具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、及電磁屏障的線路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、及電磁屏障的線路板，其包括一定位件、一半導體元件、一具有屏蔽側(cè)壁的加強層、一第一增層電路、以及具有一屏蔽蓋的一第二增層電路。該第一以及該第二增層電路在相反的垂直方向覆蓋該半導體元件、該定位件、以及該加強層。該屏蔽側(cè)壁以及該屏蔽蓋通過第一增層電路而電性連接至該半導體元件的至少一接地連接墊，且可分別作為位于該加強層的該通孔中的該半導體元件有效的水平以及垂直電磁屏蔽效果。
【專利說明】具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、及電磁屏障的線路板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、以及電磁屏障的線路板，特別是一種具有屏蔽蓋以及屏蔽側(cè)壁的線路板，其中屏蔽蓋及屏蔽側(cè)壁可分別作為內(nèi)嵌元件的垂直及水平屏障。
【背景技術】
[0002]半導體元件易受到電磁干擾(EMI)或是其他內(nèi)部元件干擾，例如在高頻模式操作時的電容、感應、導電耦合等。當半導體芯片為了微型化而與彼此緊密地設置時，這些不良干擾的嚴重性可能會大幅上升。為了減少電磁干擾，在某些半導體元件及模塊上可能需要屏障。
[0003]Bolognia等人的美國專利8，102,032、Pagaila等人的美國專利8，105,872、Fuentes等人的美國專利號8，093，691、Chi等人的美國專利8，314，486及美國專利8，349，658揭示了用于半導體元件屏障的各種方法，包括金屬罐、線狀網(wǎng)(wire fences)、或球狀網(wǎng)(ball fences)。上述所有方法皆設計用于組裝于基板及屏蔽材料(例如金屬罐、金屬膜、線狀或球狀網(wǎng))上的元件，屏蔽材料皆為外部添加的形式，其需要額外空間，因而增加半導體封裝的尺寸及額外耗費。
[0004]Ito等人的美國專利7，929，313、美國專利7，957，154及美國專利號8，168，893揭
露了一種使用位于樹脂層中的導電盲孔以形成電磁屏障層的方法，該電磁屏障層環(huán)繞用于容納內(nèi)嵌半導體元件的凹陷部分。此種結(jié)構確保在小空間中內(nèi)嵌元件的優(yōu)異電性屏蔽，但導電盲孔的深度需要如同半導體元件的厚度，故鉆孔及被覆孔洞時受到高縱橫比的限制，且僅能容納一些超薄的元件。此外，由于作為芯片放置區(qū)域的凹陷部分是在導電盲孔金屬化后形成，因?qū)市圆钤斐砂雽w元件錯位，進而使此方法在大量制造時產(chǎn)率極低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是鑒于以上的情況而開發(fā)，其目的在于提供一種可將內(nèi)嵌元件固定于一預定位置及屏障電磁干擾的線路板。據(jù)此，本發(fā)明所提供的線路板包括一屏蔽蓋、一半導體元件、一定位件、具有屏蔽側(cè)壁的一通孔的一加強層、一第一增層電路、以及選擇性地包括一第二增層電路。此外，本發(fā)明也提供了另一種線路板，其包括一半導體元件、一定位件、具有屏蔽側(cè)壁的一通孔的一加強層、一第一增層電路、具有一屏蔽蓋的一第二增層電路。
[0006]在一優(yōu)選實施方式中，該定位件作為該半導體元件的配置導件，該定位件靠近該半導體元件的外圍邊緣，并于側(cè)面方向側(cè)向?qū)试摪雽w的外圍邊緣，且于側(cè)面方向側(cè)向延伸超過該半導體的外圍邊緣。該半導體元件以及該定位件延伸進入該加強層的該通孔，該通孔的該屏蔽側(cè)壁是在側(cè)面方向側(cè)向覆蓋該半導體元件的外圍邊緣，該屏蔽蓋是在該第二垂直方向覆蓋該半導體元件。該屏蔽側(cè)壁以及該屏蔽蓋電性連接至少一該半導體元件的接地接觸墊，且可分別作為該半導體元件的水平以及垂直的屏障。該第一增層電路以及該第二增層電路分別于該第一垂直方向以及該第二垂直方向覆蓋該半導體元件、該定位件、以及該加強層。
[0007]該半導體元件包括一主動面以及與該主動面相反的一非主動面，該主動面上具有多個接觸墊。該半導體元件的該主動面面朝該第一垂直方向，并背向該屏蔽蓋，且該半導體元件的該非主動面面朝該第二垂直方向，并朝向該屏蔽蓋。該半導體元件可經(jīng)由黏著劑而被固定于該第一或第二增層電路上，或被設置于該屏蔽蓋上。
[0008]該定位件可由金屬、光敏性塑料材料、或非光敏性材料制備而成。舉例來說，該定位件基本上可由銅、鋁、鎳、鐵、錫、或其合金所制備，該定位件亦可由環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺所制備。
[0009]該加強層包括一通孔，該通孔具有導電的側(cè)壁，且可使用黏著劑而被固定于該屏蔽蓋上、或該第一增層電路或該第二絕緣層的一絕緣層上。該加強層可延伸至該線路板的外圍邊緣，并提供機械性支撐以抑制該線路板的彎曲或翹曲。該加強層可為具有內(nèi)嵌單層導線或多層導線的單層結(jié)構或多層結(jié)構，例如可為多層線路板。該加強層可由非金屬材料所組成，如多種無機或有機的絕緣材料，包括陶瓷、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiN)、硅(Si)、玻璃、層疊的環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、或覆銅層壓板。于鍍覆的過程中，非金屬加強層的通孔中可形成金屬化的側(cè)壁，以提供位于該通孔內(nèi)的該半導體元件的水平方向的電磁屏蔽。此外，該加強層的該第一以及第二表面可經(jīng)由鍍覆程序而被金屬化，從而，該加強層包括一導電層于該第一以及第二表面，電性連接并鄰接于該屏蔽側(cè)壁。該加強層也可由金屬所制成，如銅(Cu)、鋁(Al)、不銹鋼等。為了提供有效的水平電磁屏蔽效果，該屏蔽側(cè)壁優(yōu)選為完整地覆蓋該半導體元件的側(cè)表面，以減少水平方向的電磁干擾。此外，該屏蔽側(cè)壁可經(jīng)由該第一增層電路而電性連接至少一接地的接觸墊。舉例來說，該屏蔽側(cè)壁可經(jīng)由該第一增層電路的導電盲孔而電性連接至該第一增層電路，且該第一增層電路與該加強層的該第一表面上的導電層電性連接。因此，該屏蔽側(cè)壁以及該半導體元件的接地接觸墊之間的電性連接可經(jīng)由該第一增層電路而提供。或者，該屏蔽側(cè)壁可經(jīng)由延伸穿過該加強層的一或多個披覆穿孔而電性連接至該第一增層電路。舉例來說，該被覆穿孔可延伸穿過該加強層，鄰接于該加強層的導電層，且于一第一端延伸至該第一增層電路并電性連接至該第一增層電路。因此，該第一增層電路及該被覆穿孔可提供該屏蔽側(cè)壁以及該半導體元件的接地接觸墊之間的電性連接。
[0010]該屏蔽蓋是在該第二垂直方向?qū)试摪雽w元件并覆蓋該半導體元件，且可經(jīng)由該第一增層電路而電性連接至該半導體元件的至少一接地接觸墊。該屏蔽蓋可為連續(xù)的金屬層，且最好可水平延伸至至少與該半導體元件的外圍邊緣重合，以提供有效的垂直電磁屏蔽效應。舉例來說，該屏蔽蓋可于側(cè)面方向側(cè)向延伸直到與該半導體元件的外圍邊緣共平面，或者向外側(cè)向延伸超過該半導體元件的外圍邊緣，且甚至側(cè)向延伸至該線路板的外圍邊緣，據(jù)此，該屏蔽蓋可于該第二垂直方向完全地覆蓋該半導體元件，且可最小化垂直方向的電磁干擾。與該第一增層電路間隔開來的該屏蔽蓋可經(jīng)由與該第一增層電路電性連接的該加強層而電性連接至該第一增層電路。舉例來說，該屏蔽蓋可經(jīng)由導電盲孔或?qū)щ姕隙娦赃B接至該加強層的第二表面的導電層，導電盲孔或?qū)щ姕辖佑|且提供該屏蔽蓋以及該加強層的導電層間的電性連接。因此，該屏蔽蓋以及該半導體元件的接地接觸墊之間的電性連接可通過該加強層以及該第一增層電路所提供。再者，該屏蔽蓋可經(jīng)由一或多個被覆穿孔而電性連接至該第一增層電路，其中該被覆穿孔延伸穿過該加強層。舉例來說，于第一端的該被覆穿孔可延伸直到電性連接至該第一增層電路，且于第二端的該被覆穿孔可延伸直到電性連接至該屏蔽蓋。因此，該屏蔽蓋以及該半導體元件的接地接觸墊之間的電性連接可由該被覆穿孔以及該第一增層電路而提供。
[0011]該第一增層電路是在該第一垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且該第一增層電路可包括一第一絕緣層以及一或多個第一導線。舉例來說，該第一絕緣層是在該第一垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且該第一絕緣層可延伸至該線路板的外圍邊緣，且該第一導線自該第一絕緣層朝該第一垂直方向延伸。該第一絕緣層可包括多個第一盲孔，所述第一盲孔被設置鄰接于該半導體元件的接觸墊。一或多個第一導線自該第一絕緣層朝該第一垂直方向延伸，且于該第一絕緣層上側(cè)向延伸，并于該第二垂直方向延伸進入所述第一盲孔以形成多個第一導電盲孔，從而可提供該半導體兀件的多個信號接觸墊以及多個接地接觸墊的信號路由。此外，該第一絕緣層可包括一或多個額外的第一盲孔，所述額外的第一盲孔被設置鄰接于該加強層的該第一表面的該導電層的選定部分，該第一導線可更進一步于該第二垂直方向延伸進入所述額外的第一盲孔中，以形成一或多個額外的第一導電盲孔，所述第一導電盲孔電性連接該加強層的導電層，從而提供該半導體元件的接地接觸墊以及該屏蔽側(cè)壁之間的接地連接。綜上所述，該第一增層電路經(jīng)由所述第一導電盲孔而電性連接至該半導體元件的所述接觸墊，以提供該半導體元件的信號路由以及接地，且可經(jīng)由所述額外的第一導電盲孔而進一步電性連接至該屏蔽側(cè)壁，以提供該屏蔽側(cè)壁的接地。由于該第一導線可直接接觸該半導體元件的所述接觸墊以及該加強層的該導電層，該半導體元件以及該第一增層電路之間的電性連接，以及該屏蔽側(cè)壁以及該第一增層電路之間的電性連接可不含焊料。若有需要進一步的信號路由，該第一增層電路可包括額外的介電層、具有盲孔的額外的層、以及額外的導線。
