱晶圓級(jí)(Wafer Level)鍵合。可以理解的是，鍵合結(jié)構(gòu)的電阻大小影響整個(gè)3D集成電路的性能。
[0004]現(xiàn)有鍵合結(jié)構(gòu)的電阻測(cè)量電路中，通過將位于各自晶圓上的焊盤、金屬互連線、連接兩者的導(dǎo)電插塞之間形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量，由于焊盤、導(dǎo)電插塞、金屬互連線的電阻一般通過經(jīng)驗(yàn)值以實(shí)現(xiàn)從總的測(cè)試結(jié)果中剝離出來，加之鍵合結(jié)構(gòu)的電阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于上述三者的電阻，因而，上述方法獲取的鍵合結(jié)構(gòu)電阻不準(zhǔn)確。
[0005]有鑒于此，實(shí)有必要提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及采用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法加以解決。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的目的是對(duì)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻進(jìn)行準(zhǔn)確獲取。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:
[0008]第一晶圓，所述第一晶圓表面具有2n個(gè)第一焊盤，以每?jī)蓚€(gè)相鄰的第一焊盤為一組，將2n個(gè)第一焊盤分為η組，每組內(nèi)的兩個(gè)第一焊盤間電連接，不同組之間的所述第一焊盤間絕緣，η為大于等于I的整數(shù)；
[0009]適于與所述第一晶圓鍵合的第二晶圓，所述第二晶圓表面具有第二焊盤，所述第二焊盤的數(shù)目與所述第一焊盤的數(shù)目相等，適于與所述第一焊盤一一對(duì)應(yīng)地鍵合；當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目為兩個(gè)時(shí)，兩個(gè)所述第二焊盤間電連接；當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，適于與同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間絕緣，適于與不同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間電連接；位于第一晶圓上用于分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口或位于第二晶圓上用于分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口；
[0010]通過所述第一焊盤與所述第二焊盤將所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)，所述第一開口暴露的兩個(gè)第一焊盤為所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)，所述第二開口暴露的兩個(gè)第二焊盤為所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)。
[0011]可選地，當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，所述第一開口暴露的兩個(gè)第一焊盤所適于鍵合的第二焊盤不與其它第二焊盤電連接。
[0012]可選地，當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，所述第二開口暴露的兩個(gè)第二焊盤所適于鍵合的第一焊盤不與其它第一焊盤電連接。
[0013]可選地，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一導(dǎo)電插塞以及連接兩第一導(dǎo)電插塞的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
[0014]可選地，所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二導(dǎo)電插塞以及連接兩第二導(dǎo)電插塞的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
[0015]可選地，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一硅通孔以及連接兩第一硅通孔的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
[0016]可選地，所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二硅通孔以及連接兩第二硅通孔的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
[0017]可選地，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同。
[0018]可選地，所述第一焊盤的材質(zhì)為銅，所述第二焊盤的材質(zhì)也為銅。
[0019]可選地，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等。
[0020]基于上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供了一種獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法，包括:
[0021]當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)時(shí):
[0022]分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓上電連接的兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻R1，所述第二晶圓上電連接的兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2 ；
[0023]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則通過Rb=[Rtotal*(Rl + R2) — R1*R2]/(R1 —Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ；
[0024]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則通過Rb=[Rtotal*(Rl + R2) — R1*R2]/(R2 —Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ；
[0025]當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為大于兩個(gè)時(shí):
[0026]選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls, S ( n，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為 s — I, s ^ 2 ；
[0027]通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0028]通過Rb=Rtotal — Rll — Rl2......— Rls — R21 — R22......— R2m 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ；
[0029]或選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s, s ( n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rlm，m 為 s — l,s>2;
[0030]通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0031]通過Rb=Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0032]可選地，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等；
[0033]當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)時(shí):
[0034]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為[Rtotal* (R1 + R2) — Rl*R2]/[2* (R1 — Rtotal)]；
