一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板。該制作方法包括制作設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體；在所述背板基體上設(shè)置電極層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。本發(fā)明的制作方法采用通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將電極層制成多個(gè)源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極的設(shè)計(jì)；使源極、漏極和像素電極同處于同一電極層；將現(xiàn)有方法中需要通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成的源極、漏極和像素電極，簡(jiǎn)化為只需一次構(gòu)圖工藝即可完成；大大降低了薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的厚度，簡(jiǎn)化了制作步驟，節(jié)約了制作成本。
【專利說(shuō)明】一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平的提高，人們對(duì)顯示質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，液晶顯示器(LCD)已經(jīng)非常成熟，手機(jī)、相機(jī)、電腦、電視等都可見(jiàn)LCD的身影。人們對(duì)顯示產(chǎn)品的大量需求，客觀上推動(dòng)了顯示技術(shù)的發(fā)展，新的顯示技術(shù)不斷出現(xiàn)。有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(AMOLED)被稱為下一代顯示技術(shù)，包括三星電子、LG、飛利浦都十分重視這項(xiàng)新的顯示技術(shù)。目前除了三星電子與LG、飛利浦以發(fā)展大尺寸有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板產(chǎn)品為主要方向外，三星SD1、友達(dá)等都是以中小尺寸為發(fā)展方向。因?yàn)橛性淳仃囉袡C(jī)發(fā)光二極體面板不管在畫質(zhì)、效能及成本上，先天表現(xiàn)都較TFT LCD優(yōu)勢(shì)很多。但是現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，特別是用于驅(qū)動(dòng)面板顯像的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板，其制作工藝主要是通過(guò)構(gòu)圖工藝在其內(nèi)的各薄膜層上形成如薄膜晶體管等器件所需的圖形，這就需要進(jìn)行多次構(gòu)圖工藝，通常需要七次以上構(gòu)圖工藝才能制作完成，而每次構(gòu)圖工藝所需的資金很昂貴；因此對(duì)于薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作而言，減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)是制約其發(fā)展的難題。
[0003]因此，針對(duì)上述問(wèn)題本發(fā)明提出一種新的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板及其制作方法、顯示面板；該制作方法通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將電極層制成多個(gè)源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化制作步驟，節(jié)約制作成本的目的。
[0005]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，包括如下步驟:
[0006]制作設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體；
[0007]在所述背板基體上設(shè)置電極層；
[0008]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。
[0009]進(jìn)一步地，還包括如下步驟:
[0010]在所述電極層上設(shè)置復(fù)合層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝一次形成像素定義層和隔離柱。
[0011]進(jìn)一步地，所述電極層材料為金屬材料或氧化物透明電極材料中任意一種。
[0012]進(jìn)一步地，制作所述背板基體包括如下步驟:
[0013]在所述襯底基板上設(shè)置半導(dǎo)體層；
[0014]通過(guò)掩膜光刻工藝將所述半導(dǎo)體層制成有源通道；
[0015]在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層；[0016]在所述柵絕緣層上設(shè)置柵極層；
[0017]通過(guò)掩膜光刻工藝將所述柵極層制成柵極；
[0018]在所述柵極層上設(shè)置隔離保護(hù)層；
[0019]在所述隔離保護(hù)層上設(shè)置層間電介質(zhì)層；
[0020]通過(guò)掩膜光刻工藝在所述隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔。
[0021]進(jìn)一步地，所述柵極層上設(shè)置隔離保護(hù)層的步驟包括:
[0022]在所述柵極層上設(shè)置一層金屬薄膜；
[0023]通過(guò)氧化工藝將所述金屬薄膜氧化為隔離保護(hù)層。
[0024]進(jìn)一步地，所述襯底基板上設(shè)置半導(dǎo)體層的步驟包括:
[0025]在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層；
[0026]在所述緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜；
