有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)為：依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；所述散射層包括金屬摻雜層與三元摻雜層；其中，所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的散熱層中的金屬摻雜層提高空穴的注入能力，加強(qiáng)光的散射，提高出光效率；三元摻雜層降低兩層之間的空穴注入勢壘，提高空穴傳輸速率，提高空穴注入效率，從而有利于提高出光效率。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。1V下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]現(xiàn)有發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差)。具體而言，當(dāng)現(xiàn)有發(fā)光器件的玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0005]本發(fā)明針對上述技術(shù)問題而提出的技術(shù)方案為:一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；所述散射層包括金屬摻雜層與三元摻雜層；其中，
[0006]所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物；
[0007]所述的有機(jī)娃小分子為二苯基二(O-甲苯基)娃(UGH1)、p- 二 (三苯基娃)苯(UGH2 )、I，3-雙(三苯基硅)苯(UGH3 )或p-雙(三苯基硅)苯(UGH4 )；
[0008]所述的空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，f -(1_萘基)-隊& -二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(NPB);
[0009]所述金屬氧化物為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。
[0010]進(jìn)一步地,所述的有機(jī)娃小分子與金屬的摻雜質(zhì)量比為1:2?1:5 ;所述有機(jī)娃小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物的摻雜質(zhì)量比為4:10:1?10:30:1。
[0011]進(jìn)一步地,所述高功函數(shù)金屬為銀(Ag)、招(Al) JQ(Pt)或金(Au)。
[0012]進(jìn)一步地，所述玻璃基底的折射率為1.8以上，可見光透過率為90%以上。所述可見光的波長優(yōu)選為400nm。
[0013]進(jìn)一步地，所述金屬摻雜層的厚度為20?50nm，所述三元摻雜層的厚度為80?200nmo
[0014]進(jìn)一步地，所述陽極層的材質(zhì)為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO)；
[0015]所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)；
[0016]所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(丁八卩0、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(1'0^)、或隊& - (1-萘基)-N，N' -二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(NPB);
[0017]所述發(fā)光層的材質(zhì)為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；
[0018]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)；
[0019]所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)；
[0020]所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)。
[0021]本發(fā)明還包括一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括如下步驟:
[0022](a)在玻璃基底上通過磁控濺射設(shè)備來制備陽極層；
[0023](b)使用熱阻蒸鍍設(shè)備在步驟(a)制得的陽極層上制備金屬摻雜層，然后在所述金屬摻雜層上制備所述三元摻雜層，從而得到所述散熱層；其中，
[0024]所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括摻雜質(zhì)量比為1:2?1:5的有機(jī)娃小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質(zhì)包括摻雜質(zhì)量比為4:10:1?10:30:1的有機(jī)娃小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物；
[0025]所述的有機(jī)娃小分子為二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_雙(三苯基娃)苯或p-雙(三苯基娃)苯;
[0026]所述的空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N' -(1-萘基)_隊& - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺；
[0027]所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；
[0028]( c )在步驟(b )制得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，從而得到所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0029]進(jìn)一步地，在所述步驟(a)中磁控濺射設(shè)備的加速電壓為300?800V，磁場為50?200G，功率密度為I?40W/cm2。
[0030]進(jìn)一步地，在所述步驟(b)中，所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，所述金屬摻雜層的厚度為20?50nm，所述三元摻雜層的厚度為80?200nm。
[0031 ] 進(jìn)一步地，在所述步驟(c )中，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層以及所述電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,所述陰極層的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0032]所述散射層的各組分的性能如下:所述散射層的空穴傳輸材料可提高空穴的傳輸速率，同時，其HOMO能級較低，可進(jìn)一步提高空穴的注入能力；所述散射層的金屬的功函數(shù)較高，可提高空穴的注入能力；所述散射層的有機(jī)硅小分子具有較寬的能隙，其HOMO能級很低，可提高空穴的注入能力，而且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度都很低(50度以下)，極易結(jié)晶，結(jié)晶后的晶體結(jié)構(gòu)對光有散射作用，加強(qiáng)光的散射，提高出光效率，且有機(jī)娃小分子在三兀摻雜層和金屬摻雜層中一致，可以最大可能的降低兩層之間的空穴注入勢壘，提高空穴注入能力；所述散射層的空穴傳輸材料提高空穴傳輸速率；所述散射層的金屬氧化物具有空穴注入能力，可提高空穴注入效率，從而有利于提高出光效率。上述HOMO能級是源自前線軌道理論的說法，是指已占有電子的能級最高的軌道，是給予電子的能力的表征。
