發(fā)光器件封裝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光器件封裝，包括：封裝體；至少一個(gè)電極圖案，設(shè)置在所述封裝體上；至少一個(gè)發(fā)光器件，電連接至所述電極圖案；散熱元件，插入在所述封裝體中以與所述發(fā)光器件熱接觸；以及抗斷裂層，設(shè)置在所述散熱元件上。所述抗斷裂層與所述散熱元件的至少部分外周區(qū)域垂直重疊。根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的發(fā)光器件封裝，抗斷裂層可以抵消施加到對(duì)應(yīng)于散熱元件的邊緣處的第三陶瓷層的區(qū)域的應(yīng)力，這可以導(dǎo)致發(fā)光器件封裝在耐久性方面的增強(qiáng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光器件封裝
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求享有于2012年9月25日在韓國(guó)遞交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2012-0106341號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]實(shí)施例涉及發(fā)光器件封裝。
【背景技術(shù)】
[0004]由于器件材料和薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展，發(fā)光器件(例如使用II1-V族或I1-VI族化合物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管(led)或激光二極管(LD))能夠發(fā)出各種顏色的光，例如紅光、綠光、藍(lán)光和紫外光等。此外，這些發(fā)光器件通過(guò)使用熒光物質(zhì)或顏色組合能夠發(fā)出高效率的白光，且與傳統(tǒng)光源(例如熒光燈、白熾燈等)相比，具有功耗低、半永久性使用壽命、響應(yīng)時(shí)間快、安全和環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]因此，發(fā)光器件的應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展到光通信裝置的傳輸模塊、用于替代用作液晶顯示器(LCD)裝置的背光源的冷陰極熒光燈(CCFL)的LED背光源、用于替代熒光燈或白熾燈的白色LED照明裝置、車(chē)輛的頭燈以及交通燈。
[0006]—種發(fā)光器件封裝包括:第一電極和第二電極，布置在封裝體上方；以及發(fā)光器件，布置在封裝體的下表面且電連接至第一電極和第二電極。
[0007]圖1是示出傳統(tǒng)發(fā)光器件封裝的視圖。
[0008]發(fā)光器件封裝100可包括:內(nèi)部限定有腔體的封裝體IlOaUlOb和IlOc ;以及設(shè)置在腔體底面上的發(fā)光器件140。散熱元件130可以設(shè)置在位于封裝體IlOc下方的封裝體IlOa和IlOb中。散熱元件130和發(fā)光器件140可以經(jīng)由導(dǎo)電粘合劑層(未示出)被固定。
[0009]腔體填充有模鑄部(molding part) 150以包圍并保護(hù)發(fā)光器件140。模鑄部150可包含突光物質(zhì)160。突光物質(zhì)160通過(guò)從發(fā)光器件140發(fā)出的第一波長(zhǎng)帶的光被激勵(lì)(excite),從而發(fā)出第二波長(zhǎng)帶的光。
[0010]然而，傳統(tǒng)發(fā)光器件封裝具有以下問(wèn)題。
[0011]在圖1中，散熱元件130可以由高導(dǎo)熱材料形成，使得從發(fā)光器件封裝100的發(fā)光器件140產(chǎn)生的熱量通過(guò)散熱元件130被散發(fā)。
[0012]在這種情況下，如果發(fā)生散熱元件130的熱膨脹，則這可能導(dǎo)致發(fā)光器件140受損。為此原因，例如，可以在散熱元件130上方設(shè)置陶瓷層120，以防止發(fā)光器件140由于散熱元件130的熱膨脹而受損。
[0013]然而，當(dāng)陶瓷層120被設(shè)置在散熱元件130上方時(shí)，由于散熱元件130的熱膨脹系數(shù)與封裝體IlOb的熱膨脹系數(shù)之間不匹配，在用于制造陶瓷封裝的共燒(co-firing)工藝期間，應(yīng)力可能被施加到位于散熱元件130和封裝體IlOb的邊界上方的陶瓷層120。這可能導(dǎo)致在如圖1的區(qū)域“A”中示意性示出的共燒封裝內(nèi)的陶瓷層120斷裂。也就是說(shuō)，陶瓷層120可能由于不同種類(lèi)材料之間的熱膨脹系數(shù)不匹配而受損，并且在長(zhǎng)時(shí)間操作(extendedoperation)或者在高濕度環(huán)境下操作之后，發(fā)光器件封裝100在氣密密封耐久性方面的退化可能導(dǎo)致使用壽命降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]實(shí)施例提供一種具有增強(qiáng)的氣密密封耐久性的發(fā)光器件封裝。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件封裝包括:封裝體；至少一個(gè)電極圖案，設(shè)置在所述封裝體上；至少一個(gè)發(fā)光器件，電連接至所述電極圖案；散熱元件，插入到所述封裝體中以與所述發(fā)光器件熱接觸；以及抗斷裂層，設(shè)置在所述散熱元件上，其中所述抗斷裂層與所述散熱元件的至少部分外周區(qū)域垂直重疊。
[0016]所述抗斷裂層可具有開(kāi)口區(qū)域，且所述發(fā)光器件可以位于所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。
[0017]所述散熱元件可以由鎢銅(CuW)形成。
[0018]所述封裝體可包括多個(gè)第一陶瓷層。
[0019]所述抗斷裂層可以由第二陶瓷層組成。
[0020]所述散熱元件可具有第一水平橫截面面積以及不同于所述第一水平橫截面面積的第二水平橫截面面積。
[0021]所述散熱元件的在對(duì)應(yīng)于一個(gè)第一陶瓷層的高度處的水平橫截面面積與所述散熱元件的在對(duì)應(yīng)于另一個(gè)第一陶瓷層的高度處的水平橫截面面積不同。
[0022]所述散熱元件可以設(shè)置有擴(kuò)展部，所述擴(kuò)展部在對(duì)應(yīng)于不同的第一陶瓷層的邊界的區(qū)域處。
[0023]包括所述抗斷裂層的所述第二陶瓷層的厚度可以是所述封裝體的具有不同厚度的所述第一陶瓷層之一的最小厚度的0.5到I倍。
[0024]所述開(kāi)口區(qū)域的面積在朝向所述發(fā)光器件的方向上可以小于所述散熱元件的橫截面面積之一。
