有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：像素區(qū)；和外圍區(qū)，圍繞所述像素區(qū)，所述外圍區(qū)包括:柵極公共電壓線；層間絕緣膜，用于覆蓋所述柵極公共電壓線，并且具有使所述柵極公共電壓線的一部分暴露的公共電壓接觸孔；數(shù)據(jù)公共電壓線，形成在所述層間絕緣膜上，并且通過所述公共電壓接觸孔與所述柵極公共電壓線接觸；障肋，用于覆蓋所述數(shù)據(jù)公共電壓線，并且具有使所述數(shù)據(jù)公共電壓線的一部分暴露的公共電壓開口；以及外圍公共電極，形成在所述障肋上，并且通過所述公共電壓開口與所述數(shù)據(jù)公共電壓線接觸，其中所述障肋形成在對應于與所述公共電壓接觸孔之間的邊界的位置。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器
【技術領域】
[0001]所描述的技術總地涉及有機發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管顯示器包括兩個電極以及插入在這兩個電極之間的有機發(fā)射層。從作為電極之一的陰極注入的電子與從作為另一電極的陽極注入的空穴在有機發(fā)光層復合，以形成激子。激子釋放出能量，從而使光發(fā)出。
[0003]在該相關背景部分中公開的上述信息僅僅是為了加深對所描述的技術背景的理解，因此其可以包含未形成在該國家對于本領域普通技術人員是已知的現(xiàn)有技術。

【發(fā)明內容】

[0004]所描述的技術旨在提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，該有機發(fā)光二極管顯示器能夠使柵極公共電壓接觸部分和數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分之間的接觸面積盡可能大，并且防止公共電極的短路。
[0005]示例性實施例提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括:像素區(qū)，形成在基板上，并且包括用于顯示圖像的有機發(fā)光二極管；和外圍區(qū)，圍繞所述像素區(qū)，所述外圍區(qū)包括:柵極公共電壓線，形成在所述基板上，并且傳送來自外部源的公共電壓；層間絕緣膜，用于覆蓋所述柵極公共電壓線，并且具有使所述柵極公共電壓線的一部分暴露的公共電壓接觸孔；數(shù)據(jù)公共電壓線，可以形成在所述層間絕緣膜上，并且通過所述公共電壓接觸孔與所述柵極公共電壓線接觸；障肋，用于覆蓋所述數(shù)據(jù)公共電壓線，并且具有使所述數(shù)據(jù)公共電壓線的一部分暴露的公共電壓開口 ；以及外圍公共電極，形成在所述障肋上，并且通過所述公共電壓開口與所述數(shù)據(jù)公共電壓線接觸，其中所述障肋形成在對應于與所述公共電壓接觸孔之間的邊界的位置。
[0006]所述公共電壓開口包括:第一公共電壓開口，形成在所述公共電壓接觸孔內側；和第二公共電壓開口，形成在所述公共電壓接觸孔外側。
[0007]可以作為所述柵極公共電壓線的一部分的柵極公共電壓接觸部分和可以作為所述數(shù)據(jù)公共電壓線的一部分的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分分別通過所述公共電壓接觸孔彼此連接。
[0008]作為所述外圍公共電極的一部分的第一公共電極接觸部分和第二公共電極接觸部分分別通過所述第一公共電壓開口和所述第二公共電壓開口連接至所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分。
[0009]所述障肋包括:第一障肋，與所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分的端部重疊；和第二障肋，與所述柵極公共電壓接觸部分的端部重疊，并且所述第一公共電壓開口可以形成在所述第一障肋與所述第二障肋之間，并且所述第二公共電壓開口可以形成在所述第二障肋與所述像素區(qū)之間。
[0010]所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分的端部與所述柵極公共電壓接觸部分的端部形成在對應于與所述公共電壓接觸孔之間的邊界的位置。
[0011]所述公共電壓開口可以位于所述外圍區(qū)的角部分中。
[0012]所述公共電壓開口可以位于所述外圍區(qū)的邊緣部分中。
[0013]所述像素區(qū)包括:柵極線，可以形成在所述基板上并且傳送掃描信號；數(shù)據(jù)線和驅動電壓線，與所述柵極線絕緣并相交，并且分別傳送數(shù)據(jù)信號與驅動電壓；開關薄膜晶體管，連接至所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線；驅動薄膜晶體管，連接至所述開關薄膜晶體管與所述驅動電壓線；像素電極，連接至所述驅動薄膜晶體管；有機發(fā)光二極管，形成在所述像素電極上；以及公共電極，形成在所述有機發(fā)光二極管上，其中所述柵極公共電壓線可以與所述柵極線形成在相同層上，并且所述數(shù)據(jù)公共電壓線可以與所述數(shù)據(jù)線形成在相同層上。
