晶片載具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種晶片載具，其包含一具有一高度以及一凹口的承載主體，其中凹口的底面為一曲面；以及多個支撐柱位于承載主體的一周邊。本發(fā)明另一方面提供晶片載具的一制造方法。方法包含于一成長基板上形成一外延層以形成一晶片結(jié)構(gòu)；量測晶片結(jié)構(gòu)的一翹曲率；以及依據(jù)晶片結(jié)構(gòu)的翹曲率，提供上述的晶片載具。
【專利說明】晶片載具
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶片載具，尤其是涉及一種具有一承載主體及多個支撐柱位于承載主體的一周邊的晶片載具。
【背景技術(shù)】
[0002]在發(fā)光二極管的制作工藝中，外延層需要成長在一基板上，基板的功能類似于晶片拉晶時的晶種層。當(dāng)基板的晶格常數(shù)與外延層的晶格常數(shù)相近，在外延層成長時可以減少外延層與基板之間晶格的差排、錯位等缺陷?；宓倪x擇以與外延層的材料相近為佳，因為基板與外延層的晶格常數(shù)等物理特性相近，在外延層成長于基板的過程中較不會因為不同的反應(yīng)爐溫度范圍，而在外延層與基板之間產(chǎn)生應(yīng)力，形成翹曲，影響外延層的品質(zhì)。但是對某些外延層材料而言，并無相同于外延層材料的基板可供使用，也無相同于外延層晶格常數(shù)的材料可以使用。此外，即便有理想的基板材料選擇，其生產(chǎn)成本也可能過高。
[0003]綜合上述原因，一旦基板材料與外延層材料不同，亦或是外延層的組成材料有數(shù)種，只要其中一種或一種以上的外延層材料與基板的材料不同，或是晶格常數(shù)不同、膨脹系數(shù)不同、硬度不同，都將導(dǎo)致外延層成長于基板的過程中，因不同的反應(yīng)爐溫度而在外延層與基板之間產(chǎn)生不同的應(yīng)力，形成不同的翹曲或形變。輕度的應(yīng)力可能造成外延層因受熱不均勻而導(dǎo)致外延品質(zhì)不佳，且外延層形變所造成的彎曲也會影響后續(xù)的制作工藝。如果所產(chǎn)生的應(yīng)力過大，則可能導(dǎo)致外延層破裂。
[0004]一般用于發(fā)光二極管外延層成長的方式包含氣相外延法(VPE)或有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)。其中，有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)是最常用的外延技術(shù)，通常用來成長GaN、AlGaInP等薄膜。首先，將一基板放置于一載具(carrier)上，然后將位在載具上的基板移至反應(yīng)爐中成長外延層，形成晶片結(jié)構(gòu)。在外延層成長的過程中，反應(yīng)爐溫度會持續(xù)變化。由于外延層和基板的晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)不同，在不同的溫度區(qū)間，晶片結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生不同程度的翹曲和形變。
[0005]晶片結(jié)構(gòu)的翹曲會使晶片無法與載具完全貼合，造成晶片結(jié)構(gòu)表面溫度分布不均勻，如果此時正在成長一發(fā)光層，晶片結(jié)構(gòu)表面溫度分布不均勻?qū)绊懙骄Y(jié)構(gòu)上不同區(qū)域的發(fā)光層發(fā)光波長分布不同。