[0012]根據(jù)具有該半導體元件被設置于該屏蔽蓋上的線路板的方式，可選擇性地提供該第二增層電路，且該第二增層電路于該第二垂直方向覆蓋該屏蔽蓋以及該加強層，在此方式中，該第二增層電路可包括一第二絕緣層以及一或多個第二導線。舉例來說，該第二絕緣層是在該第二垂直方向覆蓋該屏蔽蓋以及該加強層，且可延伸至該線路板的外圍邊緣，且該第二導線自該第二絕緣層朝該第二垂直方向延伸，且于該第二絕緣層上側(cè)向延伸。該第二絕緣層可包括設置于鄰接該屏蔽蓋的選定部位的一或多個第二盲孔，該第二導線可于該第一垂直方向更進一步延伸進入所述第二盲孔以形成一或多個第二導電盲孔，從而可提供該屏蔽蓋的電性連接。而該屏蔽蓋內(nèi)建于該第二增層電路的線路板的另一方式，該第二增層電路是在該第二垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且可包括一第二絕緣層、該屏蔽蓋、以及選擇性地包括第二導線。舉例來說，該第二絕緣層是在該第二垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且可延伸至該線路板的外圍邊緣，該屏蔽蓋以及該第二導線自該第二絕緣層朝該第二垂直方向延伸，且于該第二絕緣層上側(cè)向延伸。該第二絕緣層可包括一或多個第二盲孔或溝槽開口，其被設置鄰接于該加強層的該第二表面的該導電層的選定部分,且可被金屬化以形成一或多個第二導電盲孔或?qū)щ姕稀?jù)此，該屏蔽蓋可電性連接至該第一增層電路以接地，且其電性連接經(jīng)由該加強層以及該第二增層電路的該第二導電盲孔或該導電溝所提供。若有需要進一步的信號路由，該第二增層電路可包括額外的介電層、具有盲孔的額外的層、及額外的導線。
[0013]本發(fā)明的線路板可更進一步包括一或多個被覆穿孔，其延伸穿過該加強層。該被覆穿孔可提供該第一增層電路以及該第二增層電路之間的電性連接。舉例來說，位于該第一端的該被覆穿孔可延伸并電性連接至該第一增層電路的外或內(nèi)導電層，且位于第二端的該被覆穿孔可延伸并電性連接至該第二增層電路的外或內(nèi)導電層、或屏蔽側(cè)壁。因此，該被覆穿孔可提供于垂直方信號路由或接地的電性連接。
[0014]該第一或第二增層電路的最外層的導線，可分別包括一或多個第一以及第二內(nèi)連接墊，以提供一電子元件(如一半導體芯片、一塑料封裝、或另一半導體組體)的電性連接點。所述第一內(nèi)連接墊可包括面朝該第一垂直方向的一外露的接觸表面，而所述第二內(nèi)連接墊可包括面朝該第二垂直方向的一外露的接觸表面。因此，該線路板可包括電性接點(例如該第一內(nèi)連接墊以及該第二內(nèi)連接墊)，其電性連接彼此并位于面朝相反垂直方向的相反表面，使該線路板能夠堆疊，且電子元件可利用各種連接媒介電性連接至該線路板，連接媒介包括打線或焊錫凸塊以作為電性接點。
[0015]本發(fā)明的線路板可更進一步包括導引該加強層配置的一配置導件。該加強層的該配置導件是在側(cè)面方向靠近該加強層的外圍邊緣，并側(cè)向?qū)视谠摷訌妼拥耐鈬吘?，且于?cè)面方向延伸超過該加強層的外圍邊緣。如同該定位件，該加強層的該配置導件可由金屬、光敏性塑料材料、或非光敏性材料制備而成，如銅、鋁、鎳、鐵、錫、其合金、環(huán)氧樹脂、或聚酰亞胺所制備。
[0016]該定位件以及該配置導件可于該第一垂直方向接觸該第一增層電路的該屏蔽蓋或一絕緣層，且自該第一增層電路的該屏蔽蓋或一絕緣層朝該第一垂直方向延伸；或可自該第二增層電路的一絕緣層朝該第二垂直方向延伸。舉例來說，該定位件可自該第二增層電路的一絕緣層或屏蔽蓋朝該第一垂直方向延伸，且延伸超過該半導體元件的該非主動面，或者自該第一增層電路的一絕緣層朝該第二垂直方向延伸，且延伸超過該半導體元件的主動面。同樣地，該配置導件可于該第一垂直方向自該第二增層電路的一絕緣層或屏蔽蓋延伸，且延伸超過該加強層的接觸表面；或者于該第二垂直方向自該第一增層電路的一絕緣層延伸，且延伸超過該加強層的接觸表面。在任何的情況下，該定位件以及該配置導件可接觸該第一增層電路以及該第二增層電路，且介于該第一增層電路以及該第二增層電路之間，或者可介于該第一增層電路以及該屏蔽蓋之間。
[0017]此外，該定位件以及該配置導件可具有圖案以分別避免該半導體元件以及該加強層不必要的移動。舉例來說，該定位件以及該配置導件可包括一連續(xù)或不連續(xù)的條板或突柱陣列，該定位件以及該配置導件可同時形成且具有相同或不同的圖案。具體來說，該定位件可側(cè)向?qū)R該半導體元件的四個側(cè)表面，以防止該半導體元件的橫向位移。舉例來說，該定位件可沿著該半導體元件的四個側(cè)面、兩個對角、或四個角對齊，且該半導體元件以及該定位件間的間隙優(yōu)選約于0.001至I毫米的范圍之內(nèi)，該半導體元件可通過該定位件與該通孔的內(nèi)壁間隔開來，且可添加接合材料至該半導體元件以及該加強層之間以增加其剛性。此外，該定位件亦可靠近該通孔的內(nèi)壁且對齊該通孔的內(nèi)壁以防止該加強層的橫向位移。同理，該配置導件可側(cè)向?qū)R于該加強層的四個外側(cè)表面，以防止該加強層的橫向位移。舉例來說，該配置導件可沿著該加強層的四個外側(cè)面、兩個外對角、或四個外角對齊，且該加強層的外圍邊緣以及該配置導件間的間隙優(yōu)選為約在0.001至I毫米的范圍之內(nèi)，此夕卜，該定位件以及該配置導件的厚度優(yōu)選為10至200微米。
[0018]本發(fā)明還提供了一種三維堆疊組體，其由多個具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、以及電磁屏障的線路板所堆疊而成，多個線路板利用分別位于兩相鄰線路板間的內(nèi)介電層，以背對背(back-to-back)或面對背(face_to_back)的方式堆疊,并通過一或多個被覆穿孔與彼此電性連接。
[0019]本發(fā)明具有許多優(yōu)點，其中，該加強層可提供該增層電路的一機械性支撐。該加強層的該屏蔽側(cè)壁及該屏蔽蓋可分別作為該半導體元件的水平及垂直EMI屏障，以降低電磁干擾。該半導體元件的所述接地接觸墊與所述屏蔽側(cè)壁/屏蔽蓋間的電性連接可經(jīng)由該增層電路提供，以提供嵌埋于該線路板中的該半導體元件的有效的電磁屏障效果。因該增層電路的高路由選擇能力(routing capability),該增層電路可提供訊號路由并利于展現(xiàn)高I / O值以及高性能。此外，該定位件可準確地限制該半導體元件的放置位置，以避免因該半導體元件的橫向位移導致該半導體元件以及該增層電路間的電性連接錯誤，進而大幅度的改善了產(chǎn)品良率。該線路板及使用其的該堆疊組體的可靠度高、價格低廉、且非常適合大量制造生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1~8是本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的線路板的制造方法剖視圖，其中該線路板包含一定位件、一半導體元件、一加強層、雙增層電路、以及被覆穿孔；其中圖24、24’、3八及5八分別為圖2、2’、3及5的俯視圖，以及圖2B至圖2E分別為該定位件的其他參考樣式的俯視圖。
[0021]圖9~12是本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的另一線路板的制造方法剖視圖，其中該線路板包含一屏蔽蓋以及屏蔽側(cè)壁，其通過多個導電盲孔而電性連接至一半導體元件的多個接地接觸墊。
[0022]圖13~15是本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的又一線路板的制造方法剖視圖，其中該線路板包括一屏蔽蓋，其通過多個導電溝而電性連接至一加強層的一圖案化導電層。其中，圖14A是圖14的仰視圖。
[0023]圖16~21是根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式中，又一具有雙增層電路的線路板的制備方法剖視圖，其中，增層電路包括額外的絕緣層以及導線，且通過多個被覆穿孔而電性連接至另一增層電路。
[0024]圖22~28是根據(jù)本發(fā)明的一實施方式中，一線路板的制備方法剖視圖，其包括一定位件、一屏蔽蓋、一半導體兀件、一加強層、一增層電路、多個導電溝、多個端子、以及多個被覆穿孔。
[0025]圖29~34是根據(jù)本發(fā)明的再一實施方式中，一線路板的制備方法剖視圖，其包括一定位件、一屏蔽蓋、一半導體元件、一加強層、雙增層電路、以及多個被覆穿孔。
[0026]圖35~42是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，一具有屏蔽蓋的線路板的制備方法剖視圖，其中該屏蔽蓋插入該加強層的通孔中。
[0027]圖43~45是根據(jù)本發(fā)明的一實施方式中，一三維堆疊組體的制備方法剖視圖，其包括多個以面對背方式堆疊的線路板。
[0028]圖46~48是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，一三維堆疊組體的制備方法剖視圖，其包括多個以背對背方式堆疊的線路板 。