[0014]所述公共電極與所述外圍公共電極可以彼此連接。
[0015]所述公共電壓接觸孔的寬度可以大于所述第一公共電壓開口的寬度。
[0016]根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器通過利用形成在公共電壓接觸孔內側的第一公共電壓開口與形成在公共電壓接觸孔外側的第二公共電壓開口將數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分與所述外圍公共電極連接在一起，使所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分與所述外圍公共電極之間的接觸面積盡可能大。
[0017]因此，數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分與外圍公共電極之間的接觸電阻變得盡可能小，從而使熱量產生最小化。這使得電壓降IR DROP最小化，因此提高圖像質量。
[0018]此外，由于障肋形成在對應于與公共電壓接觸孔之間的邊界的位置，從而防止外圍公共電極由于在與公共電壓接觸孔之間的邊界處的銳錐度而導致的短路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過參照下面結合附圖所考慮的詳細說明，本發(fā)明更完整的理解以及本發(fā)明的許多伴隨優(yōu)點將容易明白，同時本發(fā)明也變得更好理解，在附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的部件，其中:
[0020]圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的等效電路圖。
[0021]圖2是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的俯視圖。
[0022]圖3是圖2的像素區(qū)的剖視圖。
[0023]圖4是圖2的外圍區(qū)的邊緣部分A的放大俯視圖。
[0024]圖5是圖4的邊緣部分A的部分C的放大俯視圖。
[0025]圖6是沿圖5的外圍區(qū)的線V1-VI截取的剖視圖。
[0026]圖7是圖2的外圍區(qū)的角部分B的放大俯視圖。
[0027]圖8是圖7的角部分B的部分D的放大俯視圖。
[0028]圖9是沿圖8的外圍區(qū)的線IX-1X截取的剖視圖。
【具體實施方式】
[0029]在下文中，將參照其中示出本發(fā)明示例性實施例的附圖更完整地描述本發(fā)明。如本領域技術人員所認識到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的所有情況下，可以以各種不同的形式修改所描述的實施例。
[0030]為了使所公開的實施例的描述更加清楚，省略了其描述是無關緊要的元件。此外，在整篇申請文件中，相似的附圖標記指相似的元件。
[0031]另外，附圖中各元件的尺寸和厚度不一定是按照比例繪制的，只是為了更好地理解以及便于描述。本發(fā)明并不限于此。
[0032]在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區(qū)等的厚度。在附圖中，為了便于說明，放大了層和區(qū)的厚度。應理解，當諸如層、膜、區(qū)或基板之類的元件被稱為位于另一元件“上”時，其可以直接位于另一元件上，或者也可以存在中間元件。
[0033]另外，除非另有相反的明確描述，否則詞語“包括”及其變體應被理解為暗含包括所論述的元件，但不排除任意其它的元件。另外，在整篇說明書中，基于重力方向，“上”或者是位于目標的一部分之上或之下，或者是位于上側。
[0034]有機發(fā)光二極管顯示器的每個像素包括開關薄膜晶體管、驅動薄膜晶體管、電容器以及有機發(fā)光二極管。驅動電壓ELVDD從驅動電壓線被供給至驅動薄膜晶體管和電容器，驅動薄膜晶體管用于控制通過驅動電壓線流至有機發(fā)光二極管的電流。公共電壓線向陰極供給公共電壓ELVSS，并且在作為陽極的像素電極與公共電極之間形成電位差，從而在像素電極和公共電極之間產生電流。
[0035]通過包括形成在外圍區(qū)中的柵極線的柵極公共電壓接觸部分、包括數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分以及公共電極之間的連續(xù)接觸，公共電壓ELVSS被傳輸至形成在障肋上的公共電極。
[0036]為了使公共電壓的接觸電阻盡可能的小，用于連接柵極公共電壓接觸部分和數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分的公共電壓接觸孔可以形成為大的尺寸，用于連接數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分和公共電壓的公共電壓開口具有盡可能大的尺寸，從而使柵極公共電壓接觸部分與數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分之間的接觸面積、以及數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分與公共電壓之間的接觸面積盡可能大。
