觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及觸摸顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法。該觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括形成在基板一側(cè)的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號(hào)反饋層，在所述觸控信號(hào)反饋層上設(shè)置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。
【專利說明】觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的高速發(fā)展，電子類產(chǎn)品已發(fā)生了天翻地覆的變化，隨著近來觸控式電子類產(chǎn)品的問世，觸控產(chǎn)品已越來越多的受到人們的追捧，不但可節(jié)省空間，方便攜帶，而且用戶通過手指或者觸控筆等就可直接操作，使用舒適，非常便捷。例如，目前市場(chǎng)常見的個(gè)人數(shù)字處理(PDA)、觸控類手機(jī)、手提式筆記型電腦等等，都已加大對(duì)觸控技術(shù)的投入，所以觸控式裝置將來必在各個(gè)領(lǐng)域有更加廣泛的應(yīng)用。
[0003]OLED (英文全稱為Organic Light-Emitting Diode,中文名稱為有機(jī)發(fā)光二極管)顯示屏，其顯示方式與傳統(tǒng)的IXD (英文全稱為L(zhǎng)iquid Crystal Display,中文名稱為液晶顯示器)顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此，OLED的特性是自己發(fā)光，不像TFT (英文全稱為ThinFilm Transistor,中文名稱為薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)_IXD需要背光，因此可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡(jiǎn)單，成本低等，被視為二十一世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。
[0004]觸控技術(shù)與OLED技術(shù)的結(jié)合必定促進(jìn)顯示技術(shù)的發(fā)展，也是未來顯示發(fā)展的一種趨勢(shì)，現(xiàn)階段有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置觸控結(jié)構(gòu)大多是將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置顯示部分分開做，這樣增加了顯示器本身的重量和厚度，與有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置本省的優(yōu)勢(shì)輕、薄相悖。
[0005]因此，針對(duì)以上不足，本發(fā)明提供了一種觸控的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一)要解決的技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法，以解決現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置大多是將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置顯示部分分開做，增加了顯示器本身的重量和厚度，與有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置本省的優(yōu)勢(shì)輕、薄相悖的問題。
[0008](二)技術(shù)方案
[0009]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側(cè)的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號(hào)反饋層，在所述觸控信號(hào)反饋層上設(shè)置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層。
[0010]進(jìn)一步地，[0011]所述薄膜晶體管上形成有保護(hù)層；
[0012]在所述保護(hù)層上形成所述觸控信號(hào)反饋層；
[0013]在所述觸控信號(hào)反饋層上形成層間絕緣層；
[0014]在所述層間絕緣層上設(shè)有第一過孔，在所述保護(hù)層上設(shè)有第二過孔，所述陽極層形成于所述層間絕緣層上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
[0015]進(jìn)一步地，所述發(fā)光基板包括依次形成于所述陽極層上的發(fā)光層和陰極層。
[0016]進(jìn)一步地，所述陽極層的厚度為400A-700A。
[0017]進(jìn)一步地，所述觸控信號(hào)接收層和觸控信號(hào)反饋層均由ITO制成。
[0018]進(jìn)一步地，所述觸控信號(hào)接收層的厚度為400A-700A，所述觸控信號(hào)反饋層的厚度為 400A-700A。
[0019]進(jìn)一步地，所述保護(hù)層的材料為SiOx或SiNx。
[0020]本發(fā)明還提供了一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法，其包括:
[0021]在基板的一側(cè)形成觸控信號(hào)接收層的圖形；
[0022]在所述基板的另一側(cè)形成包括漏極的薄膜晶體管圖形；
[0023]在所述薄膜晶體管上形成觸控信號(hào)反饋層的圖形；
