生長(zhǎng)基板分離方法、發(fā)光二極管制造方法以及發(fā)光二極管的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種生長(zhǎng)基板分離方法、發(fā)光二極管制造方法以及發(fā)光二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法包括如下步驟：準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板；在所述生長(zhǎng)基板上形成犧牲層和掩模圖案，并通過(guò)電化學(xué)蝕刻（ECE）對(duì)犧牲層進(jìn)行蝕刻；形成覆蓋掩模圖案且被元件分離區(qū)域劃分的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；在多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上貼附支撐基板，并使支撐基板具有連接于元件分離區(qū)域的多個(gè)貫通孔；將生長(zhǎng)基板從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
【專(zhuān)利說(shuō)明】生長(zhǎng)基板分離方法、發(fā)光二極管制造方法以及發(fā)光二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種從外延層分離生長(zhǎng)基板的方法、發(fā)光二極管制造方法以及利用這些方法制造的發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管是一種發(fā)射光的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體元件，具有綠色環(huán)保、低電壓、長(zhǎng)壽命、以及價(jià)格低廉等特征，過(guò)去多用于顯示燈或數(shù)字等純粹的信息顯示，而最近由于工業(yè)技術(shù)的發(fā)展、尤其得益于信息顯示技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，已達(dá)到在顯示器領(lǐng)域、汽車(chē)前照燈、投影儀等多領(lǐng)域中跨領(lǐng)域應(yīng)用的地步。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的水平型發(fā)光二極管(lateral LED)是在生長(zhǎng)基板上依次生長(zhǎng)包括η型半導(dǎo)體層、活性層、以及Ρ型半導(dǎo)體層的多個(gè)半導(dǎo)體層之后，蝕刻η型半導(dǎo)體層和活性層的一部分而形成η型電極，并在所述ρ型半導(dǎo)體層上形成ρ型電極而制作。
[0004]這種水平型發(fā)光二極管的制作方法相對(duì)簡(jiǎn)單，然而由于除去活性層的一部分，所以發(fā)光面積減少。并且，隨著使用藍(lán)寶石基板之類(lèi)的導(dǎo)熱性較差的生長(zhǎng)基板，由發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱量將使接合溫度上升，從而引起內(nèi)部量子效率降低的問(wèn)題。
[0005]為了解決這種水平型發(fā)光二極管的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出多種類(lèi)型的垂直型發(fā)光二極管。由于所述垂直型發(fā)光二極管通過(guò)激光剝離(Laser Lift-Off:LL0)除去藍(lán)寶石基板，因此可以防止熱量引起的發(fā)光二極管效率低下。
[0006]然而，由于使用高能量的激光，因此可能在半導(dǎo)體層內(nèi)引起裂紋(crack)。而且，如果將氮化物半導(dǎo)體層和與其同類(lèi)的基板(例如氮化鎵基板)使用為生長(zhǎng)基板，則由于氮化鎵基板與氮化物半導(dǎo)體層之間的能帶差較小而難以適用激光剝離工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題為提供一種更加有效且可以用低成本簡(jiǎn)便地進(jìn)行分離并能夠減少對(duì)氮化物半導(dǎo)體層的傷害的生長(zhǎng)基板分離方法及發(fā)光二極管制造方法。
[0008]本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題為提供一種可以減少分離大面積生長(zhǎng)基板所需時(shí)間的生長(zhǎng)基板分離方法及發(fā)光二極管制造方法。
[0009]本發(fā)明所要解決的又一技術(shù)問(wèn)題為提供一種利用所述發(fā)光二極管制造方法制造的發(fā)光二極管。
[0010]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將可以通過(guò)以下詳細(xì)說(shuō)明理解得更加清楚。
[0011]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法包括如下步驟:準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板；在所述生長(zhǎng)基板上形成犧牲層和掩模圖案，并使所述犧牲層在所述掩模圖案的開(kāi)口部露出；通過(guò)電化學(xué)蝕刻(ECE)而對(duì)所述犧牲層進(jìn)行蝕刻；覆蓋所述掩模圖案，并形成通過(guò)元件分離區(qū)域而相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上貼附支撐基板，所述支撐基板具有連接于所述元件分離區(qū)域的多個(gè)貫通孔；將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。[0012]由于在形成半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)之前利用電化學(xué)蝕刻而對(duì)犧牲層進(jìn)行蝕刻，因此可以通過(guò)利用應(yīng)力的物理方式或利用蝕刻溶液的化學(xué)方式而從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離生長(zhǎng)基板。據(jù)此，可對(duì)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)不加損傷地分離生長(zhǎng)基板，并能輕易地分離大面積生長(zhǎng)基板。尤其，由于可以利用支撐基板的貫通孔而使蝕刻溶液輕易地向元件分離區(qū)域滲透，因此可利用蝕刻溶液迅速地分離生長(zhǎng)基板。
