電容耦合等離子體處理裝置中的噴頭電極組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電容耦合等離子體處理裝置中的噴頭電極組件，具體涉及用在電容耦合等離子體處理裝置中包括傳熱板的噴頭電極組件。該傳熱板具有獨立可控的氣體容積空間，該氣體容積空間可被增壓以局部控制加熱器構(gòu)件和冷卻構(gòu)件之間的熱導(dǎo)率，使得可在噴頭電極組件的暴露于等離子體的表面上形成均勻的溫度。
【專利說明】電容耦合等離子體處理裝置中的噴頭電極組件【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子體處理裝置，其中傳熱板用來控制被支撐在電容耦合等離子體處理裝置中的噴頭電極組件的溫度均勻性。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體襯底(“襯底”)制造往往包括將襯底暴露于等離子體以允許等離子體的反應(yīng)性組分修改該襯底的表面，例如，從襯底表面的無保護區(qū)域移除材料。由等離子體制造工藝導(dǎo)致的襯底特征依賴于工藝條件，該工藝條件包括等離子體特性和襯底溫度。例如，在一些等離子體工藝中，襯底表面上的臨界尺寸(即，特征寬度)可能每攝氏度襯底溫度改變約一納米。應(yīng)當(dāng)知道，在其它條件相同的襯底制造工藝之間，襯底溫度的差異會導(dǎo)致不同的襯底表面特征。因此，在等離子體處理過程中，襯底溫度的變化可引起不同襯底間的工藝結(jié)果的偏差。另外，中心到邊緣的襯底溫度變化可對每個襯底的裸片良率產(chǎn)生不利影響。
[0003]襯底制造中的總體目標(biāo)是要優(yōu)化每個襯底的裸片良率以及要以盡可能相同的方式制造通用型的每個襯底。為了滿足這些目標(biāo)，必須控制影響橫貫(across)單個襯底的等離子體處理特性和通用型的不同襯底之間的等離子體處理特性的制造參數(shù)。因為等離子體組分的反應(yīng)性與溫度成比例，所以襯底的溫度和暴露于等離子體的表面(plasma exposedsurface)的溫度可對橫貫襯底的等離子體處理結(jié)果和在不同襯底之間的等離子體處理結(jié)果有很大的影響。因此，在等離子體制造工藝中存在對改進溫度控制的持續(xù)需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]此處所公開的是等離子體處理室的噴頭電極組件，其包括噴頭電極、被構(gòu)造來支撐所述噴頭電極的溫度受控的頂板、被設(shè)置在所述溫度受控的頂板和所述噴頭電極之間的加熱器板、以及傳熱板。所述傳熱板被設(shè)置在所述噴頭電極和所述溫度受控的頂板之間，其中所述傳熱板包括多個獨立可控的氣體容積空間(volume)，所述多個獨立可控的氣體容積空間中的每一個被限定為與所述多個獨立可控的氣體容積空間中的其它氣體容積空間流體地隔離，使得所述多個獨立可控的氣體容積空間中的任意給定的一個內(nèi)的氣壓不影響所述多個獨立可控的氣體容積空間中的任何其它氣體容積空間內(nèi)的另一氣壓。
[0005]另外，此處所公開的是電容耦合等離子體處理裝置，其包括真空室、適于接收半導(dǎo)體襯底的下電極組件、以及如上所述的噴頭電極組件。至少一個真空端口被設(shè)置在所述真空室的底壁中，且被連接到能夠操作來使所述真空室維持在預(yù)定真空壓強下的至少一個真空泵。氣體源通過所述噴頭電極組件將工藝氣體供應(yīng)給所述真空室且RF能量源被配置來將所述工藝氣體激勵成等離子體狀態(tài)。
[0006]進一步地，此處所公開的是在電容耦合等離子體處理裝置中處理半導(dǎo)體襯底的方法。該方法包括將半導(dǎo)體襯底置于所述真空室內(nèi)的所述下電極組件的上表面上。所述傳熱板中的每一個獨立可控的氣體容積空間被維持在預(yù)定壓強以產(chǎn)生橫貫所述噴頭電極的暴露于等離子體的表面的理想溫度分布。橫貫所述噴頭電極的所述暴露于等離子體的表面的溫度被確定且每一個獨立可控的氣體容積空間中的壓強被調(diào)節(jié)以補償沿所述噴頭電極的所述暴露于等離子體的表面的溫度梯度。工藝氣體從氣體供應(yīng)源被供應(yīng)到所述真空室中，所述氣體被激勵成等離子體狀態(tài)，且接著用所述等離子體蝕刻所述半導(dǎo)體襯底。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1描繪了根據(jù)本文所描述的電極組件的優(yōu)選實施方式可以使用的示例性等離子體處理裝置。