[0033]總而言之，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，具有以下的優(yōu)點:本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件散熱層中的金屬摻雜層提高空穴的注入能力，加強(qiáng)光的散射，提聞出光效率；二兀慘雜層降低兩層之間的空穴注入勢壘.，提聞空穴傳輸速率，提聞空穴注入效率，從而有利于提聞出光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是本發(fā)明實施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2是實施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0036]以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明予以進(jìn)一步地詳盡闡述。
[0037]實施例1
[0038]如圖1所示，本實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，每層依次為:
[0039]玻璃基底101、陽極層102、金屬摻雜層103、三元摻雜層104、空穴注入層105、空穴傳輸層106、發(fā)光層107、電子傳輸層108、電子注入層109以及陰極層110。所述金屬摻雜層103和所述三元摻雜層104組成所述散熱層。該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IT0/UGH1:Ag/UGH2:TAPC:Mo03/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag，其中斜桿 “/” 表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表不相互摻雜。)
[0040]上述有機(jī)電致發(fā)光器件依次按如下步驟制備:
[0041](一)鍍膜的預(yù)處理
[0042]取出玻璃牌號為N-LASF44的玻璃基底101，用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0043](二)陽極層的制備
[0044]將經(jīng)步驟(一)制備的的玻璃基底101置于磁控濺射設(shè)備下，將磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)置為700V的加速電壓、120G的磁場以及250W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設(shè)備在玻璃基底101上制備陽極層102，陽極層102材料為銦錫氧化物且厚度為80nm。
[0045](三)散射層的制備
[0046]將經(jīng)步驟(二)制備的玻璃基底101置于熱阻蒸鍍設(shè)備下，將熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率設(shè)定為0.2nm/s,蒸發(fā)源設(shè)定為二苯基二(O-甲苯基)娃和銀，使用熱阻蒸鍍設(shè)備在陽極層102上蒸鍍金屬摻雜層103，使金屬摻雜層103的厚度為35nm，金屬摻雜層103中二苯基二(ο-甲苯基)硅和銀的摻雜質(zhì)量比為1:4 ;
[0047]將熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源設(shè)定P-二 (三苯基娃)苯、1，1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和三氧化鑰，使用電子束蒸鍍制備在在金屬摻雜層103上蒸鍍?nèi)獡诫s層104，使三元摻雜層104的厚度為120nm，p-二 (三苯基硅)苯、1，1-二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和三氧化鑰的摻雜質(zhì)量比為8:25:1，從而制得散熱層。
[0048](四)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0049]將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為0.2nm/s的蒸鍍速率和8 X 10_4Pa的工作壓強(qiáng)，使用熱阻蒸鍍制備在三元摻雜層104上依次蒸鍍材料為三氧化鎢且厚度為45nm的空穴注入層105、材料為N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺且厚度為40nm的空穴傳輸層106、材料為4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯且厚度為1nm的發(fā)光層107、材料為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑且厚度為150nm的電子傳輸層108、材料為氟化銫且厚度為0.7nm的電子注入層109 ;接著將熱阻蒸鍍制備的蒸鍍速率調(diào)節(jié)為2nm/s，使用熱阻蒸鍍制備在電子注入層109上蒸渡材料為銀且厚度為120nm的陰極層110，從而得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0050]圖2為本實施例1有機(jī)電致發(fā)光器件與一般器件的流明效率與電流密度的關(guān)系圖。所述一般器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IT0/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。圖2中，橫坐標(biāo)為電流密度的大小，縱坐標(biāo)為流明效率的大小，曲線I為實施例1有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率的關(guān)系曲線，曲線2為對比例器件的電流密度與流明效率的關(guān)系曲線。從圖2可以看到，在不同電流密度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，最大的流明效率為2.91m/W，而對比例的僅為2.01m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明本發(fā)明所制備的散射層加強(qiáng)光的散射，降低空穴注入勢壘，提高空穴注入能力，提聞空穴傳輸速率，從而有利于提聞出光效率。
[0051]實施例2
[0052]本實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，每層依次為:玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、三兀摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。
[0053]所述金屬摻雜層和所述三元摻雜層組成所述散熱層。所述有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基底 /1Z0/UGH2: A1/UGH3: TCTA: W03/V205/TAPC/ADN/TAZ/CsN3/A1，其中斜桿“ / ” 表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表示相互摻雜。上述有機(jī)電致發(fā)光器件依次按如下步驟制備:
[0054](一)鍍膜的預(yù)處理
[0055]取出玻璃牌號為N-LAF36的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0056](二)陽極層的制備
[0057]將經(jīng)步驟(一)制備的玻璃基底置于磁控濺射設(shè)備下，將磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)置為300V的加速電壓、50G的磁場以及40W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設(shè)備在玻璃基底上制備材料為銦鋅氧化物且厚度為80nm的陽極層。
[0058](三)散射層的制備
