薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及刻蝕工藝，公開(kāi)了一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用，所述薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝包括主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下：在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30～40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125～150標(biāo)況毫升每分，壓力為35～45毫托，負(fù)偏壓為-220～-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30～40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125～150標(biāo)況毫升每分，壓力為35～45毫托，負(fù)偏壓為-220～-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可大大提高鋁比氧化層的選擇比，減少柵氧損失，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及刻蝕工藝，特別是涉及一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用。

【背景技術(shù)】
[0002] 鋁刻蝕是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域主要的刻蝕工藝之一，主要作用是將設(shè)計(jì)的金屬柵及連 線(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品上，從而實(shí)現(xiàn)柵極或者連線(xiàn)的作用。6寸半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)的鋁刻蝕機(jī)一般 為應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)和LAM9600鋁刻蝕機(jī)。
[0003] 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)用常規(guī)的方法能做的最大選擇比A1/ 0X (鋁比氧化層）為3/1，因?yàn)閼?yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)設(shè)備本身硬件構(gòu)造的特性導(dǎo)致其各 向異性能力很弱，在鋁刻蝕過(guò)程中必須增加偏壓，加強(qiáng)各向異性的刻蝕，才能保證鋁形貌符 合產(chǎn)品規(guī)范要求，這樣則必然會(huì)導(dǎo)致較低的鋁對(duì)氧化層的選擇比。應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī) 作業(yè)模式為爐式(單腔多片，一次最多可同時(shí)放18片)，存在一定的片間差異。
[0004] 薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝，因?yàn)槠湟r底氧化層非常的薄，要求刻蝕對(duì)襯底損傷越小 越好，對(duì)鋁刻蝕機(jī)臺(tái)工藝的鋁對(duì)氧化層的選擇比要求非常高。薄場(chǎng)鋁柵產(chǎn)品的柵氧非常的 薄，只有520埃（A )左右，過(guò)低的選擇比使得應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)極難實(shí)現(xiàn)薄場(chǎng)鋁柵的 鋁刻蝕。
[0005] 2. 5微米薄場(chǎng)鋁柵工藝,鋁下的柵氧僅520 A ( +/-25 A )，且在干法刻蝕之后要 保留150 A以上的柵氧，即柵氧損失最大點(diǎn)只能為370人;而現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用材料8330鋁 刻蝕機(jī)米用標(biāo)準(zhǔn)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體）工藝進(jìn)行鋁刻蝕時(shí)，采用氯氣、三氯化硼和三氟甲烷的混合氣體來(lái)刻蝕金屬鋁，當(dāng)刻蝕 薄場(chǎng)鋁柵的鋁層時(shí)，存在鋁對(duì)氧化層的選擇比過(guò)低的技術(shù)問(wèn)題，一般刻蝕12000人的鋁，柵 氧損失一般在1000?2600A，遠(yuǎn)大于柵氧允許的最大損失320 A。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)的缺陷在于，薄場(chǎng)鋁柵在應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)上采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝 作業(yè)時(shí)，鋁對(duì)氧化層的選擇比較低，導(dǎo)致柵氧易被刻穿，并損傷襯底，造成產(chǎn)品報(bào)廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的是提供一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用，用以提高鋁對(duì)氧化層 的選擇比，減少棚氧損失，提1?廣品良率。
[0008] 本發(fā)明涉及一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝，包括主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟，所述工 藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下：
[0009] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0010] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0011] 在本發(fā)明技術(shù)方案中，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，降低負(fù)偏壓，增加了氯氣流量并增 大了壓力，大大提高了鋁比氧化層的選擇比，進(jìn)而減少柵氧損失，避免損傷襯底，提高產(chǎn)品 的良率。
[0012] 作為優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如 下：
[0013] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0014] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，壓力為40毫托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0015] 作為優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如 下：
[0016] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0017] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0018] 在本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案中，引入氮?dú)?，由于氮?dú)饪膳c鋁條側(cè)壁生成氮化鋁，因此 很好地保護(hù)了鋁條側(cè)壁，并獲得了很好的均勻性。
[0019] 作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕 條件如下：
[0020] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉 錄占.