[0013]進(jìn)而，由于利用犧牲層，因此即使在生長(zhǎng)基板為氮化鎵基板之類(lèi)的同類(lèi)基板的情況下也可以輕易地從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離生長(zhǎng)基板。
[0014]在若干實(shí)施例中，所述犧牲層可形成于所述生長(zhǎng)基板上，而所述掩模圖案可形成于所述犧牲層上。然而本發(fā)明并不局限于此，犧牲層也可以在掩模圖案形成之后形成于掩模圖案的開(kāi)口部?jī)?nèi)。
[0015]另外，可通過(guò)分兩個(gè)步驟以上施加電壓而部分性地蝕刻所述犧牲層，此時(shí)，先施加的電壓低于后施加的電壓。由此，所述犧牲層的表面形成相對(duì)較小的微氣孔，從而使表面維持相對(duì)較好的結(jié)晶性，而所述犧牲層的內(nèi)部形成相對(duì)較大的微氣孔。
[0016]而且，形成上述相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟包括將所述犧牲層使用為種子而生長(zhǎng)覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟。另外，在形成所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的期間，在所述犧牲層內(nèi)可形成空穴。所述空穴在高溫下生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體層的期間形成。
[0017]在若干實(shí)施例中，上述形成相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括將生長(zhǎng)的所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)圖案化而形成所述元件分離區(qū)域的步驟。
[0018]在其他一些實(shí)施例中，在生長(zhǎng)所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)之前，可形成用于將所述掩模圖案劃分為多個(gè)區(qū)域的分離掩模，并使所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)在所述分離掩模上彼此分開(kāi)而生長(zhǎng)，從而可以形成所述元件分離區(qū)域。
[0019]通過(guò)利用分離掩模，可以省略用于形成元件分離區(qū)域的圖案化工序(S卩，光刻及蝕刻工序)，因此可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化工序。
[0020]另外，彼此分開(kāi)的多個(gè)所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)在平面圖中可以分別具有四邊形形狀，而所述支撐基板的貫通孔可以與所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的四個(gè)角落相鄰而排列。
[0021]并且，所述支撐基板的貫通孔可具有不超出所述元件分離區(qū)域而設(shè)置的大小，且被整齊排列于所述元件分離區(qū)域。
[0022]可通過(guò)施加應(yīng)力或借助于化學(xué)蝕刻而將所述生長(zhǎng)基板從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離，尤其，可通過(guò)利用NaOH、Β0Ε、或HF的化學(xué)蝕刻而將所述生長(zhǎng)基板從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，所述掩模圖案可以是掩模區(qū)域具有特定形狀的陽(yáng)刻圖案，所述掩模區(qū)域例如可以具有條紋、菱形、或六邊形的形狀。在另一實(shí)施例中，所述掩模圖案可以是開(kāi)口部區(qū)域具有特定形狀的陰刻圖案，所述開(kāi)口部區(qū)域例如可以具有菱形或六邊形的形狀。
[0024]另外，所述元件分離方法可以在貼附所述支撐基板之前，還包括在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成反射金屬層、勢(shì)壘金屬層、以及粘結(jié)金屬層的步驟。進(jìn)而，所述粘結(jié)金屬層可以包覆所述反射金屬層和所述勢(shì)壘金屬層。據(jù)此，可以防止在化學(xué)蝕刻過(guò)程中反射金屬層或勢(shì)壘金屬層暴露于蝕刻溶液。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一形態(tài)，公開(kāi)一種發(fā)光二極管制造方法，這一方法包括前述的生長(zhǎng)基板分離方法。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)，公開(kāi)一種利用前述生長(zhǎng)基板分離方法制造的發(fā)光二極管。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的又一形態(tài)的發(fā)光二極管包括:支撐基板；半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，位于所述支撐基板上，且包含活性層；周期性凹凸圖案，形成于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上部面，其中，所述支撐基板在角落部分具有凹部。
[0027]進(jìn)而，所述支撐基板在平面圖中具有四邊形形狀，且所述支撐基板的四個(gè)角落部分可分別具有凹部。所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)具有小于所述支撐基板寬度的寬度，并可以位于所述凹部?jī)?nèi)側(cè)。
[0028]并且，所述發(fā)光二極管可在所述周期性凹凸圖案的凹部及凸部上分別具有粗糙表面。