[0024]在所述觸控信號(hào)反饋層上形成包括陽極層的發(fā)光基板的圖形，所述陽極層與所述漏極連接。
[0025]進(jìn)一步地，包括通過構(gòu)圖工藝形成的以下圖形:
[0026]在所述薄膜晶體管的源極及漏極上形成具有第二過孔的保護(hù)層的圖形；
[0027]在所述保護(hù)層上形成所述觸控信號(hào)反饋層的圖形；
[0028]在所述觸控信號(hào)反饋層上形成具有第一過孔的層間絕緣層；
[0029]在所述層間絕緣層上形成所述陽極層的圖形，且所述陽極層通過所述第一過孔及第二過孔與所述漏極連接。
[0030]進(jìn)一步地，在所述陽極層上依次通過構(gòu)圖工藝形成發(fā)光層的圖形和陰極層的圖形。
[0031](三)有益效果
[0032]本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0033]1、本發(fā)明的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側(cè)的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號(hào)反饋層，在所述觸控信號(hào)反饋層上設(shè)置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層。這樣將觸控信號(hào)反饋層設(shè)置于薄膜晶體管的內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，解決了需要將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分分開做的問題，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。
[0034]2、本發(fā)明的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其在基板的一側(cè)形成觸控信號(hào)接收層的圖形，在所述基板的另一側(cè)形成包括漏極的薄膜晶體管圖形，在所述薄膜晶體管上形成觸控信號(hào)反饋層的圖形，在所述觸控信號(hào)反饋層上形成包括陽極層的發(fā)光基板的圖形，所述陽極層與所述漏極連接。通過該方法使得觸控信號(hào)反饋層位于薄膜晶體管內(nèi)，簡(jiǎn)化了制作步驟，節(jié)約了制作成本，同時(shí)也減小了通過該方法制作的顯示裝置的厚度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中第一次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中第二次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中第三次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一中第四次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖5是本發(fā)明實(shí)施例一中第五次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖6是本發(fā)明實(shí)施例一中第六次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖7是本發(fā)明實(shí)施例一中第七次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖8是本發(fā)明實(shí)施例一中第八次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖9是本發(fā)明實(shí)施例一中第九次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖10是本發(fā)明實(shí)施例一中第十次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖11是本發(fā)明實(shí)施例一中第^ 次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖12是本發(fā)明實(shí)施例一中第十二次光刻工藝完成后的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖13是本發(fā)明觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置簡(jiǎn)化的截面示意圖；
[0048]圖14是本發(fā)明觸控電極正交條形圖形；
[0049]圖15是本發(fā)明實(shí)施例三的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]圖中:1:觸控信號(hào)接收層；2:基板；3:柵極；4:柵極絕緣層；5:有源層；6:阻擋層；71:源極；72:漏極；8:保護(hù)層；9:觸控信號(hào)反饋層；10:層間絕緣層；11:陽極層；12:發(fā)光層；13:陰極層；14:緩沖層；15:平坦層；A:薄膜晶體管；B:發(fā)光基板；C:外部總控制電路。
【具體實(shí)施方式】
[0051]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映本發(fā)明觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明的內(nèi)容。[0052]實(shí)施例一
[0053]如圖1-13所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其為底柵式結(jié)構(gòu)。該觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括形成在基板2—側(cè)的薄膜晶體管A，在所述薄膜晶體管A上形成有觸控信號(hào)反饋層9，在所述觸控信號(hào)反饋層9上設(shè)置發(fā)光基板B，所述發(fā)光基板B的陽極層11與所述薄膜晶體管A的漏極72連接，在所述基板2的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層I。