[0006]圖1描述了現(xiàn)有技術(shù)中一晶片載具10，包含一承載主體100具有一凹口 102，凹口102的底面103為一平面。一晶片104包含一成長基板及一成長于成長基板上的外延層,其中外延層包含一發(fā)光層。在外延層成長于成長基板的過程中，反應(yīng)爐溫度會持續(xù)變化。因外延層和成長基板的晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)不同，在不同的溫度區(qū)間，晶片會產(chǎn)生不同程度的翹曲和形變。如圖1所示，晶片104的側(cè)視圖為一凸面，當(dāng)成長發(fā)光層于成長基板上時，因晶片104與載具凹口 102的底面103頂觸的區(qū)域只有晶片104周圍部分區(qū)域，此時用于成長發(fā)光層的反應(yīng)爐溫度設(shè)定如果以晶片104的中心區(qū)域為考慮，將導(dǎo)致晶片104周邊的成長溫度與晶片104中心區(qū)域的成長溫度不同。由于成長于成長基板上的發(fā)光層因晶片104上不同的區(qū)域有不同的成長溫度，其發(fā)光波長也不同。[0007]圖2描述了現(xiàn)有技術(shù)中一晶片載具20，包含一承載主體200具有一凹口 202，凹口202的底面203為一平面。一晶片204包含成長基板及成長于成長基板上的外延層，其中外延層包含一發(fā)光層。如圖2所示，晶片204的側(cè)視圖為一凹面，當(dāng)成長發(fā)光層于成長基板上時，因晶片204與載具凹口 202的底面203頂觸的區(qū)域只有晶片204中心區(qū)域，晶片204容易晃動。當(dāng)晶片載具20聞速旋轉(zhuǎn)時，晶片204可能飛出。
[0008]圖3A所示為另一現(xiàn)有晶片載具30，包含一承載主體300具有一凹口 302，凹口 302的底面303為一平面；以及一支撐環(huán)305位于承載主體300的周邊。一晶片304包含一成長基板及一成長于成長基板上的外延層，其中外延層包含一發(fā)光層。
[0009]圖3B所示為現(xiàn)有晶片載具30的上視圖，支撐環(huán)305的上視形狀大約為一圓形。支撐環(huán)305沿著晶片304周圍將晶片304架高，使晶片304不會因只有晶片304的中心區(qū)域與載具凹口 302的底面303相頂觸而容易晃動。但是，支撐環(huán)305與晶片304外圍直接接觸使晶片外圍的成長溫度與晶片中心區(qū)域的成長溫度不同。由于成長于成長基板上的發(fā)光層因晶片304外圍與中心區(qū)域有不同的成長溫度，其發(fā)光波長也不同。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]一晶片載具，包含一具有一高度以及一凹口的承載主體，其中凹口的底面為一曲面；以及多個支撐柱位于承載主體的一周邊。本發(fā)明另一方面提供晶片載具的一制造方法。方法包含于一成長基板上形成一外延層以形成一晶片結(jié)構(gòu)；量測晶片結(jié)構(gòu)的一翹曲率；以及依據(jù)晶片結(jié)構(gòu)的翹曲率，提供上述的晶片載具。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是現(xiàn)有的晶片載具首I]視圖；
[0012]圖2是現(xiàn)有的晶片載具首I]視圖；
[0013]圖3A是現(xiàn)有的晶片載具首I]視圖；
[0014]圖3B是現(xiàn)有的晶片載具上視圖；
[0015]圖4A是本發(fā)明第一實施例的晶片載具剖視圖；
[0016]圖4B是本發(fā)明第一實施例的晶片上視圖；
[0017]圖5A是本發(fā)明第二實施例的晶片載具剖視圖；
[0018]圖5B是本發(fā)明第二實施例的晶片上視圖；
[0019]圖6是本發(fā)明第一、二實施例的晶片載具上視圖；
[0020]圖7是本發(fā)明第一、二實施例晶片載具的各多個支撐柱上視圖；
[0021]圖7A是本發(fā)明一實施例的晶片載具上視圖；
[0022]圖8A是本發(fā)明第一、二實施例晶片載具的平邊上視圖；
[0023]圖8B是本發(fā)明第一、二實施例晶片及晶片載具的上視圖；
[0024]圖9是本發(fā)明一實施例的承載盤上視圖；
[0025]圖10是本發(fā)明一實施例的加熱器上視圖。
[0026]符號說明
[0027]晶片載具10、20、30、40、40b、50、60、60a、701、80
[0028]承載主體100、200、300、400、500、600[0029]承載主體高度401、501