[0008]圖2A、B示出了噴頭電極組件的優(yōu)選實施方式的剖面圖。
[0009]圖3A、B示出了傳熱板的示例性實施方式。
【具體實施方式】
[0010]本文所公開的是電容耦合等離子體處理裝置的噴頭電極組件，現(xiàn)在將參考本發(fā)明的如附圖所示的一些優(yōu)選實施方式詳細描述該噴頭電極組件。在下面的描述中，許多具體細節(jié)被闡述以便提供對本發(fā)明的透徹理解。但顯而易見的是，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，這些實施方式可在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下被實施。另一方面，公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)不會被詳細描述以免不必要地模糊本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“約”應(yīng)當(dāng)解釋為包括所列舉的值上浮或下浮10%的值。
[0011]圖1描繪了可被用來實施本文所描述的組件的優(yōu)選實施方式的示例性等離子體處理裝置100。該等離子體處理裝置是電容耦合等離子體處理真空室，其可產(chǎn)生等離子體。等離子體處理裝置100包括真空室102，真空室102包括室壁103。室壁103的內(nèi)表面優(yōu)選地是陽極化鋁和/或具有耐等離子體材料涂層，如熱噴涂氧化釔涂層。真空室102包括提供在室壁103中的襯底傳送狹縫118以傳送半導(dǎo)體襯底進出真空室102。
[0012]真空室102可包括具有暴露于等離子體的表面108的噴頭電極組件104。噴頭電極組件104可具有單件電極或多件電極。例如，噴頭電極組件104可具有包括噴頭電極板的單件構(gòu)造，或者其可包括噴頭電極板和外電極環(huán)。在后一種實施方式中，噴頭電極板和外電極環(huán)可任選地通過接合材料(如彈性體材料)與其接合的或者用合適的緊固件緊固在一起的石墨或金屬(比如鋁)板支撐。噴頭電極組件104可被設(shè)定尺寸以處理例如200mm的半導(dǎo)體襯底、300mm的襯底、甚或更大的襯底。噴頭電極組件104的噴頭電極板(包括多件構(gòu)造中的外電極環(huán))可以是硅(例如，單晶硅、多晶硅或無定形硅)或碳化硅的。裝置100包括用于供應(yīng)工藝氣體給噴頭電極組件104的氣體源(未圖示)。噴頭電極組件104優(yōu)選地由RF供應(yīng)源106經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)供電。在另一實施方式中，噴頭電極組件104的噴頭電極板可接地以提供用于由包括在真空室102的襯底支撐件111中的下電極供應(yīng)的功率的返回路徑，如下所述。
[0013]在圖1所示的裝置100的實施方式中，工藝氣體被供應(yīng)到真空室102中，在噴頭電極組件104和被支撐在襯底支撐件111上的半導(dǎo)體襯底10之間形成的等離子體區(qū)域處。襯底支撐件111優(yōu)選地包括通過靜電夾持力將半導(dǎo)體襯底10固定在襯底支撐件111上的靜電卡盤114 (“ESC”)。在實施方式中，ESC114可用作下電極且優(yōu)選地被RF功率源116偏置(通常通過匹配網(wǎng)絡(luò))。ESC114的上表面115優(yōu)選地具有與半導(dǎo)體襯底10大約相同的直徑。
[0014]在實施方式中，ESC114可進一步包括內(nèi)嵌的溫度控制模塊，該溫度控制模塊包括多個通道(未圖示)以提供加熱/冷卻區(qū)域。可以使用的示例性溫度控制模塊可在共同擁有的美國專利N0.8，083, 855中找到，在此通過參考將其全文并入。