[0025]所述抗斷裂層的所述開(kāi)口區(qū)域的面積可以小于所述散熱元件的最小橫截面面積。
[0026]所述抗斷裂層的所述開(kāi)口區(qū)域的面積可以小于所述散熱元件的最大橫截面面積且大于所述散熱元件的最小橫截面面積。
[0027]所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上可以具有最大橫截面面積。
[0028]所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度可以是所述散熱元件在相反方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度的1.1到1.2倍。
[0029]所述發(fā)光器件封裝還可包括第三陶瓷層，設(shè)置在所述散熱元件與所述抗斷裂層之間，且所述發(fā)光器件可通過(guò)所述第三陶瓷層與所述散熱元件熱接觸。
[0030]所述發(fā)光器件可發(fā)出近紫外光或深紫外光。
[0031]所述封裝體和所述抗斷裂層中的至少一個(gè)可包括Si02、SixOy, Si3Ny, SiOxNy, Al2O3或AlN中的至少一個(gè)。
[0032]根據(jù)另一方案，一種發(fā)光器件封裝包括:封裝體；至少一個(gè)電極圖案，設(shè)置在所述封裝體上；至少一個(gè)發(fā)光器件，電連接至所述電極圖案；以及散熱元件，布置在所述封裝體中與所述發(fā)光器件熱接觸，所述散熱元件在所述散熱元件的部分邊緣區(qū)域處設(shè)置擴(kuò)展部，其中所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上除所述擴(kuò)展部之外的的區(qū)域具有最大橫截面面積。[0033]根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝，即使散熱元件在制造器件封裝時(shí)實(shí)施共燒工藝之后熱膨脹，第三陶瓷層和抗斷裂層仍然可以容許由散熱元件的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力。特別地，抗斷裂層可以抵消施加到對(duì)應(yīng)于散熱元件邊緣的區(qū)域處第三陶瓷層的應(yīng)力，這可以導(dǎo)致發(fā)光器件封裝在耐久性方面的增強(qiáng)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]可參照如下的附圖來(lái)詳細(xì)描述布置方式和實(shí)施例，其中類(lèi)似的附圖標(biāo)記指代類(lèi)似的元件，其中:
[0035]圖1是示出傳統(tǒng)的發(fā)光器件封裝的視圖；
[0036]圖2是示出發(fā)光器件封裝的實(shí)施例的剖面圖；
[0037]圖3A到圖3C是示意性示出圖2的散熱元件與抗斷裂層之間的位置關(guān)系的實(shí)施例的視圖；
[0038]圖4A到圖4C是示出圖2的抗斷裂層的不同實(shí)施例的視圖；
[0039]圖5A到圖是示出發(fā)光器件和腔體側(cè)壁的布置方式的實(shí)施例的視圖；
[0040]圖6是示出具有發(fā)光器件封裝的圖像顯示裝置的實(shí)施例的視圖；
[0041]圖7是示出具有發(fā)光器件封裝的殺菌裝置的實(shí)施例的視圖；以及
[0042]圖8是示出具有發(fā)光器件封裝的照明裝置的實(shí)施例的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]在下文中，將參照附圖來(lái)描述實(shí)施例。
[0044]在如下實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)每個(gè)元件被稱(chēng)為位于另一個(gè)元件“之上”或“之下”時(shí)，一個(gè)元件能夠直接位于另一個(gè)元件“之上”或“之下”，或者兩個(gè)元件可以通過(guò)在其間插入有一個(gè)或多個(gè)其他元件而間接形成。另外，還應(yīng)當(dāng)理解，位于元件“之上”或“之下”可基于元件包含向上或向下的含義。
[0045]圖2是示出發(fā)光器件封裝實(shí)施例的剖面圖。
[0046]根據(jù)實(shí)施例的、通過(guò)附圖標(biāo)記200指示的發(fā)光器件封裝包括:由多個(gè)第一陶瓷層210a.210b.210c和210d組成的封裝體。該封裝體可以利用高溫共燒陶瓷(HTCC)技術(shù)或低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0047]在封裝體采用多層陶瓷襯底的形式的情況下，各層可具有相同或不同的厚度。封裝體可以由絕緣材料(例如氮化物或氧化物)形成。例如，封裝體可以由Si02、SixOy, Si3Ny,Si0xNy、Al203 或 AlN 形成。
[0048]多個(gè)第一陶瓷層210a、210b、210c和210d可以具有不同的寬度。一些第一陶瓷層210a和210b可以構(gòu)成發(fā)光器件封裝200的底部或者腔體的底部，而其它的第一陶瓷層210c和210d可以構(gòu)成腔體的側(cè)壁。
[0049]至少一個(gè)發(fā)光器件可以布置在由如上所述的多個(gè)陶瓷層構(gòu)成的腔體的底面上。在本實(shí)施例中，布置了兩個(gè)發(fā)光器件204a和240b。
[0050]腔體可以填充有模鑄部(未示出)，以包圍發(fā)光器件240a和240b以及布線245a和245b。模鑄部可包含硅樹(shù)脂或熒光物質(zhì)(未示出)，但本公開(kāi)文本不限于此。熒光物質(zhì)可以將從發(fā)光器件240a和240b發(fā)出的第一波長(zhǎng)帶的光轉(zhuǎn)換成更長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)帶的光。例如，如果第一波長(zhǎng)帶是紫外帶，則第二波長(zhǎng)帶可以是可見(jiàn)光帶。如果發(fā)光器件240a和240b發(fā)出紫外光，更具體地，近紫外光或深紫外光，則模鑄部可以不包含熒光物質(zhì)。紫外光可以是具有IOnm到397nm波長(zhǎng)的電磁輻射。更具體地，具有290nm到397nm波長(zhǎng)的紫外光可以被稱(chēng)為近紫外光，而具有190nm到290nm波長(zhǎng)的紫外光可以被稱(chēng)為深紫外光。
[0051]金屬可以被沉積或電鍍?cè)谀ｈT部上，使得模鑄部250利用共晶接合(Eutecticbonding)、焊接等耦接至玻璃帽或蓋以實(shí)現(xiàn)氣密密封?？商娲兀ｈT部250可以類(lèi)似于多個(gè)第一陶瓷層210c和210d那樣被階梯化(st印ped)，使得抗反射涂層玻璃板可以利用粘合齊IK例如，uv固性粘合劑接合或熱固性粘合劑接合)接合至階梯化凹槽以實(shí)現(xiàn)氣密密封。
[0052]在UV發(fā)光器件的情況下，可能會(huì)導(dǎo)致模鑄部退化和變色。因此，可以形成抗UV的磷光膜或磷光板來(lái)替代模鑄部。