[0037]然而，如果公共電壓接觸孔小于公共電壓開口，則公共電極可能在數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分和柵極公共電壓接觸部分之間的非重疊區(qū)中由于與公共電壓接觸孔的邊界處的銳錐度而短路。
[0038]為了防止這種事情發(fā)生，公共電壓開口被形成為小于公共電壓接觸孔，使得公共電壓接觸孔的錐度具有平緩坡度。然而，在這種情況下，數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分和公共區(qū)之間的接觸面積減小，電流密度增加，由此導致熱量產生。
[0039]圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的等效電路圖。
[0040]參照圖1，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器包括多條信號線121、171、172以及連接至這些信號線且基本以矩陣形式布置的多個像素PX。
[0041]信號線包括用于傳送掃描信號(或柵極線)的多條柵極線121、用于傳送數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線171以及用于傳送驅動電壓ELVDD的多條驅動電壓線172。柵極線121基本沿行方向延伸，并且彼此基本平行，而數(shù)據(jù)線171和驅動電壓線172基本沿列方向延伸，并且彼此基本平行。
[0042]每個像素PX包括開關薄膜晶體管Qs、驅動薄膜晶體管Qd、存儲電容器Cst以及有機發(fā)光二極管OLED。
[0043]開關晶體管Qs具有聯(lián)接至柵極線121之一的控制端、聯(lián)接至數(shù)據(jù)線171之一的輸入端以及聯(lián)接至驅動晶體管Qd的輸出端。開關晶體管Qs響應于施加至柵極線121的掃描信號，而將施加至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳送至驅動晶體管Qd。
[0044]驅動晶體管Qd具有聯(lián)接至開關晶體管Qs的控制端、聯(lián)接至驅動信號線172的輸入端以及聯(lián)接至有機發(fā)光二極管OLED的輸出端。驅動晶體管Qd驅動幅度根據(jù)施加在控制端與輸入端之間的電壓而變化的輸出電流Id。
[0045]電容器Cst可聯(lián)接在驅動晶體管Qd的控制端和輸入端之間。電容器Cst存儲施加至驅動晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號，并在開關晶體管Qs截止之后維持該數(shù)據(jù)信號。
[0046]有機發(fā)光二極管OLED包括連接至驅動晶體管Qd的輸出端的陽極與連接至公共電壓ELVSS的陰極。通過根據(jù)驅動晶體管Qd的輸出電流Id而發(fā)出不同強度的光，有機發(fā)光二極管OLED顯示圖像。
[0047]開關晶體管Qs和驅動晶體管Qd是η溝道場效應晶體管FET。然而，開關晶體管Qs或驅動晶體管Qd中的至少一個可以是P溝道場效應晶體管。另外，晶體管Qs和Qd、存儲電容器Cst以及有機發(fā)光二極管OLED之間的相互連接可以不同于所示出的。
[0048]現(xiàn)在將參照圖2至圖6描述圖1所示的有機發(fā)光二極管顯示器的具體結構。
[0049]圖2是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的俯視圖。圖3是圖2的像素區(qū)的剖視圖。
[0050]如圖2所示，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器包括形成在基板110上且具有多個像素50的像素區(qū)P和環(huán)繞像素區(qū)P的外圍區(qū)S，每個像素PX包括有機發(fā)光二極管 OLED。
[0051]如圖3所示，像素區(qū)P包括形成在基板110上的緩沖膜111、形成在緩沖膜111上的半導體層130以及覆蓋半導體層130的柵極絕緣膜140?？梢宰鳛橛糜趥魉蜄艠O信號(或掃描信號)的柵極線121的一部分的柵電極125，可以形成在柵極絕緣膜140上，層間絕緣膜160可以形成為覆蓋柵極線121和柵電極125。用于傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171、可以作為數(shù)據(jù)線171的一部分的源電極176以及與源電極176分離的漏電極177形成在層間絕緣膜160上。半導體層130、柵電極125、源電極176以及漏電極177構成驅動薄膜晶體管Qd，并且開關薄膜晶體管Qs的結構與驅動薄膜晶體管Qd的結構類似。保護膜180可以形成在可以作為數(shù)據(jù)線171的一部分的源電極176、以及與源電極176分離的漏電極177上，像素電極191可以形成在保護膜180上，并且連接至驅動薄膜晶體管Qd。像素電極191可以由諸如ITO或IZO的透明導電材料制成。由有機膜等制成的障肋300形成在像素電極191上。