[0015]襯底支撐件111可進一步包括用于橫貫噴頭電極組件104的暴露于等離子體的表面108測量溫度的至少一個溫度傳感器150。溫度傳感器150可以是激光干涉儀或者其它合適的傳感器，且優(yōu)選地被連接到用于處理由所述傳感器獲得的溫度測量結(jié)果的控制器。在替代實施方式中，溫度傳感器150可被并入噴頭電極組件104中。
[0016]真空室102可包括連接到至少一個真空泵(未圖示)的至少一個真空端口(未圖示)。真空泵適于在真空室102內(nèi)維持預(yù)定的真空壓強。工藝氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品通常朝由箭頭110所示的方向被所述泵抽出。
[0017]可以使用的示例性電容耦合等離子體反應(yīng)室是雙頻等離子體蝕刻反應(yīng)器(參見例如共同受讓的美國專利N0.6，090, 304，在此通過參考將該專利的全文并入)。在這樣的反應(yīng)器中，蝕刻氣體可從氣體供應(yīng)源被供應(yīng)給噴頭電極，而通過從兩個RF源供應(yīng)RF能量給噴頭電極和/或下電極可在反應(yīng)器中產(chǎn)生等離子體，或者噴頭電極可電氣接地而處于兩個不同頻率的RF能量可被供應(yīng)給下電極。
[0018]圖2A示出了被用在電容耦合等離子體室中的噴頭電極組件104的實施方式的剖面圖，噴頭電極組件104包括噴頭電極303和固定到噴頭電極303的可選的背襯構(gòu)件302、加熱器板304、以及溫度受控的頂板301。加熱器板304可具有任選的外加熱器構(gòu)件304a。噴頭電極303被設(shè)置在支撐半導(dǎo)體襯底10的襯底支撐件111上方(見圖1)。
[0019]溫度受控的頂板301可形成等離子體處理裝置的可移開的頂壁。噴頭電極303可包括內(nèi)電極構(gòu)件、以及可選的外電極構(gòu)件(未圖示)。內(nèi)電極構(gòu)件通常由單晶硅制成。如果需要，內(nèi)電極和外電極可由單件材料(如CVD碳化硅、單晶硅或其它合適材料)制成。
[0020]內(nèi)電極構(gòu)件可具有小于、等于、或大于待處理的半導(dǎo)體襯底的直徑，例如，直至200mm。就處理較大的半導(dǎo)體襯底(如300mm襯底或更大的襯底)而言，外電極構(gòu)件適用于擴大噴頭電極303的直徑。外電極構(gòu)件可以是連續(xù)的構(gòu)件(如，多晶硅或碳化硅構(gòu)件，比如環(huán))、或者是分段的構(gòu)件(如，布置為環(huán)構(gòu)造的2-6個分離的區(qū)段，比如單晶硅的分段)。替代地，該噴頭可以是整體部件。
[0021]噴頭電極303優(yōu)選地包括用于將工藝氣體注入噴頭電極303下方的真空室102中的空間的多個氣體通道。外電極優(yōu)選地可在噴頭電極303的外圍形成凸起的臺階。臺階式電極的進一步的細節(jié)可在共同擁有的美國專利N0.6，824，627中找到，其公開內(nèi)容通過參考并入此處。
[0022]在實施方式中，噴頭電極組件104包括用于控制噴頭電極組件104中的熱傳遞的傳熱板220。傳熱板220被設(shè)置在加熱器板304和溫度受控頂板301之間且適于包含傳熱氣體，傳熱氣體可被增壓以增加加熱器板304和溫度受控頂板301之間的熱導(dǎo)率。在替代實施方式中，如圖2B中所示，傳熱板220可被設(shè)置在加熱器板304和噴頭電極303之間。傳熱板220包括多個氣體容積空間(gas volume)，其中每一個氣體容積空間是獨立可控的使得任意給定的氣體容積空間內(nèi)的氣壓不影響該多個獨立可控的氣體容積空間中的任何其它氣體容積空間內(nèi)的另一氣壓。
[0023]當(dāng)傳熱板220中的獨立可控的氣體容積空間經(jīng)歷氣壓的增加時，鄰近傳熱板220的元件(比如舉例來說，溫度受控頂板和加熱器板)之間的熱耦合也增加。熱耦合的增加可被用來快速加熱噴頭電極組件104以便為半導(dǎo)體襯底處理作準(zhǔn)備，或者可被用來補償橫貫噴頭電極組件104的暴露于等離子體的表面的熱梯度并提供更均勻的蝕刻結(jié)果。此外，氣體可從傳熱板220的獨立可控的氣體容積空間排出，其中傳熱板220用作為絕緣體，而噴頭電極組件104中的溫度可被維持。