[0035]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為[Rtotal* (R1 + R2) — Rl*R2]/[2* (R2 — Rtotal)]。
[0036]可選地，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等；
[0037]當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為大于兩個(gè)時(shí):
[0038]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為(Rtotal — Rll — R12......— Rls — R21 — R22......— R2m) /2 (s — I);
[0039]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為(Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rim) /2 (s — I)。
[0040]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0041]I)當(dāng)?shù)谝痪A上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)，即n=l時(shí):
[0042]分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓上電連接的兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻R1，所述第二晶圓上電連接的兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2 ；
[0043]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，由于此時(shí)兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻Rl并聯(lián)，因而可以通過Rb= [Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (Rl — Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻 Rb ；
[0044]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，由于此時(shí)兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻Rl與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2并聯(lián)，因而可以通過Rb= [Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (R2 — Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻 Rb ；
[0045]當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為大于兩個(gè)，即η > I時(shí):
[0046]選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls, S ( η，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為 s — I, s ^ 2 ；
[0047]通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0048]通過Rb=Rtotal — Rll — Rl2......— Rls — R21 — R22......— R2m 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ；
[0049]或選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s, s ( n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rlm，m 為 s — l,s>2;
[0050]通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0051]通過Rb=Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0052]上述方案中，通過對(duì)兩晶圓鍵合前后的電阻分別進(jìn)行測(cè)量，后依據(jù)兩晶圓鍵合前后的電阻、晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻之間的串并聯(lián)關(guān)系獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb，其獲取方法不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0053]2)可選方案中，為獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等，當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)，即n=l時(shí):
[0054]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，通過[Rtotal* (R1 + R2) 一 Rl*R2]/[2* (Rl 一Rtotal)]獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻；
[0055]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，通過[Rtotal* (R1 + R2) 一 Rl*R2]/[2* (R2 一Rtotal)]獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻；
[0056]上述方案中，每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻可以通過兩晶圓鍵合前后分別進(jìn)行電阻測(cè)量而獲取，其獲取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0057]3)可選方案中，為獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等，當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)，即η > I時(shí):
[0058]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，通過(Rtotal — Rll 一 R12……一 Rls — R21 一R22……一 R2m) /2 (s -1)獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻；
[0059]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，通過(Rtotal — R21 一 R22……一 R2s — Rll 一R12……一 Rlm) /2 Cs -1)獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻；
[0060]上述方案中，每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻可以通過兩晶圓鍵合前后分別進(jìn)行電阻測(cè)量而獲取，其獲取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0061]4)可選方案中，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一導(dǎo)電插塞以及連接兩第一導(dǎo)電插塞的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)，和/或所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二導(dǎo)電插塞以及連接兩第二導(dǎo)電插塞的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)，如此兩晶圓通過晶圓的正面(功能面)鍵合。