[0027]對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理；
[0028]對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的半導(dǎo)體層。
[0029]進(jìn)一步地，通過(guò)掩膜光刻工藝將所述半導(dǎo)體層制成有源通道的步驟包括:
[0030]所述有源通道包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在所述源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的溝道連接區(qū)；
[0031]通過(guò)離子注入工藝對(duì)所述有源通道進(jìn)行摻雜劑注入；在注入過(guò)程中，通過(guò)所述柵極作為掩模；將摻雜劑分別注入所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)；
[0032]通過(guò)活化工藝將所述摻雜劑活化。
[0033]一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板，由如上述中任一所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法制成，包括設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體和設(shè)置在該背板基體上的電極層；該電極層上形成有源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。
[0034]進(jìn)一步地，所述背板基體包括襯底基板，在該襯底基板上依次設(shè)置具有多個(gè)有源通道的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、具有多個(gè)柵極的柵極層、隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層；在所述隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有多個(gè)接觸孔。
[0035]一種顯示面板，包括如上述中任一所述的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板。
[0036]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0037]1、本發(fā)明的制作方法采用通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將電極層制成多個(gè)源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極的設(shè)計(jì)；使源極、漏極和像素電極同處于同一電極層；將現(xiàn)有方法中需要通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成的源極、漏極和像素電極，簡(jiǎn)化為只需一次構(gòu)圖工藝即可完成；大大降低了薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的厚度，簡(jiǎn)化了制作步驟，節(jié)約了制作成本。
[0038]2、本發(fā)明的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板采用源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極同處于同一電極層的設(shè)計(jì)，所述漏極和像素電極一體形成，可使其結(jié)構(gòu)的可靠度更高；且將源極、漏極和像素電極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝即可同時(shí)形成；可有效減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡(jiǎn)化制作步驟，節(jié)約制作成本。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0039]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。[0040]圖1是本發(fā)明中所述的制作方法的步驟框圖；
[0041]圖2是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖一(主剖視圖)；
[0042]圖3是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖二 (主剖視圖)；
[0043]圖4是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖三(主剖視圖)；
[0044]圖5是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖四(主剖視圖)；
[0045]圖6是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖五(主剖視圖)；
[0046]圖7是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖六(主剖視圖)。
【具體實(shí)施方式】
[0047]實(shí)施例一:
[0048]參見(jiàn)圖1所示，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，包括如下步驟:
[0049]步驟1、制作設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體；其中，所述背板基體包括襯底基板、半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極層、隔離保護(hù)層、層間電介質(zhì)層和接觸孔；所述半導(dǎo)體層具有多個(gè)有源通道，所述柵極層具有多個(gè)柵極；每一個(gè)所述有源通道和與其位置相對(duì)應(yīng)的所述柵極組成了所述有源器件結(jié)構(gòu)。