[0029]【附圖標記說明】[0030]100，110，120，130，140，200，300，400，500，600，700 線路板
[0031]11，22 金屬層
[0032]113定位件13介電層
[0033]15支撐板16，18黏著劑
[0034]21’第一被覆層22’第二被覆層
[0035]201第一增層電路202第二增層電路
[0036]203增層電路211第一絕緣層
[0037]213第一盲孔215第一導線
[0038]217第一導電盲孔221第二絕緣層
[0039]222溝槽開口223第二盲孔
[0040]224 屏蔽蓋226，229 端子
[0041]227第二導電盲孔228導電溝
[0042]231第三絕緣層233第三盲孔
[0043]235第三導線241第四絕緣層
[0044]245第四導線261內(nèi)介電層
[0045]31半導體元件311主動面
[0046]312接觸墊313非主動面
[0047]41加強層411通孔
[0048]413 導電層511，512 穿孔
[0049]415屏蔽側(cè)壁513，514連接層
[0050]515，516 被覆穿孔
【具體實施方式】
[0051]在下文中，將提供實施例以詳細說明本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明的其他優(yōu)點以及功效將通過本發(fā)明所揭露的內(nèi)容而更為顯著。應當注意的是，所述附圖為簡化的圖式，圖式中所示的元件數(shù)量、形狀、以及大小可根據(jù)實際條件而進行修改，且元件的配置可能更為復雜。本發(fā)明中也可進行其他方面的實踐或應用，且不背離本發(fā)明所定義的精神與范疇的條件下，可進行各種變化以及調(diào)整。
[0052][實施例1]
[0053]圖1~8是本發(fā)明的一實施方式中，一線路板的制備方法的剖視圖，該線路板包括一定位件、一半導體元件、一加強層、雙增層電路、以及被覆穿孔。
[0054]如圖8所示，線路板100包括定位件113、半導體元件31、加強層41、第一增層電路201、第二增層電路202、以及被覆穿孔515。半導體元件31包括主動面311、與主動面311相反的非主動面313、及于主動面311的多個接觸墊312。第一增層電路201包括第一絕緣層211以及第一導線215，且經(jīng)由多個第一導電盲孔217而電性連接至半導體元件31。第二增層電路202包括第二絕緣層221以及屏蔽蓋224。定位件113是在向上方向自第一增層電路201的第一絕緣層211延伸，且靠近半導體元件31的外圍邊緣。第二增層電路202的屏蔽蓋224是在第二絕緣層211上側(cè)向延伸，且于向上方向覆蓋該半導體元件31。加強層41的屏蔽側(cè)壁415于側(cè)面方向側(cè)向覆蓋半導體元件31。被覆穿孔515提供了屏蔽蓋224與半導體元件31的接地接觸墊之間，以及屏蔽側(cè)壁415與半導體元件31的接地接觸墊之間的電性連接。
[0055]圖1及圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實施方式中，于一介電層上形成一定位件的方法剖面圖，且圖2A是圖2的俯視圖。
[0056]圖1為一層壓基板的剖面圖，其包括金屬層11、介電層13、以及支撐版15。圖中的金屬層11為厚度為35微米的銅層，然而，金屬層11也可為各種金屬材料，并不受限于銅層。此外，金屬層11可通過各種技術而被沉積于介電層13上，包括層壓、電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合以沉積單層或多層的結(jié)構，且其厚度優(yōu)選為10至200微米的范圍內(nèi)。
[0057]介電層13通常為環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、及其類似物所制成，且具有50微米的厚度。在此實施方式中，介電層13介于金屬層11以及支撐板15之間。然而，支撐板15在某些實施方式下可被省略。支撐板15通常由銅所制成，但銅合金或其他材料皆可被使用，支撐板15的厚度可于25至1000微米的范圍內(nèi)，而以工藝及成本作為考慮，其優(yōu)選為35至100微米的范圍內(nèi)。在此實施方式中，支撐板15為厚度35微米的銅板。
[0058]圖2及圖2A分別為具有形成于介電層13上的定位件113的結(jié)構剖視圖以及俯視圖。定位件113可通過光刻法以及濕式蝕刻法移除金屬層11的選定部位而形成。在此圖式中，定位件113由矩形陣列的多個金屬突柱所組成，且與隨后設置于介電層13上的半導體元件的四個側(cè)面相符合。然而，定位件的形式并不受限于此，且可為防止隨后設置的半導體元件的不必要位移的任何圖案。
[0059]圖1’及2’為本發(fā)明的實施方式中，于一介電層上形成一定位件的另一方法剖視圖，且圖2A’為圖2’的俯視圖。
[0060]圖1’為具有一組凹穴111的層壓基板的剖視圖。該層壓結(jié)構包括如上所述的金屬層11、介電層13、以及支撐板15，且凹穴111經(jīng)由移除金屬層11的選定部分而形成。
[0061]圖2’以及圖2A’各自為定位件113形成于介電層13上的結(jié)構剖視圖以及俯視圖。定位件113可經(jīng)由分散或印刷一光敏性塑料材料(如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等)或非光敏性材料于凹穴111中，接著移除整體金屬層11而形成。在此，圖式中的定位件113為多個樹脂突柱陣列，且符合隨后設置的半導體元件的兩個對角。
[0062]圖2B?2E為定位件的各種參考形式。舉例來說，定位件113可由一連續(xù)或不連續(xù)的條板所組成，且符合隨后設置的半導體元件的四個側(cè)面(如圖2B及2C所示)、兩個對角、或四個角落(如圖2D及2E)。
[0063]圖3及圖3A分別為使用黏著劑16將半導體元件31設置于介電層13上的結(jié)構剖視圖以及俯視圖。半導體元件31包括主動面311、與主動面311相反的非主動面313、以及于主動面311上的多個接觸墊312。半導體元件31設置于介電層13上，其主動面311面朝介電層13，介電層13被視為第一增層電路的第一絕緣層211。
[0064]定位件113可作為半導體元件31的配置導件，從而半導體元件31可被準確地放置于一預定位置上。定位件113自介電層13朝向上方向延伸并超越半導體元件31的主動面311，且于側(cè)面方向側(cè)向?qū)拾雽w元件31的四個側(cè)面，并于半導體元件31的四個側(cè)面外側(cè)向延伸。當定位件113于側(cè)面方向靠近半導體元件31的四個側(cè)表面，并符合半導體元件31的四個側(cè)表面，且于半導體元件31下方的黏著劑16低于定位件113時，可避免半導體元件31于固化黏著劑16時的任何不必要的位移。優(yōu)選地，半導體元件31以及定位件113之間的間隙是在0.0Ol至I毫米的范圍內(nèi)。
[0065]圖4及圖5是將加強層41層疊至第一絕緣層211上的過程示意剖面圖，且圖5A為圖5的俯視圖。半導體元件31以及定位件113對準加強層41的通孔411中，且使用黏著劑18將加強層41設置至第一絕緣層211上，黏著劑18接觸加強層41以及第一絕緣層211，并介于加強層41以及第一絕緣層211之間。圖中所示的加強層41設于通孔411中以及上下表面的具有導電層413的陶瓷板。通孔411通過激光鉆孔而形成于加強層41上，亦可通過其他如沖壓及機械性鉆孔的技術形成。加強層41的通孔411以及其上下表面通過金屬鍍覆以形成導電層413于其上，接著圖案化于上下表面的導電層413。據(jù)此，通孔411具有可提供位于通孔411中的半導體元件31的側(cè)向電磁屏蔽效果的屏蔽側(cè)壁415。為了提供有效的側(cè)向電磁屏蔽效應，通孔411的屏蔽側(cè)壁415優(yōu)選為向上延伸至半導體元件31的非主動面313并至少與其重合，并向下延伸至半導體元件31的主動面311并至少與其重合。在此圖中，加強層41是在向上方向以及向下方向與半導體元件31共平面，且通孔411的屏蔽側(cè)壁415側(cè)向覆蓋半導體元件31的側(cè)表面。
[0066]半導體元件31以及通孔411的屏蔽側(cè)壁415通過定位件113間隔開來。定位件113也可靠近且側(cè)向?qū)释?11的四個屏蔽側(cè)壁415，且于加強層41底下的黏著劑18低于定位件113，從而亦可避免加強層41于固化黏著劑18時的任何不必要的位移。一連接材料(圖未示)可添加于半導體元件31以及加強層41之間以增加其剛性。
[0067]圖6是在向上方向?qū)⒌诙^緣層221以及金屬層22層疊于半導體元件31以及加強層41上的結(jié)構剖視圖。第二絕緣層221介于金屬層22與半導體元件31之間，以及介于金屬層22與加強層41之間，第二絕緣層211可為環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、及其類似物所制成，且通常具有50微米的厚度。優(yōu)選地，第一絕緣層211以及第二絕緣層221為相同的材料。圖中所示的金屬層22為具有17微米厚度的銅層，于施加壓力以及高溫下，第二絕緣層221被融熔且壓縮，并更進一步的通過施加于金屬層22向下的壓力或/及施加支撐板15向上的壓力，于通孔411中延伸進入半導體元件31以及加強層41間的間隙中。當?shù)诙^緣層221以及金屬層22被層壓至半導體元件31以及加強層41上之后，即固化第二絕緣層221。據(jù)此，如圖6所示，第二絕緣層221的固化提供了金屬層22與定位件113之間、金屬層22與半導體元件31之間、以及金屬層22與加強層41之間安全穩(wěn)固的機械性連接。