[0062]5)可選方案中，與4)可選方案不同的是，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一硅通孔(TSV)以及連接兩第一硅通孔的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)，和/或所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二硅通孔以及連接兩第二硅通孔的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)，如此兩晶圓通過晶圓的背面鍵合，為3D集成電路提供了多種選擇。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0063]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的第一晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的第二晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0066]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0067]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二的第一晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖6是本發(fā)明實(shí)施例二的第二晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069]圖7是本發(fā)明實(shí)施例二的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0070]圖8是本發(fā)明實(shí)施例二的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0071]圖9是本發(fā)明實(shí)施例三的第一晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0072]圖10是本發(fā)明實(shí)施例三的第二晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖11是本發(fā)明實(shí)施例三的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0074]圖12是本發(fā)明實(shí)施例三的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0075]圖13是本發(fā)明實(shí)施例四的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0076]圖14是本發(fā)明實(shí)施例四的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0077]圖15是本發(fā)明實(shí)施例五的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0078]圖16是本發(fā)明實(shí)施例五的第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0079]如【背景技術(shù)】中所述，現(xiàn)有鍵合結(jié)構(gòu)的電阻測(cè)量電路中，由于焊盤、導(dǎo)電插塞、金屬互連線的電阻一般通過經(jīng)驗(yàn)值以實(shí)現(xiàn)從總的測(cè)試結(jié)果中剝離出來，加之鍵合結(jié)構(gòu)的電阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于上述三者的電阻，因而，上述方法獲取的鍵合結(jié)構(gòu)電阻不準(zhǔn)確。針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及采用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法，分為當(dāng)?shù)谝痪A上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目分別為I)兩個(gè)，即n=l時(shí)，與2)大于兩個(gè)，即η > I時(shí)兩種情況。
[0080]針對(duì)I)情況，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法包括:
[0081]分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓上電連接的兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻R1，所述第二晶圓上電連接的兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2 ；
[0082]若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，由于此時(shí)兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻Rl并聯(lián)，因而可以通過Rb= [Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (Rl — Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻 Rb ；
[0083]若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，由于此時(shí)兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻Rl與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2并聯(lián)，因而可以通過Rb= [Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (R2 — Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻 Rb ；
[0084]針對(duì)2)情況，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法包括:
[0085]選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls, S ( n，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為 s — I, s ^ 2 ；
[0086]通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0087]通過Rb=Rtotal — Rll — Rl2......— Rls — R21 — R22......— R2m 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ；
[0088]或選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s, s ( n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rlm，m 為 s — l,s>2;
[0089]通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0090]通過Rb=Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0091]上述方案中，對(duì)于由兩對(duì)焊盤鍵合的結(jié)構(gòu)，首先對(duì)兩晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)、鍵合后的結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行相應(yīng)電阻測(cè)量，在鍵合后的結(jié)構(gòu)中，其中一晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)的電阻與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為串聯(lián)關(guān)系，后與另一晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)的電阻并聯(lián)，因而根據(jù)串并聯(lián)關(guān)系從鍵合后的結(jié)構(gòu)的電阻測(cè)量結(jié)果中扣除兩晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)的電阻，即可獲得晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。對(duì)于多于兩對(duì)焊盤的鍵合結(jié)構(gòu)，首先對(duì)兩晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)、鍵合后的結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行相應(yīng)電阻測(cè)量，在鍵合后的結(jié)構(gòu)中，兩晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)的電阻與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為串聯(lián)關(guān)系，因而從鍵合后的結(jié)構(gòu)的電阻測(cè)量結(jié)果中扣除兩晶圓鍵合前的各結(jié)構(gòu)的電阻，即可獲得晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb?？梢姡鲜霁@取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0092]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0093]實(shí)施例一
