測量方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種測量方法，將待檢測點平均分布于晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢后，只需通過半導體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達到下一待檢測點，并對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】 測量方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種測量方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導體晶圓在制造過程中，需要形成不同薄膜層，每一層薄膜的厚度也不盡相同。為了精確的實現(xiàn)電路功能，需要精確控制形成在半導體晶圓表面的每一層薄膜的厚度，以防止形成的薄膜厚度太厚或太薄導致半導體晶圓不符合要求，影響半導體晶圓的良率。因此，為了能夠監(jiān)控形成薄膜的厚度，通常會在薄膜形成后對其進行厚度的測量，若發(fā)現(xiàn)厚度異常，則應立馬做出相應的改進措施。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，測量厚度通常采用光發(fā)射器將橢圓偏正光射入半導體晶圓的待檢測點，再由光接收器接收由待檢測點反射回的橢圓偏正光，利用光的透射與反射計算出薄膜的厚度。為了能夠檢測出半導體晶圓表面整體的薄膜厚度，需要根據(jù)不同的工藝需求，在半導體晶圓上設(shè)定需要多個待檢測點，例如9個、21個或者49個，從而能夠更加準確的得出薄膜厚度的分布。
[0004]請參考圖1，所述半導體晶圓10的表面設(shè)有多個待檢測點11，當其中一個待檢測點11測量完畢時，則需要轉(zhuǎn)移至下一個待檢測點11，所述半導體晶圓10放置于檢測臺(圖未示出)上，所述檢測臺僅能夠沿水平線或者垂直于水平線方向移動，因此，為了到下一個檢測點11，則所述檢測臺必須先沿水平方向移動一定位移，再沿垂直于水平線方向移動一定位移，然后才能到達下一檢測點11進行厚度測量，以此類推，所述檢測臺均需要進行兩次位移才能對后續(xù)檢測點11進行測量。然而，該種測量方法十分耗時，主要測量時間均浪費在所述檢測臺的移動上，對半導體晶圓的每小時產(chǎn)量(WPH)有極大的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種測量方法，能夠降低測量時間，提高生產(chǎn)效率。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種測量方法，包括步驟:
[0007]定義半導體晶圓待檢測點的個數(shù)；
[0008]將所述待檢測點均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導體晶圓共圓心；
[0009]測量完一待檢測點之后，所述半導體晶圓自轉(zhuǎn)預定角度到達下一待檢測點。
[0010]進一步的，所述晶圓同心圓的個數(shù)大于等于I。
[0011]進一步的，當所述晶圓同心圓的個數(shù)大于I且位于同一晶圓同心圓上的待檢測點檢測完時，所述半導體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測點進行檢測。
[0012]進一步的，所述半導體晶圓設(shè)置于一檢測臺上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓進行自轉(zhuǎn)或平移。
[0013]進一步的，所述半導體晶圓的表面形成有薄膜，所述測量方法用于測量所述薄膜的厚度。
[0014]進一步的，所述測量方法采用光學法測量薄膜的厚度。
[0015]進一步的，所述光學法米用的光為橢圓偏正光。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:將待檢測點平均分布于晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢后，只需通過半導體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達到下一待檢測點，并對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對半導體晶圓進行測量的示意圖；
[0018]圖2-圖3為本發(fā)明一實施例中對半導體晶圓進行測量的示意圖。

【具體實施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的測量方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0020]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0021]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0022]請參考圖2，在本實施例中，提出了一種測量方法，包括步驟:
[0023]定義半導體晶圓100上待檢測點110的個數(shù)；
[0024]根據(jù)不同的工藝要求，可以定義多個的待檢測點110，例如6個、12個等，定義的待檢測點110個數(shù)越多，測量出的數(shù)據(jù)越準確，相應的，測量時間也就越久，因此，待檢測點110的個數(shù)可以由不同需求來定義。
[0025]將所述待檢測點110均勻分布在晶圓同心圓120上，所述晶圓同心圓120與所述半導體晶圓100共圓心；
[0026]根據(jù)不同待檢測點110的個數(shù)，可以將待檢測點110平均分配至一個或者多個所述晶圓同心圓120上，這樣所述半導體晶圓100的自轉(zhuǎn)角度更大，方便設(shè)備實現(xiàn)，若自轉(zhuǎn)過小，一方面設(shè)備不易于實現(xiàn)，另一方面可能會導致偏差較大。
[0027]當測量同一晶圓同心圓上的待檢測點110時，測量完一待檢測點110之后，所述半導體晶圓100自轉(zhuǎn)預定角度到達下一待檢測點110。
[0028]如圖2所示，第一晶圓同心圓121上均與分別有6個待檢測點110，兩個待檢測點110之間存在第一角度a I為60度，因此在測試完第一個待檢測點110后，所述半導體晶圓只需按照圓心自轉(zhuǎn)a 1，即60度便能夠到達下一個待檢測點110進行檢測。
[0029]若待檢測點110的個數(shù)較多，例如18個，如圖3所示，此時可以在第一晶圓同心圓121上均勻設(shè)置6個待檢測點110，在第二晶圓同心圓122上均勻設(shè)置12個待檢測點110，當位于第一晶圓同心圓121上的待檢測點110被檢測完時，所述半導體晶圓100平移至第二晶圓同心圓122上的待檢測點110再繼續(xù)進行檢測，此時也僅需多平移一次；在對所述第二晶圓同心圓122上的待檢測點110進行檢測時，檢測完一個待檢測點110之后，只需所述半導體晶圓100自轉(zhuǎn)α 2，即30度便能夠到達下一個待檢測點110上。
[0030]在本實施例中，所述半導體晶圓100設(shè)置于一檢測臺(圖未示出)上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓100進行自轉(zhuǎn)或平移；所述半導體晶圓100的表面形成有薄膜，所述測量方法用于測量所述薄膜的厚度；所述測量方法采用光學法測量薄膜的厚度；所述光學法采用的光為橢圓偏正光。
[0031]綜上，在本發(fā)明實施例提供的測量方法中，將待檢測點平均分布于晶圓同心圓上，在對一待檢測點檢測完畢后，只需通過半導體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達到下一待檢測點，并對其進行檢測，無需半導體晶圓進行多次位移，因此能夠降低測量時間，提高生產(chǎn)效率。
[0032]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種測量方法，包括步驟: 定義半導體晶圓待檢測點的個數(shù)； 將所述待檢測點均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導體晶圓共圓心; 當測量同一晶圓同心圓上的待檢測點時，測量完一待檢測點之后，所述半導體晶圓自轉(zhuǎn)預定角度到達下一待檢測點。
2.如權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述晶圓同心圓的個數(shù)大于等于1。
3.如權(quán)利要求2所述的測量方法，其特征在于，當所述晶圓同心圓的個數(shù)大于1且位于同一晶圓同心圓上的待檢測點檢測完時，所述半導體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測點進行檢測。
4.如權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述半導體晶圓設(shè)置于一檢測臺上，所述檢測臺帶動所述半導體晶圓進行自轉(zhuǎn)或平移。
5.如權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述半導體晶圓的表面形成有薄膜，所述測量方法用于測量所述薄膜的厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的測量方法，其特征在于，所述測量方法采用光學法測量薄膜的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的測量方法，其特征在于，所述光學法采用的光為橢圓偏正光。
【文檔編號】H01L21/66GK104465431SQ201310438649
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】許亮 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司