[0059]將經(jīng)步驟(二)制備的玻璃基底置于熱阻蒸鍍設(shè)備下，將所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率設(shè)定為lnm/s，蒸發(fā)源設(shè)定為P- 二 (三苯基硅)苯和鋁，使用熱阻蒸鍍設(shè)備在陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為50nm,金屬摻雜層中p-二 (三苯基娃)苯和招的摻雜質(zhì)量比為1:2 ;
[0060]將所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源設(shè)定為1，3-雙(三苯基娃)苯、4，4’，4’三(咔唑-9-基)三苯胺和三氧化鎢，使用熱阻蒸鍍設(shè)備設(shè)備在金屬摻雜層上蒸鍍?nèi)獡诫s層，使三元摻雜層的厚度為200nm，三元摻雜層中1，3-雙(三苯基硅)苯、4，4’，4’’ -三(咔唑-9-基)三苯胺和三氧化鎢的摻雜質(zhì)量比為4:10:1，從而制得散熱層。
[0061](四)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0062]將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為lnm/s的蒸鍍速率和2X 10_3Pa的工作壓強(qiáng)，使用熱阻蒸鍍制備在三元摻雜層上依次蒸鍍材料為五氧化二釩且厚度為40nm的空穴注入層、材料為1，1_ 二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷且厚度為45nm的空穴傳輸層、材料為9，10- 二 -β -亞萘基蒽且厚度為8nm的發(fā)光層、材料為3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑且厚度為65nm的電子傳輸層、材料為疊氮銫且厚度為1nm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍制備的蒸鍍速率調(diào)節(jié)為1nm/s，使用熱阻蒸鍍制備在電子注入層上蒸渡材料為鋁且厚度為SOnm的陰極層，從而得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0063]實施例3
[0064]本實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，每層依次為:
[0065]玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、三兀摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。所述金屬摻雜層和所述三元摻雜層組成所述散熱層。該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/AZ0/UGH3: Pt/UGH1: NPB: V205/Mo03/TCTA/Alq3/TPBi/Cs2C03/Au,其中斜桿“/”表不層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表不相互摻雜。上述有機(jī)電致發(fā)光器件依次按如下步驟制備:
[0066](一)鍍膜的預(yù)處理
[0067]取出玻璃牌號為N-LASF31A的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0068](二)陽極層的制備
[0069]將經(jīng)步驟(一)制備的玻璃基底置于磁控濺射設(shè)備下，將磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)置為800V的加速電壓，200G的磁場，以及l(fā)W/cm2的功率密度，使用所述磁控濺射設(shè)備在所述玻璃基底上制備材料為鋁鋅氧化物且厚度為300nm的陽極層。
[0070](三)散射層的制備
[0071]將步驟(二)制備得的玻璃基底轉(zhuǎn)置于熱阻蒸鍍制備下，將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為lnm/s的蒸鍍速率和2 X KT3Pa的工作壓強(qiáng)，將所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源設(shè)定為1，3-雙(三苯基硅)苯和鉬，使用熱阻蒸鍍設(shè)備在陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為50nm，金屬摻雜層中1，3-雙(三苯基硅)苯和鉬的摻雜質(zhì)量比為1:5 ;
[0072]將所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源設(shè)定為二苯基二(O-甲苯基)硅、N，N' - (1-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺和五氧化二釩，使用電子束蒸鍍設(shè)備在金屬摻雜層上蒸鍍?nèi)獡诫s層，使三元摻雜層的厚度為80nm，三元摻雜層中二苯基二(ο-甲苯基)硅、N，N' - (1-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺和五氧化二釩的摻雜質(zhì)量比為10:30:1，從而制得散熱層。
[0073](四)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0074]將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為0.lnm/s的蒸鍍速率和5 X 10_5Pa的工作壓強(qiáng)，使用熱阻蒸鍍制備在三元摻雜層上依次蒸鍍材料為三氧化鑰且厚度為20nm的空穴注入層、材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺且厚度為60nm的空穴傳輸層、材料為8-羥基喹啉鋁且厚度為40nm的發(fā)光層、材料為N-芳基苯并咪唑且厚度為200nm的電子傳輸層、材料為碳酸銫且厚度為200nm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍制備的蒸鍍速率調(diào)節(jié)為Inm/s，使用熱阻蒸鍍制備在電子注入層上蒸渡材料為金且厚度為SOnm的陰極層，從而得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0075]實施例4
[0076]本實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，每層依次為:
[0077]玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、三兀摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。所述金屬摻雜層和所述三元摻雜層組成所述散熱層。該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為玻璃基底IT0/UGH4: Au/UGH4: NPB: Mo03/ff03/NPB/DCJTB/Bphen/LiF/Pt，其中斜桿“/”表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表示相互摻雜。上述有機(jī)電致發(fā)光器件依次按如下步驟制備:
[0078](一)鍍膜的預(yù)處理
[0079]取出玻璃牌號為N-LASF41A的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0080](二)陽極層的制備
[0081]將經(jīng)步驟(一)制備的玻璃基底置于磁控濺射設(shè)備下，將磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)設(shè)置為600V的加速電壓，100G的磁場，以及30W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設(shè)備在玻璃基底上制備材料為銦錫氧化物且厚度為ISOnm的陽極層。
[0082](三)散射層的制備
