半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法。在實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝包括引線框架、設(shè)置在引線框架上的光發(fā)射器裸片、及設(shè)置在引線框架上與光發(fā)射器裸片相鄰的光檢測(cè)器裸片。在某些實(shí)施例中，第一透明模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片之上并且第二透明模制化合物被設(shè)置在光檢測(cè)器裸片之上。第一和第二透明模制化合物可被設(shè)置為使得透明模制化合物之間的空間在裸片之間并且在引線框架上方形成凹槽。在其它實(shí)施例中，透明模制化合物被同時(shí)設(shè)置在光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之上并且后續(xù)的材料移除處理在裸片之間的化合物內(nèi)形成凹槽。在這兩類實(shí)施例中，不透明模制化合物被設(shè)置在裸片之間的凹槽中，并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的光學(xué)串?dāng)_。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法，更特別地，涉及把透明模制化合物和不透明模制化合物組合在模制封裝中的半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路(IC)光學(xué)傳感器(例如，接近式傳感器)在半導(dǎo)體封裝中典型地包括安裝在引線框架上的光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片。多個(gè)當(dāng)前工藝使光學(xué)傳感器在光發(fā)射器裸片和光臉測(cè)器裸片之間具有但不限于較差的光學(xué)隔離和不利的噪音(例如，光泄漏)。此夕卜，當(dāng)前模制工藝采用慢而低放的人工操作手工鑄造方法，其導(dǎo)致低下且不一致的制造良率。希望使用更快且更高效的大批量生產(chǎn)的裝置生成具有良好的串?dāng)_特性的光學(xué)傳感器的新方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在某些實(shí)施例中半導(dǎo)體封裝包括引線框架、設(shè)置在引線框架上的光發(fā)射裸片、以及設(shè)置在引線框架上與光發(fā)射器裸片相鄰的光檢測(cè)器裸片。透明(例如，透光的)模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之上。凹槽被形成在引線框架之上并且在裸片之間在透明模制化合物中。至少一個(gè)附加凹槽可被形成在透明模制化合物中并且可被設(shè)置在封裝的邊緣。不透明模制化合物被設(shè)置在被形成在透明模制化合物中的凹槽中，其中，不透明模制化合物填充凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
[0004]在一實(shí)施例中，不透明材料相對(duì)于透明模制化合物的頂表面基本上平齊。
[0005]在另一實(shí)施例中，不透明模制化合物可附加地設(shè)置在透明模制化合物之上。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分被選擇移除，從而在透明模制化合物中形成孔徑。
[0006]在又一實(shí)施例中，凹槽被形成在封裝的所有四個(gè)邊緣上并用不透明模制化合物填充。
[0007]在另一實(shí)施例中，可存在與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰地形成臺(tái)階凹槽。不透明材料可以也設(shè)置在該臺(tái)階凹槽內(nèi)。
[0008]在又一實(shí)施例中，形成在光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽具有至少一個(gè)傾斜壁。
[0009]根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝包括引線框架、設(shè)置在引線框架上的光發(fā)射裸片、以及設(shè)置在引線框架上與光發(fā)射器裸片相鄰的光檢測(cè)器裸片。透明(例如，透光的)模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之上。具有至少一個(gè)傾斜壁的凹槽被形成在所述裸片之間并且在引線框架上方的透明模制化合物中。在被形成于透明模制化合物中的凹槽中設(shè)置不透明模制化合物，其中不透明模制化合物填充所述凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。[0010]在一實(shí)施例中，不透明材料相對(duì)于透明模制化合物的頂表面基本上平齊。
[0011]在另一實(shí)施例中，不透明模制化合物可以附加地設(shè)置在透明模制化合物之上。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分可被選擇性移除，從而在透明模制化合物中形成孔徑。
[0012]在又一實(shí)施例中，凹槽可被形成在封裝的所有四個(gè)邊緣上并用不透明模制化合物填充。
[0013]在另一實(shí)施例中，可以存在與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰地形成的臺(tái)階凹槽。在該臺(tái)階凹槽中也可設(shè)置不透明材料。
[0014]在又一實(shí)施例中，一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，包括提供引線框架、在引線框架上放置第一裸片，以及在引線框架上放置第二裸片，其中第一和第二裸片彼此相鄰地設(shè)置。該方法進(jìn)一步包括在引線框架上的所有裸片之上以整體操作設(shè)置透明模制化合物并選擇性移除它，從而在裸片之間形成凹槽。至少一個(gè)附加凹槽可被形成在透明模制化合物中并且可被設(shè)置在封裝的邊緣。不透明模制化合物被設(shè)置在形成于透明模制化合物中的凹槽中，其中所述不透明模制化合物填充凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
[0015]在另一實(shí)施例中，該方法可包括其中形成在封裝邊緣上的凹槽可以寬于形成在裸片之間的凹槽的實(shí)施例。
[0016]在又一實(shí)施例中，所述方法可包括附加地在透明模制化合物之上設(shè)置不透明模制化合物。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分可被選擇性地移除，從而在透明模制化合物中形成孔徑。
[0017]在另一實(shí)施例中，所述方法可包括大透明模制化合物中形成街道凹槽，街道凹槽設(shè)置在水平街道和垂直街道中的每一個(gè)上并且在引線框架上方。所述方法進(jìn)一步包括在多個(gè)街道凹槽中設(shè)置不透明模制化合物。
[0018]在又一實(shí)施例中，該方法可包括形成與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰的臺(tái)階凹槽。不透明材料也可設(shè)置在該臺(tái)階凹槽中。
[0019]在另一實(shí)施例中，該方法可包括在裸片之間形成具有至少一個(gè)傾斜壁的凹槽。
[0020]在又一實(shí)施例中，一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，包括提供引線框架、在引線框架上放置第一裸片，以及在引線框架上放置第二裸片，其中第一和第二裸片彼此相鄰地設(shè)置。該方法進(jìn)一步包括在引線框架上的所有裸片之上以整體操作設(shè)置透明模制化合物并選擇性移除它，從而在裸片之間形成具有至少一個(gè)傾斜壁的凹槽。不透明模制化合物被設(shè)置在形成于透明模制化合物中的凹槽中，其中所述不透明模制化合物填充凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
[0021 ] 在另一實(shí)施例中，該方法可包括在透明模制化合物中形成街道凹槽，街道凹槽被設(shè)置在水平和垂直街道中的每一個(gè)上并且在引線框架上方。所述方法進(jìn)一步包括在多個(gè)街道凹槽中設(shè)置不透明模制化合物。
[0022]在又一實(shí)施例中，該方法可包括形成與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰的臺(tái)階凹槽。不透明材料也可設(shè)置在該臺(tái)階凹槽中。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0023]圖1A為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括附連到引線框架的第一裸片的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖。
[0024]圖1B為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括附連到引線框架的第一和第二裸片的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖。
[0025]圖1C為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有將第一和第二裸片附連至引線框架的接合線的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0026]圖1D為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二裸片上方且在它們之間具有凹槽的透明化舍物的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0027]圖1E為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二透明化合物周圍并填充它們之間凹槽的不透明化合物的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0028]圖1F為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多個(gè)完成的封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0029]圖1G為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的單個(gè)完成的封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0030]圖2為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的形成方法的方面的簡(jiǎn)化流程圖；