[0094]本實(shí)施例以第一晶圓上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)為例介紹本發(fā)明提供的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法。
[0095]首先參照?qǐng)D1所示的第一晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖。第一晶圓10表面具有兩個(gè)第一焊盤11，分別為焊盤111、112，兩個(gè)相鄰的第一焊盤111、112間電連接。此外，第一晶圓10還具有用于分別暴露兩個(gè)第一焊盤111、112的第一開口 121、122。
[0096]本實(shí)施例中，第一焊盤111、112形成在晶圓10的正面1a(功能面，也即有源器件所在面)上，第一焊盤111、112間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤111、112上的第一導(dǎo)電插塞131、132以及連接兩第一導(dǎo)電插塞131、132的第一金屬互連線141實(shí)現(xiàn)，不需電連接的部分由絕緣材料(未標(biāo)示)，例如二氧化硅介電層實(shí)現(xiàn)電絕緣。為了增強(qiáng)電連接可靠性，位于第一焊盤111上的第一導(dǎo)電插塞131可以為兩個(gè)及其以上，同理，位于第一焊盤112上的第一導(dǎo)電插塞132也可以為兩個(gè)及其以上。
[0097]接著，參照?qǐng)D2所示的第二晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖。第二晶圓20適于與第一晶圓10鍵合，第二晶圓20表面具有第二焊盤21，第二焊盤21的數(shù)目與第一焊盤11的數(shù)目相等，適于與第一焊盤11——對(duì)應(yīng)地鍵合，兩個(gè)第二焊盤211、212間電連接。
[0098]本實(shí)施例中，第二焊盤211、212形成在晶圓20的正面20a(功能面，也即有源器件所在面)上，第二焊盤211、212間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤211、212上的第二導(dǎo)電插塞231、232以及連接兩第二導(dǎo)電插塞231、232的第二金屬互連線241實(shí)現(xiàn)，不需電連接的部分由絕緣材料(未標(biāo)示)，例如二氧化硅介電層實(shí)現(xiàn)電絕緣。如此兩晶圓10、20均通過晶圓的正面10a、20a鍵合。其它實(shí)施例中，兩晶圓10、20也通過晶圓的背面(與正面相對(duì)的表面)鍵合。此時(shí)，第一焊盤間電連接可以通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一硅通孔(TSV)(未圖示)以及連接兩第一硅通孔的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)，第二焊盤間電連接可以通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二硅通孔(TSV)(未圖示)以及連接兩第二硅通孔的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)，如此為3D集成電路提供了多種選擇。
[0099]為了增強(qiáng)電連接可靠性，位于第二焊盤211上的第二導(dǎo)電插塞231可以為兩個(gè)及其以上，同理，位于第二焊盤212上的第二導(dǎo)電插塞232也可以為兩個(gè)及其以上。
[0100]第一焊盤111、112的材質(zhì)與所述第二焊盤211、212的材質(zhì)可以相同，也可以不同，本實(shí)施例優(yōu)選相同，都為銅；第一焊盤111、112與第二焊盤211、212的尺寸，例如為厚度、寬度、以及長(zhǎng)度，可以相等也可以不等，實(shí)現(xiàn)電連接即可，本實(shí)施例為相等，且第一焊盤111、112與第二焊盤211、212在鍵合時(shí)完全對(duì)準(zhǔn)。
[0101]之后，參照?qǐng)D3所示的所述第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。將第一晶圓10上的第一焊盤111、112與第二晶圓20上的第二焊盤211、212分別對(duì)準(zhǔn)，鍵合，兩者可以直接壓合，也可以在中間設(shè)置粘合層后壓合。第一開口 121、122暴露的兩個(gè)第一焊盤111、112分別為所述第一晶圓10與所述第二晶圓20鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)A、B。
[0102]上述第一晶圓10、第_■晶圓20、以及兩者鍵合后的結(jié)構(gòu)形成了本實(shí)施例獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0103]基于上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以下介紹晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法。
[0104]I)分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓10上電連接的兩個(gè)第一焊盤111、112間的電阻Rl，第二晶圓20上電連接的兩個(gè)第二焊盤211、212間的電阻R2 ；
[0105]2)通過位于第一晶圓10上分別暴露兩個(gè)第一焊盤111、112的第一開口 121、122測(cè)量所述第一晶圓10與所述第二晶圓20鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal。此時(shí)，第一晶圓10與第二晶圓20鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖如圖4所示。由于兩個(gè)第二焊盤211、212間的電阻R2與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)第一焊盤111、112間的電阻Rl并聯(lián)，因而可以通過Rb= [Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (Rl 一 Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0106]可以理解的是，上述方案中，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb通過兩晶圓鍵合前后分別進(jìn)行電阻測(cè)量而獲取，其獲取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0107]進(jìn)一步地，為了獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，具體地，即為第一焊盤111與第二焊盤211間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤112與第二焊盤212間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤111、112的材質(zhì)與所述第二焊盤211、212的材質(zhì)相同，每個(gè)第一焊盤111、112的尺寸都相等，每個(gè)第二焊盤211、212的尺寸都相等，每個(gè)第一焊盤111、112與每個(gè)第二焊盤211、212的尺寸也都相等，則通過[Rtotal* (R1 + R2) 一 Rl*R2]/[2* (Rl 一 Rtotal)]獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0108]實(shí)施例二