[0030]承載主體凹口102、202、302、402、502
[0031]底面103、203、303、403、503
[0032]凸面高度403a
[0033]凹面深度503a
[0034]晶片104、204、304、404、504、804
[0035]支撐環(huán)305
[0036]支撐柱405、505、605、704、601
[0037]第一支撐柱606
[0038]第二支撐柱605a
[0039]支撐柱高度405a、505a
[0040]第一側(cè)邊702
[0041]第二側(cè)邊703
[0042]第三側(cè)邊6062
[0043]第四側(cè)邊6061
[0044]平邊803、4041、5041、8041
[0045]承載盤9
[0046]第一上表面400s
[0047]第一圓心92
[0048]內(nèi)圈93
[0049]外圈91
[0050]第一支撐部906
[0051]第二支撐部905
[0052]第三支撐部907
[0053]加熱器10
[0054]第二上表面102
[0055]第二圓心100
[0056]內(nèi)加熱器101
[0057]外加熱器105
[0058]中間加熱器103
【具體實施方式】
[0059]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。在附圖或說明中，相似或相同的部分是使用相同的標號，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以是熟習(xí)此技術(shù)的人士所知的形式。
[0060]如圖4A所示，依據(jù)本發(fā)明第一實施例的一晶片載具40的剖視圖如下:如圖4A所示，本發(fā)明第一實施例的晶片載具40，包含一具有一高度401的承載主體400，承載主體400具有一凹口 402，凹口 402的底面403為一曲面；以及多個支撐柱405位于承載主體400的周邊。
[0061]本發(fā)明第一實施例的晶片載具40的凹口 402的上視形狀大約為一圓形，其尺寸為可容置一直徑2?8吋的商用晶片。如圖8A所不，圖8A為一晶片載具80的上視圖，如果是為承載4吋或是4吋以上的晶片，晶片載具80凹口的上視形狀還包含一平邊803。一晶片404包含一成長基板及一成長于成長基板上的外延層,其中外延層包含一發(fā)光層。外延層的材料包含一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、砷(As)、鎘(Cd)、及硒(Se)所構(gòu)成的群組。
[0062]承載主體400的材料包含復(fù)合性材料，例如陶瓷；半導(dǎo)體材料,例如氮化硼、碳化硅；導(dǎo)電性材料，例如石墨或金屬，其中金屬包含鑰、鎢、鈦、鋯或上述的任意合金；非導(dǎo)電性材料，例如石英。
[0063]本發(fā)明第一實施例中，凹口 402的上視形狀大約為圓形，其中凹口的上視形狀包含一側(cè)邊及一圓心。凹口 402的底面403為曲面，其中曲面包含一凸面自凹口 402的側(cè)邊向凹口 402的圓心凸出一高度403a。在本實施例中，凸面高度403a介于15至1000微米之間。凸面聞度403a與晶片載具40所承載的晶片404尺寸成一正比關(guān)系，其中，晶片尺寸與凸面高度之間正比比值的范圍介于7至125之間。當(dāng)晶片404尺寸越大，在高溫下成長外延層時，晶片404所產(chǎn)生的翹曲也越大，所以晶片載具40的承載主體400的凸面高度403a也需要再增高。當(dāng)晶片載具40所承載的晶片404尺寸為2吋時，承載主體400的凸面高度403a范圍介于15至65微米之間。當(dāng)晶片載具40所承載的晶片404尺寸為4吋時，承載主體400的凸面高度403a范圍介于15至160微米之間。當(dāng)晶片載具40所承載的晶片404尺寸為6吋時，承載主體400的凸面高度403a范圍介于15至400微米之間。當(dāng)晶片載具40所承載的晶片404尺寸為8吋時，承載主體400的凸面高度403a范圍介于15至1000微米之間。