[0031]圖3A為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二裸片之上且在它們之間具有凹槽的透明化合物的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0032]圖3B為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有設(shè)置在透明化合物周圍并填充它們之間的凹槽的不透明化合物的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0033]圖3C為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有設(shè)置在透明化合物周圍并圍繞圓頂狀部件的不透明化合物的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖；
[0034]圖4A為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透明化合物凹槽模的頂視簡(jiǎn)化圖；
[0035]圖4B為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透明化合物凹槽模的頂視簡(jiǎn)化圖；
[0036]圖4C為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透明化合物凹槽模的頂視簡(jiǎn)化圖；
[0037]圖4D為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透明化合物凹槽模的頂視簡(jiǎn)化圖；
[0038]圖5A為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0039]圖5B為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0040]圖5C為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的透視圖的簡(jiǎn)化圖；以及
[0041]圖為示出相據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0042]圖6為示出具有透明蓋的接近式傳感器的功能的簡(jiǎn)化圖；
[0043]圖7A為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0044]圖7B為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的頂視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0045]圖8為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0046]圖9為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成半導(dǎo)體封裝的方法的方面的簡(jiǎn)化流程圖；
[0047]圖1OA為示出整個(gè)引線框架被透明制化合物包覆成型(overmold)的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0048]圖1OB為示出在選擇性移除處理之后的其中整個(gè)引線框架被透明模制化合物包覆成型的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0049]圖11為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的透視圖的簡(jiǎn)化圖，示出具有孔徑的傳感器封裝；
[0050]圖12為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0051]圖13為示出本發(fā)明的實(shí)施例的具有梯形透明凹槽塊和后續(xù)不透明模制處理的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0052]圖14為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0053]圖15為示出具有梯形透明凹槽塊和后續(xù)不透明模制處理的本發(fā)明的實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0054]圖16A為示出具有立方體形透明凹槽塊的本發(fā)明的實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0055]圖16B為示出具有立方體形透明凹槽塊和減小的發(fā)射孔徑的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0056]圖17為示出具有立方體形透明凹槽塊和減小的發(fā)射和接收孔徑的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0057]圖18為示出具有半梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0058]圖19為示出具有一個(gè)“半梯形”透明凹槽塊和一個(gè)梯形凹槽塊的本發(fā)明的實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0059]圖20為示出具有立方體形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0060]圖21為示出具有半梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0061]圖22為示出具有半梯形透明凹槽塊和后續(xù)不透明模制處理的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0062]圖23為示出具有梯形透明凹槽塊的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0063]圖24為示出具有梯形透明凹槽塊和后續(xù)不透明模制處理的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0064]圖25為示出具有半梯形透明凹槽塊和后續(xù)不透明模制處理和后續(xù)孔徑形成處理的本發(fā)明的實(shí)施例的截面圖的簡(jiǎn)化圖；
[0065]圖26為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透視圖的簡(jiǎn)化圖；
[0066]圖27為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成半導(dǎo)體封裝的方法的方面的簡(jiǎn)化流程圖；
[0067]圖28為示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的形成半導(dǎo)體封裝的方法的方面的簡(jiǎn)化流程圖。
[0068]具體發(fā)明方式
[0069]本發(fā)明的實(shí)施例包括用以在半導(dǎo)體封裝中把光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片封裝在分離的透明化合物之內(nèi)的多化合物模制處理。該處理進(jìn)一步包括利用不透明模制化合物在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間以及在封裝的所有四個(gè)側(cè)上模制阻擋壁。不透明化合物有助于消除光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間的光學(xué)串?dāng)_。
[0070]更一般地，本發(fā)明的某些實(shí)施例包括半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包含引線框架、設(shè)置在引線框架上的光發(fā)射器裸片、以及設(shè)置在引線框架上并鄰近且與光發(fā)射器裸片分隔開(kāi)的光檢測(cè)器裸片。第一透明模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片上方，其中該第一透明模制化合物封裝光發(fā)射器裸片。第二透明模制化合物被設(shè)置在光檢測(cè)器裸片上方，其中該第二透明模制化合物封裝光檢測(cè)器裸片。該第一透明模制化合物和該第二透明模制化合物被設(shè)置為使得在它們之間的空間形成位于引線框架上方的凹槽。不透明模制化合物被設(shè)置在第一和該第二透明模制化合物之間的凹槽中，其中不透明模制化合物填充凹槽并配置為阻止同一封裝中的光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
[0071]圖1A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括附連到引線框架的第一裸片的半導(dǎo)體封裝100的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝100包括第一裸片120和引線框架110?？商鎿Q地，半導(dǎo)體封裝100可包括替代引線框架110的基板110。在某些情況下，第一裸片120可以是諸如光發(fā)射器(例如，光發(fā)送器)之類的光電器件。一些典型的光發(fā)射器包括但不限于，發(fā)光二極管(LED)(例如，有機(jī)發(fā)光二極管、體發(fā)射發(fā)光二級(jí)管、量子點(diǎn)發(fā)光二級(jí)管、超輻射發(fā)光二極管等)、激光器、光電二極管等等。第一裸片可通過(guò)被設(shè)置在第一裸片120的底部和引線框架110之間的裸片附連化合物125而被附連到引線框架110。該附連化合物可以是任何合適的環(huán)氧樹(shù)脂，其可包括導(dǎo)電性環(huán)氧樹(shù)脂(例如，抗高溫、銀系填充物，等)或非導(dǎo)電性環(huán)氧樹(shù)脂(例如，電絕緣的)，或其它合適的包含焊料的接合劑。通常，引線框架用于將集成電路(例如，光發(fā)射器裸片)電氣和物理地連接至印刷電路板。
[0072]圖1B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括附連到引線框架的第一和第二裸片的半導(dǎo)體封裝101的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝101包括第一裸片120、第二裸片130、和引線框架110?？商鎿Q地，半導(dǎo)體封裝101可包括替代引線框架110的基板110。第一裸片120如上面參照?qǐng)D1A所討論的那樣。在某些情況下，第二裸片130可是諸如光檢測(cè)器(例如，光接收器)的光電器件。一些典型的光接收器(例如，光電接收器)可包括但不限于光檢測(cè)器、PIN二極管、電荷耦合器件(CXD)、光晶體管、量子點(diǎn)光導(dǎo)體等等。第二裸片可通過(guò)設(shè)置在第二裸片130底部和引線框架110之間的裸片附連化合物126而附連到引線框架110。該附連化合物可以是任何合適的環(huán)氧樹(shù)脂，其可包括導(dǎo)電性環(huán)氧樹(shù)脂(例如，抗高溫、銀系填充物等)或非導(dǎo)電性環(huán)氧樹(shù)脂(例如，電絕緣的)，或其它合適的包含焊料的接合劑。