[0050]具體的制作所述背板基體具體包括如下步驟:
[0051]參見(jiàn)圖2所示，對(duì)所述襯底基板101進(jìn)行清洗處理，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層102 ;其中，所述襯底基板由玻璃、透明塑料等透光率好的透明材料構(gòu)成；所述緩沖層由氧化硅材料層和氮化硅材料層依次設(shè)置而成，或氧化硅材料層和氮化硅材料層的復(fù)合層制成，氧化硅材料層厚度為50-100納米，氮化硅材料層厚度為100-300納米；所述氧化硅材料層和氮化硅材料層的復(fù)合層是指通過(guò)一次制造工藝制作出的同時(shí)具有氧化硅材料層和氮化硅材料層這兩種材料層的復(fù)合型材料層。
[0052]通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜厚度為40-50納米；將所述襯底基板送入高溫反應(yīng)爐中，對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理；以達(dá)到減少非晶硅薄膜中氫含量的目的，一般將氫的含量控制在2%以內(nèi)；對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的半導(dǎo)體層。
[0053]參見(jiàn)圖3所示，通過(guò)掩膜光刻工藝的這種構(gòu)圖工藝將所述半導(dǎo)體層制成多個(gè)有源通道103 ;所述有源通道包括源極接觸區(qū)104、漏極接觸區(qū)105以及設(shè)置在所述源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的溝道連接區(qū)106。本發(fā)明中所述掩膜光刻工藝包括光刻膠涂布、掩膜板設(shè)置、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序。
[0054]參見(jiàn)圖3所示，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置所述柵絕緣層107 ;該柵絕緣層為氧化硅材料層和氮化硅材料層的復(fù)合層，其中，氧化硅材料層厚度為50-100納米，氮化硅材料層厚度為40-80納米；該柵絕緣層用于阻隔各薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極與有源通道，使兩者在工作時(shí)不會(huì)發(fā)生電信號(hào)串?dāng)_。
[0055]通過(guò)磁控濺射工藝在所述柵絕緣層上設(shè)置所述柵極層；該柵極層由鑰、鎢、鈦、鉻等中一種金屬制成，或者由上述各元素中任意組合形成合金制成。
[0056]通過(guò)掩膜光刻工藝的這種構(gòu)圖工藝將所述柵極層制成多個(gè)所述柵極108 ;至此包括所述有源通道及所述柵極的多個(gè)完整的所述有源器件結(jié)構(gòu)已形成于所述襯底基板之上；
[0057]通過(guò)離子注入工藝對(duì)所述有源通道進(jìn)行摻雜劑注入；在注入過(guò)程中，通過(guò)位于所述溝道連接區(qū)上方的所述柵極作為掩模，實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)；將所述摻雜劑分別注入位于所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)處的所述半導(dǎo)體層中；形成具有所述摻雜劑的所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)。
[0058]通過(guò)活化工藝將所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)中的所述摻雜劑活化；以使活化后的離子形態(tài)的所述摻雜劑具有更高的移動(dòng)能力，使之在位于所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)的所述半導(dǎo)體層中自動(dòng)填補(bǔ)到合適的位置，用以修復(fù)其內(nèi)的晶格缺陷。所述摻雜劑根據(jù)其成分不同可分為P型摻雜劑和N型摻雜劑；對(duì)應(yīng)不同的所述摻雜劑可使所述有源通道具有不同的特性，也就是說(shuō)，本發(fā)明的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板中可包括N型薄膜晶體管和/或P型薄膜晶體管這兩種薄膜晶體管，每種所述薄膜晶體管均包括所述有源通道、柵極、連接在所述源極接觸區(qū)上的源極以及連接在所述漏極接觸區(qū)上的漏極。
[0059]參見(jiàn)圖4所示，在所述柵極層上設(shè)置所述隔離保護(hù)層109 ;具體地說(shuō):
[0060]通過(guò)磁控濺射工藝在所述柵極層上設(shè)置一層金屬薄膜；該金屬薄膜采用易于氧化的金屬材料制成，例如鋁；以下以材料為鋁的金屬薄膜的舉例說(shuō)明；
[0061]通過(guò)氧化工藝將材料為鋁的所述金屬薄膜氧化為氧化鋁金屬薄膜的這種非金屬薄膜，該非金屬薄膜即為所述隔離保護(hù)層；以起到對(duì)所述背板基體中各薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的所述柵極進(jìn)行隔離保護(hù)的作用，以提高各薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性；所述氧化工藝可選用高溫氧氣爐氧化處理或氧氣等離子體氧化處理兩種氧化工藝中的一種；其中，所述高溫氧氣爐氧化處理的反應(yīng)溫度為260攝氏度至320攝氏度之間；優(yōu)選為300攝氏度。
[0062]參見(jiàn)圖5所示，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述隔離保護(hù)層上設(shè)置層間電介質(zhì)層Iio ;該層間電介質(zhì)層為氧化娃材料層和氮化娃材料層的復(fù)合層；
[0063]通過(guò)掩膜光刻工藝的這種構(gòu)圖工藝在所述層間電介質(zhì)層內(nèi)形成多個(gè)所述接觸孔111 ;該接觸孔貫穿所述層間電介質(zhì)層和所述隔離保護(hù)層，直至所述有源通道的所述源極接觸區(qū)和所述漏極接觸區(qū)；至此，所述背板基體制作完成。