[0068]圖7為具有第一盲孔213以及穿孔511的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213延伸穿過支撐板511、第一絕緣層211以及黏著劑16，以于向下方向顯露半導體元件31的接觸墊312。第一盲孔213可通過各種技術形成，其包括激光鉆孔、電漿(等離子)蝕刻及微影技術，且通常具有50微米的直徑。可使用脈沖激光提高激光鉆孔效能，或者，可使用金屬光罩以及激光束。舉例來說，可先蝕刻銅板以制造一金屬窗口后再照射激光束。穿孔511是在垂直方向延伸穿過支撐板15、第一絕緣層211、黏著劑18、加強層41、第二絕緣層221、以及金屬層22。穿孔511可通過機械性鉆孔而形成，也可經(jīng)由其他技術如激光鉆孔以及濕式或非濕式的電漿蝕刻而形成。
[0069]請參照圖8，第一導線215形成于第一絕緣層211上，其通過沉積第一被覆層21’于支撐板15上以及沉積進入第一盲孔213中而形成，接著圖案化其上的支撐板15以及第一被覆層21’?；蛘?，于一些無支撐板15的層壓基板的實施方式中，第一絕緣層211可直接被金屬化以形成第一導線215。第一導線215是在向下方向自第一絕緣層211延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，且于向上方向延伸進入第一盲孔213以形成與接觸墊312直接接觸的第一導電盲孔217。
[0070]如圖8所示，屏蔽蓋224與第一導線215以及加強層41的圖案化導電層413電性連接，其通過于金屬層22上沉積第二被覆層22’，以及于穿孔511中沉積連接層513而形成被覆穿孔515，并電性連接屏蔽蓋224、圖案化導電層413、以及第一導線215。同樣地，于先前步驟中若無金屬層22層疊于第二絕緣層221上時，第二絕緣層221亦可直接被金屬化以形成屏蔽蓋224。屏蔽蓋224是在向上方向自第二絕緣層221延伸，且于第二絕緣層221上側(cè)向延伸，在此圖中，屏蔽蓋224為連續(xù)的金屬層，且側(cè)向延伸至線路板的外圍邊緣。此外，圖中所示的連接層513為中空管狀，其是在側(cè)面方向覆蓋穿孔511的側(cè)壁，且垂直延伸以電性連接屏蔽蓋224以及加強層41的圖案化導電層413至第一導線215，且一絕緣性填充物可選擇性地填入穿孔511的剩余空間?；蛘?，當被覆穿孔515為金屬凸柱且于穿孔511中不具有可填充絕緣性填充物的空間時，連接層513可填充穿孔511。因此，屏蔽蓋224可通過第一導線215以及被覆穿孔515而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。以及，加強層41的屏蔽側(cè)壁415可通過第一導線215、被覆穿孔515、以及圖案化導電層413而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。
[0071]第一被覆層21’、第二被覆層22’、以及連接層513優(yōu)選為相同材料，且利用相同的方法同時沉積而形成，并具有相同的厚度。第一被覆層21’、第二被覆層22’、以及連接層513可通過各種技術沉積形成單層或多層結(jié)構，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合。舉例來說，其結(jié)構是首先通過將該結(jié)構浸入活化劑溶液中，使絕緣層與無電鍍銅產(chǎn)生觸媒反應，接著以無電電鍍方式被覆一薄銅層作為晶種層，然后以電鍍方式將所需厚度的第二銅層形成于晶種層上?；蛘撸诰ХN層上沉積電鍍銅層前，該晶種層可通過濺鍍方式形成如鈦/銅的晶種層薄膜。一旦達到所需的厚度，即可使用各種技術圖案化被覆層以形成第一導線215，其包括濕蝕刻、電化學蝕刻、激光輔助蝕刻及其與蝕刻光罩(圖未示)的組合，以定義出第一導線215。
[0072]為了便于說明，支撐板15、第一被覆層21’、金屬層22、第二被覆層22’、以及連接層513是以單一層表示，由于銅為同質(zhì)被覆，金屬層間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺，然而第一被覆層21’與第一絕緣層211之間、連接層513與第一絕緣層211之間、連接層513與黏著劑18之間、連接層513與加強層41之間、以及連接層513與第二絕緣層221之間的界線則清楚可見。
[0073]根據(jù)以上，如圖8所示，所完成的線路板100包括定位件113、半導體元件31、加強層41、雙增層電路201，202、以及被覆穿孔515。在此圖中，第一增層電路201包括第一絕緣層211、以及第一導線215，而第二增層電路202包括第二絕緣層221、以及屏蔽蓋224。第一導線215是在向上方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導電盲孔217,第一導電盲孔217直接與接觸墊312接觸。屏蔽蓋224是在第二絕緣層221上側(cè)向延伸，且于向上方向完全覆蓋半導體兀件31。屏蔽側(cè)壁415于側(cè)面方向側(cè)向包圍半導體兀件31且于側(cè)面方向完全覆蓋半導體元件31。被覆穿孔515實質(zhì)上是由加強層41以及雙增層電路201、202共享，并于垂直方向延伸穿過第一絕緣層211、黏著劑18、加強層41、以及第二絕緣層221，以提供屏蔽蓋224與第一導線215之間、及屏蔽側(cè)壁415與第一導線215之間的電性連接。因此，屏蔽側(cè)壁415以及屏蔽蓋224皆通過第一增層電路201以及被覆穿孔515電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，并作為半導體元件31水平以及垂直的電磁屏障。
[0074][實施例2]
[0075]圖9?12是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，制備另一線路板的方法剖視圖，其線路板包括經(jīng)由導電盲孔而電性連接至半導體元件的接地接觸墊的屏蔽蓋以及屏蔽側(cè)壁。
[0076]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0077]圖9是由圖1?5所示的相同步驟所形成的結(jié)構剖視圖，除了設置于介電層13上的半導體元件31是以其非主動面313面朝介電層13，且定位件113是在向上方向延伸超過半導體元件31的非主動面313。
[0078]圖10是在向上方向?qū)⒌谝唤^緣層211以及金屬層21層疊于半導體元件31以及加強層41上的結(jié)構剖視圖。第一絕緣層211被熔融且壓縮，并于壓力以及高溫下更進一步延伸進入半導體元件31以及加強層41間的間隙，接著被固化以增強金屬層21與半導體元件31間、金屬層21與定位件113之間、以及金屬層21與加強層41間的機械性連接。
[0079]圖11是形成第一盲孔213以及第二盲孔223的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213是在向下方向沿伸穿過金屬層21以及第一絕緣層211以顯露半導體元件31的接觸墊312，以及顯露于加強層41上表面的圖案化導電層413的選定部位。第二盲孔223是在向下方向延伸穿過支撐板15、介電層13、以及黏著劑18，以顯露于加強層41下表面的圖案化導電層413的選定部位。
[0080]請參照圖12，經(jīng)由沉積第一被覆層21’于金屬層21上，以及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化金屬層21以及其上的第一被覆層21’以于第一絕緣層211上形成第一導線215。第一導線215是在向上方向自第一絕緣層211延伸，且于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導電盲孔217,第一導電盲孔217直接與半導體元件31的接觸墊312以及加強層41的圖案化導電層413接觸。因此，第一導線215可提供半導體元件31的信號路由以及半導體元件31的接地接觸墊與加強層41的屏蔽側(cè)壁415間的接地。
[0081]如圖12所示，屏蔽蓋224電性連接加強層41的圖案化導電層413，其通過沉積第二被覆層22’于支撐板15上以及沉積進入介電層13的第二盲孔223，以形成與圖案化導電層413電性連接的第二導電盲孔227，其中，介電層13被視為第二絕緣層221。屏蔽蓋224是在向下方向自第二絕緣層221延伸，于第二絕緣層221上側(cè)向延伸，并通過第二導電盲孔227、導電層413、以及第一導線215而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。
[0082]據(jù)此，如圖12中所示，所完成的線路板200包括定位件113、半導體元件31、加強層41、以及雙增層電路201，202。于此圖中，第一增層電路201是在向上方向覆蓋定位件113、半導體元件31、以及加強層41，且包括第一絕緣層211以及第一導線215，而第二絕緣層202是在向下方向覆蓋定位件113、半導體元件31、以及加強層41，且包括第二絕緣層221、屏蔽蓋224、以及第二導電盲孔227。第一增層電路201通過第一導線215提供了半導體元件31的信號路由以及提供作為水平屏障的加強層41的屏蔽側(cè)壁415的接地。第二增層電路202提供了屏蔽蓋224，作為半導體元件31的垂直屏障，且通過第二導電盲孔227，而提供導電層413以及屏蔽蓋224之間的接地。[0083][實施例3]
[0084]圖13?圖15是根據(jù)本發(fā)明又一實施方式中，包括通過導電溝而電性連接一屏蔽蓋以及一加強層的圖案化導電層的制備方法剖視圖。