[0054]本發(fā)明的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置通過在基板2的一側(cè)形成觸控信號(hào)接受層1，在薄膜晶體管A上形成觸控信號(hào)反饋層9，發(fā)光基板B的陽極層11與薄膜晶體管A的漏極72連接，實(shí)現(xiàn)了將觸控信號(hào)反饋層11設(shè)置于薄膜晶體管A的內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，大大降低了顯示器本身的重量和厚度。
[0055]具體地，所述薄膜晶體管包括:形成在所述基板2上的柵極3 ;覆蓋在所述柵極3上并延伸至所述基板2上的柵極絕緣層4 ;在所述柵極絕緣層4上形成的并位于所述柵極2上方的有源層5 ;覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述柵極絕緣層4上的阻擋層6 ;在所述阻擋層6上形成有源極71及漏極72，所述源極71及漏極72與有源層5連接；在所述源極71及漏極72上形成的保護(hù)層8 ;在所述保護(hù)層8上形成所述觸控信號(hào)反饋層9 ;在所述觸控信號(hào)反饋層9上形成層間絕緣層10 ;在所述層間絕緣層10上設(shè)有第一過孔，在所述保護(hù)層8上設(shè)有第二過孔，所述陽極層11形成于所述層間絕緣層10上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管A的漏極72連接；在陽極層11上依次形成發(fā)光層和陰極層。
[0056]圖1-12為本發(fā)明的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制作方法的示意圖，可進(jìn)一步說明本實(shí)施例的技術(shù)方案，在以下說明中，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。
[0057]所述基板2可采用透明的無堿玻璃基板或者石英基板，或者采用將其他具有一定硬度的透明基板。
[0058]本實(shí)施例一的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置采用多次構(gòu)圖工藝過程形成，所述多次構(gòu)圖工藝的具體工藝流程如下:
[0059]步驟1，如圖1所示，在清洗好的基板2 —側(cè)濺射觸控信號(hào)接收層1，其由納米銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides，縮寫為IT0)制成，厚度可控制在400A-700A,在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號(hào)接收層ITO圖形。
[0060]步驟2，如圖2所示，將步驟I制好的基板2翻轉(zhuǎn)過來，在清洗好的基板2的另一側(cè)上采用磁控派射或熱蒸發(fā)的方法形成柵極3,其材料可以選擇Mo或AlNd/Mo,厚度可控制在
2000A ~ 3000人，在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成背板第一層?xùn)艠O圖形。
[0061]步驟3，如圖3所示，在完成步驟2的基板2上沉積柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4覆蓋在所述柵極3上并延伸至所述基板2上，柵極絕緣層4采用材料SiOx或SiNx，厚度
可控制在4000A左右。
[0062]步驟4，如圖4所示，在完成步驟3的基板2上濺射形成有源層5，其由銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide,縮寫為IGZO)制成,派射厚度40nm?60nm,經(jīng)過涂膠,曝光，顯影，濕刻，剝離，固化，完成有源層5的制作。
[0063]步驟5，如圖5所示，在步驟4的基板2上沉積阻擋層6，所述阻擋層6覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述柵極絕緣層4上，其材料可以是3101，厚度控制在丨000人左右。
經(jīng)過退火一小時(shí)。然后進(jìn)行經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離，形成接觸過孔。
[0064]步驟6，如圖6所示，在步驟5的基板2上濺射源極71和漏極72，經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成源極71和漏極72的圖形；源極71和漏極72的材料可以選擇Mo或AlNd/Mo，厚度控制在2000 A~3000 A之間。
[0065]步驟7，如圖7所示，在步驟6的基板2上涂覆光刻膠制作保護(hù)層8，所述保護(hù)層的材料可以為SiOx或SiNx，然后曝光，顯影形成第二過孔。
[0066]步驟8，如圖8所示，在步驟7的基板2上濺射觸控信號(hào)反饋層9，其由ITO制成，厚度可控制在400人~ 700A,在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號(hào)反饋層圖形。
[0067]步驟9，如圖9所示，在步驟8的基板2上制作層間絕緣層10，經(jīng)過固化，顯影，曝光形成第一過孔。
[0068]步驟10，如圖10所示，在步驟9的基板2上濺射陽極層11，厚度控制在400人~ 700A左右。經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成ITO圖形。
[0069]步驟11，如圖11所示，在步驟10的基板2上蒸鍍發(fā)光層12。
