一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上沉積氧化物層；在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽；在第一溝槽中填充硅層，以用于形成第一有源區(qū)；在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第二溝槽；在第二溝槽中填充鍺硅層，以用于形成第二有源區(qū)，其中，硅層和鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，可以在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)之間形成無隙且高度相同的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，且所述第二有源區(qū)是在鍺硅層中形成的，便于后續(xù)在其中形成鍺硅溝道區(qū)。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種形成淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)的方法以及具有該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造工藝中，所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的性能對于最后形成的半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能而言至關(guān)重要。隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的不斷減小，為了確保在半導(dǎo)體襯底中形成的溝槽中實現(xiàn)構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的氧化物的無隙填充，通常實施三步沉積工藝完成所述氧化物的填充。由于受到所述溝槽的特征尺寸的制約，導(dǎo)致所述三步沉積工藝中的每一步的沉積速率存在差異，因而，在進行高溫退火之后，所述三步沉積工藝中的每一步所形成的氧化物的致密程度存在差異。在形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之后，需要去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)高出半導(dǎo)體襯底的部分，通常采用濕法蝕刻來完成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)高出半導(dǎo)體襯底的部分的去除，例如腐蝕液為稀釋的氫氟酸(DHF)的濕法蝕刻。由于構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的三層氧化物的致密程度存在差異，導(dǎo)致所述濕法蝕刻對所述三層氧化物的蝕刻速率存在差異，因而，在所述濕法蝕刻之后，位于半導(dǎo)體襯底的不同區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)高出半導(dǎo)體襯底的部分的去除效果不同，有的完全去除，有的去除大部分，有的去除一小部分。
[0003]如圖1所示，在所述干法蝕刻之后，位于半導(dǎo)體襯底100的形成器件密度較大的區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101的高度低于位于半導(dǎo)體襯底100的形成器件密度較小的區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102的高度。造成這一現(xiàn)象的原因可能是，在半導(dǎo)體襯底100的形成器件密度較大的區(qū)域形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101的寬度的特征尺寸小于在半導(dǎo)體襯底100的形成器件密度較小的區(qū)域形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102的寬度的特征尺寸，導(dǎo)致所述三步沉積工藝所形成的構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101的三層氧化物相比構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102的三層氧化物具有微小的致密程度的差異；在所述濕法蝕刻過程中，相對于構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102的三層氧化物，所述濕法蝕刻的腐蝕液對構(gòu)成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101的三層氧化物具有更大的蝕刻速率。
[0004]由于形成在半導(dǎo)體襯底的不同區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的高度不一致，導(dǎo)致后續(xù)在半導(dǎo)體襯底上形成柵極介電層和柵極材料層以后，由柵極介電層和柵極材料層構(gòu)成的柵極結(jié)構(gòu)的高度也不一致，進而造成形成在半導(dǎo)體襯底的不同區(qū)域的器件的電學(xué)性能的差異。
[0005]因此，需要提出一種方法，以解決上述問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積氧化物層；在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽；在所述第一溝槽中填充硅層，以用于形成第一有源區(qū)；在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中形成第二溝槽；在所述第二溝槽中填充鍺硅層，以用于形成第二有源區(qū)，其中，所述硅層和所述鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0007]進一步，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度為40-100nm，深度為180_380nm。
[0008]進一步，所述氧化物層的構(gòu)成材料包括HARP或者采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的氧化硅。
[0009]進一步，形成所述第一溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第一溝槽的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第一溝槽；去除所述光刻膠層。
[0010]進一步，形成所述第二溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第二溝槽的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第二溝槽；去除所述光刻膠層。
[0011 ] 進一步，采用外延生長工藝形成所述硅層和所述鍺硅層。
[0012]進一步，在實施所述外延生長之后，還包括執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除部分所述硅層或所述鍺硅層的步驟，直至露出所述氧化物層。
[0013]進一步，所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿對所述氧化物層和所述硅層或所述鍺娃層具有選擇性。
[0014]進一步，所述研磨漿為適用于研磨多晶硅的研磨漿。
[0015]進一步，形成所述第一溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第一溝槽的圖案的硬掩膜層；以所述硬掩膜層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第一溝槽。
[0016]進一步，形成所述第二溝槽的步驟包括:在所述硬掩膜層中形成所述第二溝槽的圖案；以所述具有所述第二溝槽的圖案的硬掩膜層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第二溝槽。
[0017]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0018]半導(dǎo)體襯底；