[0085]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0086]圖13是由圖9?10中所示的步驟所制造的結(jié)構剖視圖。
[0087]圖14以及圖14A分別為具有第一盲孔213、溝槽開口 222、以及穿孔511的結(jié)構剖視圖以及仰視圖。第一盲孔213延伸穿過第一絕緣層211以及金屬層21，以于向上方向顯露半導體元件31的接觸墊312。溝槽開口 222延伸穿過支撐板15、第二絕緣層221、以及黏著劑18，以于向下方向顯露圖案化的導電層413的選定部位。穿孔511延伸穿過支撐板15、第二絕緣層221、黏著劑18、加強層41、第一絕緣層211、以及金屬層21，并與加強層41的導電層413間隔開來。如圖14A所示，溝槽開口 222沿著加強層41的圖案化導電層413的四個切割線進行機械性切割，穿過支撐板15、第二絕緣層221、以及黏著劑18而形成。
[0088]參照圖15，經(jīng)由沉積第一被覆層21’于金屬層21上以及進入第一盲孔213，且接著圖案化金屬層21以及其上的第一被覆層21’而于第一絕緣層211上形成第一導線215。第一導線215是在向上方向自第一絕緣層211延伸，且于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第一盲孔213以形成與接觸墊312直接接觸的第一導電盲孔217。以及如圖15所示，屏蔽蓋224電性連接至圖案化導電層413以及第一導線215，其經(jīng)由沉積第二被覆層22’于支撐板15上，以及進入溝槽開口 222以形成與屏蔽蓋224電性連接的導電溝228，以及圖案化導電層413，且于穿孔511中沉積連接層513以提供與屏蔽蓋224以及第一導線215電性連接的被覆穿孔515。
[0089]據(jù)此，如圖15所示，所形成的電路板300中，其屏蔽側(cè)壁415以及屏蔽蓋224之間的電性連接是由導電溝228所提供。在此圖中，第一增層電路201是在向上方向覆蓋定位件113、半導體元件31、以及加強層41，且包括第一絕緣層211以及第一導線215，而第二增層電路202是在向下方向覆蓋定位件113、半導體元件31、以及加強層41，且包括第二絕緣層221、屏蔽蓋224、以及導電溝228。屏蔽蓋224通過被覆穿孔515以及第一導線215而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，而加強層41的屏蔽側(cè)壁415通過圖案化導電層413、導電溝228、屏蔽蓋224、被覆穿孔515、以及第一導線215而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。
[0090][實施例4]
[0091]圖16?21是根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式中，又一電路板的制備方法的示意剖視圖，其中，電路板具有包括額外絕緣層以及導線的雙增層電路，并經(jīng)由被覆穿孔電性連接至另一增層電路。
[0092]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0093]圖16為圖1?6所示的制備步驟所形成的結(jié)構剖視圖。
[0094]圖17是具有第一盲孔213的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213是延伸穿過支撐板15、第一絕緣層211、以及黏著劑16，以于向下方向顯露半導體元件31的接觸墊312。
[0095]請參照圖18，通過沉積第一被覆層21’于支撐板15上以及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化支撐板15以及其上的第一被覆層21’以于第一絕緣層上211形成第一導線215。第一導線215是在向下方向自第一絕緣層211延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，且于向上方向延伸進入第一盲孔213以形成與接觸墊312直接接觸的第一導電盲孔217。接著，移除金屬層22的選定部分，而金屬層22的剩余部分是作為半導體元件31的屏蔽側(cè)壁 224。
[0096]圖19為具有第三絕緣層231以及第四絕緣層241的結(jié)構剖視圖。第三絕緣層231是在向下方向覆蓋第一絕緣層211以及第一導線215，第四絕緣層214是在向上方向覆蓋第二絕緣層221以及屏蔽蓋224。
[0097]圖20是具有第三盲孔223以及穿孔511的結(jié)構剖視圖。第三盲孔223延伸穿過第三絕緣層231，并對準于第一導線215的選定部位。穿孔511是在垂直方向延伸穿過第四絕緣層241、屏蔽蓋224、第二絕緣層221、加強層41、黏著劑18、第一絕緣層211、第一導線215、以及第三絕緣層231。
[0098]參照圖21，第三導線235以及第四導線245是經(jīng)由金屬沉積以及圖案化而分別形成于第三以及第四絕緣層231、241上。第三導線235是在向下方向自第三絕緣層231延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延伸，且于向上方向延伸進入第三盲孔233以形成與第一導線215電性連接的第三導電盲孔237。第四導線245是在向上方向自第四絕緣層241延伸，且于第四絕緣層241上側(cè)向延伸。此外，連接層513沉積于穿孔511的內(nèi)壁上以形成被覆穿孔 515。
[0099]據(jù)此，如圖21所示，所完成的電路板400包括定位件113、半導體元件31、加強層41、雙增層電路201，202、以及被覆穿孔515。在此圖中，第一增層電路201包括第一絕緣層211、第一導線215、第三絕緣層231、以及第三導線235，而第二增層電路202包括第二絕緣層221、屏蔽蓋224、第四絕緣層241、以及第四導線245。被覆穿孔515基本上是由加強層41、第一增層電路201、以及第二增層電路202共享，并提供第三導線235以及第四導線245之間的電性連接。半導體元件31固定于第一絕緣層211上，且被加強層41之屏蔽側(cè)壁415包圍。屏蔽側(cè)壁415經(jīng)由圖案化導電層413、被覆穿孔515、以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，并可作為半導體元件31的水平屏障。屏蔽蓋224經(jīng)由被覆穿孔515以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，并可作為半導體元件31的垂直屏障。
[0100][實施例5]
[0101]圖22?28是根據(jù)本發(fā)明的一實施方式中，制備一線路板的制備方法剖視圖，該線路板包括一定位件、一屏蔽蓋、一半導體兀件、一加強層、一增層電路、多個導電溝、多個端子、以及多個被覆穿孔。
[0102]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0103]圖22是具有定位件113形成于金屬層12上的結(jié)構剖視圖。定位件113可經(jīng)由各種技術而被圖案化地沉積于金屬層12上，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合并合并使用光刻法而形成。圖中的金屬層12為具有35微米厚度的銅層，圖中的定位件為具有矩形框的連續(xù)性銅條，且具有35微米的厚度。
[0104]圖23為使用黏著劑16將半導體元件31設置于金屬層12上的結(jié)構剖視圖，其中，黏著劑16是接觸并介于金屬層12以及半導體元件31之間。半導體元件31包括具有接觸墊312設置于其上的主動面311，以及非主動面313，且半導體元件31是被貼附于金屬層12上，其非主動面313面朝金屬層12。定位件113是在向上方向自金屬層12延伸，且延伸超過半導體元件31的非主動面313，并靠近半導體元件31的外圍邊緣以作為半導體元件31的配置導件。因此，半導體元件31可精確地被設置于預定位置上。
[0105]圖24及圖25是使用黏著劑18將加強層41設置于金屬層12上的步驟剖視圖，黏著劑18接觸且介于金屬層12以及加強層41之間。半導體元件31以及定位件113對準并插入加強層41的通孔411，以及通孔411的屏蔽側(cè)壁415通過定位件113與半導體元件31件隔開來。定位件113靠近且對準通孔411的四面屏蔽側(cè)壁415，從而可避免黏著劑18完全固化前加強層41不必要的位移。在此實施方式中，加強層41是在向上方向以及向下方向與半導體元件31共平面。
[0106]圖26是具有第一絕緣層211以及金屬層21的結(jié)構剖視圖。第一絕緣層211介于金屬層21與半導體元件31之間、以及介于金屬層21與加強層41之間，并更進一步延伸進入半導體元件31與加強層41間的間隙。
[0107]圖27是具有第一盲孔213、溝槽開口 222、以及穿孔511的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21以及第一絕緣層211，且對準于半導體元件31的接觸墊312以及導電層413的選定部位。溝槽開口 222延伸穿過金屬層12以及黏著劑18，且對準于導電層413的選定部位。穿孔511是在垂直方向延伸穿過金屬層12、黏著劑18、加強層41、第一絕緣層211、以及金屬層21。
[0108]請參照圖28，經(jīng)由沉積第一被覆穿孔21’于金屬層21上以及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化金屬層21以及于其上的第一被覆層21’而于第一絕緣層211上形成第一導線215。第一導線215經(jīng)由與圖案化導電層413直接接觸的第一導電盲孔217而提供了半導體元件31的信號路由以及加強層41的屏蔽側(cè)壁415的接地。