[0073]圖1C為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施的具有將第一裸片120和第二裸片130連接至引線框架110的接合線140、145的半導(dǎo)體封裝102的簡(jiǎn)化圖。附連至引線框架110的第一裸片120和第二裸片130如上面參照?qǐng)D1A-1B所討論的那樣。引線接合是一種典型的在集成電路(例如，第一裸片120或第二裸片130)和引線框架110或印刷電路板(未示出)之間進(jìn)行電互連的方法。接合引線140、145可由導(dǎo)電金屬制成，包括但不限于銅、金、鋁及其合金。在一些情況下，依據(jù)裸片的尺寸、封裝以及在接觸點(diǎn)間的距離，引線接舍的范圍在厚度上可從幾十微米至幾百微米。在一些實(shí)施例中，接合引線140、145通過(guò)球焊或楔焊處理(其可包括熱、壓力、和/或超聲能量的變化組合來(lái)形成焊接)而被設(shè)置就位。
[0074]圖1D為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二裸片120、130上方的透明化合物150、155和在它們之間的凹槽160的半導(dǎo)體封裝103的簡(jiǎn)化圖。透明化合物150封裝第一裸片。類似地，透明化合物155封裝第二裸片130。透明化合物150、155 (或透明模制化合物150、155)可包含相同或不同的化學(xué)組成。透明化合物(例如，透明模制化合物)150、155被設(shè)置為使得它們之間的空間形成位于引線框架110上方的凹槽160。
[0075]在一些實(shí)施例中，透明化合物150、155的截面都是梯形的形狀，其中每一個(gè)梯形包括頂部、底部、內(nèi)側(cè)部、外側(cè)部。頂部可在長(zhǎng)度上短于底部，且第一和第二透明模制化合物150,155的內(nèi)側(cè)部彼此面對(duì)且被配置為形成在它們之間的凹槽160形成鍥形。在一些實(shí)施例中，鍥形形成為倒梯形，其中該倒梯形的頂部比倒梯形的底部更長(zhǎng)且其中該倒梯形的頂部與第一和第二透明模制化合物的頂部平齊。頂部基本上不受阻礙的，以允許第一和第二透明模制化合物150、155的內(nèi)部和外部區(qū)域之間光的基本上非抑制傳遞。
[0076]梯形允許用于形成第一和第二透明模制化合物150、155的模具在形成處理之后很容易被移除。如果不用梯形，第一和第二透明模制化合物150、155很可能因?yàn)槟Σ炼谀＞咭瞥陂g從引線框架110的表面脫離。
[0077]第一裸片120和第二裸片130通過(guò)上面參照?qǐng)D1A-1C所討論的接合引線140、145而附連至到引線框架110。在一些實(shí)施例中，文中所述的多化合物模制處理包括首先將光發(fā)射器裸片120封裝在透明化合物150中并將光檢測(cè)器裸片130封裝在透明化合物155中。在一些方面，透明化合物150、155是由透光環(huán)氧樹(shù)脂、樹(shù)脂、或其它聚合物組成的透光材料。透明化合物(例如，透明模制化合物)可通過(guò)鑄造成形、轉(zhuǎn)移模制、或其它合適的封裝方法來(lái)形成。在一些情況下，透光材實(shí)可作為流體插入到模具中，其變硬并在硬化時(shí)形成固體。在其它情況下，透明模制化合物可以是熱固性聚合物。透明模制化合物150、155基本上對(duì)由光發(fā)射器裸片120發(fā)射并被光檢測(cè)器裸片130檢測(cè)的光(其可包括可見(jiàn)光譜、紅外光譜、紫外光譜、或其它類似)的波長(zhǎng)透明。透明模制化合物150、155包括但不限于一個(gè)或更多個(gè)透明樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、環(huán)氧硅酮混合樹(shù)脂、具有透明填充物的環(huán)氧樹(shù)脂、透明熱塑性塑料等等。
[0078]圖1E為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二透明模制化合物150、155周圍并填充它們之間的凹槽160的不透明化合物170的半導(dǎo)體封裝104的簡(jiǎn)化圖。不透明化合物170被配置為與透明模制化合物150、155直接相鄰以使得它們之間沒(méi)有空隙。
[0079]不透明化合物170產(chǎn)生阻止光發(fā)射器裸片120和光檢測(cè)器裸片130之間的光耦合(即，光傳輸)的不透明壁。不透明化合物170可以是阻止光發(fā)射器裸片120產(chǎn)生的波長(zhǎng)的不透明環(huán)氧樹(shù)脂(例如，黑環(huán)氧樹(shù)脂)、樹(shù)脂、或聚合物。如上所述，不透明化合物170被進(jìn)一步設(shè)置在第一和第二透明模制化合物150、155的周圍，其中不透明模制化合物170與第一和第二透明模制化合物150、155的頂部平齊。第一和第二透明模制化合物150、155以及不透明模制化合物170可被設(shè)置在引線框架110的頂表面上。
[0080]在某些實(shí)施例中，在形成填充凹槽160的不透明化合物170 (例如，不透明障壁)之前在透明封裝材料(透明模制化合物150、155)上方形成保護(hù)層(例如，內(nèi)建半硬橡膠材料或保護(hù)補(bǔ)償薄膜一未示出)。在一些情況中，保護(hù)層可形成為頂模具的一部分。保護(hù)層可以減少表面損傷并防止可能降低透明模制化合物150、155的透明度的在不透明材料170的沉積期間模具樹(shù)脂或模具閃光擴(kuò)散到封裝材料的頂表面。不透明材料170可包括但不限于一個(gè)或更多個(gè)黑環(huán)氧樹(shù)脂、反射環(huán)氧樹(shù)脂、紅外阻擋(IR blocking)和/或延緩環(huán)氧脂、反射熱塑性模制材料等等。
[0081]圖1F為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多個(gè)完成的封裝105的簡(jiǎn)化圖。多個(gè)完成的封裝105包括完成的單元180、182、和184，其包括被設(shè)置在引線框架110上并被透明模制化合物150、155封裝的第一和第二裸片120、130。不透明模制化合物170被設(shè)置在透明模制化合物150、155周圍并填充透明模制化合物150、155之間的凹槽以防止第一和第二裸片120、130之間的光學(xué)串?dāng)_。多個(gè)完成的單元180、182、184被在位置190處分開(kāi)(例如，切開(kāi))以產(chǎn)生單個(gè)的單元。圖1G為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的單個(gè)且完成的封裝106的簡(jiǎn)化圖。[0082]應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的實(shí)施例不限于包括光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片對(duì)的封裝。例如，在一些實(shí)施例中，封裝可能包括多于(或少于)光檢測(cè)器裸片的光發(fā)射器裸片。此外，在其它實(shí)施例中，在不包括任何光檢測(cè)器裸片的封裝中可包括多個(gè)光發(fā)射器裸片，或在不包括任何光發(fā)射器裸片的封裝中可包括多個(gè)光檢測(cè)器裸片。此外，在其它實(shí)施例中，裸片的一些或全部即不是光發(fā)射器裸片也不是光檢測(cè)器裸片。
[0083]圖2為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成半導(dǎo)體封裝的方法200的方面的簡(jiǎn)化流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，方法200是制造過(guò)程。方法200包括將第一裸片連接至引線框架(210)。在一些情況下,第一裸片可是諸如光發(fā)射器(例如,光發(fā)送器)的光電器件。第一裸片可通過(guò)在引線框架和第一裸片底部之間設(shè)置的裸片附連化合物而固定至到引線框架。在一些情況下，可替代引線框架將第一裸片附連到基板。
[0084]再參照?qǐng)D2，方法200進(jìn)一步包括將第二裸片附連至引線框架上(220)。在某些情況下，第二裸片可是如光檢測(cè)器(例如，光接收器)的光電器件。第二裸片可通過(guò)在第二裸片底部和引線框架之間設(shè)置的裸片附連化合物而固定到引線框架。
[0085]方法200繼續(xù)從光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片向引線框架附連接合引線(230)。接合引線可由導(dǎo)電金屬制成。接合引線可通過(guò)球焊、楔焊或其它任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的具有本公開(kāi)優(yōu)點(diǎn)的處理設(shè)置就位。
[0086]方法200繼續(xù)用包括高透光性的透明模制化合物封裝光射器裸片和光檢測(cè)器裸片(240)。在一些情況下，可用凹槽塊模具產(chǎn)生模具，以在每個(gè)裸片上獲得各自的模制塊。方法200進(jìn)一步包括執(zhí)行第二狀態(tài)轉(zhuǎn)移模制以形成環(huán)繞每個(gè)透明凹槽塊的障壁而不覆蓋每個(gè)透明凹槽塊的頂表面(250)。在一替換實(shí)施例中，該方法可包括沉積不透明化合物以環(huán)繞第一和第二透明化合物而不覆蓋第一和第二透明化合物的頂表面，其中不透明化合物在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間形成障壁，以及其中障壁被配置為阻止在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間的光學(xué)串?dāng)_。在一些實(shí)施例中，障壁由環(huán)繞凹槽塊但是不覆蓋透明凹槽塊(例如，形成在發(fā)射器和光臉測(cè)器裸片周圍的透明模制化合物)的頂表面的黑樹(shù)脂化合物或白反射樹(shù)脂組成。在(260)中，方法200進(jìn)一步包括執(zhí)行單個(gè)化處理以分離由在雙模制過(guò)程中的光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片組成的每個(gè)單元，以形成個(gè)體單元。
[0087]應(yīng)當(dāng)理解圖2所示的具體步驟提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種形成半導(dǎo)體封裝的特別方法。步驟的其它順序也可以根據(jù)替換實(shí)施例來(lái)實(shí)施。在某些實(shí)施例中，方法200可以不同的順序、同時(shí)地、或者為了一個(gè)特定應(yīng)用的任意其它順序執(zhí)行各個(gè)步驟。而且，圖2所述的各步驟可包括以各種順序執(zhí)行的適于個(gè)體步驟的多個(gè)子步驟。此外，依據(jù)特定的應(yīng)用可以增加或刪除附加步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)和理解根據(jù)方法200的很多變化、修改、和替代方式。