[0064]由于外延層和成長基板的晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)不同，在不同的溫度區(qū)間，晶片會產(chǎn)生不同程度的翹曲和形變。在本實施例中，如果此時晶片的翹曲形狀為一凸面，選擇包含凸面的晶片載具40會使晶片表面溫度分布較均勻，晶片上不同區(qū)域的發(fā)光層發(fā)光波長分布也較均勻。
[0065]本發(fā)明第一實施例的晶片載具40還包含多個支撐柱405位于承載主體400的周邊。在本實施例中，多個支撐柱405的數(shù)量為至少三個，且多個支撐柱405位于承載主體400的周邊。多個支撐柱405位于承載主體400的周邊的上視圖如圖6或圖7A所示，圖6為一晶片載具60的上視圖，多個支撐柱605的數(shù)量為至少三個，且多個支撐柱605位于承載主體的周邊。多個支撐柱605不規(guī)則地排列于晶片載具60的周邊。具體而言，通過晶片載具60的一圓心畫一假想線，超過半數(shù)的支撐柱605形成于晶片載具60周邊的一部分，少于半數(shù)的支撐柱605形成于晶片載具60周邊的另一部分。
[0066]本發(fā)明第一實施例的各多個支撐柱405的上視圖如圖7所不。圖7為一晶片載具701的各多個支撐柱704的上視圖，各多個支撐柱704的上視圖包含一第一側(cè)邊702，其中第一側(cè)邊還包含一具有一第一曲率半徑的第一弧面；及多個第二側(cè)邊703，其中各多個第二側(cè)邊還包含一具有一第二曲率半徑的第二弧面，且第二曲率半徑不同于第一曲率半徑。
[0067]圖7A是本發(fā)明另一實施例的一晶片載具60a的上視圖。晶片載具60a包含一承載主體600及多個支撐柱601位于承載主體600的周邊。多個支撐柱601包含一第一支撐柱606及一第二支撐柱605a。于本實施例中，圖6所不之一或多個支撐柱605可被第一支撐柱606所取代。第一支撐柱606具有一特征尺寸大于第二支撐柱605a的特征尺寸。特征尺寸包含一上表面面積。具體而言，第一支撐柱606的上表面面積大于第二支撐柱605a的上表面面積。第二支撐柱605a包含一形狀或尺寸與圖6中所示的支撐柱605或圖7中所示的支撐柱704相同。第一支撐柱606包含一第三側(cè)邊6062及一第四側(cè)邊6061，其中從晶片載具60a的上視圖來看，第三側(cè)邊6062比第四側(cè)邊6061還靠近晶片載具60a的圓心C。第三側(cè)邊6062包含一具有一第三曲率半徑的第三弧面，且第四側(cè)邊6061包含一具有一第四曲率半徑的第四弧面。與圖7所示的支撐柱704相比，第三側(cè)邊6062具有一特征尺寸，例如第三曲率半徑，不同于第一側(cè)邊702的第一曲率半徑或是第二側(cè)邊703的第二曲率半徑。第三側(cè)邊6062及第四側(cè)邊6061是相連接于兩相對的端點。于一實施例中，此兩相對端點之間的距離LI是晶片載具60a的直徑的15%?50%。第三弧面與第四弧面之間最大的距離L2是晶片載具60a的直徑的1%?30%。
[0068]通過晶片載具60a的一圓心畫一假想線Y_Y’，超過半數(shù)的支撐柱601形成于晶片載具60a周邊的一部分，例如位于線Υ-Υ’下方的一部分，少于半數(shù)的支撐柱601形成于晶片載具60周邊的另一部分，例如位于線Y-Y’上方的一部分。
[0069]如圖4A所示，各多個支撐柱405具有一高度405a小于承載主體400的高度401，且各多個支撐柱高度405a大于承載主體400的凸面高度403a。在本實施例中，各多個支撐柱405的高度405a介于15至1000微米之間。多個支撐柱405的材料包含復(fù)合性材料，例如陶瓷；半導(dǎo)體材料，例如氮化硼、碳化硅；導(dǎo)電性材料，例如石墨或金屬，其中金屬包含鑰、鎢、鈦、鋯或上述的任意合金；非導(dǎo)電性材料，例如、石英。