[0053]發(fā)光器件可包括使用多個(gè)化合物半導(dǎo)體層(例如，II1-V族半導(dǎo)體層)的發(fā)光二極管(LED)。這些發(fā)光器件可以是用于發(fā)射藍(lán)光、綠光或紅光的彩色發(fā)光器件，或者可以是用于發(fā)射紫外(UV)光的UV發(fā)光器件。
[0054]上述的發(fā)光器件240a和240b可以是垂直發(fā)光器件或水平發(fā)光器件。每個(gè)發(fā)光器件240a或240b可以包括由第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層組成的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0055]第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可以由半導(dǎo)體化合物(例如，II1-V族或I1-VI族化合物半導(dǎo)體)形成。此外，第一導(dǎo)電摻雜物可以被摻雜。如果第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體層，貝1J第一導(dǎo)電摻雜物為包括S1、Ge、Sn、Se和Te的n型摻雜物,但本公開(kāi)文本不限于此。
[0056]第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可以單獨(dú)設(shè)置或者可以與位于其下方的未摻雜半導(dǎo)體層一起設(shè)置，但本公開(kāi)文本不限于此。
[0057]未摻雜半導(dǎo)體層用于改善第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的結(jié)晶化(crystallization)。除了未摻雜半導(dǎo)體層未摻雜有n型摻雜物這一事實(shí)之外，未摻雜半導(dǎo)體層可以等同于第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層，因此其具有比第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層更低的導(dǎo)電率。
[0058]有源層可以形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上。有源層用于經(jīng)由通過(guò)第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層引入的電子與通過(guò)之后將形成的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層引入的空穴的結(jié)合來(lái)發(fā)射具有通過(guò)其組成材料(即發(fā)光材料)的本征能帶確定的能量的光。
[0059]有源層可具有雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)、單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的至少任一結(jié)構(gòu)。例如，有源層可經(jīng)由三甲基鎵氣(TMGa)、氨氣(冊(cè)3)、氮?dú)?N2)和三甲基銦氣(TMIn)的注入而具有多量子阱結(jié)構(gòu)，但本公開(kāi)文本不限于此。
[0060]有源層可包括講層和勢(shì)魚(yú)層(barrier layer),例如，所述講層和勢(shì)魚(yú)層具有成對(duì)配置的 InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)/AlGaAs 和GaP(InGaP)AlGaP中的至少一個(gè)，但本公開(kāi)文本不限于此。阱層可以由帶隙小于勢(shì)壘層的帶隙的材料形成。
[0061]導(dǎo)電包覆層(未示出)可以布置在有源層上。導(dǎo)電包覆層可以由帶隙大于有源層的勢(shì)壘層帶隙的半導(dǎo)體形成。例如，導(dǎo)電包覆層可包括GaN、AlGaN、InAlGaN或超晶格結(jié)構(gòu)。此外，導(dǎo)電包覆層可以是n型或p型摻雜層。
[0062]第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可以布置在有源層上。第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可以由半導(dǎo)體化合物(例如，摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的II1-V族化合物半導(dǎo)體)形成。例如，第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可包括具有組成式InxAlyGa1IyN (0≤x≤I,O≤y≤I,O≤x+y ( I)的半導(dǎo)體材料。如果第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜物為包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等的p型摻雜物,但本公開(kāi)文本不限于此。
[0063]可替代地，與上面的描述不同，第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可包括p型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層可包括n型半導(dǎo)體層。此外，包括n型或p型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以形成在第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上。因此，上述的發(fā)光器件240a和240b可包括n-p、p-n、n-p-n、p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少任一結(jié)構(gòu)。
[0064]在本實(shí)施例中，封裝體由由無(wú)機(jī)材料形成的第一陶瓷層210a、210b、210c和210d組成。即使發(fā)光器件包括用于發(fā)出波長(zhǎng)大約是280nm的UV光的深UV LED，或者用于發(fā)出波長(zhǎng)大約是365nm~405nm的UV光的近UV LED,該封裝體也不存在由于從發(fā)光器件發(fā)出的UV光導(dǎo)致的變色或分解，這能夠維持發(fā)光模塊的可靠性。
[0065]本實(shí)施例將封裝體描述為由具有相同厚度的四個(gè)第一陶瓷層210a、210b、210c和210d組成，封裝體也可由更多數(shù)量的第一陶瓷層組成，且各第一陶瓷層可具有不同的厚度。