障肋300具有環(huán)繞像素電極191的邊緣(或周邊)且使像素電極191暴露的像素開口 310。有機發(fā)射層370可以形成在通過像素開口 310暴露的像素電極191上和障肋300上。除了發(fā)光層之外，有機發(fā)射層370還可以包括用于提高發(fā)光層的發(fā)光效率的附加層(未示出)。附加層可以包括從由以下構成的組中選擇的一種或多種:電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)以及空穴注入層(HIL)。公共電極270可以形成在有機發(fā)射層370上。公共電極270可由具有高反射率的金屬制成。公共電極270可以形成在基板的整個表面上方，并且可以與像素電極191配對，以允許電流流至有機發(fā)射層370。像素電極191、有機發(fā)射層370以及公共電極270構成有機發(fā)光二極管0LED。像素電極191可以是陽極，公共電極270可以是陰極，或者相反，像素電極191可以是陰極，公共電極270可以是陽極。封裝構件200可以形成在公共電極270上，并且對有機發(fā)光二極管OLED進行封裝。
[0052]以下將詳細描述根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的外圍部分。[0053]圖4是圖2的外圍區(qū)的邊緣部分A的放大俯視圖。圖5是圖4的邊緣部分A的部分C的放大俯視圖。圖6是沿圖5的外圍區(qū)的線V1-VI截取的剖視圖。
[0054]如圖2和圖4所示，公共電壓線400可以形成在外圍區(qū)S的邊緣部分A中，以將公共電壓從外部源傳送至公共電極270。公共電壓線400包括柵極公共電壓線410和數(shù)據(jù)公共電壓線420，柵極公共電壓線410與柵極線121形成在相同層上，且通過公共電壓焊盤410a從柔性印刷電路(FPC)接收公共電壓，數(shù)據(jù)公共電壓線420與數(shù)據(jù)線171形成在相同層上，且通過與柵極公共電壓線410的接觸來接收公共電壓。可以作為柵極公共電壓線410的一部分的柵極公共電壓接觸部分411、與可以作為數(shù)據(jù)公共電壓線420的一部分的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421通過公共電壓接觸孔彼此連接。
[0055]以下將參照圖5和圖6詳細描述根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的外圍區(qū)的層結構。
[0056]如圖5和圖6所示，緩沖膜111可以形成在外圍區(qū)S中的基板110上，并且柵極絕緣膜140可以形成在緩沖膜111上。柵極公共電壓線410可以形成在柵極絕緣膜140上，并且層間絕緣膜160可以形成在柵極絕緣膜140和柵極公共電壓線410上，以覆蓋柵極公共電壓線410，其中層間絕緣膜160具有使柵極公共電壓線410的柵極公共電壓接觸部分411暴露的公共電壓接觸孔161。
[0057]數(shù)據(jù)公共電壓線420可以形成在層間絕緣膜160上，并且數(shù)據(jù)公共電壓線420的與柵極公共電壓接觸部分411重疊的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421通過公共電壓接觸孔161與柵極公共電壓接觸部分411進行接觸。
[0058]障肋300形成在層間絕緣膜160和數(shù)據(jù)公共電壓線420上。障肋300具有使數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421暴露的公共電壓開口 320。公共電壓開口 320包括形成在公共電壓接觸孔161內側的第一公共電壓開口 321和形成在公共電壓接觸孔161外側的第二公共電壓開口 322。因此，公共電壓接觸孔161的寬度dl大于第一公共電壓開口 321的寬度d2。
[0059]障肋300包括與數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421的端部重疊的第一障肋350和與柵極公共電壓接觸部分411的端部重疊的第二障肋360。數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421的端部與柵極公共電壓接觸部分411的端部形成在對應于與公共電壓接觸孔161之間的邊界的位置。因此，第一障肋350與第二障肋360形成在對應于與公共電壓接觸孔161之間的邊界的位置。第一公共電壓開口 321可以形成在第一障肋350與第二障肋360之間，并且第二公共電壓開口 322可以形成在第二障肋360與像素區(qū)P之間。
[0060]外圍公共電極280可以形成在障肋300和數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421上。外圍公共電極280可以與像素區(qū)P的公共電極270由相同材料形成，形成在相同層上，并且連接至公共電極270。外圍公共電極280通過公共電壓開口 320與數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421接觸。外圍公共電極280包括第一公共電極接觸部分281和第二公共電極接觸部分282,第一公共電極接觸部分281和第二公共電極接觸部分282通過第一公共電壓開口 321和第二公共電壓開口 322連接至數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421。