[0070]圖4B為晶片404的上視圖，晶片404包含一平邊4041，如圖4A所示，在本實施例中，晶片404被多個支撐柱405架高后，由于晶片404無法通過直接與晶片載具40的底面403接觸而受熱，且平邊4041處因加熱不易，影響到晶片404上發(fā)光層的發(fā)光波長。此現(xiàn)象隨著晶片404尺寸加大而更加明顯。當(dāng)晶片載具80凹口包含平邊803，如圖8A所示，可減少晶片平邊8041和晶片載具平邊803間的空隙803a，而降低晶片平邊4041和晶片載具平邊803間的空隙803a所產(chǎn)生受熱不佳的情形，如圖SB所示。故在本實施例中，晶片載具40是承載4吋或是4吋以上的晶片，且晶片載具40凹口的上視形狀還包含一平邊。
[0071]依據(jù)本發(fā)明第二實施例的一晶片載具50的剖視圖如下:如圖5A所示，本發(fā)明第二實施例的晶片載具50，包含一具有一高度501的承載主體500，承載主體500具有一凹口502，凹口 502的底面503為一曲面；以及多個支撐柱505位于承載主體500的周邊。
[0072]本發(fā)明第二實施例的晶片載具50的凹口 502的上視形狀大約為一圓形，其尺寸為可容置一直徑2?8吋的商用晶片。如圖8A所不，圖8A為晶片載具80的上視圖，如果是為承載4吋或是4吋以上的晶片，晶片載具80凹口的上視形狀還包含平邊803。一晶片504包含一成長基板及一成長于成長基板上的外延層，其中外延層包含一發(fā)光層。外延層的材料包含一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、砷(As)、鎘(Cd)、及硒(Se)所構(gòu)成的群組。
[0073]承載主體500的材料包含復(fù)合性材料，例如陶瓷；半導(dǎo)體材料,例如氮化硼、碳化硅；導(dǎo)電性材料，例如石墨或金屬，其中金屬包含鑰、鎢、鈦、鋯或上述的任意合金；非導(dǎo)電性材料，例如石英。[0074]本發(fā)明第二實施例中，凹口 502的上視形狀大約為圓形，其中凹口的上視形狀包含一側(cè)邊及一圓心。凹口 502的底面503為曲面，其中曲面包含一凹面自凹口 502的側(cè)邊向凹口 502的圓心凹陷一深度503a。在本實施例中，凹面深度503a介于15至1000微米之間。凹面深度503a與晶片載具50所承載的晶片504尺寸成一正比關(guān)系，其中，晶片尺寸與凹面深度之間正比比值的范圍介于7至125之間。當(dāng)晶片504尺寸越大，在高溫下成長外延層時，晶片504所產(chǎn)生的翹曲也越大，所以晶片載具50的承載主體500的凹面深度503a也需要再加深。當(dāng)晶片載具50所承載的晶片504尺寸為2吋時，承載主體500的凹面深度503a范圍介于15至65微米之間。當(dāng)晶片載具50所承載的晶片504尺寸為4吋時，承載主體500的凹面深度503a范圍介于15至160微米之間。當(dāng)晶片載具50所承載的晶片504尺寸為6吋時，承載主體500的凹面深度503a范圍介于15至400微米之間。當(dāng)晶片載具50所承載的晶片504尺寸為8吋時，承載主體500的凹面深度503a范圍介于15至1000微米之間。
[0075]由于外延層和成長基板的晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)不同，在不同的溫度區(qū)間，晶片會產(chǎn)生不同程度的翹曲和形變。在本實施例中，如果此時晶片的翹曲形狀為一凹面，選擇包含凹面的晶片載具50會使晶片表面溫度分布較均勻，晶片上不同區(qū)域的發(fā)光層發(fā)光波長分布也較均勻。
[0076]本發(fā)明第二實施例的晶片載具50還包含多個支撐柱505位于承載主體500的周邊。在本實施例中，多個支撐柱505的數(shù)量為至少三個，且多個支撐柱505位于承載主體500的周邊。多個支撐柱505位于承載主體500的周邊的上視圖如圖6或圖7A所示，圖6為晶片載具60的上視圖，多個支撐柱605的數(shù)量為至少三個，且多個支撐柱605位于承載主體的周邊。多個支撐柱605不規(guī)則地排列于晶片載具60的周邊。具體而言，通過晶片載具60的一圓心畫一假想線，超過半數(shù)的支撐柱605形成于晶片載具60周邊的一部分，少于半數(shù)的支撐柱605形成于晶片載具60周邊的另一部分。