[0109]本實(shí)施例二仍以當(dāng)?shù)谝痪A上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)為例介紹本發(fā)明提供的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法。對(duì)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D5所示的第一晶圓10的截面結(jié)構(gòu)示意圖，以及圖6所示的第二晶圓20的截面結(jié)構(gòu)示意圖，與實(shí)施例一中第一晶圓10上具有用于分別暴露兩個(gè)第一焊盤111、112的第一開口 121、122不同的是，第二晶圓20上具有用于分別暴露兩個(gè)第二焊盤211、212的第二開口 221、222。換言之，如圖7所示，第一晶圓10與所述第二晶圓20鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)A、B位于第二晶圓20上。
[0110]基于上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法與實(shí)施例一的區(qū)別在于:通過位于第二晶圓20上分別暴露兩個(gè)第二焊盤211、212的第一開口 221、222測(cè)量所述第一晶圓10與所述第二晶圓20鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal。此時(shí)，第一晶圓10與第二晶圓20鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖如圖8所示。由于此時(shí)兩個(gè)所述第一焊盤111、112間的電阻Rl與晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb串聯(lián)后，與兩個(gè)所述第二焊盤211、212間的電阻R2并聯(lián)，因而可以通過Rb=[Rtotal* (R1 + R2) 一 R1*R2]/ (R2 一 Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0111]進(jìn)一步地，為了獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，具體地，即為第一焊盤111與第二焊盤211間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤112與第二焊盤212間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤111、112的材質(zhì)與所述第二焊盤211、212的材質(zhì)相同，每個(gè)第一焊盤111、112的尺寸都相等，每個(gè)第二焊盤211、212的尺寸都相等，每個(gè)第一焊盤111、112與每個(gè)第二焊盤211、212的尺寸也都相等，則通過[Rtotal* (R1 + R2) 一 Rl*R2]/[2* (R2 一 Rtotal)]獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0112]實(shí)施例三
[0113]本實(shí)施例以第一晶圓上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目為2n，η為大于I的整數(shù)，具體地，η為3，即第一焊盤與第二焊盤分別為六個(gè)為例介紹本發(fā)明提供的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法。
[0114]首先參照?qǐng)D9所不的第一晶圓的截面結(jié)構(gòu)不意圖。第一晶圓30表面具有六個(gè)第一焊盤31，分別為第一焊盤311、312、313、314、315、316。以每?jī)蓚€(gè)相鄰的第一焊盤為一組，將六個(gè)第一焊盤分為3組，每組內(nèi)的兩個(gè)第一焊盤間電連接，不同組之間的所述第一焊盤間絕緣。例如第一焊盤311、312為一組，兩者之間電連接；第一焊盤313、314為一組，兩者之間也電連接；第一焊盤315、316為一組，兩者之間也電連接。不同組之間相鄰的第一焊盤312、313之間絕緣，第一焊盤314、315之間絕緣。此外，第一晶圓10上還具有用于分別暴露第一焊盤311、316的兩個(gè)第一開口 321、322。
[0115]本實(shí)施例中，第一焊盤311、312間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤311、312上的第一導(dǎo)電插塞331、332以及連接兩第一導(dǎo)電插塞331、332的第一金屬互連線341實(shí)現(xiàn)，第一焊盤313、314間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤313、314上的第一導(dǎo)電插塞333、334以及連接兩第一導(dǎo)電插塞333、334的第一金屬互連線342實(shí)現(xiàn),第一焊盤315、316間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤315、316上的第一導(dǎo)電插塞335、336以及連接兩第一導(dǎo)電插塞335、336的第一金屬互連線343實(shí)現(xiàn)。為了增強(qiáng)電連接可靠性，位于第一焊盤311上的第一導(dǎo)電插塞331可以為兩個(gè)及其以上，同理，位于其它第一焊盤312、313、314、315、316上的各自第一導(dǎo)電插塞332、333、334、335、336也可以為兩個(gè)及其以上。
[0116]接著，參照?qǐng)D10所示的第二晶圓的截面結(jié)構(gòu)示意圖。第二晶圓40適于與所述第一晶圓30鍵合，所述第二晶圓40表面具有第二焊盤41，所述第二焊盤41的數(shù)目與所述第一焊盤31的數(shù)目相等，適于與所述第一焊盤31—一對(duì)應(yīng)地鍵合；適于與同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間絕緣，適于與不同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間電連接，即參照?qǐng)D9至圖11所示，與同組第一焊盤313、314鍵合的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤413、414間絕緣，不同組的第一焊盤312、313鍵合的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤412、413間電連接，不同組的第一焊盤314、315鍵合的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤414、415間電連接。此外，參照?qǐng)D9至圖11所示，第二晶圓40上，第一開口 321、322暴露的兩個(gè)第一焊盤311、316所適于鍵合的第二焊盤411、416不與其它第二焊盤412、413、414、415電連接。
[0117]本實(shí)施例中，第二焊盤412、413間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤412、413上的第二導(dǎo)電插塞431、432以及連接兩第二導(dǎo)電插塞431、432的第二金屬互連線441實(shí)現(xiàn)，第二焊盤414、415間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤414、415上的第二導(dǎo)電插塞433、434以及連接兩第二導(dǎo)電插塞433、434的第二金屬互連線442實(shí)現(xiàn)。為了增強(qiáng)電連接可靠性，位于第二焊盤412上的第二導(dǎo)電插塞431可以為兩個(gè)及其以上，同理，位于其它第二焊盤413、414、415上的各自第二導(dǎo)電插塞432、433、434也可以為兩個(gè)及其以上。
[0118]本實(shí)施例中，兩晶圓30、40 (參照?qǐng)D9至11所示)分別通過各自的正面30a、40a(功能面，也即有源器件所在面)鍵合。其它實(shí)施例中，第一焊盤間電連接也可以通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一硅通孔(TSV)(未圖示)以及連接兩第一硅通孔的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)，第二焊盤間電連接也可以通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二硅通孔(TSV)(未圖示)以及連接兩第二硅通孔的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)。如此兩晶圓可以通過晶圓的背面鍵合，為3D集成電路提供了多種選擇。
[0119]之后，參照?qǐng)D11所示的所述第一晶圓與第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。將第一晶圓30上的第一焊盤311、312、313、314、315、316與第二晶圓40上的第二焊盤411、412、413、414、415、416分別對(duì)準(zhǔn)，鍵合，兩者可以直接壓合，也可以在中間設(shè)置粘合層后壓合。第一開口 321、322暴露的兩個(gè)第一焊盤311、316分別為所述第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)A、B。