[0070]步驟12，如圖12所示，在步驟11的基板2上蒸鍍陰極層13。
[0071]有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制作的材料選擇有廣泛的靈活性，本發(fā)明的實(shí)施例不做要求。
[0072]在經(jīng)過上述步驟后進(jìn)行封裝，封裝后，器件的制作結(jié)束。然后再經(jīng)過后續(xù)的電路接線，即可實(shí)現(xiàn)觸控顯示。
[0073]如圖13所示，觸控信號(hào)接收層I形成于基板2的一側(cè)，觸控信號(hào)反饋層9形成在薄膜晶體管A上，然后在薄膜晶體管A上再設(shè)置發(fā)光基板B，再通過外部總控制電路將觸控信號(hào)接收層I和觸控信號(hào)反饋層9連接，可以達(dá)到觸控顯示。
[0074]具體地工作原理，如圖14所示，給出了條形的觸控截面圖。其中，I為觸控信號(hào)接收層，可以接受X向的脈沖信號(hào)，9為觸控信號(hào)反饋層。當(dāng)給其中一列觸控信號(hào)反饋層9上的觸控電極加上Y向的脈沖信號(hào)時(shí)，其他列接地，同時(shí)，對(duì)觸控信號(hào)接收層I上的感應(yīng)電極逐行進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)完后電容改變的一個(gè)交叉點(diǎn)便可以確定出來，通過算法計(jì)算便可以得出在觸控屏上的哪個(gè)點(diǎn)被觸摸，通過外部總控制電路C在觸控屏上顯示，從而達(dá)到觸控目的。當(dāng)手指接觸時(shí)，等效為電容改變，可以檢測(cè)電壓或者電荷；當(dāng)然，所述觸控信號(hào)反饋層也可與所述觸控信號(hào)接收層互換；具體地說，所述觸控信號(hào)反饋層也可接受X向的脈沖信號(hào)，相應(yīng)的在觸控信號(hào)接收層上的觸控電極加上Y向的脈沖信號(hào)；以此也可達(dá)到觸控目的。
[0075]通常用的設(shè)計(jì)圖形可以是條形圖形、菱形圖形和三角形圖形。其中菱形圖形比較常用，一般設(shè)計(jì)時(shí)要求圖形之間的連線避免過長(zhǎng)，如果連線過長(zhǎng)會(huì)使的線電阻過大，從而延長(zhǎng)掃描時(shí)間。每行和每列的菱形應(yīng)該是完整的，如果空間允許可以向外擴(kuò)展些以增加邊緣的靈敏度。半菱形不能過多，在每行和每列的結(jié)束處使用半菱形，這樣可以避免行和列的感應(yīng)面積不一樣，導(dǎo)致掃面檢測(cè)不一致。觸控圖形與外部總控制電路的連接用到金屬線可以是納米銀、Al、Cu等線電阻值小的金屬,長(zhǎng)度可以控制在50-200um之間。
[0076]實(shí)施例二
[0077]如圖15所示，本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其為頂柵式結(jié)構(gòu)。
[0078]其工作原理和實(shí)施例一相同，本實(shí)施例二的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置包括:形成在基板2 —側(cè)的觸控信號(hào)接收層I ;形成在基板2的另一側(cè)的緩沖層14 ;形成在緩沖層14上的有源層5 ;覆蓋在所述有源層5上并延伸至緩沖層14上的柵極絕緣層4，在柵極絕緣層4上設(shè)有接觸過孔；形成在柵極絕緣層4上且位于有源層5上方的柵極3 ;覆蓋在所述柵極3上并延伸至柵極絕緣層4上的平坦層15，在層間絕緣層10上設(shè)有接觸過孔；形成在層間絕緣層10上的源極71和漏極72，所述源極71和漏極72通過接觸過孔與柵極5連接；覆蓋在源極71和漏極72上并延伸至層間絕緣層10上的保護(hù)層8 ;在保護(hù)層8上形成所述觸控信號(hào)反饋層9 ;在所述觸控信號(hào)反饋層9上形成層間絕緣層10 ;在所述層間絕緣層10上設(shè)有第一過孔，在所述保護(hù)層8上設(shè)有第二過孔，所述陽極層11形成于所述層間絕緣層10上，并通過所述第一過孔及第二過孔與漏極72連接；在陽極層11上依次形成發(fā)光層12和陰極層13。
[0079]具體地制作方法工藝和實(shí)施例一類似，具體工藝流程如下:
[0080]步驟1，在清洗好的基板2的一側(cè)濺射觸控信號(hào)接收層1，由ITO制成，厚度可控制
在400A-700人，在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成觸控信號(hào)接收層ITO圖形。
[0081]步驟2，將步驟I制好的基板2翻轉(zhuǎn)過來，在清洗好的基板2的另一側(cè)濺射緩沖層14。
[0082]步驟3，在完成步驟2的基板2上部分濺射形成有源層5，濺射厚度40nm_60nm，經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離，固化，完成有源層IGZO的制作。
[0083]步驟4，在完成步驟3的基板2上沉積柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4覆蓋在所述有源層5上并延伸至所述緩沖層14上，其材料采用SiOx和SiNx，厚度可控制在4000人左右，經(jīng)過固化，顯影，曝光形成接觸過孔。
[0084]步驟5，在完成步驟4的基板2上濺射柵極3，其材料可以選擇Mo或AlNd/Mo，厚度可控制在2000人~3000人，在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成背板第一層?xùn)艠O圖形。
[0085]步驟6，在完成步驟5的基板2上制作平坦層15，所述層間絕緣層10覆蓋在柵極3上并延伸至所述柵極絕緣層4上，其經(jīng)過固化，顯影，曝光形成ITO接觸過孔。
[0086]步驟7，在完成步驟6的基板2上濺射源極71和漏極72，經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成源極和漏極圖形。其可以選擇Mo或AlNd/Mo的材料，厚度控制在