[0083]將經(jīng)步驟(二)制備的玻璃基底置于熱阻蒸鍍設(shè)備下將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為0.5nm/s的蒸鍍速率和2X10_4Pa的工作壓強(qiáng)，將熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源設(shè)定為P-雙(三苯基硅)苯和金，使用熱阻蒸鍍設(shè)備在玻璃基底上的陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為25nm，金屬摻雜層中p-雙(三苯基硅)苯和金的摻雜質(zhì)量比為1:3 ;
[0084]將蒸發(fā)源設(shè)定為P-雙(三苯基硅)苯、N，N' _(1-萘基)-隊& - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺和三氧化鑰，使用電子束蒸鍍設(shè)備在金屬摻雜層上蒸鍍?nèi)獡诫s層，使三元摻雜層的厚度為lOOnm，三元摻雜層中P-雙(三苯基硅)苯、N，N' -(1_萘基)-隊& -二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺和三氧化鑰的摻雜質(zhì)量比為6:20:1，從而制得散熱層。
[0085](四)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0086]將熱阻蒸鍍制備的工藝參數(shù)設(shè)置為0.5nm/s的蒸鍍速率和2 X 10_4Pa的工作壓強(qiáng)，使用熱阻蒸鍍制備在金屬摻雜層上依次蒸鍍材料為三氧化鎢且厚度為80nm的空穴注入層、材料為N，N' -(1-萘基)_隊& - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺且厚度為60nm的空穴傳輸層、材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃且厚度為1nm的發(fā)光層、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉且厚度為35nm的電子傳輸層、材料為氟化鋰且厚度為Inm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍制備的蒸鍍速率調(diào)節(jié)為6nm/s，使用熱阻蒸鍍制備在電子注入層上蒸渡材料為鉬且厚度為250nm的陰極層，從而得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0087]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，存在以下的優(yōu)點:本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件散熱層中的金屬摻雜層提高空穴的注入能力，加強(qiáng)光的散射，提高出光效率；三元摻雜層降低兩層之間的空穴注入勢壘，提高空穴傳輸速率，提高空穴注入效率，從而有利于提聞出光效率。
[0088]上述測試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0089]上述內(nèi)容，僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用于限制本發(fā)明的實施方案，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的主要構(gòu)思和精神，可以十分方便地進(jìn)行相應(yīng)的變通或修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，所述散射層包括金屬摻雜層與三元摻雜層；其中， 所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物； 所述有機(jī)娃小分子為二苯基二(ο-甲苯基)娃、ρ- 二 (三苯基娃)苯、1，3-雙(三苯基娃)苯或ρ-雙(三苯基娃)苯； 所述空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[Ν，Ν’_ 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的有機(jī)硅小分子與金屬的摻雜質(zhì)量比為1:2?1:5 ;所述有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物的摻雜質(zhì)量比為 4:10:1 ?10:30:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述高功函數(shù)金屬為銀、招、鉬或金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8以上，可見光透過率為90%以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為2(T50nm，所述三元摻雜層的厚度為8(T200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述陽極層的材質(zhì)為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物； 所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或隊& -(1-萘基)_隊& - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺； 所述發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑； 所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: Ca)在玻璃基底上通過磁控濺射設(shè)備來制備陽極層； (b)使用熱阻蒸鍍設(shè)備在步驟(a)制得的陽極層上制備金屬摻雜層，然后在所述金屬摻雜層上制備所述三元摻雜層，從而得到所述散熱層；其中， 所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括摻雜質(zhì)量比為1:2?1:5的有機(jī)硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三兀摻雜層的材質(zhì)包括摻雜質(zhì)量比為4:10:1?10:30:1的有機(jī)娃小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物； 所述的有機(jī)娃小分子為二苯基二(ο-甲苯基)娃、ρ- 二 (三苯基娃)苯、1，3-雙(三苯基娃)苯或ρ-雙(三苯基娃)苯； 所述的空穴傳輸材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺； 所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； (C)在步驟(b)制得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，從而得到所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(a)中，所述磁控濺射設(shè)備的加速電壓為30(T800V，磁場為5(T200G，功率密度為廣40 W/cm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(b)中，所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述金屬摻雜層的厚度為2(T50nm，所述三元摻雜層的厚度為80?200nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(C)中，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層以及所述電子傳輸層的蒸鍍速率為0.flnm/s，所述陰極層的蒸鍍速率為I?10nm/so
【文檔編號】H01L51/54GK104466003SQ201310438693
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司