[0120]上述第一晶圓30、第_■晶圓40、以及兩者鍵合后的結(jié)構(gòu)形成了本實(shí)施例獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0121]基于上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以下介紹晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法。
[0122]I)選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路。本實(shí)施例中，第一焊盤311、312為一組,第一焊盤313、314為一組,第一焊盤315、316為一組。
[0123]然后分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls，s<n，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為s — 1，s彡2。本實(shí)施例中，第一焊盤311、312間的電阻為R11，第一焊盤313、314間的電阻為R12，第一焊盤315、316間的電阻為R13。適于與所述多組第一焊盤311、312、313、314、315、316鍵合的所述第二晶圓40上的第二焊盤411、412、413、414、415、416中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤412、413間的電阻為R21,電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤414、415間的電阻為R22。
[0124]本實(shí)施例中，第一晶圓30上的所有第一焊盤311、312、313、314、315、316都被選擇用于測(cè)量，因而s = n = 3,m=s— 1 = 2。
[0125]2)通過位于第一晶圓30上分別暴露兩個(gè)第一焊盤311、316的第一開口 321、322測(cè)量所述第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal。此時(shí)，第一晶圓30與第二晶圓40鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖如圖12所示，由于此時(shí)第一晶圓30上第一焊盤311、312間的電阻R11、第一焊盤313、314間的電阻R12、第一焊盤315、316間的電阻R13、第二晶圓40上第二焊盤412、413間的電阻R21、第二焊盤414、415間的電阻R22以及晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb均為串聯(lián)，因而可以通過Rb=Rtotal — Rll — R12 — R13 — R21 — R22獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0126]可以理解的是，上述方案中，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb可以通過兩晶圓鍵合前后分別進(jìn)行電阻測(cè)量而獲取，其獲取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0127]進(jìn)一步地，為了獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤 311、312、313、314、315、316 的材質(zhì)與所述第二焊盤 411、412、413、414、415、416的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤311、312、313、314、315、316的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤411、412、413、414、415、416的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤311、312、313、314、315、316與每個(gè)所述第二焊盤411、412、413、414、415、416的尺寸也都相等，通過(Rtotal —
Rll - R12......— Rls - R21 — R22......— R2m) /2 (s — I)獲取。具體地，即為第一焊盤
312與第二焊盤412間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤313與第二焊盤413間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤314與第二焊盤414間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤315與第二焊盤415間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，則通過(Rtotal — Rll 一R12 - R13 - R21 一 R22) /4獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0128]實(shí)施例四
[0129]本實(shí)施例四的用于獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)大致與實(shí)施例三相同，區(qū)別在于:如圖13所示，第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)A、B并非設(shè)置在第一晶圓30上的第一焊盤的首尾，例如第一開口 321暴露第一焊盤313。換言之，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法中，選擇多組第一焊盤時(shí)，不需要選擇第一晶圓上的所有組第一焊盤，只需該選擇的多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路即可。此時(shí)，s = 2 < η = 3。
[0130]具體地，分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓30上第一焊盤313、314間的電阻R11、第一焊盤315、316間的電阻R12，適于與第一焊盤313、314、315、316鍵合的所述第二晶圓40上第二焊盤413、414、415、416中，電連接的兩個(gè)相鄰的第二焊盤414、415間的電阻R21 ；
[0131]2)通過位于第一晶圓30上分別暴露兩個(gè)第一焊盤313、316的第一開口 321、322測(cè)量所述第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal。此時(shí)，第一晶圓30與第二晶圓40鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖如圖14所示。由于此時(shí)第一晶圓30上第一焊盤313、314間的電阻R11、第二晶圓40上第二焊盤414、415間的電阻R21、第一晶圓30上第一焊盤315、316間的電阻R12、以及晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb均為串聯(lián)，因而可以通過Rb=Rtotal — Rll — Rl2 — R21獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0132]可以理解的是，當(dāng)?shù)谝痪A上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目為分別大于兩個(gè)的偶數(shù)個(gè)，例如2n個(gè)，η > 1，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb的獲取無需采用其中一個(gè)晶圓的焊盤的兩端作為兩晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)，只需從中選取兩晶圓保持電連接的某段焊盤即可。以下以選擇2s個(gè)為例，介紹普遍適用的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的獲取方法。
[0133]選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls, S ( n，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為 s — I, s ^ 2 ；