[0077]本發(fā)明第二實施例的各多個支撐柱505的上視圖如圖7所示。圖7為晶片載具701的各多個支撐柱704的上視圖，各多個支撐柱704的上視圖包含第一側(cè)邊702，其中第一側(cè)邊還包含具有第一曲率半徑的第一弧面；及多個第二側(cè)邊703，其中各多個第二側(cè)邊還包含具有第二曲率半徑的第二弧面，且第二曲率半徑不同于第一曲率半徑。
[0078]圖7A是本發(fā)明另一實施例的一晶片載具60a的上視圖。晶片載具60a包含一承載主體600及多個支撐柱601位于承載主體600的周邊。多個支撐柱601包含一第一支撐柱606及一第二支撐柱605a。于本實施例中，圖6所不之一或多個支撐柱605可被第一支撐柱606所取代。第一支撐柱606具有一特征尺寸大于第二支撐柱605a的特征尺寸。特征尺寸包含一上表面面積。具體而言，第一支撐柱606的上表面面積大于第二支撐柱605a的上表面面積。第二支撐柱605a包含一形狀或尺寸與圖6中所示的支撐柱605或圖7中所示的支撐柱704相同。第一支撐柱606包含一第三側(cè)邊6062及一第四側(cè)邊6061，其中從晶片載具60a的上視圖來看，第三側(cè)邊6062比第四側(cè)邊6061還靠近晶片載具60a的圓心C。第三側(cè)邊6062包含一具有一第三曲率半徑的第三弧面，且第四側(cè)邊6061包含一具有一第四曲率半徑的第四弧面。與圖7所示的支撐柱704相比，第三側(cè)邊6062具有一特征尺寸，例如第三曲率半徑，不同于第一側(cè)邊702的第一曲率半徑或是第二側(cè)邊703的第二曲率半徑。第三側(cè)邊6062及第四側(cè)邊6061是相連接于兩相對的端點。于一實施例中，此兩相對端點之間的距離LI是晶片載具60a的直徑的15%?50%。第三弧面與第四弧面之間最大的距離L2是晶片載具60a的直徑的1%?30%。
[0079]通過晶片載具60a的一圓心畫一假想線Y_Y’，超過半數(shù)的支撐柱601形成于晶片載具60a周邊的一部分，例如位于線Υ-Υ’下方的一部分，少于半數(shù)的支撐柱601形成于晶片載具60周邊的另一部分，例如位于線Y-Y’上方的一部分。
[0080]如圖5A所示，各多個支撐柱505具有一高度505a小于承載主體500的高度501，且各多個支撐柱高度505a大于承載主體500的凹面深度503a。在本實施例中，各多個支撐柱505的高度505a介于15至1000微米之間。多個支撐柱505的材料包含復(fù)合性材料，例如陶瓷；半導(dǎo)體材料，例如氮化硼、碳化硅；導(dǎo)電性材料，例如石墨或金屬，其中金屬包含鑰、鎢、鈦、鋯或上述的任意合金；非導(dǎo)電性材料，例如石英。
[0081]圖5B為晶片504的上視圖，晶片504包含一平邊5041，如圖5A所示，在本實施例中，晶片504被多個支撐柱505架高后，由于晶片504無法通過直接與晶片載具50的底面503接觸而受熱，且平邊5041處因加熱不易，影響到晶片504上發(fā)光層的發(fā)光波長。此現(xiàn)象隨著晶片504尺寸加大而更加明顯。當(dāng)晶片載具80凹口包含平邊803，如圖8A所示，可減少晶片平邊5041和晶片載具平邊803間的空隙803a，而降低晶片平邊5041和晶片載具平邊803間的空隙803a所產(chǎn)生受熱不佳的情形，如圖SB所示。故在本實施例中，晶片載具50是承載4吋或是4吋以上的晶片，且晶片載具50凹口的上視形狀還包含一平邊。
[0082]本發(fā)明另一實施例提供一種晶片載具的制造方法，其包含成長一外延層于一成長基板以形成一晶片結(jié)構(gòu)；量測晶片結(jié)構(gòu)的翹曲率；以及依據(jù)晶片結(jié)構(gòu)的翹曲率，提供一如第一、二實施例所述的晶片載具，即當(dāng)晶片結(jié)構(gòu)的翹曲形狀為一凸面時，提供一包含凸面及多個支撐柱的晶片載具；當(dāng)晶片結(jié)構(gòu)的翹曲形狀為一凹面時，則提供一包含凹面及多個支撐柱的晶片載具，其中凸面包含一凸面高度，凹面包含一凹面深度，凸面高度和凹面深度的范圍如第一、二實施例所述，與晶片載具所承載的一晶片尺寸成一正比關(guān)系，其中多個支撐柱的數(shù)量為至少三個。其中，外延層的材料包含一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、及硒(Se)所構(gòu)成的群組。