[0066]在圖2中，發(fā)光器件240a和240b設(shè)置在封裝體的表面上，并通過(guò)導(dǎo)電粘合劑層286a和286b以及第三陶瓷層220熱接觸散熱元件230。散熱元件230可以由高導(dǎo)熱材料形成，且更具體地由鎢銅(CuW)形成。雖然圖2僅示出一個(gè)散熱元件230，但可以布置兩個(gè)或多個(gè)離散的散熱元件。
[0067]散熱元件230可以設(shè)置在第一陶瓷層210a和210b內(nèi)。第三陶瓷層220和抗斷裂層270可以順序地設(shè)置在散熱元件230以及第一陶瓷層210a和210b上方?？箶嗔褜?70
可以形成為第二陶瓷層。
[0068]抗斷裂層270可具有部分開(kāi)口區(qū)域或中心開(kāi)口區(qū)域。上述的第三陶瓷層220可以通過(guò)開(kāi)口區(qū)域被暴露，而發(fā)光器件240a和240b可以布置在第三陶瓷層220的部分暴露區(qū)域上。用這種方式，發(fā)光器件240a和240b可以通過(guò)第三陶瓷層220與散熱元件230熱接觸。此外，抗斷裂層270可以與散熱元件230的至少部分外周區(qū)域重疊。
[0069]第一陶瓷層210c和210d包括腔體的側(cè)壁。下面將描述發(fā)光器件封裝200內(nèi)的發(fā)光器件240a和240b的電連接。
[0070]多個(gè)第一電極圖案281a到284a以及多個(gè)第二電極圖案281b到284b布置在多個(gè)第一陶瓷層210a和210b、第三陶瓷層220以及抗斷裂層270上。連接電極291a到293a以及291b到293b分別布置在第一電極圖案281a到284a之間以及第二電極圖案281b到284b之間。
[0071]現(xiàn)將詳細(xì)描述電極和電極圖案的布置方式。
[0072]散熱元件230可以位于第一陶瓷層210a和210b內(nèi)，抗斷裂層270可以設(shè)置有第一接合焊盤(pán)285和第二接合焊盤(pán)285b，且發(fā)光器件240a和240b可以經(jīng)由布線245a和245b分別接合至第一接合焊盤(pán)285a和第二接合焊盤(pán)285。此外,第一接合焊盤(pán)285a和第二接合焊盤(pán)285b可以經(jīng)由連接電極294a和294b分別電連接至第一電極圖案284a和第二電極圖案 284b。
[0073]可以通過(guò)在第一陶瓷層210a和210b、第三陶瓷層220以及抗斷裂層270中穿孔然后用導(dǎo)電材料填充所穿的孔來(lái)形成上述的連接電極291a到294a以及291b到294b。
[0074]在圖2中，散熱元件230以及第一電極圖案281a和第二電極圖案281b被暴露在第一陶瓷層210a下方，以由此與電路板電接觸。散熱元件230可用作電極圖案。
[0075]圖3A到圖3C是示意性示出圖2的散熱元件與抗斷裂層之間的位置關(guān)系的實(shí)施例的視圖。
[0076]在圖3A中，散熱元件230在對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a的高度處具有寬度Wa，在對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處具有寬度Wb，寬度Wa大于寬度Wb?？箶嗔褜?70的開(kāi)口區(qū)域具有寬度W。，該寬度W?？梢孕∮趯?duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a的高度處的寬度\，并且大于對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處的寬度Wb。寬度Wa可以是寬度Wb的1.1~1.2倍。寬度^可以在3.0mm到3.4mm的范圍內(nèi)，寬度Wb可以在2.5mm到3.0mm的范圍內(nèi)。
[0077]也就是說(shuō)，與發(fā)光器件240a和240b接觸的散熱元件230的一部分具有小于相反福射部(opposite radiation portion)的寬度或面積,這可能導(dǎo)致福射增強(qiáng)。
[0078]此外，由于抗斷裂層270的開(kāi)口區(qū)域的寬度W。小于對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a的高度處的散熱元件230的寬度\，因此抗斷裂層270可以阻止由散熱元件230的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力，從而防止在第三陶瓷層220處斷裂。此外，考慮到發(fā)光器件240a和240b可以布置在第三陶瓷層220的暴露區(qū)域這一事實(shí)，抗斷裂層270的開(kāi)口區(qū)域的寬度W?？梢源笥趯?duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處的散熱元件230的寬度\。
[0079]在圖3A中，一個(gè)第一陶瓷層210a的厚度&可以等于另一第一陶瓷層210b的厚度t2。此外，可用作第二陶瓷層的抗斷裂層270的厚度t3可以等于第三陶瓷層220的厚度t4，并且可以是第一陶瓷層210a的厚度&的0.5~I倍。在本實(shí)施例中，第一陶瓷層210a和210b的厚度&和t2可以是0.6mm,抗斷裂層270的厚度t3可以是0.4mm,第三陶瓷層220的厚度t4可以是0.2mm。根據(jù)發(fā)光器件封裝200的一個(gè)實(shí)施例來(lái)給定第一陶瓷層210a的厚度tlt)在另一個(gè)實(shí)施例 中，例如，抗斷裂層270的厚度t3可以等于第一陶瓷層210a的厚度V
[0080]在圖3B示意性示出的實(shí)施例中，散熱元件230的頂部寬度等于在圖3A中示意性示出的實(shí)施例的底部寬度。更具體地，對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處的散熱元件230的寬度Wa大于對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a的高度處的散熱元件230的寬度Wb。在這種情況下，特別地，由散熱元件230的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力可以集中在散熱元件230的邊緣上。由于抗斷裂層270的開(kāi)口區(qū)域的寬度W。小于對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處的散熱元件230的寬度Wa，因而，抗斷裂層270可用于緩解集中在對(duì)應(yīng)于散熱元件230的邊緣的第三陶瓷層220的區(qū)域上的應(yīng)力。
[0081]此外，靠近發(fā)光器件的散熱元件230的區(qū)域具有較大寬度，這可以確保容易地將熱量從發(fā)光器件轉(zhuǎn)移到散熱元件230。然而，需要注意的是，設(shè)置有擴(kuò)展部235的散熱元件230的區(qū)域的寬度大于靠近發(fā)光器件的散熱元件230的區(qū)域的寬度。