[0088]圖3A-3C為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的處于制造過(guò)程的各個(gè)階段的半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)化圖。在這些圖中，裸片320、350附連至引線框架310，且接合引線340、345將裸片320、330附連至引線框架310。這些步驟不會(huì)單獨(dú)說(shuō)明但是會(huì)以類似于上面參照?qǐng)D1A-1C以及圖2的步驟210-230所描述的方法執(zhí)行。
[0089]圖3A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有設(shè)置在第一和第二裸片320、330上方的透明化合物350、355和在它們之間的凹槽360的半導(dǎo)體封裝303的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝303與上述圖1D所述的半導(dǎo)體封裝103類似且可包括一個(gè)或更多個(gè)相同的特征。但是，在該實(shí)施例中，在透明化合物350、355的頂部上形成有圓頂狀部件(dome-shaped member) 392、394。該圓頂狀部件392、394可包括與透明化合物350、355相同的透光材料?；蛘撸搱A頂狀部件392、394可包括具有與透明化合物350、355不同光學(xué)特性的透光材料。此外，該圓頂狀部件392、394可以在與該透明化合物350、355相同的模制處理期間形成或者可被單獨(dú)形成。例如，在一些實(shí)施例中，該圓頂狀部件392、394可被單獨(dú)地形成并附連至透明化合物350、355的頂表面。
[0090]每一個(gè)圓頂狀部件392、394可作為匯聚或發(fā)散所經(jīng)過(guò)的光的透鏡，并且圓頂狀部件392、394可具有相同或不同的光學(xué)特性。例如，在一些實(shí)施例中，圓頂狀部件392可發(fā)散從光發(fā)射裸片(如裸片320發(fā)射的光，而圓頂狀部件394可把光匯聚在光檢測(cè)裸片(如裸片330)上。在一些實(shí)施例中，裸片320、330中只有一個(gè)可包括圓頂狀部件而不是如本例中所示的裸片320、330都有。此外，在一些實(shí)施例中，圓頂狀部件392、394可是立方體狀事球狀而不是本例中所述的圓頂狀。
[0091]圖3B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有設(shè)置在透明化合物350、355周圍并填充它們之間的凹槽的不透明化合物370的半導(dǎo)體封裝304的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝304與上面參照?qǐng)D1E所述的半導(dǎo)體封裝104類似且可包括一個(gè)或更多個(gè)相同的特征?？墒牵谠搶?shí)施例中，不透明化合物370覆蓋透明化合物350、355的上表面的一部分。不透明化合物370的上表面與透明化合物350、355的上表面之間的高度差可根據(jù)特定的應(yīng)用而變化。為了防止不透明化合物370覆蓋圓頂狀部件392、394，銷396、398覆蓋圓頂狀部件392、394?？稍谟糜谛纬刹煌该骰衔?70的模制處理之前或期間，將銷396、398設(shè)置在圓頂狀部件392、394的上方。銷396、398可以是任何適合的材料且可以是中空的或具有環(huán)繞圓頂狀部件392、394的中空部分。此外，盡管在本例中銷396、398的邊基本上是豎直的，但是根據(jù)特定的應(yīng)用，它們的邊也可以是傾斜的。
[0092]圖3C為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有設(shè)置在透明化合物350、355周圍并在圓頂狀部件392、394周圍的不透明化合物370的半導(dǎo)體封裝305的簡(jiǎn)化圖。在此圖中，已經(jīng)移除了如圖3B所示的銷396、398并暴露出圓頂狀部件以使得光可從中穿過(guò)。
[0093]圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透明化合物凹槽模具400的頂示圖的簡(jiǎn)化圖。模具400包括第一透明化合物凹槽模具405和第二透明化合物凹槽模具410。透明化合物凹槽模具400用于產(chǎn)生封裝光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片二者的透明化合物結(jié)構(gòu)并表現(xiàn)出高透光性，如上文進(jìn)一步所述。在該特定實(shí)施例中，第一透明化合物凹槽模具405和第二透明化合物凹槽模具410基本上都是方形的?？墒牵鶕?jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料、彼此之間的間隔等。
[0094]圖4B為示出相據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透明化合物凹槽模具420的頂示圖的簡(jiǎn)化圖。模具420包括第一透明化合物凹槽模具425和第二透明化合物凹槽模具430。透明化合物凹槽模具420用于產(chǎn)生封裝光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片的透明化合物結(jié)構(gòu)并表現(xiàn)出高透光性，進(jìn)一步如上文所述。在該特定實(shí)施例中，第一透明化合物凹槽模具425基本上為方形且第二透明化合物凹槽模具430基本上為橢圓形。可是，根據(jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料、彼此之間的間隔等。
[0095]圖4C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透明化合物凹槽模具440的頂示圖的簡(jiǎn)化圖。模具440包括第一透明化合物凹槽模具445和第二透明化合物凹槽模具450。透明化合物凹槽模具440用于產(chǎn)生封裝光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片的透明化合物結(jié)構(gòu)并表現(xiàn)出高透光性，進(jìn)一步如上文所述。在該特定實(shí)施例中，第一透明化合物凹槽模具445基本上為橢圓形且第二透明化合物凹槽模具450基本上為方形?？墒?，相據(jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料、彼此之間的間隔等。
[0096]圖4D為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透明化合物凹槽模具460的頂示圖的簡(jiǎn)化圖。模具440包括第一透明化合物凹槽模具465和第二透明化合物凹槽模具470。透明化合物凹槽模具460用于產(chǎn)生封裝光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片的透明化合物結(jié)構(gòu)并表現(xiàn)出高透光性，進(jìn)一步如上文所述。在該特定實(shí)施例中，第一透明化合物凹槽模具465和第二透明化合物凹槽模具470基本上都是橢圓形的?？墒牵鶕?jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料、彼此之間的間隔等。
[0097]圖5A為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝500的透視圖的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝500包括封裝光發(fā)射器裸片的第一透明化合物結(jié)構(gòu)510，封裝光檢測(cè)器裸片的第二透明化合物結(jié)構(gòu)515，以及圍繞第一和第二透明化合物結(jié)構(gòu)510、515的不透明模制化合物505。如上所述，不透明模制化合物505產(chǎn)生阻止光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間光耦合的不透明壁。該不透明材料可以是阻止光發(fā)射器裸片產(chǎn)生的波長(zhǎng)的不透明環(huán)氧樹(shù)脂(例如，黑環(huán)氧樹(shù)脂)、樹(shù)脂、或聚合物。在該特定實(shí)施例中，不透明模制化合物505與基本上方形的透明模制化合物510和515緊鄰形成，但是不遮擋每個(gè)的頂部。根據(jù)需更可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料、等等。
[0098]圖5B為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝520的透視圖的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝520包括封裝光發(fā)射器裸片的第一透明化合物結(jié)構(gòu)530，封裝光檢測(cè)器裸片的第二透明化合物結(jié)構(gòu)535，以及圍繞第一和第二透明化合物結(jié)構(gòu)530、535的不透明模制化合物525。如上所述，不透明模制化合物525產(chǎn)生阻止光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間光耦合的不透明壁。該不透明材料可以是阻止光發(fā)射器裸片產(chǎn)生的波長(zhǎng)的不透明環(huán)樹(shù)脂(例如，黑環(huán)氧樹(shù)脂)、樹(shù)脂、或聚合物。在該特定實(shí)施例中，不透明模制化合物525與基本上方形的透明模制化合物530和535緊鄰形成，但是不遮擋每個(gè)的頂部。根據(jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料等等。
[0099]圖5C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝540的透視圖的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝540包括封裝光發(fā)射器裸片的第一透明化合物結(jié)構(gòu)550，封裝光檢測(cè)器裸片的第二透明化合物結(jié)構(gòu)555，以及圍繞第一和第二透明化合物結(jié)構(gòu)550、555的不透明模制化合物545。如上所述，不透明模制化合物545產(chǎn)生阻止光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間的光耦合的不透明壁。該不透明材料可以是阻止光發(fā)射器裸片產(chǎn)生的波長(zhǎng)的不透明環(huán)氧樹(shù)脂(例如，黑環(huán)氧樹(shù)脂)、樹(shù)脂、或聚合物。在該特定實(shí)施例中，不透明模制化合物545與基本上方形的透明模制化合物550和555緊鄰形成，但是不遮擋每個(gè)的頂部。根據(jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料等等。