[0064]對(duì)所述背板基體進(jìn)行高溫退火處理，由于所述背板基體中所述緩沖層、柵絕緣層以及層間電介質(zhì)層均由氮化硅材料層制成，因此，高溫退火處理可使這三層中的氫擴(kuò)散(氫化)，以起到修復(fù)氮化硅材料層中氫懸掛鍵的作用。
[0065]步驟2、在所述背板基體上設(shè)置電極層；
[0066]通過(guò)磁控濺射工藝在所述背板基體的所述層間電介質(zhì)層上設(shè)置電極層；所述電極層材料為鋁、鈦、銀等金屬材料或氧化物透明電極材料中任意一種，或上述中所述鋁、鈦、銀任意幾種金屬組成的合金制成；其中，所述氧化物透明電極材料可以是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅等材料。本發(fā)明中當(dāng)所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板用作制造底發(fā)射式顯示面板時(shí)，則所述電極層可選用氧化物透明電極材料，使光線經(jīng)由金屬材料制成的顯示面板陰極向下反射，并透過(guò)由氧化物透明電極材料制成的電極層，從顯示面板底面發(fā)射出去；反之，當(dāng)所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板用作制造頂發(fā)射式顯示面板時(shí)，則所述電極層可選用金屬材料，使光線經(jīng)所述電極層向上反射，并透過(guò)由氧化物透明電極材料制成的顯示面板陰極，從顯示面板頂面發(fā)射出去；不論是頂發(fā)射式顯示面板還是底發(fā)射式顯示面板，其工作原理及構(gòu)造均屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再過(guò)多贅述。
[0067]步驟3、參見(jiàn)圖6所示，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成多個(gè)源極112、漏極113以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極114 ;本發(fā)明中所述源極、漏極以及像素電極共用同一層結(jié)構(gòu)；所述構(gòu)圖工藝為掩膜光刻工藝，該掩膜光刻工藝包括曝光、顯影、刻蝕和剝離等步驟；具體地說(shuō)，按照預(yù)先設(shè)計(jì)好的各所述源極、漏極和像素電極的布設(shè)圖，在所述電極層上對(duì)應(yīng)刻蝕出所述源極、漏極和像素電極；又由于在現(xiàn)有的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板中像素電極是與漏極連接的，因此需要將所述像素電極和所述漏極刻制成為一體。本實(shí)施例中所述源極和漏極均通過(guò)接觸孔與所述背板基體中各所述有源器件結(jié)構(gòu)中的所述有源通道連接；本實(shí)施例中各所述有源器件結(jié)構(gòu)包括所述柵極和所述有源通道；所述柵極對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述有源通道的上方，并與所述有源通道中的所述溝道連接區(qū)位置相對(duì)應(yīng)。
[0068]步驟4、參見(jiàn)圖7所示，在所述電極層上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成像素定義層115和位于像素定義層115上的隔離柱116 ;至此，本發(fā)明的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板制作完成；本實(shí)施例中所述像素定義層和隔離柱的結(jié)構(gòu)及制作過(guò)程均屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再過(guò)多贅述。
[0069]本發(fā)明中所述的掩膜光刻工藝、熱退火工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、活化工藝、離子注入工藝、高溫退火處理、準(zhǔn)分子激光退火處理、磁控濺射工藝、脫氫處理和氧化工藝均是常規(guī)工藝；因此，本發(fā)明不再對(duì)上述各工藝進(jìn)行具體贅述。
[0070]本發(fā)明的制作方法采用通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成多個(gè)所述源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極的設(shè)計(jì)；使所述源極、漏極和像素電極同處于同一電極層；將現(xiàn)有方法中需要通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成的源極、漏極和像素電極，簡(jiǎn)化為只需一次構(gòu)圖工藝即可完成；大大降低了薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的厚度，簡(jiǎn)化了制作步驟，節(jié)約了制作成本。
[0071]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的所有源極和漏極不做區(qū)分，也就是說(shuō)，源極也可以叫漏極，相應(yīng)地，此時(shí)漏極也可以叫源極。
[0072]實(shí)施例二:
[0073]本實(shí)施例中的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板是由實(shí)施例一中所述的制作方法制成的，因此，實(shí)施例一中公開(kāi)的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實(shí)施例一公開(kāi)的內(nèi)容也屬于本實(shí)施例公開(kāi)的內(nèi)容。