[0024]多個獨立可控的氣體容積空間可保持增壓的傳熱氣體，例如，氦、氖、氬、氮、或其混合物。優(yōu)選地，所用的傳熱氣體是氦。導(dǎo)氣管(未圖示)被提供在溫度受控的頂板301中以與各個獨立可控的氣體容積空間流體連通。在等離子體處理過程中，傳熱氣體可經(jīng)由導(dǎo)氣管被供應(yīng)或排出，以在多個獨立可控的氣體容積空間內(nèi)達到指定氣壓。
[0025]所述氣體容積空間被優(yōu)選地排布以橫貫傳熱板220的至少一部分徑向地和/或呈環(huán)形地延伸。通過控制多個獨立可控的氣體容積空間中的每一個內(nèi)的氣壓，并因此控制溫度受控頂板301和加熱器板304之間或者替代地加熱器板304和噴頭電極303之間的熱導(dǎo)率，可在噴頭電極303的暴露于等離子體的表面上形成指定的徑向溫度梯度。在一實施方式中，特定的獨立可控的氣體容積空間內(nèi)的氣壓可被控制在從約0托擴展至約1個大氣壓的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，特定的獨立可控的氣體容積空間內(nèi)的氣壓可在從約0托擴展至約10托的范圍內(nèi)。在一實施方式中，氦氣被供應(yīng)給各氣體容積空間。但是，在其它實施方式中，其它類型的氣體或氣體混合物(例如，氮)可被供應(yīng)給各氣體容積空間。
[0026]圖3A、B示出了傳熱板220的實施方式的俯視圖。傳熱板包括多個獨立可控的氣體容積空間，該多個獨立可控的氣體容積空間中的每一個被限定為與該多個獨立可控的氣體容積空間中的其它氣體容積空間流體地隔離。該多個獨立可控的氣體容積空間中的任意給定的一個內(nèi)的氣壓不影響該多個獨立可控的氣體容積空間中的任何其它氣體容積空間內(nèi)的另一氣壓。
[0027]如圖3A中所示，傳熱板220可包括16個徑向延伸的獨立可控的氣體容積空間。所述氣體容積空間中的8個位于傳熱板220的內(nèi)側(cè)區(qū)域401中而剩余的8個氣體容積空間則位于該傳熱板的外側(cè)區(qū)域402中。每一個獨立可控的氣體容積空間圍繞傳熱板220的圓周延伸約38° -45。。
[0028]圖3B示出了傳熱板220，其中傳熱板220包括位于傳熱板220的中心處的第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間420以及自第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間徑向向外的3個同中心的環(huán)形的獨立可控的氣體容積空間421a、b、c。但顯然，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，傳熱板220可具有多于三個或少于三個的同中心的環(huán)形的獨立可控的氣體容積空間。
[0029]另外，雖然傳熱板220被描述為具有徑向延伸的溫度控制容積空間(見圖3A)，但應(yīng)當(dāng)知道的是，在其它實施方式中，傳熱板220內(nèi)的各個獨立可控的氣體容積空間可被限定為與非徑向的幾何構(gòu)造對應(yīng)。例如，在其它實施方式中，傳熱板220內(nèi)的各個氣體容積空間可被限定在六角劃分的(hexagonally divided)構(gòu)造中或者被限定在四角劃分的(quadrant divided)構(gòu)造中。
[0030]在噴頭電極組件中，傳熱板220可局部增加或降低加熱器板304和溫度受控頂板301之間或替代地加熱器板304和噴頭電極303之間的熱導(dǎo)率。對噴頭電極組件中的熱導(dǎo)率的更大的控制允許橫貫等離子體處理裝置中的噴頭電極組件的暴露于等離子體的表面獲得更均勻的溫度。
[0031]再參考圖1，半導(dǎo)體襯底10在電容耦合等離子體處理裝置100中被處理。處理的方法包括將半導(dǎo)體襯底10置于真空室102內(nèi)的襯底支撐件111的上表面113上。接著，傳熱板202中的每一個獨立可控的氣體容積空間被增壓至預(yù)定壓強以獲得橫貫噴頭電極組件104的暴露于等離子體的表面108的理想溫度分布。然后，橫貫噴頭電極組件104的暴露于等離子體的表面108的溫度的測量結(jié)果被確定且每一個獨立可控的氣體容積空間中的壓強被原位調(diào)節(jié)以補償橫貫噴頭電極的暴露于等離子體的表面的溫度梯度。接著，工藝氣體從氣體供應(yīng)源被供應(yīng)到真空室102中，該工藝氣體被激勵成等離子體狀態(tài)，并用該等離子體蝕刻半導(dǎo)體襯底。