[0100]圖為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝560的透視圖的簡(jiǎn)化圖。半導(dǎo)體封裝560包括封裝光發(fā)射器裸片的第一透明化合物結(jié)構(gòu)570，封裝光檢測(cè)器裸片的第二透明化合物結(jié)構(gòu)575，以及圍繞第一和第二透明化合物結(jié)構(gòu)570、575的不透明模制化合物565。如上所述，不透明模制化合物565產(chǎn)生阻止光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間光耦合的不透明壁。該不透明材料可以是阻止光發(fā)射器裸片產(chǎn)生的波長(zhǎng)的不透明環(huán)氧樹(shù)脂(例如，黑環(huán)氧樹(shù)脂)、樹(shù)脂、或聚合物。在該特定實(shí)施例中，不透明模制化合物565與基本上方形的透明模制化合物570和575緊鄰形成，但是不遮擋每個(gè)的頂部。根據(jù)需要可以采用其它形狀、結(jié)構(gòu)、深度、材料等等。
[0101]本發(fā)明的一些實(shí)施例包括光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片針對(duì)接近式傳感器應(yīng)用的應(yīng)用。這些應(yīng)用通常采用在紅外光譜發(fā)射光能的光發(fā)射器裸片和對(duì)光發(fā)射器裸片的相應(yīng)發(fā)射紅外光譜敏感的接收器裸片。但是，本發(fā)明不限于在紅外光譜工作的裸片應(yīng)用并且本領(lǐng)域眾所周知其它實(shí)施例可以在可見(jiàn)光譜、紅外光譜、紫外光譜等之內(nèi)工作。
[0102]紅外接近式傳感器可采用單獨(dú)封裝的發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片，或該裸片可以共同封裝在同一個(gè)物理器件中。通常，共同封裝將導(dǎo)致減小的成本和空間，這在當(dāng)今高密度電子產(chǎn)品中是重要的優(yōu)勢(shì)。這種傳感器的一個(gè)應(yīng)用是蜂窩電話。在這些應(yīng)用中，傳感器隱藏在透明蓋后面且當(dāng)它們感測(cè)電話挨著人的頭部放置時(shí)，例如在電話響起期間，其給處理器發(fā)送信號(hào)讓其關(guān)掉顯示器背光以保持電池電力。
[0103]圖6描述了接近式傳感器601的典型結(jié)構(gòu)，可是需要理解該描述只是說(shuō)明性的且只要與此不背離本發(fā)明也可采用其它實(shí)施例。為了使該接近式傳感器601工作，驅(qū)動(dòng)電路為發(fā)射器裸片620供電，發(fā)射器裸片620從裸片表面發(fā)出光能621。通常，自這些裸片的發(fā)射圖案是發(fā)散的；例如，光能以多個(gè)角度自裸片發(fā)出。光能穿過(guò)空間622傳播并最終打在目標(biāo)660上。發(fā)射光的一部分624從目標(biāo)(例如，人頭)朝傳感器反射回來(lái)。通常，檢測(cè)器裸片630與光發(fā)射器裸片相鄰且離光發(fā)射器裸片很近680。光檢測(cè)器裸片一般對(duì)以任意角度631照射裸片表面的光能敏感。被反射光能的一部分624被檢測(cè)器裸片接收，該檢測(cè)器裸片將光能(光子)轉(zhuǎn)換為與照射光檢測(cè)器裸片的光子的量成比例的電流。
[0104]因此，接近式傳感器的基于從目標(biāo)反射回傳感器的光量來(lái)工作。反射的光量可以受目標(biāo)與檢測(cè)器的接近程度以及目標(biāo)在光譜中的反射率的影響。目標(biāo)越接近發(fā)射器和檢測(cè)器，被檢測(cè)器接收的光越多。關(guān)于反射率，目標(biāo)在特定光譜中的反射率越大，被檢測(cè)器接收的光將越多。例如，皮膚組織一般比頭發(fā)的反射率大很多。因此，當(dāng)在蜂窩式電話中采用時(shí)，與將電話放在靠在頭發(fā)處相比，如果將電話放在靠在人的皮膚處，傳感器會(huì)更早地觸發(fā)顯示器關(guān)閉。
[0105]為了最大化接近式傳感器601的靈敏度和效率，一般希望盡可能將光檢測(cè)器裸片630遠(yuǎn)離光“噪音”。光噪聲是到達(dá)光檢測(cè)器裸片的并非從被感測(cè)的目標(biāo)反射回的光。如果有太多的光噪聲，則光檢測(cè)器將會(huì)被噪音過(guò)消耗且無(wú)法足夠敏感地感測(cè)真正的光信號(hào)(從目標(biāo)660反射的光624)并且傳感器將不能很好的工作。
[0106]光噪聲的來(lái)源有很多。當(dāng)發(fā)射器620和光檢測(cè)器裸片630共同封裝時(shí)，在封裝自身內(nèi)必須非常小心以讓光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片隔離。一般，在發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間采用不透明障壁可最小化封裝內(nèi)的光能泄漏。
[0107]類似地，光噪聲也可來(lái)自傳感器封裝的外圍并對(duì)光檢測(cè)器裸片照射。例如，如果裸片620、630封裝在透明查模制化合物中并只在發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間放置不透明障壁，那么光噪聲可能來(lái)自封裝邊緣，從電子器件的內(nèi)部組件的反射，并對(duì)光檢測(cè)器裸片進(jìn)行照射。為了消除來(lái)自封裝外圍的發(fā)射，一般希望將光發(fā)射器裸片完全封裝在不透明障壁之內(nèi)，除非定義的“發(fā)射”孔徑與裸片的頂表面相對(duì)。為了保護(hù)光檢測(cè)器裸片免遭光噪聲，通常希望還將光檢測(cè)器裸片的各個(gè)面都用不透明障壁封裝，除非“接收”孔徑與裸片頂表面相對(duì)。
[0108]圖6示出當(dāng)使用在移動(dòng)電話及類似應(yīng)用時(shí)光噪聲也可能由放置在傳感器601上方的透明蓋640引起。圖6描述了具有兩個(gè)表面641、642的透明蓋,這兩個(gè)表面可能把來(lái)自發(fā)射器620的光噪聲向檢測(cè)器630反射，導(dǎo)致降低檢測(cè)器的靈敏度。根據(jù)透明蓋的表面磨光情況反射光可為鏡面反射或漫射。因此，為了提高傳感器的靈敏度和功能化，希望最小化可能從透明蓋反射到光檢測(cè)器裸片的光噪聲的量。一種實(shí)現(xiàn)目的的方法是通過(guò)僅允許基本上準(zhǔn)直且垂直于裸片表面的光能離開(kāi)發(fā)射器并被檢測(cè)器接收。準(zhǔn)直光包括基本上彼此平行的光線，然而漫射光線不是軸向?qū)?zhǔn)而在各個(gè)方向上傳播。
[0109]最后，光噪聲還可源自周圍環(huán)境并對(duì)光檢測(cè)器裸片630進(jìn)行照射，從而降低了檢測(cè)器601的靈敏度。周圍環(huán)境光噪聲可來(lái)自如太陽(yáng)之類的源，或發(fā)射檢測(cè)器601的光譜內(nèi)的光的任何光源。為了防止光檢測(cè)器裸片遭受光噪聲的影響，優(yōu)選地將光檢測(cè)器裸片與從各個(gè)方向接近的光能屏蔽并且只允許基本上準(zhǔn)直并垂直于裸片表面的光照射光檢測(cè)器裸片。這將能確保光檢測(cè)器裸片優(yōu)選地對(duì)從被感測(cè)的目標(biāo)反射的光靈敏并且從各個(gè)方向接近傳感器的漫射光噪聲的實(shí)質(zhì)量不能照射光檢測(cè)器裸片的表面。在一些實(shí)施例中，光檢測(cè)器裸片可放置在具有與光檢測(cè)器裸片表面相對(duì)的接收孔徑的高縱橫比的不透明凹槽里。高縱橫比凹槽具有的高度可以大于可透過(guò)光能的孔徑的長(zhǎng)度和寬度，本質(zhì)上產(chǎn)生伸長(zhǎng)的“管”，其一端具有孔徑且另一端具有裸片。凹槽的縱橫比越高，光就必須更加準(zhǔn)直且垂直于裸片表面以照射該裸片。在光發(fā)射器裸片上可以使用同樣高縱橫比凹槽以確保只有基本上準(zhǔn)直且垂直于裸片表面的光能從孔徑中發(fā)出。
[0110]圖7A-7B描述克服上述指出的問(wèn)題的接近式傳感器的實(shí)施例。圖7A描繪傳感器701的截面圖且圖7B描繪該傳感器的頂視圖。光發(fā)射器裸片620和光檢測(cè)器裸片630與圖6中的沒(méi)有變化，但是，兩個(gè)裸片分別被封裝在梯形透明凹槽塊750、755中。透明模制化合物凹槽塊相繼被封裝在引線框架610上方具有高度790的不透明模制化合物770中。如圖7B所示，每個(gè)裸片的所有四個(gè)面都封裝在不透明模制化合物中，從而對(duì)每一個(gè)裸片都產(chǎn)生高縱橫比透明凹槽塊。此過(guò)程也產(chǎn)生針對(duì)光發(fā)射器裸片的傳輸孔徑725和針對(duì)光檢測(cè)器裸片的接收孔徑735。梯形透明模制化合物750、755的一個(gè)好處在于能在裸片高度處獲得大的截面以使得每個(gè)裸片被完全封裝，并且在封裝的頂部獲得減小的截面以使得孔徑小于裸片的尺寸。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到只要不背離本公開(kāi)，就可以采用其它的形狀，如截錐柱、截錐八角形、立方體或簡(jiǎn)單的立方體。
[0111]透明凹槽塊750、755的縱橫比一般被定義為模具的高度尺寸790和孔徑725、735的尺寸780、785的比。例如，如果模具的高度790是2mm且孔徑780、785的長(zhǎng)度和寬度是1mm，那么透明凹槽塊的縱橫比為2:1。圖7A示出了隨著光發(fā)射器裸片620的凹槽塊的縱橫比增大，趨向于只允許基本上準(zhǔn)直且垂直于裸片的光621從孔徑725中出去。類似地，當(dāng)光檢測(cè)器裸片透明凹槽塊755的縱橫比增大時(shí)，趨向于只允許基本上準(zhǔn)直且垂直于裸片630的光631到達(dá)光檢測(cè)器裸片。
[0112]可通過(guò)改變孔徑780、785的尺寸和/或改變模制化合物790的高度來(lái)改變垂直和準(zhǔn)直的量。例如，如果孔徑尺寸780、785明顯減小一個(gè)固定的模制化合物高度，那么能夠離開(kāi)發(fā)射器孔徑725的光必須更加垂直于裸片表面。類似以地，如果檢測(cè)器孔徑735的尺寸減小一個(gè)固定的模制化合物高度，那么被光檢測(cè)器裸片接收的光必須更加垂直于裸片表面。同樣，如果模具的高度790增大并且孔徑的尺寸維持不變，則每個(gè)裸片需要的垂直度且準(zhǔn)直的量增加?？墒牵绢I(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該理解裸片凹槽塊的縱橫比必須不能增大太多以致破壞傳感器的功能。隨著凹槽塊的縱橫比的增大，離開(kāi)光發(fā)射器裸片的光能的總量減弱，導(dǎo)致更少的光能被目標(biāo)反射并隨后被光檢測(cè)器裸片接收。類似以地，隨著光檢測(cè)器裸片的凹槽塊的縱橫比的增大，能被接收的光能的總量也減弱，這導(dǎo)致光檢測(cè)器裸片的輸出信號(hào)減少，造成“檢測(cè)”事件難以解決。
[0113]另一個(gè)關(guān)于接近式傳感器的考慮是發(fā)射器和檢測(cè)器裸片之間的距離680和反射光角度795。隨著裸片之間的距離680增大，對(duì)應(yīng)的反射角度795成比例地增大。如果對(duì)于給定的凹槽塊縱橫比反射角度增大的太多，由目標(biāo)660反射回來(lái)的發(fā)射光能將不能到達(dá)檢測(cè)器裸片。為了傳感器適當(dāng)?shù)毓ぷ?，兩個(gè)凹槽塊的縱橫比必須適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)以使得發(fā)射器能發(fā)射足夠的光且檢測(cè)器能接收足夠的光，以致目標(biāo)在距傳感器合適的距離處可以被檢測(cè)至IJ。如上所述，傳感器的適當(dāng)設(shè)計(jì)也必須考慮環(huán)境光噪聲以及目標(biāo)的接近程度和反射率。