[0109]如圖28所示，屏蔽蓋224通過導電溝228以及端子229而電性連接至導電層413，其中導電溝228以及端子229通過被覆穿孔515而電性連接至第一導線215。屏蔽蓋224以及端子229通過沉積第二被覆層22’于金屬層12上，接著圖案化金屬層12以及其上第二被覆層22’而形成。屏蔽蓋224是在向下方向覆蓋半導體元件31以及定位件113，且經(jīng)由導電溝228而電性連接至圖案化導電層413。端子229背向屏蔽蓋224，且經(jīng)由被覆穿孔515而電性連接至第一導線215。被覆穿孔515經(jīng)由沉積連接層513于穿孔511內(nèi)而形成。
[0110]據(jù)此，如圖28所示，所完成的電路板500包括定位件113、屏蔽蓋224、半導體元件31、加強層41、增層電路203、導電溝228、端子229、以及被覆穿孔515。在此圖中，增層電路203包括第一絕緣層211以及第一導線215，且被覆穿孔515基本上是由加強層41、增層電路203、以及端子226所共享。半導體元件31被固定于屏蔽蓋224上，且于側(cè)面方向被加強層41的屏蔽側(cè)壁415側(cè)向包覆。屏蔽側(cè)壁415經(jīng)由增層電路203而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，且可作為半導體元件31的水平屏障。屏蔽蓋224經(jīng)由導電溝228而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，導電層413以及增層電路203可作為半導體元件31的垂直屏障。被覆穿孔515提供了增層電路203與端子229之間的電性連接，端子229是在向下方向延伸超過加強層41。
[0111][實施例6][0112]圖29?34是根據(jù)本發(fā)明再一實施方式中，制備再一線路板的方法剖視圖，該線路板包括一定位件、一屏蔽蓋、一半導體元件、一加強層、雙增層電路、以及多個被覆穿孔。
[0113]為了簡要說明的目的，于上述實施例中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0114]圖29為圖22?26所示的步驟所形成的結(jié)構剖面圖。
[0115]圖30為具有第一盲孔213的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21以及第一絕緣層211以顯露半導體元件31的接觸墊312。
[0116]參照圖31，第一導線215經(jīng)由沉積第一被覆層21’于金屬層上以及沉積進入第一盲孔213、接著圖案化金屬層21以及其上的第一被覆層21’而形成。此外，移除金屬層12上的選定部分，而金屬層12的剩余部分作為屏蔽蓋224以提供半導體元件31垂直的電磁屏障效果。
[0117]圖32是具有第二絕緣層221以及第三絕緣層231的結(jié)構剖視圖。第二絕緣層221是在向下方向覆蓋屏蔽蓋224。第三絕緣層231是在向上方向覆蓋第一絕緣層211以及第一導線215。
[0118]圖33是具有第二盲孔223、第三盲孔233、以及穿孔511的結(jié)構剖視圖。第二盲孔223延伸穿過第二絕緣層221，且對準于屏蔽蓋224的選定部位。第三盲孔223延伸穿過第三絕緣層231，且對準于第一導線215的選定部位。穿孔511是在垂直方向延伸穿過第二絕緣層221、屏蔽蓋224、黏著劑18、加強層41、第一絕緣層211、以及第三絕緣層231。
[0119]請參照圖34，第二導線225以及第三導線235經(jīng)由沉積金屬以及圖案化分別形成于第二以及第三絕緣層221、231上。第二導線225是在向下方向自第二絕緣層221延伸，于第二絕緣層221上側(cè)向延伸，且于向上方向延伸進入第二盲孔223以形成與屏蔽蓋224電性連接的第二導電盲孔227。第三導線235是在向上方向自第三絕緣層231延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延伸，且于向下方向延伸進入第三盲孔233以形成與第一導線215接觸的第三導電盲孔237。此外，連接層513沉積于穿孔511的內(nèi)壁以形成被覆穿孔515。
[0120]據(jù)此，如圖34所示，所完成的線路板600包括定位件113、屏蔽蓋224、半導體元件31、加強層41、雙增層電路201，202、以及被覆穿孔515。在此圖中，第一增層電路201包括第一絕緣層211、第一導線215、第三絕緣層231、以及第三導線235，而第二增層電路202包括第二絕緣層221、以及第二導線225。被覆穿孔515基本上由加強層41、屏蔽蓋224、第一增層電路201、以及第二增層電路202共享，并提供第一增層電路201與第二增層電路202間的電性連接。半導體元件31固定于屏蔽蓋224上，且被加強層41的屏蔽側(cè)壁415側(cè)向包圍。屏蔽側(cè)壁415經(jīng)由加強層41的導電層413、被覆穿孔515、以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，且作為半導體元件31的水平屏障。屏蔽蓋224經(jīng)由第二增層電路202、被覆穿孔515、以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊，且作為半導體元件31的垂直屏障。
[0121][實施例7]
[0122]圖35?52是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，制備另一線路板的方法示意剖視圖，該線路板是具有插入加強層的通孔的屏蔽蓋。
[0123]為了簡要說明的目的，于上述實施例中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。[0124]圖35是包括金屬層12、介電層13、以及支撐板15的層疊結(jié)構剖視圖。介電層13介于金屬層12以及支撐板15之間。
[0125]圖36是形成定位件113于金屬層12上的結(jié)構剖視圖，定位件113可經(jīng)由各種技術而被圖案化地沉積于金屬層12上，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合并合并使用光刻法而形成。
[0126]圖37是具有屏蔽蓋224設置于介電層13的結(jié)構剖視圖。屏蔽蓋224可通過光刻法或濕式蝕刻法移除金屬層12的選定部位而形成，屏蔽蓋224對應于放置半導體元件的一預定位置，且可作為垂直的電磁屏障。
[0127]圖38是使用黏著劑16將半導體元件31設置于屏蔽蓋224上的結(jié)構剖視圖，黏著劑16接觸且介于屏蔽蓋224以及半導體元件31之間。半導體元件31包括具有接觸墊312于其上的主動面311，以及一非主動面313，且半導體元件31是以非主動面313面朝屏蔽蓋224的型態(tài)而貼附于屏蔽蓋224上。定位件113是在向上方向自屏蔽蓋224延伸，且延伸超過半導體元件31的非主動面313，且靠近半導體元件31的外圍邊緣，以作為半導體元件31的配置導件。
[0128]圖39是使用黏著劑18將加強層41設置于介電層13上的結(jié)構剖視圖。半導體元件31、定位件113、以及屏蔽蓋224對準加強層41的通孔411并插入加強層41的通孔411中，加強層41通過黏著劑18而設置于顯露的介電層13上。在此圖中，屏蔽蓋224的外圍邊緣是靠近通孔411的四面屏蔽側(cè)壁415，并側(cè)向?qū)视谕?11的四面屏蔽側(cè)壁415，且于加強層41底下的黏著劑18低于屏蔽蓋224，從而可避免黏著劑18于固化前任何不必要的位移。或者，于一些實施方式中，加強層41可貼附于顯露的介電層13以及屏蔽蓋224的選定部位上，屏蔽蓋224延伸超過半導體元件31底部的區(qū)域，且定位件113可避免加強層41不必要的位移，定位件113靠近通孔411的四面屏蔽側(cè)壁415，且側(cè)向?qū)视谕?11的四面屏蔽側(cè)壁415?；蛘?，可添加一連接材料(圖未示)于半導體元件31以及加強層41之間以增加其剛性。
[0129]圖40為第一絕緣層211于向上方向形成于半導體元件31以及加強層41上的結(jié)構剖視圖。第一絕緣層211是在向上方向覆蓋半導體元件31以及加強層41，并延伸進入半導體元件31以及通孔411中加強層41間的間隙。
[0130]圖41為具有第一盲孔213、第二盲孔223、以及穿孔511的結(jié)構不意圖。第一盲孔213延伸穿過第一絕緣層211以顯露半導體元件31的接觸墊312以及導電層413的選定部位。第二盲孔223延伸穿過支撐板15以及介電層13以顯露屏蔽蓋224以及導電層413的選定部位，其中，介電層13被視為第二絕緣層221。穿孔511是在垂直方向延伸穿過第一絕緣層211、加強層41、黏著劑18、介電層13、以及支撐板15。
[0131]參照圖42，第一導線215經(jīng)由沉積第一被覆層21’于第一絕緣層211上以及沉積進入第一盲孔213，接者圖案化第一被覆層21’而形成。同時，第二導線225經(jīng)由沉積第二被覆層22’于支撐板15上以及沉積進入第二盲孔223，接著圖案化支撐板15以及其上的第二被覆層22’。圖42也繪示了沉積連接層513于穿孔511的內(nèi)壁上以形成被覆穿孔515。