[0083]一裝置可用于沉積一薄膜，裝置包含一承載盤及一加熱器。圖9是本發(fā)明一實施例的一承載盤9的上視圖。承載盤9包含一第一上表面400s具有一第一圓心92 ;以及一實質(zhì)上平坦的底表面。圍繞第一圓心92的一第一群組晶片載具40a以及圍繞第一群組晶片載具40a的一第二群組晶片載具40b是位于第一上表面400s上。第一群組晶片載具40a及第二群組晶片載具40b實質(zhì)上是排列成同心圓。具體而言，第一群組晶片載具40a形成一內(nèi)圈93,第二群組晶片載具40b形成一外圈91,內(nèi)圈93及外圈91是同心圓，且外圈91具有一直徑大于內(nèi)圈93的直徑。一或多個商用晶片可放置于晶片載具40a或是晶片載具40b上以沉積薄膜。沿著晶片載具40b的線X-X’或晶片載具40a的線Z-Z’，晶片載具40b或晶片載具40a包含與圖4A或圖5A相同的剖視圖。
[0084]第一群組晶片載具40a的其中之一晶片載具40a包含一第一支撐部906及一第二支撐部905。于本實施例的一變化例中，第一群組晶片載具40a的其中之一晶片載具40a包含多個第二支撐部905。第一支撐部906包含一上視圖與圖7A所示的支撐柱606相同，第二支撐部905包含一上視圖與圖6所示的支撐柱605或圖7A所示的第二支撐柱605a相同。第一支撐部906具有一特征尺寸，例如表面積大小，大于第二支撐部905的特征尺寸。第一支撐部906相較于第二支撐部905，第一支撐部906較接近第一上表面400s的第一圓心92。第一支撐部906是鄰接于第一圓心92。具體而言,第一支撐部906是位于一位置，此位置在第一群組晶片載具40a的其中之一晶片載具40a與第一圓心92之間的最小距離上。
[0085]第二群組晶片載具40b的其中之一晶片載具40b包含多個第三支撐部907。第三支撐部907包含一上視圖與圖6所示的支撐柱605或圖7A所示的第二支撐柱605a相同。多個第三支撐部907不規(guī)則地排列于晶片載具40b的周邊上。具體而言，通過晶片載具40b的圓心劃一假想線，超過半數(shù)的第三支撐部907形成于晶片載具40b周邊的一部分，少于半數(shù)的第三支撐部907形成于晶片載具40b周邊的另一部分。
[0086]第二群組晶片載具40b的其中之一晶片載具40b所包含的第三支撐部907的數(shù)量大于第一群組晶片載具40a的其中之一晶片載具40a所包含的第二支撐部905的數(shù)量。
[0087]圖10是本發(fā)明一實施例的一加熱器10的上視圖。加熱器10包含一具有一第二圓心100的第二上表面102 ;—內(nèi)加熱器101 ;以及一較內(nèi)加熱器101遠離第二上表面102的第二圓心100的外加熱器105。于本實施例中，加熱器10還包含一中間加熱器103位于內(nèi)加熱器101及外加熱器105之間。加熱器10的第二圓心100與圖9所示的承載盤9的第一圓心92相對。外加熱器105，中間加熱器103或內(nèi)加熱器101的形狀接近一圓形。外加熱器105，中間加熱器103以及內(nèi)加熱器101實質(zhì)上為同心圓。外加熱器105具有一直徑大于內(nèi)加熱器101的直徑或中間加熱器103的直徑。當(dāng)加熱器10為一開啟狀態(tài)時，內(nèi)加熱器101的平均溫度低于中間加熱器103或外加熱器105的平均溫度。
[0088]第一群組晶片載具40a實質(zhì)上對應(yīng)于內(nèi)加熱器101，第二群組晶片載具40b實質(zhì)上對應(yīng)于中間加熱器103或外加熱器105。具體而言,第一群組晶片載具40a的第一支撐部906實質(zhì)上對應(yīng)于內(nèi)加熱器101。由于內(nèi)加熱器101的平均溫度低于外加熱器105平均溫度，第一支撐部906具有一較第二支撐部905大的上表面積以助于將熱傳導(dǎo)至位于晶片載具40a上的晶片。