2000 A ~ 3000 A 之間。
[0087]步驟8，在完成步驟7的基板2上涂覆光刻膠制作保護(hù)層8，所述保護(hù)層的材料可以為SiOx或SiNx,然后曝光,顯影形成第二過孔。
[0088]步驟9，在完成步驟8的基板2上濺射觸控信號(hào)反饋層9，由ITO制成，厚度可控制在400人~ 700人，在經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，刻蝕，剝離完成觸控信號(hào)反饋層圖形。
[0089]步驟10，在完成步驟9的基板2上涂覆光刻膠制作層間絕緣層10，然后曝光，顯影形成第一過孔。
[0090]步驟11，在完成步驟10的基板2上濺射陽極層11，其厚度控制在400人~ 700人
左右。經(jīng)過涂膠，曝光，顯影，濕刻，剝離完成ITO圖形。[0091]步驟12，在完成步驟11的基板2上蒸鍍發(fā)光層12。
[0092]步驟13，在完成步驟12的基板2上蒸鍍陰極層13。
[0093]在經(jīng)過上述步驟后就可以進(jìn)行封裝，封裝后，器件的制作結(jié)束。在經(jīng)過后續(xù)的電路接線，可以實(shí)現(xiàn)觸控顯示。
[0094]另需要說明的是，本發(fā)明的薄膜晶體管可以是P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管或N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0095]綜上所述，本發(fā)明的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括形成在基板一側(cè)的薄膜晶體管，在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號(hào)反饋層，在所述觸控信號(hào)反饋層上設(shè)置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層。這樣將觸控信號(hào)反饋層設(shè)置于薄膜晶體管的內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分制作為一體，解決了需要將觸控屏和有機(jī)發(fā)光二極管顯示部分分開做的問題，大大降低了顯示器本身的重量和厚度，節(jié)約了制作成本。
[0096]以上所述僅是本發(fā)明的幾種優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括形成在基板一側(cè)的薄膜晶體管，其特征在于:在所述薄膜晶體管上形成有觸控信號(hào)反饋層，在所述觸控信號(hào)反饋層上設(shè)置發(fā)光基板，所述發(fā)光基板的陽極層與所述薄膜晶體管的漏極連接，在所述基板的另一側(cè)形成有觸控信號(hào)接收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于: 所述薄膜晶體管上形成有保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上形成所述觸控信號(hào)反饋層； 在所述觸控信號(hào)反饋層上形成層間絕緣層； 在所述層間絕緣層上設(shè)有第一過孔，在所述保護(hù)層上設(shè)有第二過孔，所述陽極層形成于所述層間絕緣層上，并通過所述第一過孔及第二過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述發(fā)光基板包括依次形成于所述陽極層上的發(fā)光層和陰極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述陽極層的厚度為400A-700A。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述觸控信號(hào)接收層和觸控信號(hào)反饋層均由ITO制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述觸控信號(hào)接收層的厚度為400A-700A,所述觸控信號(hào)反饋層的厚度為400A-700A。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于:所述保護(hù)層的材料為SiOx或SiNx。
8.—種觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法，其特征在于:包括: 在基板的一側(cè)形成觸控信號(hào)接收層的圖形； 在所述基板的另一側(cè)形成包括漏極的薄膜晶體管圖形； 在所述薄膜晶體管上形成觸控信號(hào)反饋層的圖形； 在所述觸控信號(hào)反饋層上形成包括陽極層的發(fā)光基板的圖形，所述陽極層與所述漏極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法，其特征在于:包括通過構(gòu)圖工藝形成的以下圖形: 在所述薄膜晶體管的源極及漏極上形成具有第二過孔的保護(hù)層的圖形； 在所述保護(hù)層上形成所述觸控信號(hào)反饋層的圖形； 在所述觸控信號(hào)反饋層上形成具有第一過孔的層間絕緣層； 在所述層間絕緣層上形成所述陽極層的圖形，且所述陽極層通過所述第一過孔及第二過孔與所述漏極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法，其特征在于:在所述陽極層上依次通過構(gòu)圖工藝形成發(fā)光層的圖形和陰極層的圖形。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103531608SQ201310452236
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】張文林, 曹占鋒, 孫雙 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司