[0114]圖8為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝801的簡(jiǎn)化圖。在該圖中，裸片620、630附接至到引線框架或基板610，且接合線840、845從裸片620、630延伸至引線框架或基板610。這些步驟沒(méi)有單獨(dú)說(shuō)明但是可以類似于上面關(guān)于圖1A-1G和圖2的步驟210-230描述的方式實(shí)施。
[0115]圖9示出了操作210、220和230可以上面結(jié)合圖2描述那樣來(lái)實(shí)施。在步驟940中，面板1001上的器件可同時(shí)用透明模制化合物1030模制為在引線框架上方的具有共面表面的“塊”，如圖1OA所示。在步驟945中，透明模制化合物的塊的一部分被選擇性移除了。可通過(guò)鋸割操作、噴射磨料水移除、激光移除、研磨及其類似方法獲得透明模制化合物的選擇性移除。本文中采用鋸進(jìn)行選擇性移除過(guò)程的描述只是為了示范性目的并且本發(fā)明決不限于此。圖1OB描述了選擇性移除操作之后的面板。在該實(shí)施例中，選擇性移除操作導(dǎo)致發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上方透明模制化合物的單個(gè)金字塔形凹槽塊的形成，它們中的兩個(gè)1020、1030被標(biāo)識(shí)是為了說(shuō)明的目的。
[0116]圖1OB描述了其中移除了不同寬度的透明模制化合物的不同的選擇性移除路徑1010、1012。裸片之間的路徑1010是狹窄的移除路徑，并且封裝之間及周圍的路徑1012是較寬的稱之為“街道”的移除路徑。當(dāng)提及面板裝配水平時(shí)形成在透明模制化合物中的凹槽可彼稱之為“街道凹槽并且當(dāng)提及封裝裝配水平時(shí)它們被稱之為“邊緣凹槽”。這些術(shù)語(yǔ)也可互換使用?？梢允褂貌煌匿徃畹秮?lái)移除在街道中不同寬度的材料。通過(guò)使用相對(duì)狹窄的鋸的多次經(jīng)過(guò)也可獲得同樣的改變路徑寬度的效果。例如，一般在發(fā)射器裸片和檢測(cè)器裸片之間存在狹窄的隔離，因此可以采用薄鋸割刀的單次經(jīng)過(guò)。可是，在各個(gè)包括發(fā)射器光檢測(cè)器裸片對(duì)的封裝之間和外面和周圍，存在更多的空間，因此可以使用寬鋸割刀，或可以使用薄鋸割刀多次經(jīng)過(guò)以形成街道1012。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例存在可以使用多種不同形狀的鋸割刀。此處描述了一種截錐形鋸割刀；可是只要不偏離本公開(kāi)，就可以采用其它的形狀、輪廓及其組合。在步驟945處透明模制化合物被選擇性移除后，然后通過(guò)與之前在圖9中所述的相同的處理完成傳感器封裝。在步驟250中用不透明模制化合物執(zhí)行二次轉(zhuǎn)移模制操作，最后，在步驟260中，各個(gè)封裝1101被單一化，從而提供封裝后的發(fā)射器檢則器對(duì)，如圖11所示。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可保持在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘。可是如果使用寬的單一刀，那么可能沒(méi)有不透明材料保持在封裝的邊緣上。
[0117]圖12-22描述了采用圖9所述的用于生產(chǎn)封裝傳感器1101的制造處理900的各種實(shí)施例。圖12描述了具有坡口角度1220和V型鋸割輪廓的鋸割刀1205。該刀可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。該刀也可用在封裝的外圍在街道1012中。V型鋸割刀的使用在透明模制化合物上產(chǎn)生了傾斜的表面1210。在面板上垂直和水平的路徑上都使用這種鋸1205導(dǎo)致在發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上方的金字塔型透明凹槽塊1020、1030的形成。如圖13所示，選擇性移除處理之后，可用如圖9所述的包括步驟250和260的處理900完成傳感器封裝1201。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么一些設(shè)置在街道內(nèi)的不透明模制化合物可以保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏叮敲丛诜庋b的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0118]圖14描述了具有坡口角度1420鋸割輪廓的和鈍尖1425的V型鋸割刀1405。該刀可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。該刀也可用在封裝1401的外圍部分上。具有鈍尖的V型據(jù)割刀的一個(gè)好孔處在于可能在封裝的外圍部分的周圍需更少的經(jīng)過(guò)來(lái)選擇性除透明模制化合物的一部分。由于該刀1425是V型的，其在透明模制化合物上產(chǎn)生了傾斜的表面1410。垂直和水平方向上都使用這種鋸導(dǎo)致在發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上方形成金字塔型透明凹槽塊。如圖15所示，可用如圖9所述的處理900完成傳感器封裝1401。在步驟250中，不透明模制化合物770被設(shè)設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，則設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可能保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘。但是，如果使用寬的單一刀，那么在封裝的邊緣上可能不殘留不透明材料。
[0119]圖16A描述了具有長(zhǎng)方形切割輪廓的鋸割刀1605。該刀可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。同樣的刀可用在封裝1601的外圍部分在街道中。如圖1OB所示，在街道1012中移除的透明模制化合物的量可大于裸片之間1010移除的量。為了移除街道中的更大量的模制化合物，要使用更厚的刀或用薄刀的多次經(jīng)過(guò)。在垂直和水平方向上都使用這種鋸割操作導(dǎo)致在每個(gè)裸片上方形成立方體形透明凹槽塊?？捎萌鐖D9所述的處理900完成傳感器封裝1601。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，則設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物會(huì)保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘。可是如果使用寬的單一刀，那么在封裝的邊緣上不會(huì)殘留不透明材料。
[0120]圖16B描述了具有長(zhǎng)方形切割輪廓的鋸割刀1605。該刀可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。該刀設(shè)置為具有較小的深度并用于在發(fā)射器裸片620上方產(chǎn)生臺(tái)階凹槽1610，從而在光發(fā)射器裸片620上方產(chǎn)生較小的發(fā)射孔徑1620。同樣的刀可用在街道中的封裝1602的外圍部分的周圍。在垂直和水平方向上都使用這種鋸導(dǎo)致在每個(gè)裸片上方形成立方體形透明凹槽塊，其中在發(fā)射器裸片上的孔徑較小?？捎萌鐖D9所述的處理900完成傳感器封裝1602。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可以保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏叮敲丛诜庋b的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0121]圖17描述了具有長(zhǎng)方形鋸割輪廓的鋸割刀1605。該刀可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。該刀設(shè)置為具有較小的深度并用于在發(fā)射器和檢測(cè)器裸片620、630上方產(chǎn)生臺(tái)階凹槽1710、1720、1730、1740，從而產(chǎn)生較小的發(fā)射和接收孔徑1750、1760。同樣的刀可用在封裝1701的外圍部分周圍。在垂直和水平方向上都使用這種鋸導(dǎo)致形成具有在發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上的較小孔徑的立方體形透明凹槽塊?？捎萌鐖D9所述的處理900完成傳感器封裝1701。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物會(huì)保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏叮敲丛谥蒲b的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0122]圖18描述了采用組合鋸割刀的實(shí)施例。具有長(zhǎng)方形鋸割輪廓的鋸割刀1605可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。含有具有坡口角度1420的V型切割輪廓和鈍尖1425的單獨(dú)的鋸割刀1405可用于移除街道中的在封裝1801的外圍部分周圍的透明模制化合物。采用該方法得到將發(fā)射器裸片定位為緊鄰檢測(cè)器裸片的能力，同時(shí)也產(chǎn)生用于裸片的較小孔徑。可用如圖9所述的處理900完成傳感器封裝1801。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物會(huì)保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘。可是如果使用寬的單一刀，那么在封裝的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0123]圖19描述了采用組合鋸割刀的實(shí)例。具有一個(gè)垂直切割表面1907、一個(gè)成角度的垂直鋸割表面1909和鈍尖1911的鋸割刀1905可用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。含有具有坡口角度1420的V型切割輪廓和鈍尖1425的單獨(dú)的鋸割刀1405可用于移除街道中的在封裝1901外圍部分的周圍的透明模制化合物?？捎萌鐖D9所述的處理900完成傳感器封裝1901。