[0032]在替代實施方式中，橫貫暴露于等離子體的表面108的溫度梯度在蝕刻的同時被測量，且每一個獨立可控的氣體容積空間中的壓強的原位調(diào)節(jié)通過減少沿噴頭電極組件104的暴露于等離子體的表面108的溫度梯度被完成以增強蝕刻的均勻性。
[0033]雖然已參考本發(fā)明的【具體實施方式】對本發(fā)明進行了詳細描述，但對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然可以進行各種改變和修改，且可采用等同方式，卻不會背離所附權(quán)利要求書的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理室的噴頭電極組件，其包括:噴頭電極；溫度受控的頂板，其被構(gòu)造來支撐所述噴頭電極；加熱器板，其被設(shè)置在所述溫度受控的頂板和所述噴頭電極之間；以及傳熱板，其被設(shè)置在所述噴頭電極和所述溫度受控的頂板之間，其中所述傳熱板包括多個獨立可控的氣體容積空間，所述多個獨立可控的氣體容積空間中的每一個與所述多個獨立可控的氣體容積空間中的其它氣體容積空間流體地隔離，使得所述多個獨立可控的氣體容積空間中的任意給定的一個內(nèi)的氣壓不影響所述多個獨立可控的氣體容積空間中的任何其它氣體容積空間內(nèi)的另一氣壓。
2.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述傳熱板被設(shè)置在所述溫度受控頂板和所述加熱器板之間。
3.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述傳熱板被設(shè)置在所述加熱器板和所述噴頭電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述獨立可控的氣體容積空間能夠具有徑向構(gòu)造、非徑向構(gòu)造、六角劃分構(gòu)造、八角劃分構(gòu)造、或者四角劃分構(gòu)造。
5.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述傳熱板包括16個徑向延伸的獨立可控的氣體容積空間，其中8個氣體容積空間位于所述傳熱板的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，8個氣體容積空間位于所述傳熱板的外側(cè)區(qū)域中，每一個獨立可控的氣體容積空間圍繞所述傳熱板的圓周延伸約38。至45。。
6.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述傳熱板包括第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間以及自所述第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間徑向向外的3個同中心的環(huán)形的獨立可控的氣體容積空間。
7.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中供應(yīng)給所述傳熱板的所述獨立可控的氣體容積空間的氣體是氦、氖、氬、氮、或其混合物。
8.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其進一步包括至少一個傳感器，所述至少一個傳感器被配置來確定橫貫所述噴頭電極的暴露于等離子體的表面的溫度梯度。
9.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述獨立可控的氣體容積空間中的每一個能被增壓至約0托至約1個大氣壓的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件，其中所述獨立可控的氣體容積空間中的每一個能被增壓至約ο托至約10托的范圍內(nèi)。