[0074]參見(jiàn)圖7所示，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板，由如上述中所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法制成；該薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板包括設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體和設(shè)置在該背板基體上的電極層；該電極層上形成有多個(gè)源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。
[0075]本實(shí)施例中所述背板基體包括襯底基板，在該襯底基板上依次設(shè)置具有多個(gè)有源通道的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、具有多個(gè)柵極的柵極層、隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層；在所述層間電介質(zhì)層和隔離保護(hù)層內(nèi)設(shè)有多個(gè)接觸孔。本實(shí)施例中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成具有所述源極、漏極和像素電極的圖案；所述像素電極設(shè)置在所述層間電介質(zhì)層上，該像素電極一側(cè)與所述漏極上端連為一體。
[0076]本實(shí)施例中各所述有源器件結(jié)構(gòu)均包括其中一個(gè)所述有源通道以及設(shè)置在該有源通道上方的所述柵極。
[0077]本實(shí)施例中所述有源通道包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)和設(shè)置在所述源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的溝道連接區(qū)，其中，所述柵極對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述溝道連接區(qū)上。
[0078]本實(shí)施例中各所述源極接觸區(qū)和各所述漏極接觸區(qū)上均設(shè)有所述接觸孔，該接觸孔貫穿所述層間電介質(zhì)層和所述隔離保護(hù)層。
[0079]本實(shí)施例中所述漏極下端伸入所述接觸孔并與所述漏極接觸區(qū)連接；所述源極下端伸入所述接觸孔并與所述源極接觸區(qū)連接。
[0080]本實(shí)施例中所述襯底基板與所述半導(dǎo)體層之間還設(shè)有緩沖層；所述電極層上設(shè)有像素定義層；該像素定義層上設(shè)有與所述像素電極相對(duì)應(yīng)的槽口 117 ;以便于像素電極與有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(AMOLED, Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)的有機(jī)電致發(fā)光層導(dǎo)通；本實(shí)施例中所述像素定義層上設(shè)有隔離柱。
[0081]本發(fā)明對(duì)圖7中的圖示比例不作限定，也就是說(shuō)圖7中所展示的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板僅僅用作示意，而不用做限定其具體的規(guī)格尺寸及比例等參數(shù)。
[0082]實(shí)施例三:
[0083]本實(shí)施例中的顯示面板是在實(shí)施例二中所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的基礎(chǔ)上改進(jìn)的，因此，實(shí)施例二中公開(kāi)的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實(shí)施例二公開(kāi)的內(nèi)容也屬于本實(shí)施例公開(kāi)的內(nèi)容。
[0084]本實(shí)施例提供一種顯示面板，包括如上述中所述的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板。
[0085]本實(shí)施例中所述顯示面板可以是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，也可以是主動(dòng)式矩陣液晶顯示器；且該顯示面板為頂發(fā)射式顯示面板；所述的頂發(fā)射式顯示面板是指:薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板通過(guò)采用金屬材料制成的電極層將形成圖像的光線向上反射，并通過(guò)顯示面板的頂面射出；本實(shí)施例中所述的頂發(fā)射式顯示面板，其具體結(jié)構(gòu)和原理屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再過(guò)多贅述。
[0086]具體地說(shuō)，因?yàn)楸∧ぞw管驅(qū)動(dòng)背板只需提供反射光線所需的高反射率，不需要其具有高透過(guò)率，對(duì)其開(kāi)口率也沒(méi)有要求；因此，薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板上的像素電極也可以采用與源極和漏極同樣的金屬材質(zhì)或氧化物透明電極材料制成；這就為一次形成處于同一電極層的像素電極、源極和漏極提供了前提條件；而現(xiàn)有的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板中往往采用源極和漏極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成一層金屬電極層；再在該金屬電極層上通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝設(shè)置具有像素電極的一層透明電極層；這不僅增加了薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板厚度，而且需要兩次構(gòu)圖工藝分別制成，使得制作步驟復(fù)雜，且增加了制作成本；因此，本發(fā)明的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板以及顯示面板均采用源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極同處于同一電極層的設(shè)計(jì)，所述漏極和像素電極一體形成，可使其結(jié)構(gòu)的可靠度更高；且將源極、漏極和像素電極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝即可同時(shí)形成；可有效減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡(jiǎn)化制作步驟,節(jié)約制作成本。