[0089]用于沉積薄膜的此裝置還包含一連接部(圖未示)，例如一轉(zhuǎn)軸，以連接圖9的承載盤9和圖10的加熱器10。連接部繞著承載盤9的中心軸(圖未示)以一速度轉(zhuǎn)動。當(dāng)此裝置為啟動狀態(tài)時，承載盤9可被連接部牽動而順時針轉(zhuǎn)動或是逆時針轉(zhuǎn)動。
[0090]上述所提及的實施例是使用描述技術(shù)內(nèi)容及發(fā)明特征，而使現(xiàn)有此技術(shù)者可了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，其并非用以限制本發(fā)明的范圍。亦即，任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易見的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。例如，電連接方式不限于串聯(lián)連接。需了解的是，本發(fā)明中上述的實施例在適當(dāng)?shù)那闆r下，是可互相組合或替換，而非僅限于所描述的特定實施例。
[0091]可理解的是，對于熟悉此項技術(shù)者，不同修飾或變更皆可應(yīng)用于本發(fā)明中且不脫離本發(fā)明的精神與范圍。前述的描述，目的在于涵蓋本發(fā)明的修飾或變更的公開皆落于本發(fā)明的專利范圍內(nèi)且與其均等。
【權(quán)利要求】
1.一種用于沉積薄膜的裝置，包含: 承載盤，包含: 具有一第一圓心的第一上表面； 第一群組的晶片載具，圍繞該第一圓心；以及 第二群組的晶片載具，圍繞該第一群組的晶片載具，其中該第一群組的晶片載具的其中之一包含一第一支撐部以及至少一第二支撐部，且該第一支撐部具有一特征尺寸大于該第二支撐部的特征尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該第一群組的晶片載具及該第二群組的晶片載具實質(zhì)上排列成一同心圓。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該承載盤包含一實質(zhì)上平坦的底表面積。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該第一支撐部較該第二支撐部接近該第一上表面的該第一圓心。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該第一支撐部鄰接于該第一圓心。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包含一具有一第二圓心的第二上表面的加熱器。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中該加熱器包含內(nèi)加熱器以及較內(nèi)加熱器遠離該第二上表面的該第二圓心的外加熱器，且該內(nèi)加熱器以及該外加熱器實質(zhì)上排列成一同心圓。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中該第二圓心與該第一圓心相對，且該外加熱器具有一直徑大于該內(nèi)加熱器的直徑。
9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中當(dāng)該裝置為啟動狀態(tài)時，該內(nèi)加熱器的一平均溫度低于該外加熱器的一平均溫度。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中該第一群組的晶片載具實質(zhì)上對應(yīng)于該內(nèi)加熱器，且該第二群組的晶片載具實質(zhì)上對應(yīng)于該外加熱器。
【文檔編號】H01L21/673GK103730395SQ201310472565
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月11日
【發(fā)明者】張中英, 羅云明, 沈圻, 曾楹珍 申請人:晶元光電股份有限公司