[0082]在圖3C中示意性示出的實(shí)施例類(lèi)似于圖3A的實(shí)施例，但抗斷裂層270的開(kāi)口區(qū)域的寬度W。小于對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210b的高度處的散熱元件230的寬度Wb。通過(guò)這種配置，抗斷裂層270可用于緩解集中在對(duì)應(yīng)于散熱元件230的邊緣的第三陶瓷層220的區(qū)域上的應(yīng)力。
[0083]圖4A到圖4C是示出圖2的抗斷裂層的不同實(shí)施例的視圖。
[0084]在散熱元件230具有如圖3A或圖3C中示意性示出的配置的情況下，特別地，當(dāng)將熱量施加到組成第一陶瓷層210a和210b的不同種類(lèi)的材料時(shí)，由于熱膨脹系數(shù)不匹配，散熱元件230可能在圖中向下被分離。
[0085]因此，散熱元件230可在分別對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a和210b的不同高度處具有不同的水平橫截面面積或水平側(cè)長(zhǎng)度。因此，散熱元件230可具有第一水平橫截面面積和與該第一水平橫截面面積不同的第二水平橫截面面積。此外，散熱元件230可具有對(duì)應(yīng)于第一陶瓷層210a和210b的邊界的擴(kuò)展部。
[0086]因此，如圖4A和4B中示意性示出的，擴(kuò)展部235可以形成在散熱元件230的部分區(qū)域以固定散熱元件230。擴(kuò)展部235可以從散熱元件230的最上邊緣突出，并且可以在區(qū)域C和D處被第一陶瓷層210b支撐。
[0087]在圖4C中，擴(kuò)展部235分別形成在區(qū)域C和D處，以將散熱元件230牢牢地固定到第一陶瓷層210a和210b。雖然圖4A到4C示出了形成在區(qū)域E處的額外的擴(kuò)展部，但其用于固定散熱元件230的貢獻(xiàn)度可能小于形成在區(qū)域C和區(qū)域D處的擴(kuò)展部。
[0088]在上述的實(shí)施例中，雖然擴(kuò)展部235是示出為位于剖面圖的兩側(cè)，然而擴(kuò)展部235可以呈圓形地(circularly)形成在散熱元件230的邊緣處。一個(gè)擴(kuò)展部235可以位于兩個(gè)相鄰的層之間，例如，位于第一陶瓷層210a和210b之間或者在第一陶瓷層210b和第三陶瓷層220之間。
[0089]在發(fā)光器件封裝200的上述實(shí)施例中，即使散熱元件230熱膨脹，第三陶瓷層220和抗斷裂層270仍然可以容許(endure)由散熱元件230的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力。特別地，抗斷裂層270可以抵消施加到對(duì)應(yīng)于散熱元件230的邊緣處的第三陶瓷層220的區(qū)域的應(yīng)力，這可以導(dǎo)致發(fā)光器件封裝200在耐久性方面的增強(qiáng)。
[0090]圖5A到圖是示出發(fā)光器件和腔體側(cè)壁的布置方式的實(shí)施例的視圖。
[0091]在圖5A示意性示出的實(shí)施例中，四個(gè)發(fā)光器件240a到240d布置在腔體的底面上，即位于第三陶瓷層220上，兩個(gè)第一陶瓷層210c和210d構(gòu)成腔體的矩形側(cè)壁。
[0092]在圖5B示意性示出的實(shí)施例中，四個(gè)發(fā)光器件240a到240d布置在腔體的底面上，即位于第二陶瓷層220上，兩個(gè)第一陶瓷層210c和210d構(gòu)成腔體的圓形側(cè)壁。
[0093]在圖5C中示意性示出的實(shí)施例類(lèi)似于圖5A的實(shí)施例，但一對(duì)開(kāi)口區(qū)域形成在構(gòu)成腔體側(cè)壁的兩個(gè)第一陶瓷層210c和210d的兩個(gè)相對(duì)側(cè)。
[0094]在圖中示意性示出的實(shí)施例類(lèi)似于圖5B的實(shí)施例，但一對(duì)開(kāi)口區(qū)域形成在構(gòu)成腔體側(cè)壁的兩個(gè)第一陶瓷層210c和210d的相對(duì)區(qū)域內(nèi)。
[0095]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)發(fā)光器件封裝可限定位于電路板上的陣列，并且光學(xué)兀件(例如導(dǎo)光板、棱鏡片和擴(kuò)散片)可以布置在發(fā)光器件封裝的光學(xué)路徑上。發(fā)光器件封裝、電路板和光學(xué)元件可用作照明單元。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)包括上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件或發(fā)光器件封裝的顯示裝置、指示器或照明系統(tǒng)。例如，照明系統(tǒng)可包括燈或路燈。在下文中，將對(duì)具有上述發(fā)光器件封裝的背光單元、殺菌裝置和照明裝置進(jìn)行描述。
[0096]圖6是示出具有發(fā)光器件封裝的圖像顯示裝置的實(shí)施例的視圖。
[0097]如示意性所示出的，根據(jù)本實(shí)施例的圖像顯示裝置500包括:光源模塊；反射器520，位于底蓋510上；導(dǎo)光板540，設(shè)置在反射器520前方，以在圖像顯示裝置500的向前方向上將從光源模塊發(fā)出的光進(jìn)行引導(dǎo)；第一棱鏡片550和第二棱鏡片560,設(shè)置在導(dǎo)光板540的前方；面板570，設(shè)置在第二棱鏡片560的前方；以及濾色器580，設(shè)置在面板570的前方。[0098]光源模塊包括位于電路板530上的發(fā)光器件封裝535。這里，電路板530可以是印刷電路板(PCB)，并且發(fā)光器件封裝535可以是如上參照?qǐng)D2所描述的，特別地可發(fā)射可見(jiàn)光。底蓋510可以配置為容納圖像顯示裝置500的內(nèi)部組成元件。反射器520可以制備為如圖所示的單個(gè)組件，或者可以是覆蓋在導(dǎo)光板540的后表面或底蓋510的前表面上的高反射率材料。
[0099]反射器520可以由形成超薄層且具有高反射率的超薄材料形成。例如，反射器520可以由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
[0100]導(dǎo)光板540用于將從發(fā)光器件封裝模塊發(fā)出的光散射，以允許光均勻地分布在圖像顯示裝置的整個(gè)屏幕。因此，導(dǎo)光板540可以由具有良好的折射率和透射率的材料形成。例如，導(dǎo)光板540可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸脂(PC)或聚乙烯(PE)形成。如果省略導(dǎo)光板540，則可以實(shí)現(xiàn)空氣引導(dǎo)型圖像顯示裝置。
[0101]第一棱鏡片550可以形成在利用具有透光性和彈性的聚合物材料的支撐膜的表面上。聚合物材料可包含棱鏡層，其中多個(gè)固體圖案重復(fù)地形成在該棱鏡層上。這里，如圖所示，多個(gè)圖案可包括重復(fù)的成條狀的脊和凹槽。