[0021] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí) 長(zhǎng)為1分鐘。
[0022] 作為更進(jìn)一步優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻 蝕條件如下：
[0023] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0024] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為 1分鐘。
[0025] 對(duì)上述任一項(xiàng)所述工藝，在所述過(guò)刻蝕步驟之后還包括對(duì)所述薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行濕法 刻蝕。
[0026] 為了保證無(wú)硅渣，還需要對(duì)過(guò)刻蝕步驟之后的薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行濕法刻蝕，用于去除 硅渣，例如，采用Freckle藥液進(jìn)行濕法掃硅渣。
[0027] 本發(fā)明還涉及上述工藝在使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕中 的應(yīng)用。
[0028] 本發(fā)明提供的薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝，降低負(fù)偏壓、增加氯氣的流量，并且增大壓 力，大大提高了 A1/0X的選擇比；引入氮?dú)?，很好地保護(hù)了鋁條側(cè)壁，并獲得了很好的均勻 性；襯底無(wú)損傷，柵氧僅刻蝕290 A左右。與應(yīng)用材料8330標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相比，本發(fā)明所 提供的應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)優(yōu)化后薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝的均勻性和選擇比均有很大 的改善，因?yàn)閼?yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)本身各向異性能力較弱及濕法刻蝕去除硅渣的引入， 本發(fā)明所提供的應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)優(yōu)化后薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝刻蝕后檢驗(yàn)關(guān)鍵 尺寸（After Etching Inspection Critical Dimension，簡(jiǎn)稱(chēng) AEI CD)，即最小錯(cuò)條寬度， 比LAM9600鋁刻蝕機(jī)小0. 3um，更接近規(guī)范的中心值，能包住前層的孔，且輪廓角度大于85 度，符合產(chǎn)品要求。在線(xiàn)的外觀檢驗(yàn)、關(guān)鍵尺寸及殘氧的測(cè)量均符合產(chǎn)品的要求，圓片測(cè)試 (Wafer Acceptance Test,簡(jiǎn)稱(chēng)WAT)及封裝前對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試（Chip Prober,簡(jiǎn)稱(chēng)CP)的 良率也正常，并可與LAM9600匹配。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 為了提高對(duì)薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行鋁刻蝕時(shí)鋁比氧化層的選擇比，本發(fā)明實(shí)施例提供一種 場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝及其應(yīng)用。在該技術(shù)方案中，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，降低負(fù)偏壓，增加 了氯氣流量并增大了壓力，大大提高了鋁比氧化層的選擇比，進(jìn)而減少柵氧損失，避免損傷 襯底，提高了產(chǎn)品的良率。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下舉具體實(shí)施 例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0030] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝，包括主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟， 所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下：
[0031] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0032] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0033] 上述主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟的鋁刻蝕條件可用以下方式表示：
[0034] 主刻蝕：
[0035] 30 ?40sccm Cl2/125 ?150sccm BCl3/35 ?45mTor;r/-220 ?-180V/EPD ;
[0036] 過(guò)刻蝕：
[0037] 30 ?40sccm Cl2/125 ?150sccm BCl3/35 ?45mTor;r/-220 ?-180V/01:00。
[0038] 其中，seem 即標(biāo)況毫升每分，全稱(chēng)為 Standard-state Cubic Centimeter per Minute，其為體積流量單位；Cl2為氯氣；BC13為三氯化硼；mTorr即毫托，壓力單位；V即伏 特，簡(jiǎn)稱(chēng)伏，偏壓?jiǎn)挝唬籈H)即自動(dòng)捕捉終點(diǎn)，全稱(chēng)為End PointDetector ;01:00表示一分 鐘。后續(xù)列舉的具體實(shí)施例采用該方式表示主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟的鋁刻蝕條件。
[0039] 在本發(fā)明實(shí)施例中，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，降低負(fù)偏壓，增加了氯氣流量并增大 了壓力，大大提高了鋁比氧化層的選擇比，進(jìn)而減少柵氧損失，避免損傷襯底，提高產(chǎn)品的 良率。更優(yōu)選的，在主刻蝕和過(guò)刻蝕中，氯氣的流量為32?38SCCm，三氯化硼的流量為 128?135sccm，壓力為38?42mTorr，負(fù)偏壓為-195?-205V，主刻蝕自動(dòng)捕捉終點(diǎn)，過(guò)刻 蝕時(shí)長(zhǎng)為一分鐘。
[0040] 作為優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如 下：
[0041] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0042] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況毫 升每分，壓力為40毫托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0043] 本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁 刻蝕條件如下：
[0044] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0045] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
[0046] 在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，引入氮?dú)?，由于氮?dú)饪膳c鋁條側(cè)壁生成氮化鋁，因此很 好地保護(hù)了鋁條側(cè)壁，并獲得了很好的均勻性。
[0047] 作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕 條件如下：
[0048] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉 錄占.