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)9置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可以保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏?，那么在封裝的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0124]圖20-22描述了采用組鋸割刀以及連續(xù)鋸割過(guò)程的實(shí)施例。本實(shí)施例在當(dāng)裸片620、630之間的距離縮小是可以是有益的。首先，如圖20所示，具有長(zhǎng)方形切割輪廓的鋸割刀1605可以用于移除發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間的透明模制化合物1030，從而在它們之間形成凹槽。圖21描述了鋸割操作，其中可使用具有坡口角度1220和V型切割輪廓的鋸割刀1205。該刀可被設(shè)置為減小的切割深度并用在發(fā)射器裸片620和檢測(cè)器裸片630之間以移除額外的透明模制化合物，從而在之前形成的凹槽附近形成臺(tái)階凹槽。裸片之間的這種鋸割操作的組合產(chǎn)生了用于不透明壁壘的凹槽，并同時(shí)在裸片620、630上方產(chǎn)生了較小的傳輸和接收孔徑。同樣的V型刀1205也可以在全切割深度用在封裝2001的外圍部分處以移除街道中的透明模制化合物。如圖22所示，可用如圖9所述的處理900完成傳感器封裝2001。在步驟250中，不透明模制化合物770設(shè)置在透明凹槽塊之間并與其共面，以及在步驟260中封裝被單一化。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可能保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘。可是如果使用寬的單一刀，那么在封裝的邊緣上可能不會(huì)殘留不透明材料。
[0125]圖23-26為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝2301的簡(jiǎn)化圖。在圖23中，裸片620、630安裝在引線框架或基板610上，并且接合線840、845從裸片620、630延伸至引線框架或基板610。這些步驟沒(méi)有單獨(dú)說(shuō)明但是可以類似于上述關(guān)于圖1A-1G和圖2的步驟210-230的方式執(zhí)行。
[0126]圖27示出了操作210、220和230可以如上述結(jié)合圖2來(lái)執(zhí)行。在步驟2740中，面板1001上的器件可同時(shí)用透明模制化合物1030模制為在引線框架上方的具有共面表面的“塊，如圖1OA所示。在步驟2745中，透明模制化合物的塊的一部分被選擇性移除了。可通過(guò)鋸割操作、噴射磨料水移除、激光移除、研磨及其類似方法實(shí)現(xiàn)透明模制化合物的選擇性移除。本文使用采用鋸進(jìn)行選擇性移除過(guò)程的描述只是為了示范性目的并且本發(fā)明決不限于此。圖1OB示出了選擇性除操作之后的面板。在該實(shí)施例中，選擇性移除操作導(dǎo)致在發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上方的透明模制化合物的單個(gè)金字塔形凹槽塊的形成，它們中的兩個(gè)1020、1030被標(biāo)識(shí)是為了說(shuō)明的目的。
[0127]圖1OB描述了不同的選擇性移除路徑1010、1012，在此移除了不同寬度的透明模制化合物。裸片之間的路徑1010是狹窄的移除路徑，并且封裝之間及周圍的路徑1012是較寬的稱之為“街道”的移除路徑。不同的鋸割刀可用來(lái)移除不同寬度的材料。通過(guò)使用相對(duì)狹窄的鋸的多次經(jīng)過(guò)也可實(shí)現(xiàn)同樣的改變路徑寬度的效果。例如，一般在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之間存在狹窄的隔離因此可以采用薄鋸割刀單次經(jīng)過(guò)?？墒牵诎òl(fā)射器光檢測(cè)器裸片對(duì)的單個(gè)封裝之間和周圍和外面，存在更多的空間，因此可以使用寬鋸割刀，或可以使用采用薄鋸割刀的多次經(jīng)過(guò)以形成街道1012。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例存在可被使用的多種不同形狀的鋸割刀。此處描述了一種截錐形鋸割刀；可是只要不偏離本公開(kāi)，可以采用其它的形狀、輪廓及其組合。
[0128]返回再參考圖27所示的處理2700。在步驟2750中執(zhí)行用不透明模制化合物的第二轉(zhuǎn)移模制操作。圖24描述了不透明模制處理之后的封裝的截面。不透明模制化合物770可設(shè)置在每個(gè)透明凹槽塊的全部四個(gè)面上并且附加地設(shè)置在每個(gè)凹槽塊2402的頂部上。在步驟2755中，具有長(zhǎng)方形輪廓的鋸割刀1605以減小的切割深度被使用以選擇性移除不透明模制化合物，從而暴露出下面的透明模制化合物(圖25)。如圖26所示，該處理形成了發(fā)射器裸片620上方的發(fā)射孔徑2610和檢測(cè)器裸片630上方的接收孔徑2620。通過(guò)使用該處理可以控制孔徑的尺寸。用于該實(shí)施例的不透明模制處理可以不需要與透明凹槽塊相共面。在本實(shí)施例中可使用一個(gè)簡(jiǎn)單的標(biāo)準(zhǔn)凹槽塊模制工具來(lái)使整個(gè)面板包覆成型。在一個(gè)實(shí)施例中，鋸割操作可在鋸割操作期間同時(shí)拋光孔徑。在一個(gè)替代實(shí)施例中，可采用后續(xù)操作來(lái)拋光孔徑。在步驟260中，采用單一化處理完成傳感器封裝2301，從而提供一封裝后的發(fā)射器檢測(cè)器對(duì)。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可保持在封裝的一個(gè)或多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏?，那么可能沒(méi)有不透明材料保留在封裝的邊緣上。
[0129]圖28描述了用于制造圖23-26中所述的實(shí)施例的替代處理2800。圖23_26為根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝2301的簡(jiǎn)化圖。在圖23中，裸片620、630附接到引線框架或基板610，并且接合線840、845從裸片620、630延伸至引線框架或基板610。發(fā)射器裸片和檢測(cè)器裸片隨后被獨(dú)立封裝在透明模制化合物凹槽塊中。這些步驟沒(méi)有單獨(dú)示出但是可以類似于上述關(guān)于圖1A-1G和圖2的步驟210-240的方式執(zhí)行。
[0130]圖28示出操作210、220、230和240可以按照上面結(jié)合圖2所描述那樣來(lái)執(zhí)行。在該實(shí)施例中，選擇性封裝處理導(dǎo)致發(fā)射器和檢測(cè)器裸片上方的透明模制化合物的單個(gè)金字塔形凹槽塊的形成，它們中的兩個(gè)1020、1030被標(biāo)識(shí)是為了說(shuō)明的目的。
[0131]返回再參考圖28中的處理2800。在步驟2850中執(zhí)行用不透明模制化合物的第二轉(zhuǎn)移模制操作。圖24描述了不透明模制工藝之后的封裝的截面。不透明模制化合物770可設(shè)置在每個(gè)透明凹槽塊的全部四個(gè)面上并且附加地設(shè)置在每個(gè)凹槽塊2402的頂部上。在步驟2855中，具有長(zhǎng)方形輪廓的鋸割刀1605可以以減小的鋸割深度被使用，從而選擇性移除不透明模制化合物，從而暴露出下面的透明模制化合物(圖25)。如圖26所示，該處理形成了發(fā)射器裸片620上方的發(fā)射孔徑2610和檢測(cè)器裸片630上方的接收孔徑2620。通過(guò)使用該處理可以控制孔徑的尺寸。用于本實(shí)施例的不透明模制處理不需要與透明凹槽塊相共面。在本實(shí)施例中可使用一個(gè)簡(jiǎn)單的標(biāo)準(zhǔn)凹槽塊模制工具來(lái)使整個(gè)面板包覆成型。在一個(gè)實(shí)施例中，鋸割操作可在鋸割操作期間同時(shí)拋光孔徑。在一個(gè)替代實(shí)施例中，可采用后續(xù)操作來(lái)拋光孔徑。在步驟260中，可采用單一化處理完成傳感器封裝2301，從而提供一封裝后的發(fā)射器檢測(cè)器對(duì)。如果使用狹窄的單一刀，那么設(shè)置在街道內(nèi)的一些不透明模制化合物可保留在封裝的一個(gè)或更多個(gè)邊緣上，從而產(chǎn)生不透明壁壘?？墒侨绻褂脤挼膯我坏?，那么可能沒(méi)有不透明材料保留在封裝的邊緣上。
[0132]應(yīng)該注意，盡管所說(shuō)明的實(shí)施例包括使用一個(gè)特定鋸割刀形狀或特定鋸割刀形狀的組合，但利用此處公開(kāi)的原理可制造其它結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員利用本公開(kāi)的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)需要可適當(dāng)?shù)夭捎娩徃畹兜亩喾N不同的結(jié)構(gòu)、形狀和順序。
[0133]應(yīng)該注意，盡管所說(shuō)明的多個(gè)實(shí)施例只描述了在裸片之間和在封裝的兩個(gè)相對(duì)側(cè)上使用鋸割刀，但應(yīng)該理解可以使用此處公開(kāi)的原理在封裝的全部四個(gè)側(cè)執(zhí)行鋸割操作。還應(yīng)該注意，盡管示出了可以使用鋸割處理來(lái)選擇性移除透明模制化合物的一些實(shí)施例，以及示出采用模制處理來(lái)選擇設(shè)置透明模制化合物的其它實(shí)施例，但是根據(jù)需要也可以采用它們的組合。例如，透明模制化合物的立方體形凹槽可在個(gè)體裸片之上被模制以及鋸割操作可隨后用于成形或向那些立方體加入一個(gè)斜面。本領(lǐng)域技術(shù)人員利用本公開(kāi)的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)需要可適當(dāng)?shù)夭捎媚Ｖ坪弯徃畈僮鞯亩喾N不同的結(jié)構(gòu)、形狀和順序。
[0134]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，應(yīng)該理解，圖2、9、27_28所說(shuō)明的特定步驟提供特定的形成半導(dǎo)體封裝的方法。根據(jù)替代實(shí)施例也可執(zhí)行其它步驟順序。在某些實(shí)施例中，對(duì)于特定應(yīng)用，方法可以以不同順序、同時(shí)地、或以任何其它順序來(lái)執(zhí)行各個(gè)步驟。此外，圖2、9、27-28所說(shuō)明的各個(gè)步驟可包括多個(gè)子步驟，這些子步驟可以適于各個(gè)步驟的各種順序來(lái)執(zhí)行。此外，可以根據(jù)特定的應(yīng)用加入或移除附加步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)并理解根據(jù)本方法的各種變化、修改、和替代方式。