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于:包括如下步驟: 制作設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體； 在所述背板基體上設(shè)置電極層； 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將所述電極層制成源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于:還包括如下步驟: 在所述電極層上設(shè)置復(fù)合層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝一次形成像素定義層和隔離柱。
3.如權(quán)利要求2所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于: 所述電極層材料為金屬材料或氧化物透明電極材料中任意一種。
4.如權(quán)利要求3所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于: 制作所述背板基體包括如下步驟: 在所述襯底基板上設(shè)置半導(dǎo)體層； 通過(guò)掩膜光刻工藝將所述半導(dǎo)體層制成有源通道； 在所述半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上設(shè)置柵極層； 通過(guò)掩膜光刻工藝將所述柵極層制成柵極； 在所述柵極層上設(shè)置隔離保護(hù)層； 在所述隔離保護(hù)層上設(shè)置層間電介質(zhì)層； 通過(guò)掩膜光刻工藝在所述隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔。
5.如權(quán)利要求4所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于:所述在所述柵極層上設(shè)置隔離保護(hù)層的步驟包括: 在所述柵極層上設(shè)置一層金屬薄膜； 通過(guò)氧化工藝將所述金屬薄膜氧化為隔離保護(hù)層。
6.如權(quán)利要求4所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于: 所述在所述襯底基板上設(shè)置半導(dǎo)體層的步驟包括: 在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層； 在所述緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜； 對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理； 對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求4所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法，其特征在于: 所述通過(guò)掩膜光刻工藝將所述半導(dǎo)體層制成有源通道的步驟包括: 所述有源通道包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在所述源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的溝道連接區(qū)； 通過(guò)離子注入工藝對(duì)所述有源通道進(jìn)行摻雜劑注入；在注入過(guò)程中，通過(guò)所述柵極作為掩模；將摻雜劑分別注入所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)； 通過(guò)活化工藝將所述摻雜劑活化。
8.一種薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，由如權(quán)利要求1-7中任一所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板的制作方法制成；所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板包括設(shè)有多個(gè)有源器件結(jié)構(gòu)的背板基體和設(shè)置在該背板基體上的電極層；該電極層上形成有源極、漏極以及與漏極呈一體設(shè)置的像素電極。
9.如權(quán)利要求8所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于:所述背板基體包括襯底基板，在該襯底基板上依次設(shè)置具有多個(gè)有源通道的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、具有多個(gè)柵極的柵極層、隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層；在所述隔離保護(hù)層和層間電介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有多個(gè)接觸孔。
10.一種顯示面板，其特征在于:包括如權(quán)利要求8-9中任一所述的薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)背板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103489827SQ201310451705
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】王祖強(qiáng), 劉建宏 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司