[0102]在第二棱鏡片560中，位于支撐膜的表面上的脊和凹槽的方向可以與第一棱鏡片550中位于支撐膜表面上的脊和凹槽的方向垂直。這用于將從光源模塊和反射器發(fā)出的光均勻地分布到整個(gè)面板570上。
[0103]在本實(shí)施例中，第一棱鏡片550和第二棱鏡片560用作光學(xué)片。光學(xué)片可具有另一種組合，例如，微透鏡陣列、擴(kuò)散片和微透鏡陣列的組合或單個(gè)棱鏡片和微透鏡陣列的組
口 o
[0104]面板570可以是液晶顯示面板?？梢蕴峁┬枰庠吹钠渌N類(lèi)的顯示裝置來(lái)替代液晶顯示面板570。
[0105]通過(guò)將液晶插入兩個(gè)玻璃體之間并將偏振片分別布置在該玻璃體上以實(shí)現(xiàn)光偏振的方式來(lái)構(gòu)造面板570。這里，液晶具有介于液體與固體之間的中間特性。液晶(像液體一樣具有流動(dòng)性的有機(jī)分子)具有規(guī)則的分子布置。由于液晶的分子布置隨著外部電場(chǎng)而改變，因此液晶用于顯示圖像。
[0106]用在顯示裝置中的液晶顯示面板是有源矩陣類(lèi)型，且利用晶體管作為開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)節(jié)施加到每個(gè)像素的電壓。
[0107]濾色器580設(shè)置在面板570的前表面上且用于通過(guò)紅色、綠色和藍(lán)色像素來(lái)選擇性地傳輸已經(jīng)穿過(guò)面板570的光，從而能夠顯示圖像。
[0108]由于第三陶瓷層和抗斷裂層，布置在圖像顯示裝置的根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可實(shí)現(xiàn)耐久性增強(qiáng)。
[0109]圖7是示出具有發(fā)光器件封裝的殺菌裝置的實(shí)施例的視圖。
[0110]參見(jiàn)圖7，殺菌裝置600可包括:發(fā)光模塊610，安裝在殼體601的表面上；、漫反射器630a和630b,用于實(shí)現(xiàn)深紫外光的漫反射(diffuse reflection)；以及供電單元620,用于將電供應(yīng)到發(fā)光模塊610。光源模塊610可發(fā)出近紫外光或深紫外光。
[0111]首先，殼體601具有將發(fā)光模塊610、漫反射器630a和630b以及供電單元620集成在殼體601中的緊密的矩形配置。殼體601可具有用于有效地向外輻射殺菌裝置600中生成的熱量的形狀和組成材料。例如，殼體601可以由Al、Cu及其合金中的任一材料形成。因此，殼體601可展示出(exhibit)與外部空氣進(jìn)行的增強(qiáng)傳熱效率，從而實(shí)現(xiàn)了輻射增強(qiáng)。
[0112]可替代地，殼體601可具有特殊的外表面形狀。例如，殼體601的外表面可具有波紋形狀、網(wǎng)格形狀或非特定的凹凸形狀。這種外表面形狀可以實(shí)現(xiàn)殼體601與外部空氣之間的更大的傳熱效率，從而導(dǎo)致輻射增強(qiáng)。
[0113]附著板(attachment plate)650可以分別設(shè)置在殼體601的兩端。如示意性示出的，附著板650用作用于將殼體601固定到設(shè)備的支架。附著板650可以在給定方向上從殼體601的兩端突出。這里，給定方向可以是其內(nèi)發(fā)生深紫外線輻射和漫反射的殼體601的向內(nèi)方向。
[0114]因此，設(shè)置在殼體601兩端的附著板650提供了相對(duì)于設(shè)備的固定區(qū)域，從而允許殼體601被更有效地固定。
[0115]可以通過(guò)選自旋擰、鉚接、粘合劑粘合以及可分離耦接中的任一方法來(lái)固定附著板650。由于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以清楚地理解這些不同的固定方法，因此本文將省略其詳細(xì)說(shuō)明。
[0116]發(fā)光模塊610安裝在上述殼體601的表面上。發(fā)光模塊610用于發(fā)出深紫外光以執(zhí)行空氣的殺菌消毒。為此，發(fā)光模塊610包括板612和安裝在板612上的多個(gè)發(fā)光器件封裝200。這里，發(fā)光器件封裝200為如上所描述的發(fā)光器件封裝，并且由于第三陶瓷層和抗斷裂層可以展示出增強(qiáng)的耐久性。
[0117]板612可以在殼體601的內(nèi)表面上成一條線對(duì)齊,并且可以是包括電路圖案(未不出)的PCB。除了通常的PCB之外，板612也可以包括金屬芯PCB (MCPCB)、柔性PCB等，但本公開(kāi)文本不限于此。
[0118]接下來(lái)，漫反射器630a和630b可以是板型反射元件，以強(qiáng)制性地實(shí)現(xiàn)從上述發(fā)光模塊610發(fā)出的深紫外光的漫反射。漫反射器630a和630b可具有各種前面板形狀和布置方式。漫反射器630a和630b可以設(shè)計(jì)為具有略微不同的平面結(jié)構(gòu)(例如，曲率半徑)，從而將反射的深紫外光束擴(kuò)散發(fā)射到重疊區(qū)域，因此導(dǎo)致發(fā)射強(qiáng)度增大或發(fā)光區(qū)域?qū)挾葦U(kuò)展。
[0119]供電單元620用于在接收電力時(shí)將電供應(yīng)至上述的發(fā)光模塊610。供電單元620可以位于上述的殼體601內(nèi)。如示意性示出的，供電單元620可以位于接近漫反射器630a和630b與發(fā)光模塊610之間的間隙中的內(nèi)壁處。為了將來(lái)自外部源的電力引入到供電單元620中，可以額外地設(shè)置用于電互連的電連接器(power connector) 640。
[0120]電連接器640可具有平面形狀，但是可以采用接插件或用于電連接至外部電源的電源電纜(未示出)的電纜插槽的形式。電源電纜可具有柔性擴(kuò)展配置以很容易地實(shí)現(xiàn)與外部源之間的連接。
[0121]圖8是示出具有發(fā)光器件封裝的照明裝置的實(shí)施例的視圖。
[0122]根據(jù)本實(shí)施例的照明裝置可包括:蓋1100、光源模塊1200、散熱元件1400、供電單元1600、內(nèi)殼1700和接插件1800。此外，根據(jù)本實(shí)施例的照明裝置可包括元件1300和/或支撐部1500。光源模塊1200可發(fā)出可見(jiàn)光，并且包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝。如上所述，由于第三陶瓷層和抗斷裂層，每個(gè)發(fā)光器件封裝均可展示出耐久性增強(qiáng)。
[0123]蓋1100可以采取具有部分開(kāi)口區(qū)域的空燈泡或半球形式。蓋1100可以光學(xué)耦接至光源模塊1200。例如,蓋1100可用于擴(kuò)散、散射或激勵(lì)從光源模塊1200發(fā)出的光。蓋1100可以是一種光學(xué)元件。蓋1100可以耦接至散熱元件1400。蓋1100可具有待被耦接至散熱元件1400的耦接部。