[0061]如此，通過使用形成在公共電壓接觸孔161內側的第一公共電壓開口 321和形成在公共電壓接觸孔161外側的第二公共電壓開口 322，將數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421與外圍公共電極280連接在一起，從而使數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421與外圍公共電極280之間的接觸面積盡可能大。[0062]因此，數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421與外圍公共電極280之間的接觸電阻變得盡可能小，從而使熱量產生最小化。這使得電壓降IR DROP最小化，因此提高圖像質量。
[0063]而且，障肋300形成在對應于與公共電壓接觸孔161之間的邊界線的位置，使得外圍公共電極280可以以平緩坡度形成在障肋300上，從而防止外圍公共電極280的短路。
[0064]盡管圖4至圖6圖示了形成在外圍區(qū)的邊緣部分A中的第一公共電壓開口 321和第二公共電壓開口 322，但第一公共電壓開口 321和第二公共電壓開口 322也可以形成在外圍區(qū)的角部分B中。
[0065]圖7是圖2的外圍區(qū)的角部分B的放大俯視圖。圖8是圖7的角部分B的部分D的放大俯視圖。圖9是沿圖8的外圍區(qū)的線IX-1X截取的剖視圖。
[0066]如圖7和圖9所示，公共電壓線400可以形成在外圍區(qū)S的角部分B中，以將公共電壓從柔性印刷電路傳送至公共電極270。公共電壓線400包括柵極公共電壓線410和數(shù)據(jù)公共電壓線420，柵極公共電壓線410與柵極線121形成在相同層上，且通過公共電壓焊盤410a從柔性印刷電路接收公共電壓，數(shù)據(jù)公共電壓線420與數(shù)據(jù)線171形成在相同層上，且通過與柵極公共電壓線410的接觸來接收公共電壓?？梢宰鳛闁艠O公共電壓線410的一部分的柵極公共電壓接觸部分411、與可以作為數(shù)據(jù)公共電壓線420的一部分的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421通過公共電壓接觸孔彼此連接。
[0067]緩沖膜111可以形成在外圍區(qū)S的角部分B中的基板110上，并且柵極絕緣膜140可以形成在緩沖膜111上。柵極公共電壓線410可以形成在柵極絕緣膜140上，并且層間絕緣膜160可以形成在柵極絕緣膜140和柵極公共電壓線410上，以覆蓋柵極公共電壓線410，層間絕緣膜160具有使柵極公共電壓線410的柵極公共電壓接觸部分411暴露的公共電壓接觸孔161。數(shù)據(jù)公共電壓線420可以形成在層間絕緣膜160上，并且數(shù)據(jù)公共電壓線420的與柵極公共電壓接觸部分411重疊的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421通過公共電壓接觸孔161與柵極公共電壓接觸部分411接觸。障肋300形成在層間絕緣膜160和數(shù)據(jù)公共電壓線420上。障肋300具有使數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421暴露的公共電壓開口 320。公共電壓開口 320包括形成在公共電壓接觸孔161內側的第一公共電壓開口 321和形成在公共電壓接觸孔161外側的第二公共電壓開口 322。因此，障肋300形成在對應于與公共電壓接觸孔161之間的邊界線的位置。外圍公共電極280可以形成在障肋300和數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421上。外圍公共電極280通過公共電壓開口 320與數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421進行接觸。外圍公共電極280包括第一公共電極接觸部分281和第二公共電極接觸部分282，第一公共電極接觸部分281和第二公共電極接觸部分282通過第一公共電壓開口 321和第二公共電壓開口 322連接至數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421。
[0068]如此，通過在外圍區(qū)S的角部分B中形成包括第一公共電壓開口 321和第二公共電壓開口 322的公共電壓開口 320，將數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421和外圍公共電極280連接在一起，從而使數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分421與外圍公共電極280之間的接觸面積盡可能大。