[0019]形成在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物層；
[0020]形成在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中的硅層和鍺硅層，其中，所述硅層用于形成第一有源區(qū)，所述鍺硅層用于形成第二有源區(qū)，所述硅層和所述鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0021]根據(jù)本發(fā)明，可以在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)之間形成無隙且高度相同的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，且所述第二有源區(qū)是在所述鍺硅層中形成的，便于后續(xù)在其中形成鍺硅溝道區(qū)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0023]附圖中:
[0024]圖1為實施現(xiàn)有的形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的工藝時形成在半導(dǎo)體襯底的不同區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的高度不一致的示意性剖面圖；
[0025]圖2A-圖2E為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖；
[0026]圖3A-圖3E為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例二的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖；
[0027]圖4為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的流程圖。

【具體實施方式】
[0028]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0029]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0030]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0031][示例性實施例一]
[0032]參照圖2A-圖2E，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖。
[0033]首先，如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底200，半導(dǎo)體襯底200的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI )、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。作為示例，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底200的構(gòu)成材料選用單晶硅。
[0034]接下來，在半導(dǎo)體襯底200上形成氧化物層201。采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的各種適宜的工藝技術(shù)形成氧化物層201，例如化學(xué)氣相沉積工藝。氧化物層201的構(gòu)成材料包括HARP (—種本領(lǐng)域通常用作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材料的氧化物)或者采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的氧化硅。
[0035]接著，如圖2B所示，在氧化物層201和半導(dǎo)體襯底200中形成第一溝槽202，其形成過程包括以下工藝步驟:在氧化物層201上形成具有第一溝槽202的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻氧化物層201和半導(dǎo)體襯底200，形成第一溝槽202 ;去除所述光刻膠層。第一溝槽202的寬度為40-100nm，深度為180_380nm。
[0036]接著，如圖2C所示，在第一溝槽202中填充硅層203，以用于形成第一有源區(qū)。在本實施例中，采用外延生長工藝實施所述填充。在實施所述外延生長之后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除部分硅層203，直至露出氧化物層201。所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿應(yīng)當(dāng)對氧化物層201和硅層203具有良好的選擇性，即所述研磨漿對硅層203的研磨速率遠高于對氧化物層201的研磨速率，以盡量減輕所述化學(xué)機械研磨所造成的氧化物層201的高度的降低。所述研磨漿優(yōu)選適用于研磨多晶硅的研磨漿。
[0037]接著，如圖2D所示，在氧化物層201和半導(dǎo)體襯底200中形成第二溝槽204，其形成過程包括以下工藝步驟:在氧化物層201上形成具有第二溝槽204的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻氧化物層201和半導(dǎo)體襯底200，形成第二溝槽204 ;去除所述光刻膠層。第二溝槽204的寬度為40-100nm，深度為180_380nm。
[0038]接著，如圖2E所示，在第二溝槽204中填充鍺硅層205，以用于形成第二有源區(qū)。在本實施例中，采用外延生長工藝實施所述填充。在實施所述外延生長之后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除部分鍺硅層205，直至露出氧化物層201。所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿應(yīng)當(dāng)對氧化物層201和鍺硅層205具有良好的選擇性，即所述研磨漿對鍺硅層205的研磨速率遠高于對氧化物層201的研磨速率，以盡量減輕所述化學(xué)機械研磨所造成的氧化物層201的高度的降低。所述研磨漿優(yōu)選適用于研磨多晶硅的研磨漿。
[0039][示例性實施例二]
[0040]參照圖3A-圖3E，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例二的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖。
[0041]首先，如圖3A所示，提供半導(dǎo)體襯底300，半導(dǎo)體襯底300的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI )、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。作為示例，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底300的構(gòu)成材料選用單晶硅。
[0042]接下來，在半導(dǎo)體襯底300上依次形成氧化物層301和硬掩膜層302。采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的各種適宜的工藝技術(shù)形成氧化物層301和硬掩膜層302，例如化學(xué)氣相沉積工藝。氧化物層301的構(gòu)成材料包括HARP(—種本領(lǐng)域通常用作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材料的氧化物)或者采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的氧化硅。硬掩膜層302的構(gòu)成材料優(yōu)選氮化硅。
[0043]接著，如圖3B所示，在硬掩膜層302、氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300中形成第一溝槽303，其形成過程包括以下工藝步驟:在硬掩膜層302上形成具有第一溝槽303的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝蝕刻硬掩膜層302，以在硬掩膜層302中形成所述第一溝槽303的圖案；去除所述光刻膠層；以具有所述圖案的硬掩膜層302為掩膜，采用另一干法蝕刻工藝依次蝕刻氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300，形成第一溝槽303。與實施例一相比，采用此種方式，可以將多個具有不同寬度尺寸的所述第一溝槽303的圖案更為精確地從掩膜板中轉(zhuǎn)印至氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300中。第一溝槽303的寬度為 40-100nm，深度為 180_380nm。