[0124]蓋1100的內(nèi)表面可以覆蓋有乳白色的漆。該乳白色的漆可包含擴(kuò)散劑以擴(kuò)散光。蓋1100的內(nèi)表面的表面粗糙度可以大于蓋1100的外表面的表面粗糙度。這用于確保來(lái)自光源模塊1200的光的充分散射和擴(kuò)散,從而向外發(fā)光。
[0125]蓋1100可以由玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等形成。這里，聚碳酸酯具有優(yōu)良的耐光性、耐熱性和強(qiáng)度。蓋1100可以是透明的，以允許光源模塊1200從外部可見(jiàn)；或者也可以是不透明的。蓋1100可以通過(guò)吹塑模鑄而形成。
[0126]光源模塊1200可以布置在散熱元件1400的表面上。因此，光源模塊1200的熱量被轉(zhuǎn)移到散熱元件1400。光源模塊1200可包括發(fā)光器件封裝1210、連接板1230和連接器1250。
[0127]熒光物質(zhì)可以設(shè)置在上述蓋1100的表面處，或者可以設(shè)置在發(fā)光器件封裝1210內(nèi)。假設(shè)熒光物質(zhì)設(shè)置在發(fā)光器件封裝1210內(nèi)，例如，紅色、綠色和藍(lán)色熒光物質(zhì)可以設(shè)置在單個(gè)發(fā)光器件上，或者紅色、綠色和藍(lán)色熒光物質(zhì)的混合可以設(shè)置在各發(fā)光器件上。元件1300可以設(shè)置在散熱元件1400的上表面上，并且可包括其中插入有多個(gè)發(fā)光器件封裝1210和連接器1250的引導(dǎo)凹陷1310。引導(dǎo)凹陷1310對(duì)應(yīng)于發(fā)光器件封裝1210和連接器1250的襯底。
[0128]光反射材料可以涂覆在元件1300的表面上。例如，白色的漆可以涂覆在元件1300的表面上。元件1300將從蓋1100的內(nèi)表面反射并返回到光源模塊1200的光反射至蓋1100。用這種方式，根據(jù)實(shí)施例的照明裝置可實(shí)現(xiàn)光效率增強(qiáng)。
[0129]例如，元件1300可以由絕緣材料形成。光源模塊1200的連接板1230可以由導(dǎo)電材料形成。因此，可以實(shí)現(xiàn)散熱元件1400與連接板1230之間的電連接。由絕緣材料形成的元件1300可以防止連接板1230與散熱元件1400之間的電氣短路。散熱元件1400用于在接收到來(lái)自光源模塊1200的熱量以及來(lái)自供電單元1600的熱量時(shí)將熱量散發(fā)。
[0130]支撐部1500配置為遮擋內(nèi)殼1700的絕緣部1710的容納凹部1719。因此，容納在內(nèi)殼1700的絕緣部1710中的供電單元1600被密封。支撐部1500具有引導(dǎo)突起1510。引導(dǎo)突起1510具有孔，供電單元1600的突起1610穿過(guò)該孔。
[0131]供電單元1600處理或轉(zhuǎn)換從外部源接收的電信號(hào)，從而將該電信號(hào)發(fā)送到光源模塊1200。供電單元1600被容納在內(nèi)殼1700的容納凹部1719中，且通過(guò)制成部1500被密封在內(nèi)殼1700中。供電單元1600可包括突起1610、引導(dǎo)部1630、底座1650和延伸部1679。
[0132]引導(dǎo)部1630配置為從底座1650的一側(cè)向外突出。引導(dǎo)部1630可以被插入到支撐部1500中。多個(gè)元件可以布置在底座1650的表面上。例如，多個(gè)元件可包括:用于將來(lái)自外部電源的交流(AC)電轉(zhuǎn)換成DC電的直流(DC)轉(zhuǎn)換器、用于控制光源模塊1200的驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)芯片以及用于保護(hù)發(fā)光模塊1200的靜電放電(ESD)保護(hù)器，但本公開(kāi)文本不限于此。
[0133]延伸部1670配置為從底座1650的另一側(cè)向外突出。延伸部1670插入到內(nèi)殼1700的連接部1750中，且適用于接收來(lái)自外部源的電信號(hào)。例如，延伸部1670的寬度可以等于或小于內(nèi)殼1700的連接部1750的寬度?！?+ ”電線和電線中每一個(gè)的一端可以電連接至延伸部1670，而“ + ”電線和電線中每一個(gè)的另一端可以電連接至接插件1800。
[0134]內(nèi)殼1700可包含供電單元1600以及位于其內(nèi)的模鑄部。模鑄部通過(guò)模鑄液體的硬化而形成，且用于允許供電單元1600被固定在內(nèi)殼1700中。
[0135]在上述的照明裝置中，從發(fā)光器件封裝的發(fā)光器件發(fā)出的UV光導(dǎo)致來(lái)自熒光物質(zhì)的紅色、綠色和藍(lán)色波長(zhǎng)的光發(fā)射，從而導(dǎo)致發(fā)出白光。用這種方式，可以實(shí)現(xiàn)比利用藍(lán)色發(fā)光器件和黃色熒光物質(zhì)的發(fā)光器件封裝更優(yōu)的色彩再現(xiàn)性。
[0136]從上面的描述可以清楚地看出，可以用如下方式來(lái)配置根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝:即使散熱元件在制造器件封裝時(shí)實(shí)施共燒工藝之后熱膨脹，第三陶瓷層和抗斷裂層仍然可以容許由散熱元件的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力。特別地，抗斷裂層可以抵消施加到對(duì)應(yīng)于散熱元件邊緣的區(qū)域處第三陶瓷層220的應(yīng)力，這可以導(dǎo)致發(fā)光器件封裝在耐久性方面的增強(qiáng)。
[0137]雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)出許多其它的將會(huì)落在本公開(kāi)文本的原理的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的改型和實(shí)施例。更具體地，在本公開(kāi)文本、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對(duì)主題組合設(shè)置方案的零部件和/或排布進(jìn)行各種變型和改型。