[0069]此外，由于形成在外圍區(qū)S的角部分B中的障肋300形成在對應于與公共電壓接觸孔161之間的邊界的位置，使得外圍公共電極280可以以平緩坡度形成在障肋300上，從而防止外圍公共電極280的短路。
[0070]雖然已結合目前被視為可實施的示例性實施例描述了本發(fā)明，但應當理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，旨在覆蓋包含于所附權利要求的精神和范圍及其等同物內的各種修改和等同布置。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯不器，包括: 像素區(qū)，形成在基板上，并且包括用于顯示圖像的有機發(fā)光二極管；和 外圍區(qū)，圍繞所述像素區(qū)， 所述外圍區(qū)包括: 柵極公共電壓線，形成在所述基板上，并且傳送來自外部源的公共電壓； 層間絕緣膜，用于覆蓋所述柵極公共電壓線，并且具有使所述柵極公共電壓線的一部分暴露的公共電壓接觸孔； 數(shù)據(jù)公共電壓線，形成在所述層間絕緣膜上，并且通過所述公共電壓接觸孔與所述柵極公共電壓線接觸； 障肋，用于覆蓋所述數(shù)據(jù)公共電壓線，并且具有使所述數(shù)據(jù)公共電壓線的一部分暴露的公共電壓開口 ；以及 外圍公共電極，形成在所述障肋上，并且通過所述公共電壓開口與所述數(shù)據(jù)公共電壓線接觸， 其中所述障肋形成在對應于與所述公共電壓接觸孔之間的邊界的位置。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述公共電壓開口包括: 第一公共電壓開口，形成在所述公共電壓接觸孔內側；和 第二公共電壓開口，形成在所述公共電壓接觸孔外側。
3.根據(jù)權利要求2所述·的有機發(fā)光二極管顯示器，其中作為所述柵極公共電壓線的一部分的柵極公共電壓接觸部分和作為所述數(shù)據(jù)公共電壓線的一部分的數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分通過所述公共電壓接觸孔彼此連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中作為所述外圍公共電極的一部分的第一公共電極接觸部分和第二公共電極接觸部分分別通過所述第一公共電壓開口和所述第二公共電壓開口連接至所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分。
5.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述障肋包括: 第一障肋，與所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分的端部重疊；和 第二障肋，與所述柵極公共電壓接觸部分的端部重疊，并且 所述第一公共電壓開口形成在所述第一障肋與所述第二障肋之間，并且所述第二公共電壓開口形成在所述第二障肋與所述像素區(qū)之間。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述數(shù)據(jù)公共電壓接觸部分的端部與所述柵極公共電壓接觸部分的端部形成在對應于與所述公共電壓接觸孔之間的邊界的位置。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述公共電壓開口位于所述外圍區(qū)的角部分中。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述公共電壓開口位于所述外圍區(qū)的邊緣部分中。
9.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述像素區(qū)包括: 柵極線，形成在所述基板上并且傳送掃描信號；數(shù)據(jù)線和驅動電壓線，與所述柵極線絕緣并相交，并且分別傳送數(shù)據(jù)信號與驅動電壓； 開關薄膜晶體管，連接至所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線； 驅動薄膜晶體管，連接至所述開關薄膜晶體管與所述驅動電壓線； 像素電極，連接至所述驅動薄膜晶體管； 有機發(fā)光二極管，形成在所述像素電極上；以及 公共電極，形成在所述有機發(fā)光二極管上， 其中所述柵極公共電壓線與所述柵極線形成在相同層上，并且所述數(shù)據(jù)公共電壓線與所述數(shù)據(jù)線形成在相同層上。
10.根據(jù)權利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述公共電極與所述外圍公共電極彼此連接。
11.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器 ，其中所述公共電壓接觸孔的寬度大于所述第一公共電壓開口的寬度。
【文檔編號】H01L27/32GK103715223SQ201310434879
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月22日 優(yōu)先權日:2012年10月8日
【發(fā)明者】李海衍, 吳真坤, 金正培, 崔鐘炫, 金襟男 申請人:三星顯示有限公司