[0049] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí) 長(zhǎng)為1分鐘。
[0050] 作為更進(jìn)一步優(yōu)選，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻 蝕條件如下：
[0051] 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)；
[0052] 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況毫升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況毫 升每分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為 1分鐘。
[0053] 對(duì)上述任一實(shí)施例所述工藝，在所述過(guò)刻蝕步驟之后還包括對(duì)所述薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行 濕法刻蝕。為了保證無(wú)硅渣，還需要對(duì)過(guò)刻蝕步驟之后的薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行濕法刻蝕，用于去除 硅渣，例如，采用Freckle藥液進(jìn)行濕法掃硅渣。
[0054] 在上述實(shí)施例中，若工藝要求柵氧層比較薄，且要求刻蝕后還有一定厚度的柵氧 殘留，則可增加氯氣的流量，同時(shí)增加氮?dú)獾牧髁?，?lái)達(dá)到鋁條側(cè)壁形貌能滿(mǎn)足要求的前提 下，殘留的氧化層厚度達(dá)到要求。
[0055] 本發(fā)明實(shí)施例還涉及上述工藝在使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行薄場(chǎng)鋁柵的鋁 刻蝕中的應(yīng)用。
[0056] 在對(duì)薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行鋁刻蝕之前包括：在襯底上形成柵氧層及覆蓋柵氧層的鋁金屬 層；在鋁金屬層表面上形成光刻膠層，覆蓋所述鋁金屬層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行光刻，在所 述光刻膠層上形成所需要的刻蝕的區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例提供的是利用應(yīng)用材料8330鋁刻 蝕機(jī)對(duì)所述區(qū)域進(jìn)行薄場(chǎng)鋁柵的刻蝕，形成所需要的圖形。在刻蝕之后還要去除所述光刻 月父層。
[0057] 以下列舉具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明所提供的薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝。但本發(fā)明并不限于 下述實(shí)施例。
[0058] 應(yīng)用材料8330標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝：
[0059] 主刻蝕：21sccm Cl2/145sccm BCl3/14sccm CHF3/25mTorr/-250V/EPD (自動(dòng)捕捉 錄占）.
[0060] 過(guò)刻蝕：21sccm Cl2/145sccm BCl3/14sccm CHF3/25mTorr/-250V/8:30。
[0061] 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的主刻蝕(過(guò)刻蝕與主刻蝕一致）A1/0X選擇比為2. 5 :1，而應(yīng)用材 料8330作業(yè)薄場(chǎng)鋁柵至少需要提升A1/0X選擇比至8/1，同時(shí)保證Unif (均勻性)〈10%，否 則無(wú)法保證Rox (剩余氧化層）> 150
[0062] 為了滿(mǎn)足應(yīng)用材料8330作業(yè)薄場(chǎng)鋁柵的這些條件，發(fā)明人引進(jìn)N2，并對(duì)壓力、負(fù)偏 壓、Cl2、N2和BC13五個(gè)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。
[0063] 優(yōu)化結(jié)果見(jiàn)表1。
[0064] 表1 :應(yīng)用材料8330作業(yè)薄場(chǎng)鋁柵工藝的參數(shù)優(yōu)化結(jié)果
[0065]

【權(quán)利要求】
1. 一種薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕工藝，其特征在于，包括主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟，所述工藝 使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下： 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為125?150 標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)； 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為125?150 標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
2. 如權(quán)利要求1所述工藝，其特征在于，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄 場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下： 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，壓力為40毫托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)； 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
3. 如權(quán)利要求1所述工藝，其特征在于，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄 場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下： 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)； 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為30?40標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為125? 150標(biāo)況暈升每分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為35?45暈托，負(fù)偏壓 為-220?-180伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分鐘。
4. 如權(quán)利要求3所述工藝，其特征在于，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄 場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下： 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終 占. 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，氮?dú)獾牧髁繛?0?80標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為 1分鐘。
5. 如權(quán)利要求4所述工藝，其特征在于，所述工藝使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行，薄 場(chǎng)鋁柵的鋁刻蝕條件如下： 在主刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，自動(dòng)捕捉終點(diǎn)； 在過(guò)刻蝕步驟中，氯氣的流量為35標(biāo)況暈升每分，三氯化硼的流量為130標(biāo)況暈升每 分，氮?dú)獾牧髁繛?5標(biāo)況暈升每分，壓力為40暈托，負(fù)偏壓為-200伏，過(guò)刻蝕時(shí)長(zhǎng)為1分 鐘。
6. 如權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述工藝，其特征在于，在所述過(guò)刻蝕步驟之后還包括對(duì)所 述薄場(chǎng)鋁柵進(jìn)行濕法刻蝕。
7. 權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述工藝在使用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機(jī)進(jìn)行薄場(chǎng)鋁柵的鋁 刻蝕中的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104517821SQ201310446635
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】李方華, 宋磊, 陳定平 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司