[0135]應(yīng)該注意，盡管所說(shuō)明的實(shí)施例包括一個(gè)發(fā)射器裸片和一個(gè)檢測(cè)器裸片，但是利用本公開(kāi)的原理可以制造其它的結(jié)構(gòu)。例如，一些實(shí)施例可包括多個(gè)光發(fā)射器和一個(gè)或多個(gè)檢測(cè)器。本領(lǐng)域技術(shù)人員利用本公開(kāi)的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)需要可適當(dāng)?shù)匦纬赏该骰嵛锇疾鄣亩喾N不同結(jié)構(gòu)和形狀。此外，文中所述的多化合物模制處理可通過(guò)自動(dòng)化傳遞模制方法進(jìn)行，這是一種多產(chǎn)且成本效率高的方法，并提供在實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)率的同時(shí)比當(dāng)前裸片鑄造處理在更短交付時(shí)間中把生產(chǎn)帶到高量制造能力的穩(wěn)健處理。
[0136]應(yīng)當(dāng)理解圖中所示的和上面說(shuō)明書(shū)中所描述的半導(dǎo)體封裝都是為了說(shuō)明性的目的，并且文中所述的方法和結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于多種不同類型的半導(dǎo)體封裝。這些半導(dǎo)體封裝中的一些可包括四方扁平無(wú)引腳(QFN)封裝、雙側(cè)扁平無(wú)引腳(DFN)封裝、微型引線框封裝(MLP)、以及本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本公開(kāi)的優(yōu)點(diǎn)能夠知道并理解的其他封裝。此外，附圖中所示的各種特征不是按比例繪制的。
[0137]雖然本發(fā)明根據(jù)特定的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但是很顯然的對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)本發(fā)明的范圍并不局限于文中所述的實(shí)施例。例如，在不偏離本發(fā)明范圍的情況下，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的特征可以與其他實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特征相互結(jié)合。相應(yīng)地，認(rèn)為說(shuō)明書(shū)和附圖是為了示例性的意義而不是限制意義。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)參照上述的說(shuō)明書(shū)來(lái)確定，而應(yīng)參照所附的權(quán)利要求書(shū)以及他們的全部等效范圍來(lái)確定。
[0138]應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的某些實(shí)施例可執(zhí)行文中所述的一些或全部功能。例如，一些實(shí)施例可執(zhí)行圖1A-OT所述的全部功能，而其他實(shí)施例可限于文中所述的各種功能中的一個(gè)或兩個(gè)。
[0139]除非有特殊相反的說(shuō)明，任何“一 (a) ”、“一 (an) ”或“該(the) ”的記載都意指“一個(gè)或更多個(gè)”。
[0140]上面的描述是說(shuō)明性的而不是限制性的。本發(fā)明的各種變化對(duì)于瀏覽本公開(kāi)的本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是清楚的。因此本發(fā)明的范圍不應(yīng)參照上述的說(shuō)明書(shū)來(lái)確定，而應(yīng)參照所附的權(quán)利要求書(shū)以及他們的全部范文或等效范圍來(lái)確定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 引線框架； 第一裸片，被設(shè)置在引線框架上； 第二裸片，被設(shè)置在引線框架上，與所述第一裸片相鄰； 透明材料，被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之上； 在所述透明材料中的第一凹槽，被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方； 在所述透明材料中的至少一個(gè)邊緣凹槽，被設(shè)置在所述封裝的邊緣上并且在所述引線框架上方；以及 不透明材料，被設(shè)置在所述第一凹槽和所述邊緣凹槽之內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述不透明材料相對(duì)于所述透明材料的頂表面基本上平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上；以及 其中設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的所述不透明材料的至少一部分被選擇性地移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括被設(shè)置在所述封裝的四個(gè)邊緣中的每一個(gè)上并且在引線框架上方的在所述透明材料中的邊緣凹槽；以及 所述不透明材料被設(shè)置在多個(gè)邊緣凹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括在所述透明材料中的設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰的至少一個(gè)臺(tái)階凹槽；和 所述不透明材料被設(shè)置在所述臺(tái)階凹槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一凹槽具有至少一個(gè)傾斜壁。
7.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 引線框架； 第一裸片，被設(shè)置在引線框架上； 第二裸片，被設(shè)置在引線框架上，與所述第一裸片相鄰； 透明材料，被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之上； 第一凹槽，被設(shè)置在所述透明材料中，在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方； 其中所述第一凹槽具有至少一個(gè)傾斜壁；以及 不透明材料，被設(shè)置在所述第一凹槽中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述不透明材料相對(duì)于所述透明材料的頂表面基本上平齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上；以及 其中所述不透明材料的設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的至少一部分被選擇性地移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括被設(shè)置在所述封裝的四個(gè)邊緣中的每一個(gè)上并且在引線框架之上的在所述透明材料中的邊緣凹槽；以及 所述不透明材料被設(shè)置在多個(gè)邊緣凹槽中。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包括在所述透明材料中的設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰的至少一個(gè)臺(tái)階凹槽；以及 所述不透明材料被設(shè)置在所述臺(tái)階凹槽中。
12.—種形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括: 提供引線框架； 在所述引線框架上放置第一裸片； 在所述引線框架上放置第二裸片，其中所述第一裸片和第二裸片彼此相鄰地放置； 在所述第一裸片和第二裸片之上設(shè)置透明材料； 在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方形成第一凹槽； 在所述透明材料中形成至少一個(gè)街道凹槽，所述至少一個(gè)街道凹槽被設(shè)置在街道上并且在所述引線框架上方；以及 在所述第一凹槽和所述街道凹槽中設(shè)置不透明材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法， 其中，所述街道凹槽比所述第一凹槽寬。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上；以及 選擇性地移除所述不透明材料的被設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的至少一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在透明材料中形成街道凹槽，所述街道凹槽被設(shè)置在水平街道和垂直街道中的每一個(gè)上并且在所述引線框架上方；以及 所述不透明材料被設(shè)置在多個(gè)街道凹槽中。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在透明材料中形成至少一個(gè)臺(tái)階凹槽； 其中，所述臺(tái)階凹槽被設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰；以及 在所述臺(tái)階凹槽中設(shè)置所述不透明材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一凹槽具有至少一個(gè)傾斜壁。
18.—種形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括: 提供引線框架； 在所述引線框架上放置第一裸片； 在所述引線框架上放置第二裸片，其中所述第一裸片和第二裸片彼此相鄰地放置； 在所述第一裸片和第二裸片之上設(shè)置透明材料； 在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方形成具有至少一個(gè)傾斜壁的第一凹槽； 在所述第一凹槽中設(shè)置不透明材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括在透明材料中形成街道凹槽，所述街道凹槽被設(shè)置在水平街道和垂直街道中的每一個(gè)上并且在所述引線框架上方；以及 所述不透明材料被設(shè)置在多個(gè)街道凹槽中。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括在透明材料中形成至少一個(gè)臺(tái)階凹槽； 其中，所述臺(tái)階凹槽被設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰；以及在所述臺(tái)階凹槽中設(shè)置所述不透明材料。
【文檔編號(hào)】H01L25/00GK103579015SQ201310466630
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】陳文榮, 李育富, 甘振昌 申請(qǐng)人:嘉盛馬來(lái)西亞公司