[0132]據(jù)此，如圖42所示，所完成的線路板700包括定位件113、屏蔽蓋224、半導體元件31、加強層41、雙增層電路201，202、以及被覆穿孔515。在此圖中，第一增層電路201包括第一絕緣層211以及第一導線215，而第二增層電路202包括第二絕緣層221以及第二導線225。第一導線215是在向上方向自第一絕緣層211延伸，且于向下方向延伸進入第一盲孔213，以形成與接觸墊312以及導電層413電性連接的第一導電盲孔217。第二導線225是在向下方向自第二絕緣層221延伸，且于向上方向延伸進入第二盲孔223以形成與屏蔽蓋224以及導電層413電性連接的第二導電盲孔227。屏蔽側(cè)壁415經(jīng)由導電層413以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224經(jīng)由第二增層電路202、導電層413、以及第一增層電路201而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。被覆穿孔515基本上是由加強層41、第一增層電路201、以及第二增層電路202共享，且提供第一導線215以及第二導線225之間的電性連接。
[0133][實施例8]
[0134]圖43?45是根據(jù)本發(fā)明的一實施方式中，制備三維堆疊組體的方法剖面圖，該三維堆疊組體包括多個以面對背(face-to-back)型態(tài)堆疊的線路板。
[0135]為了簡要說明的目的，于上述實施例中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0136]圖43是在兩相鄰的線路板110、120間具有內(nèi)介電層261的結(jié)構剖視圖。線路板110、120通過圖1?8中所示的相同步驟所制備，除了屏蔽蓋224由線路板110、120的外圍邊緣間隔開來，且第二導線225更進一步地形成于第二絕緣層221上。線路板110、120垂直地堆疊并使用內(nèi)介電層261彼此連接，內(nèi)介電層261接觸且介于線路板110的第二絕緣層221 /屏蔽蓋224 /第二導線225與線路板120的第一絕緣層211 /第一導線215之間。此外，線路板110、120分別具有第三絕緣層231以及第四絕緣層241。第三絕緣層231是在向下方向覆蓋線路板110的第一絕緣層211以及第一導線215，且包括對準于第一導線215的選定部位的第三盲孔233。第四絕緣層241是在向上方向覆蓋且接觸線路板120的第二絕緣層221、屏蔽蓋224、以及第二導線225。
[0137]圖44是具有穿孔512的結(jié)構剖視圖。穿孔512是在垂直方向延伸穿過線路板110、120以及內(nèi)介電層261。
[0138]請參照圖45，線路板110、120分別具有第三導線235以及第四導線245。第三導線235是在向下方向自第三絕緣層231延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延琢，且延伸進入第三盲孔233以形成與第一導線215電性連接的第三導電盲孔237。第四導線245是在向上方向自第四絕緣層241延伸，且于第四絕緣層241上側(cè)向延伸。此外，如圖45所示，于穿孔512中沉積連接層514以形成被覆穿孔516。據(jù)此，所完成的堆疊組體101包括多個線路板110、120、內(nèi)介電層261、以及被覆穿孔516。每一線路板110、120皆包括定位件113、半導體元件31、加強層41、第一增層電路201、第二增層電路202、以及被覆穿孔515。加強層41的屏蔽側(cè)壁415以及屏蔽蓋224可經(jīng)由被覆穿孔515而電性連接至半導體元件的接地接觸墊、被覆穿孔515電性連接至導電層413以及屏蔽蓋224。被覆穿孔516基本上由線路板110、120共享，并延伸穿過內(nèi)介電層261以及線路板110、120以提供線路板110、120之間的電性連接。
[0139][實施例9]
[0140]圖46?48是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，制備另一三維堆疊組體的方法剖面圖，該三維堆疊組體包括多個以背對背(back-to-back)型態(tài)堆疊的線路板。
[0141]為了簡要說明的目的，于上述實施例中的任何敘述可合并至此處的相同應用部分，且不再重復相同敘述。
[0142]圖46是在兩相鄰的線路板130、140間具有內(nèi)介電層261的結(jié)構剖視圖。線路板130、140與圖29中所示相同，除了移除金屬層12的選定部位，且金屬層12的剩余部分作為屏蔽蓋224。線路板130、140垂直地以背對背的形式堆疊，并使用內(nèi)介電層261彼此結(jié)合，內(nèi)介電層261介于線路板130、140之間且與每一線路板130、140的屏蔽蓋224接觸。
[0143]圖47為具有第一盲孔213以及穿孔512的結(jié)構剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21以及第一絕緣層211，以顯露每一線路板130、140的半導體元件31的接觸墊312。穿孔512是在垂直方向穿過線路板130、140、以及內(nèi)介電層261。
[0144]參照圖48，每一線路板130、140皆具有通過沉積第一被覆層21’于金屬層21上以及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化金屬層21以及其上的第一被覆層21’所形成的第一導線215。第一導線215自第一絕緣層211垂直延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，且延伸進入第一盲孔213以形成與半導體兀件31的接觸墊312電性連接的第一導電盲孔217。同樣的，如圖48所示，沉積于穿孔512的連接層514形成被覆穿孔516。據(jù)此，所完成的堆疊組體102包括線路板130，140、內(nèi)介電層261、以及被覆穿孔516。每一線路板130、140包括定位件113、屏蔽蓋224、半導體元件31，加強層41、以及增層電路203。加強層41的屏蔽側(cè)壁415以及屏蔽蓋224通過與導電層413以及屏蔽蓋224電性連接的被覆穿孔516而電性連接至半導體元件31的接地接觸墊。被覆穿孔516基本上由線路板130、140所共享，且延伸穿過內(nèi)介電層261以及線路板130、140以提供線路板130、140間的電性連接。
[0145]上述的線路板以及三維堆疊組體僅為說明范例，本發(fā)明尚可通過其他多種實施例實現(xiàn)。此外，上述實施例可基于設計及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實施例混合搭配使用。線路板可包括多個陣列排序的屏蔽蓋及具有屏蔽側(cè)壁的通孔，用于多個并排的半導體元件；且增層電路可包括額外導線，以容納額外的半導體元件、屏蔽側(cè)壁及屏蔽蓋。同理，線路板可包含多組定位件以容納額外的半導體元件。
[0146]半導體元件可為已封裝或未封裝芯片。此外，該半導體元件可為裸芯片或晶圓級封裝芯片(wafer level packaged die)等。定位件、屏蔽蓋以及通孔中的屏蔽側(cè)壁可客制化以容納單一半導體元件，舉例來說，定位件的圖案可為正方形或矩形，以便與單一半導體元件的形狀相同或相似。同理，屏蔽蓋亦可定制化以與單一半導體元件的形狀相同或相似。
[0147]在本文中，“鄰接”一詞意指元件是一體成型(形成單一個體)或相互接觸(彼此無間隔或未隔開)的。例如，接觸墊鄰接于第一導線，但并未鄰接于第二導線。
[0148]“重疊”一詞意指位于上方并延伸于一下方元件的周緣內(nèi)。“重疊”包含延伸于該周緣的內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，在第一增層電路面朝向上方向時，第一增層電路重疊于半導體元件，此乃因一假想垂直線可同時貫穿第一增層電路與半導體元件，不論第一增層電路與半導體元件之間是否存有另一同樣被該假想垂直線貫穿的元件(如:黏著劑)，且亦不論是否有另一假想垂直線僅貫穿第一增層電路而未貫穿半導體元件(半導體元件的周緣外)。同樣地，第一增層電路重疊于加強層，且加強層被第一增層電路重疊。此外，“重疊”與“位于上方”同義，“被重疊”則與“位于下方”同義。
[0149]“接觸”一詞意指直接接觸。例如，第一導電盲孔接觸半導體元件的接觸墊，但第二導電盲孔并未接觸半導體元件的接觸墊。
[0150]“覆蓋”一詞意指于垂直及/或側(cè)面方向上不完全以及完全覆蓋。例如，在第一增層電路面朝向上方向的狀態(tài)下，第一增層電路于向上方向覆蓋半導體元件，不論是否有另一元件(如:黏著劑)位于半導體元件與第一增層電路之間。
[0151]“層”字包含圖案化及未圖案化的層體。例如，當金屬層設置于介電層上時，金屬層可為一空白未光刻及濕式蝕刻的平板。此外，“層”可包含多個疊合層。
[0152]“開口”、“通孔”與“穿孔”等詞同指貫穿孔洞。例如，定位件自介電層于向上方向延伸時，半導體元件被插入加強層的通孔中，并于向上方向由加強層中顯露出。
[0153]“插入”一詞意指元件間的相對移動。例如，“將半導體元件插入通孔中”是指不論加強層是否為固定不動而半導體元件朝加強層移動；或者半導體元件固定不動而由加強層朝半導體元件移動；或半導體元件與加強層兩者彼此靠合。此外，“將半導體元件插入(或延伸至)通孔內(nèi)”，不論是否貫穿(穿入并穿出)通孔或未貫穿(穿入但未穿出)通孔。
[0154]“對準” 一詞意指元件間的相對位置，不論元件之間是否彼此保持距離或鄰接，或一元件插入且延伸進入另一元件中。例如，當假想的水平線貫穿定位件及半導體元件時，定位件對準于半導體元件，不論定位件與半導體元件之間是否具有其他被假想線貫穿的元件，且不論是否具有另一貫穿半導體元件但不貫穿定位件的假想垂直線、或另一貫穿定位件但不貫穿半導體元件的假想垂直線。同樣地，第一盲孔對準于半導體元件的接觸墊，且半導體元件以及定位件對準于通孔。