[0134]通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0135]通過Rb=Rtotal — Rll — Rl2......— Rls — R21 — R22......— R2m 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0136]進(jìn)一步地，由于此時(shí)電阻Rtotal中包含2 (s — I)個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)串聯(lián);通過(Rtotal — Rll — R12......— Rls — R21 — R22......— R2m)
/2 (s -1)獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0137]實(shí)施例五
[0138]本實(shí)施例五仍第一晶圓上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目為2η，η為大于I的整數(shù)，具體地，η為3，即第一焊盤與第二焊盤分別為六個(gè)為例介紹本發(fā)明提供的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法。與實(shí)施例三的區(qū)別在于，如圖15所示，所述第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)Α、Β位于第二晶圓40上，因而第二晶圓40具有用于分別暴露兩個(gè)第二焊盤412、415的第二開口 421、422。此外，參照?qǐng)D15所示，所述第二開口 421、422暴露的兩個(gè)第二焊盤412、415所適于鍵合的第一焊盤312、315分別對(duì)應(yīng)與第一焊盤311、316相連，但在測(cè)試兩晶圓30、40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻過程中不導(dǎo)通。其它實(shí)施例中，第二開口 421、422暴露的兩個(gè)第二焊盤412、415所適于鍵合的第一焊盤312、315可以不與其它第一焊盤電連接。
[0139]基于上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的獲取方法包括:
[0140]I)選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路。本實(shí)施例中，第二焊盤412,413為一組，第二焊盤414、415為一組。
[0141]然后分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s，s<n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12......，Rim, m % s — 1，s彡2。本實(shí)施例中，第二焊盤412、413
間的電阻為R21，第二焊盤414、415間的電阻為R22。適于與所述多組第二焊盤412、413、414,415鍵合的所述第一晶圓30上的第一焊盤312、313、314、315中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤313、314的電阻為R11。
[0142]本實(shí)施例中，并非第二晶圓40上的所有第二焊盤411、412、413、414、415、416都被選擇用于測(cè)量，因而2 = s<n = 3,m=s— 1 = 1。
[0143]2)通過位于第二晶圓40上分別暴露兩個(gè)412、415的第二開口 421、422測(cè)量所述第一晶圓30與所述第二晶圓40鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal。此時(shí)，第一晶圓30與第二晶圓40鍵合后的結(jié)構(gòu)的等效電路圖如圖16所示。由于此時(shí)第二晶圓40上的第二焊盤412、413間的電阻R21、第一晶圓30上的第一焊盤313、314的電阻為R11、第二焊盤414、415間的電阻為R22以及晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb均為串聯(lián)，因而可以通過Rb=Rtotal — Rll —R21 - R22獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0144]可以理解的是，上述方案中，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb可以通過兩晶圓鍵合前后分別進(jìn)行電阻測(cè)量而獲取，其獲取公式均不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的值較為精準(zhǔn)。
[0145]進(jìn)一步地，為了獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，將每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻都設(shè)置為相同，例如使得所述第一焊盤 311、312、313、314、315、316 的材質(zhì)與所述第二焊盤 411、412、413、414、415、416的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤311、312、313、314、315、316的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤411、412、413、414、415、416的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤311、312、313、314、315、316與每個(gè)所述第二焊盤411、412、413、414、415、416的尺寸也都相等。具體地，即為第一焊盤313與第二焊盤413間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，第一焊盤314與第二焊盤414間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻，則通過(Rtotal - R12 - R21 一 R22)/2獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0146]可以理解的是，當(dāng)?shù)谝痪A上的第一焊盤的數(shù)目與第二晶圓上的第二焊盤的數(shù)目為分別大于兩個(gè)的偶數(shù)個(gè)，例如2n個(gè)，η > 1，晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb的獲取無需采用其中一個(gè)晶圓的焊盤的兩端作為兩晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)，只需從中選取兩晶圓保持電連接的某段焊盤即可。以下以選擇2s個(gè)為例，介紹普遍適用的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻的獲取方法。
[0147]選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s, s ( n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rim, m為 s — I, s ^ 2 ；
[0148]通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ；
[0149]通過Rb=Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
[0150]進(jìn)一步地，由于此時(shí)電阻Rtotal中包含2 (s — I)個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)串聯(lián)；通過(Rtotal - R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm)
/2 (s -1)獲得每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。
[0151]綜上，本發(fā)明中，不論是第一焊盤與第二焊盤具有一對(duì)還是一對(duì)以上，通過對(duì)兩晶圓鍵合前后的電阻分別進(jìn)行測(cè)量，后依據(jù)兩晶圓鍵合前后的電阻、晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻之間的串并聯(lián)關(guān)系可以實(shí)現(xiàn)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻。上述獲取方法由于不依賴焊盤、金屬互連線以及連接兩者的導(dǎo)電插塞的電阻的經(jīng)驗(yàn)值，因而所獲取的晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻較為精準(zhǔn)。