除零部件和/或排布的變型和改型之外，替代使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也將是顯而易見(jiàn)的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件封裝，包括: 封裝體； 至少一個(gè)電極圖案，設(shè)置在所述封裝體上； 至少一個(gè)發(fā)光器件，電連接至所述電極圖案； 散熱元件，布置在所述封裝體中以與所述發(fā)光器件熱接觸；以及 抗斷裂層，設(shè)置在所述散熱元件上， 其中所述抗斷裂層與所述散熱元件的至少部分外周區(qū)域垂直重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述抗斷裂層具有開(kāi)口區(qū)域，且所述發(fā)光器件位于所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述散熱元件由金屬或合金形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的封裝，其中所述散熱元件由鎢銅(CuW)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述封裝體包括多個(gè)第一陶瓷層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，其中所述散熱元件具有第一水平橫截面面積以及不同于所述第一水平橫截面面積的第二水平橫截面面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝，其中，所述散熱元件在對(duì)應(yīng)于一個(gè)第一陶瓷層的高度處的水平橫截面面積與所述散熱元件在對(duì)應(yīng)于另一個(gè)第一陶瓷層的高度處的水平橫截面面積不同。`
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的封裝，其中所述散熱元件設(shè)置有擴(kuò)展部，所述擴(kuò)展部在對(duì)應(yīng)于不同的第一陶瓷層的邊界的區(qū)域處。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的封裝，其中所述抗斷裂層由第二陶瓷層組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝，其中組成所述抗斷裂層的所述第二陶瓷層的厚度是所述封裝體的具有不同厚度的所述第一陶瓷層之一的最小厚度的0.5到I倍。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝，其中所述開(kāi)口區(qū)域的面積在朝向所述發(fā)光器件的方向上小于所述散熱元件的橫截面面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求2或11所述的封裝，其中所述抗斷裂層的所述開(kāi)口區(qū)域的面積小于所述散熱元件的最小橫截面面積。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝，其中所述抗斷裂層的所述開(kāi)口區(qū)域的面積小于所述散熱元件的最大橫截面面積且大于所述散熱元件的最小橫截面面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或13所述的封裝，其中所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上具有最大橫截面面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或13所述的封裝，其中所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度是所述散熱元件在相反方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度的1.1到1.2倍。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，還包括第三陶瓷層，設(shè)置在所述散熱元件與所述抗斷裂層之間， 其中所述發(fā)光器件通過(guò)所述陶瓷層與所述散熱元件熱接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述發(fā)光器件發(fā)出近紫外光或深紫外光。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述封裝體和所述抗斷裂層中的至少一個(gè)包括SiO2' Six0y、Si3Ny' SiOxNy、Al2O3 或 AlN 中的至少一個(gè)。
19.一種發(fā)光器件封裝，包括:封裝體； 至少一個(gè)電極圖案，設(shè)置在所述封裝體上； 至少一個(gè)發(fā)光器件，電連接至所述電極圖案；以及 散熱元件，插入到所述封裝體中，以與所述發(fā)光器件熱接觸，所述散熱元件在所述散熱元件的部分邊緣區(qū)域處設(shè)置有擴(kuò)展部， 其中所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上除所述擴(kuò)展部之外的的區(qū)域具有最大橫截面面積。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝，其中所述散熱元件在朝向所述發(fā)光器件的方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度是在相反方向上的一側(cè)的長(zhǎng)度的1.1到1.2倍。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的封裝，還包括第三陶瓷層，設(shè)置在所述散熱元件和所述封裝體之間， 其中所述發(fā)光器件通過(guò)所述陶瓷層與所述散熱元件熱接觸。
22.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的封裝，其中所述散熱元件由金屬或合金形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的封裝，其中所述散熱元件由CuW形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝，其中所述封裝體限定腔體的側(cè)壁和底部，所述發(fā)光器件設(shè)置在所述腔體的底 部，并且所述腔體的側(cè)壁的至少一部分限定開(kāi)口區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的封裝，其中所述封裝體包括多個(gè)第一陶瓷層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的封裝，其中所述多個(gè)第一陶瓷層中的至少一些第一陶瓷層具有不同的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK103700750SQ201310450651
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】金炳穆, 姜寶姬, 金夏羅, 小平洋, 反田祐一郎, 大關(guān)聰司 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司