[0155]“靠近” 一詞意指元件間的間隙的寬度不超過最大可接受范圍。如本領域公知常識，當半導體元件以及定位件間的間隙不夠窄時，由于半導體元件于間隙中的橫向位移而導致半導體元件的位置誤差可能會超過可接受的最大誤差限制，一旦半導體元件的位置誤差超過最大極限時，則不可能使用激光束對準接觸墊，而導致半導體元件以及增層電路間的電性連接錯誤。因此，根據(jù)半導體元件的接觸墊的尺寸，于本領域的技術人員可經(jīng)由試誤法以確認半導體元件以及定位件間的間隙的最大可接受范圍，從而避免半導體元件以及定位件間的電性連接錯誤。由此，「定位件靠近半導體元件的外圍邊緣」的用語是指半導體元件的外圍邊緣以及定位件間的間隙窄到足以防止半導體元件的位置誤差超過可接受的最大誤差限制。
[0156]“設置”、“層疊”、“附著”、及“貼附”一語包含與單一或多個支撐元件間的接觸與非接觸。例如，半導體元件設置于屏蔽蓋上，不論此半導體元件實際接觸屏蔽蓋或與屏蔽蓋以一黏著劑相隔。
[0157]“電性連接”一詞意指直接或間接電性連接。例如，被覆穿孔提供了第一導線的電性連接，其不論被覆穿孔是否鄰接第一導線、或經(jīng)由第三導線電性連接至第一導線。
[0158]“上方”一詞意指向上延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，當?shù)谝辉鰧与娐访娉蛳路较驎r，定位件于其上方延伸，鄰接第一絕緣層并自第一絕緣層突伸而出。
[0159]“下方“一詞意指向下延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，在第一增層電路面朝向下方向時，第一增層電路于向下方向延伸于半導體元件下方，不論第一增層電路是否鄰接該半導體元件。
[0160]“第一垂直方向”及“第二垂直方向”并非取決于線路板的定向，凡熟悉本領域的技術的人士即可輕易了解其實際所指的方向。例如，半導體元件的主動面面朝第一垂直方向，且半導體元件的非主動面面朝第二垂直方向，此與線路板是否倒置無關。同樣地，定位件沿一側(cè)向平面“側(cè)向”對準半導體元件，此與線路板是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無關。因此，該第一及第二垂直方向彼此相反且垂直于側(cè)面方向，且側(cè)向?qū)实脑窃诖怪庇诘谝慌c第二垂直方向的側(cè)向平面相交。再者，當半導體元件的主動面面朝向下方向時，第一垂直方向為向下方向，第二垂直方向為向上方向；當半導體元件的非主動面面朝向上方向時，第一垂直方向為向上方向，第二垂直方向為向下方向。
[0161]本發(fā)明的線路板以及使用其的三維堆疊組體具有多項優(yōu)點。例如，定位件可作為被屏蔽的半導體元件的精準的配置導件。由于半導體元件由黏著劑結(jié)合至增層電路或屏蔽蓋，在固化期間可避免因配置錯誤或黏著劑回流造成的任何位移。因此，線路板及三維堆疊組體的可靠度高、價格平實且極適合量產(chǎn)。加強層的屏蔽側(cè)壁及屏蔽蓋分別作為半導體元件的水平或垂直EMI屏蔽，以減少電磁干擾。由于增層電路的高路由選擇能力，由增層電路提供的訊號路由利于高I / O值以及高性能的應用。加強層提供封裝于線路板中的增層電路及半導體元件機械性支撐。線路板及使用其的三維堆疊組體的可靠度高、價格平實且極適合量產(chǎn)。
[0162]本案的制作方法具有高度適用性，且是以獨特、進步的方式結(jié)合運用各種成熟的電性連結(jié)及機械性連結(jié)技術。此外，本案的制作方法不需昂貴工具即可實施。因此，相較于傳統(tǒng)封裝技術，此制作方法可大幅提升產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。
[0163]在此所述的實施例是作為例示之用，其中所述實施例可能會簡化或省略本【技術領域】已熟知的元件或步驟，以免模糊本發(fā)明的特點。同樣地，為使圖式清晰，圖式亦可能省略重復或非必要的元件及元件符號。
[0164]本領域技術人員針對本文所述的實施例當可輕易思及各種變化及修改的方式。例如，前述的材料、尺寸、形狀、大小、步驟的內(nèi)容與步驟的順序皆僅為范例。本領域技術人員凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、及電磁屏障的線路板，包括: 一半導體元件，其包含一主動面及與該主動面相反的一非主動面，該主動面上具有多個接觸墊，其中該主動面面朝一第一垂直方向，及該非主動面面朝與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向； 一定位件，其作為該半導體元件的一配置導件，且該定位件靠近該半導體元件的外圍邊緣，并于垂直于該第一垂直方向以及該第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向?qū)试摪雽w元件的外圍邊緣，且于該半導體的外圍邊緣外側(cè)向延伸； 一加強層，其包括一通孔，且該半導體元件及該定位件延伸進入該通孔，其中，該通孔具有側(cè)向覆蓋該半導體元件的外圍邊緣的屏蔽側(cè)壁； 一第一增層電路，其于該第一垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且該第一增層電路經(jīng)由多個第一導電盲孔與該半導體元件的所述接觸墊電性連接；以及 一第二增層電路，其于該第二垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且該第二增層電路包括對準于該半導體元件的一屏蔽蓋，其中，該屏蔽蓋以及該屏蔽側(cè)壁經(jīng)由該第一增層電路而電性連接至所述接觸墊的至少一者以用于接地。
2.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該定位件包括一連續(xù)或不連續(xù)的條板或突柱陣列。
3.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該定位件由一金屬或一感旋光性塑料材料所制成。
4.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該半導體元件與該定位件間的間隙是在0.0Ol至1_的范圍內(nèi)。
5.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該定位件的高度是在10至200微米的范圍內(nèi)。
6.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏障蓋是一連續(xù)金屬層，且該屏蔽蓋向外側(cè)向延伸超過該半導體元件的外圍邊緣。
7.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏蔽側(cè)壁經(jīng)由一被覆穿孔而電性連接至該第一增層電路，且該被覆穿孔延伸穿過該加強層。
8.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏蔽側(cè)壁經(jīng)由該第一增層電路的一額外的第一導電盲孔而電性連接至該第一增層電路。
9.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏蔽蓋經(jīng)由一被覆穿孔而電性連接至該第一增層電路，且該被覆穿孔延伸穿過該加強層。
10.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏蔽蓋經(jīng)由該加強層以及該第二增層電路的一第二導電盲孔而電性連接至該第一增層電路。
11.如權利要求1所述的線路板，其特征在于，該屏蔽蓋經(jīng)由該加強層以及該第二增層電路的一導電溝而電性連接至該第一增層電路。
12.—種具有內(nèi)嵌元件、內(nèi)建定位件、以及電磁屏蔽的線路板，包括: 一屏蔽蓋； 一半導體元件，其通過一黏著劑而設置于該屏蔽蓋上，且該半導體元件包含一主動面及與該主動面相反的一非主動面，該主動面上具有多個接觸墊，其中，該主動面面朝一第一垂直方向并背向該屏蔽蓋，及該非主動面面朝與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向并朝向該屏蔽蓋； 一定位件，其作為該半導體元件的一配置導件，且該定位件自該屏蔽蓋朝該第一垂直方向延伸，該定位件靠近該半導體元件的外圍邊緣，并于與該第一垂直方向以及該第二垂直方向垂直的側(cè)面方向側(cè)向?qū)视谠摪雽w兀件的外圍邊緣，且于該半導體兀件的外圍邊緣外側(cè)向延伸； 一加強層，其包括一通孔，且該半導體元件及該定位件延伸進入該通孔，其中，該通孔具有側(cè)向覆蓋該半導體元件的外圍邊緣的屏蔽側(cè)壁；以及 一第一增層電路，其是在該第一垂直方向覆蓋該定位件、該半導體元件、以及該加強層，且該第一增層電路經(jīng)由多個第一導電盲孔而電性連接該半導體元件的所述接觸墊，其中，該屏蔽蓋以及該屏蔽側(cè)壁經(jīng)由該第一增層電路而電性連接至所述接觸墊的至少一者以用于接地。
13.如權利要求12所述的線路板，其特征在于還包括: 一第二增層電路，其是在該第二垂直方向覆蓋該屏蔽蓋以及該加強層；以及一被覆穿孔，其延伸穿過該加強層以提供該第一增層電路以及該第二增層電路間的電性連接 。
【文檔編號】H01L23/552GK103716992SQ201310468443
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月8日 優(yōu)先權日:2012年10月2日
【發(fā)明者】林文強, 王家忠, 陳振重 申請人:鈺橋半導體股份有限公司