[0152]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括: 第一晶圓，所述第一晶圓表面具有2η個(gè)第一焊盤，以每?jī)蓚€(gè)相鄰的第一焊盤為一組，將2η個(gè)第一焊盤分為η組，每組內(nèi)的兩個(gè)第一焊盤間電連接，不同組之間的所述第一焊盤間絕緣，η為大于等于I的整數(shù)； 適于與所述第一晶圓鍵合的第二晶圓，所述第二晶圓表面具有第二焊盤，所述第二焊盤的數(shù)目與所述第一焊盤的數(shù)目相等，適于與所述第一焊盤一一對(duì)應(yīng)地鍵合；當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目為兩個(gè)時(shí)，兩個(gè)所述第二焊盤間電連接；當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，適于與同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間絕緣，適于與不同組的第一焊盤鍵合的相鄰的兩個(gè)第二焊盤間電連接；位于第一晶圓上用于分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口或位于第二晶圓上用于分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口； 通過所述第一焊盤與所述第二焊盤將所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)，所述第一開口暴露的兩個(gè)第一焊盤為所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)，所述第二開口暴露的兩個(gè)第二焊盤為所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻的測(cè)量點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，所述第一開口暴露的兩個(gè)第一焊盤所適于鍵合的第二焊盤不與其它第二焊盤電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述第二焊盤的數(shù)目大于兩個(gè)時(shí)，所述第二開口暴露的兩個(gè)第二焊盤所適于鍵合的第一焊盤不與其它第一焊盤電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一導(dǎo)電插塞以及連接兩第一導(dǎo)電插塞的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二導(dǎo)電插塞以及連接兩第二導(dǎo)電插塞的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第一焊盤上的第一硅通孔以及連接兩第一硅通孔的第一金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二焊盤間電連接通過分別位于兩個(gè)第二焊盤上的第二硅通孔以及連接兩第二硅通孔的第二金屬互連線實(shí)現(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤的材質(zhì)為銅，所述第二焊盤的材質(zhì)也為銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等。
11.一種采用上述權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法，其特征在于，包括: 當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)時(shí): 分別測(cè)量鍵合前，所述第一晶圓上電連接的兩個(gè)所述第一焊盤間的電阻R1，所述第二晶圓上電連接的兩個(gè)所述第二焊盤間的電阻R2 ； 若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則通過Rb=[Rtotal* (R1 + R2) 一 R1*R2]/ (Rl 一Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ； 若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則通過Rb=[Rtotal* (R1 + R2) — R1*R2]/ (R2 —Rtotal)獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ； 當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為大于兩個(gè)時(shí): 選擇多組第一焊盤，所述多組第一焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第一焊盤與鍵合的第二晶圓上的第二焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rls, s ( n，適于與所述多組第一焊盤鍵合的所述第二晶圓上的第二焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2m，m為s — I j s ^ 2 ； 通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ； 通過 Rb=Rtotal — Rll — R12......— Rls — R21 — R22......— R2m 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb ； 或選擇多組第二焊盤，所述多組第二焊盤滿足在第一晶圓與第二晶圓鍵合后，該些組的第二焊盤與鍵合的第一晶圓上的第一焊盤間形成一通路，分別測(cè)量鍵合前，所選擇的多組第二焊盤間的電阻R21、R22……，R2s, s ( n，適于與所述多組第二焊盤鍵合的所述第一晶圓上的第一焊盤中，電連接的兩個(gè)相鄰的所述第一焊盤間的電阻R11、R12……，Rlm，m為s — I j s ^ 2 ； 通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal ； 通過 Rb=Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rlm 獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)的電阻Rb。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法，其特征在于，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等； 當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為兩個(gè)時(shí): 若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為[Rtotal* (R1 + R2) — Rl*R2]/[2* (R1 — Rtotal)]； 若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為[Rtotal* (R1 + R2) — Rl*R2]/[2* (R2 — Rtotal)]。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的獲取晶圓級(jí)鍵合結(jié)構(gòu)電阻的方法，其特征在于，所述第一焊盤的材質(zhì)與所述第二焊盤的材質(zhì)相同，每個(gè)所述第一焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第二焊盤的尺寸都相等，每個(gè)所述第一焊盤與每個(gè)所述第二焊盤的尺寸也都相等； 當(dāng)所述第一焊盤的數(shù)目與所述第二焊盤的數(shù)目分別為大于兩個(gè)時(shí): 若通過位于第一晶圓上分別暴露兩個(gè)第一焊盤的第一開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為(Rtotal — Rll — R12......— Rls — R21 — R22......— R2m) /2 (s — I); 若通過位于第二晶圓上分別暴露兩個(gè)第二焊盤的第二開口測(cè)量所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合后結(jié)構(gòu)的電阻Rtotal，則每個(gè)第一焊盤與第二焊盤間形成的鍵合結(jié)構(gòu)的電阻為(Rtotal — R21 — R22......— R2s — Rll — R12......— Rim) /2 (s — I)。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK104465420SQ201310430011
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】陳政, 張海芳, 戚德奎, 李新, 陳曉軍, 劉煊杰 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司