11.一種電容耦合等離子體處理裝置，其包括:真空室；適于接收半導(dǎo)體襯底的下電極組件；如權(quán)利要求1所述的噴頭電極組件；底壁中的至少一個真空端口，其被連接到能夠操作來使所述真空室維持在預(yù)定真空壓強下的至少一個真空泵；氣體源，其能夠操作來通過所述噴頭電極組件將工藝氣體供應(yīng)給所述真空室；以及RF能量供應(yīng)源，其被配置來將所述工藝氣體激勵成等離子體狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述傳熱板被設(shè)置在所述溫度受控的頂板和所述加熱器板之間或者所述傳熱板被設(shè)置在所述加熱器板和所述噴頭電極之間。
13.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述傳熱板的所述獨立可控的氣體容積空間能夠具有徑向構(gòu)造、非徑向構(gòu)造、六角劃分構(gòu)造、八角劃分構(gòu)造、或者四角劃分構(gòu)造。
14.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述傳熱板包括16個徑向延伸的獨立可控的氣體容積空間，其中8個氣體容積空間位于所述傳熱板的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，8個氣體容積空間位于所述傳熱板的外側(cè)區(qū)域中，每一個獨立可控的氣體容積空間圍繞所述傳熱板的圓周延伸約38°至45°。
15.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述傳熱板包括第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間以及自所述第一圓筒形獨立可控的氣體容積空間徑向向外的3個同中心的環(huán)形的獨立可控的氣體容積空間。
16.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述獨立可控的氣體容積空間中的每一個能被增壓至約0托至約1個大氣壓的范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其中所述獨立可控的氣體容積空間中的每一個能被增壓至約0托至約10托的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置，其進一步包括至少一個傳感器，所述至少一個傳感器被配置來確定橫貫所述噴頭電極的暴露于等離子體的表面的溫度梯度。
19.一種使用如權(quán)利要求11所述的電容耦合等離子體處理裝置蝕刻電容耦合等離子體處理裝置中的半導(dǎo)體襯底的方法，其包括:將半導(dǎo)體襯底置于所述真空室內(nèi)的所述下電極組件的上表面上；使所述噴頭電極組件中所包括的所述傳熱板中的每一個獨立可控的氣體容積空間增壓至預(yù)定壓強以產(chǎn)生橫貫所述噴頭電極的暴露于等離子體的表面的理想溫度分布；橫貫所述噴頭電極的所述暴露于等離子體的表面測量至少一個溫度；原位調(diào)節(jié)每一個獨立可控的氣體容積空間中的所述壓強以補償橫貫所述噴頭電極的所述暴露于等離子體的表面的溫度梯度；從氣體供應(yīng)源將氣體供應(yīng)到所述真空室中；以及將所述氣體激勵成等離子體狀態(tài)并用所述等離子體蝕刻所述半導(dǎo)體襯底。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其進一步包括在蝕刻的同時測量橫貫所述暴露于等離子體的表面的溫度梯度，并通過減少沿所述噴頭電極的所述暴露于等離子體的表面的溫度梯度來原位調(diào)節(jié)每一個獨立可控的氣體容積空間中的所述壓強以達到更均勻的蝕刻。
【文檔編號】H01L21/3065GK103681304SQ201310442286
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】南尚紀, 拉金德爾·迪恩賽, 賴安·拜斯 申請人:朗姆研究公司