[0044]接著，如圖3C所示，在第一溝槽303中填充硅層304，以用于形成第一有源區(qū)。在本實施例中，采用外延生長工藝實施所述填充。在實施所述外延生長之后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除部分硅層304，直至露出硬掩膜層302。所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿優(yōu)選適用于研磨多晶硅的研磨漿。
[0045]接著，如圖3D所示，在硬掩膜層302、氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300中形成第二溝槽305，其形成過程包括以下工藝步驟:在硬掩膜層302上形成具有第二溝槽305的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝蝕刻硬掩膜層302，以在硬掩膜層302中形成所述第二溝槽305的圖案；去除所述光刻膠層；以具有所述圖案的硬掩膜層302為掩膜，采用另一干法蝕刻工藝依次蝕刻氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300，形成第二溝槽305。與實施例一相比，采用此種方式，可以將多個具有不同寬度尺寸的所述第二溝槽305的圖案更為精確地從掩膜板中轉(zhuǎn)印至氧化物層301和半導(dǎo)體襯底300中。第二溝槽305的寬度為 40-100nm，深度為 180_380nm。
[0046]接著，如圖3E所示，在第二溝槽305中填充鍺硅層306，以用于形成第二有源區(qū)。在本實施例中，采用外延生長工藝實施所述填充。在實施所述外延生長之后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除硬掩膜層302和部分鍺硅層306，直至露出氧化物層301。所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿應(yīng)當(dāng)對氧化物層301和鍺硅層306具有良好的選擇性，即所述研磨漿對鍺硅層306的研磨速率遠高于對氧化物層301的研磨速率，以盡量減輕所述化學(xué)機械研磨所造成的氧化物層301的高度的降低。所述研磨漿優(yōu)選適用于研磨多晶硅的研磨漿。
[0047]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法實施的工藝步驟。根據(jù)本發(fā)明，可以在用于形成第一有源區(qū)的硅層203 (304)和用于形成第二有源區(qū)的鍺硅層205 (306)之間形成無隙且高度相同的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201’(301’)，且第二有源區(qū)是在鍺硅層205 (306)中形成的，便于后續(xù)在其中形成鍺硅溝道區(qū)。
[0048]接下來，可以通過后續(xù)工藝完成整個半導(dǎo)體器件的制作，包括:在硅層203 (304)和鍺硅層205 (306)上形成柵極結(jié)構(gòu)，作為示例，柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。
[0049]參照圖4，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的流程圖，用于簡要示出整個制造工藝的流程。
[0050]在步驟401中，提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上沉積氧化物層；
[0051]在步驟402中，在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽；
[0052]在步驟403中，在第一溝槽中填充硅層，以用于形成第一有源區(qū)；
[0053]在步驟404中，在氧化物層和半導(dǎo)體襯底中形成第二溝槽；
[0054]在步驟405中，在第二溝槽中填充鍺硅層，以用于形成第二有源區(qū)，其中，硅層和鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0055]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積氧化物層； 在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽； 在所述第一溝槽中填充硅層，以用于形成第一有源區(qū)； 在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中形成第二溝槽； 在所述第二溝槽中填充鍺硅層，以用于形成第二有源區(qū)，其中，所述硅層和所述鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度為40-100nm，深度為 180_380nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的構(gòu)成材料包括HARP或者采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第一溝槽的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第一溝槽；去除所述光刻膠層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第二溝槽的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第二溝槽；去除所述光刻膠層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生長工藝形成所述硅層和所述鍺硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在實施所述外延生長之后，還包括執(zhí)行化學(xué)機械研磨或回蝕刻以去除部分所述硅層或所述鍺硅層的步驟，直至露出所述氧化物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)機械研磨所使用的研磨漿對所述氧化物層和所述硅層或所述鍺硅層具有選擇性。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述研磨漿為適用于研磨多晶硅的研磨漿。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一溝槽的步驟包括:在所述氧化物層上形成具有所述第一溝槽的圖案的硬掩膜層；以所述硬掩膜層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第一溝槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述第二溝槽的步驟包括:在所述硬掩膜層中形成所述第二溝槽的圖案；以所述具有所述第二溝槽的圖案的硬掩膜層為掩膜，采用干法蝕刻工藝依次蝕刻所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底，形成所述第二溝槽。
12.—種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 形成在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物層； 形成在所述氧化物層和所述半導(dǎo)體襯底中的硅層和鍺硅層，其中，所述硅層用于形成第一有源區(qū)，所述鍺硅層用于形成第二有源區(qū)，所述硅層和所述鍺硅層之間的氧化物層作為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L29/06GK104517885SQ201310455084
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】童浩 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司