[0029]根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法，包括如下步驟:準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板；在所述生長(zhǎng)基板上形成掩模圖案；在所述生長(zhǎng)基板上選擇性生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體的犧牲層，并至少露出所述掩模圖案的各掩模的上部區(qū)域中的一部分；通過(guò)電化學(xué)蝕刻(ECE)而對(duì)所述犧牲層至少進(jìn)行部分性蝕刻；形成覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
[0030]由于在形成半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)之前利用電化學(xué)蝕刻而對(duì)犧牲層進(jìn)行蝕刻，因此可以通過(guò)利用應(yīng)力的物理方式或利用蝕刻溶液的化學(xué)方式而從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離生長(zhǎng)基板。據(jù)此，可對(duì)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)不加損傷地分離生長(zhǎng)基板，并能輕易地分離大面積生長(zhǎng)基板。
[0031]進(jìn)而，由于利用犧牲層，因此即使在生長(zhǎng)基板為氮化鎵基板之類(lèi)的同類(lèi)基板的情況下也可以輕易地從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離生長(zhǎng)基板。
[0032]而且，由于可通過(guò)選擇性調(diào)節(jié)生長(zhǎng)的犧牲層厚度而促進(jìn)蝕刻溶液的滲透，因此可在化學(xué)蝕刻過(guò)程中加快蝕刻溶液的滲透，從而可以減少分離生長(zhǎng)基板所需時(shí)間。
[0033]在若干實(shí)施例中，所述生長(zhǎng)基板分離方法還可以包括如下步驟:在形成所述掩模圖案之前在所述生長(zhǎng)基板上形成下部氮化物層；將所述掩模圖案使用為蝕刻掩模而對(duì)所述下部氮化物層進(jìn)行蝕刻而形成凹陷部。所述犧牲層填充所述凹陷部。并且，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述下部氮化物層更高的雜質(zhì)。因此，在電化學(xué)蝕刻期間所述犧牲層至少被蝕刻一部分，而所述下部氮化物層不會(huì)被蝕刻而殘留。
[0034]另外，可通過(guò)分兩個(gè)步驟以上施加電壓而部分性地蝕刻所述犧牲層，此時(shí)，先施加的電壓低于后施加的電壓。由此，所述犧牲層的表面形成相對(duì)較小的微氣孔，從而使表面維持相對(duì)較好的結(jié)晶性，而所述犧牲層的內(nèi)部形成相對(duì)較大的微氣孔。而且，所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)可將所述犧牲層使用為種子而生長(zhǎng)。另外，在形成所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的時(shí)間內(nèi)，所述犧牲層內(nèi)可以形成空穴。所述空穴形成于在高溫下生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體層的時(shí)段中。
[0035]另外，所述生長(zhǎng)基板分離方法還可以包括形成覆蓋所述掩模圖案的上部氮化物層的步驟。其中，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述上部氮化物層更高的雜質(zhì)。另外，在所述上部氮化物層形成之后，通過(guò)所述電化學(xué)蝕刻而使所述犧牲層中形成空穴。并且，所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)形成于所述上部氮化物層上。[0036]其中，所述電化學(xué)蝕刻可通過(guò)在乙二酸溶液(濃度例如為0.3mol/l)中施加50?65V的電壓而執(zhí)行。由此，所述犧牲層大部分被蝕刻，從而使凹陷區(qū)域內(nèi)形成空穴。
[0037]其中，可將所述上部氮化物層形成為覆蓋所述犧牲層。在另一實(shí)施例中，所述上部氮化物層可形成為覆蓋通過(guò)所述犧牲層露出的所述掩模，并使所述犧牲層露出。
[0038]在若干實(shí)施例中，所述生長(zhǎng)基板分離方法還可以包括形成覆蓋所述掩模圖案的上部氮化物層的步驟。此時(shí)，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述上部氮化物層更高的雜質(zhì)。另外，在所述上部氮化物層形成之后，通過(guò)所述電化學(xué)蝕刻而使所述犧牲層中形成空穴。并且，所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)形成于所述上部氮化物層上。其中，所述掩模圖案可直接形成于所述生長(zhǎng)基板上。
[0039]另外，可通過(guò)施加應(yīng)力或借助于化學(xué)蝕刻而分離所述生長(zhǎng)基板，例如可通過(guò)利用NaOH、BOE蝕刻液、或HF的化學(xué)蝕刻而從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
[0040]在特定實(shí)施例中，所述生長(zhǎng)基板分離方法還可以包括在分離所述生長(zhǎng)基板之前通過(guò)將所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)圖案化而形成元件分離區(qū)域的步驟。由此，當(dāng)利用化學(xué)蝕刻分離生長(zhǎng)基板時(shí)，可以使蝕刻溶液的滲透順暢，從而可以減少分離生長(zhǎng)基板的時(shí)間。
[0041]所述生長(zhǎng)基板分離方法還可以包括在形成有所述元件分離區(qū)域的所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上貼附支撐基板的步驟，且在貼附所述支撐基板之前還可以包括在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成反射金屬層、勢(shì)壘金屬層、以及粘結(jié)金屬層的步驟。
[0042]進(jìn)而，所述粘結(jié)金屬層可以包覆所述反射金屬層和所述勢(shì)壘金屬層。據(jù)此，可以防止反射金屬層或勢(shì)壘金屬層在化學(xué)蝕刻過(guò)程中暴露于蝕刻溶液。
[0043]在若干實(shí)施例中，所述支撐基板可以具有能夠使蝕刻溶液滲透的貫通孔。所述貫通孔可具有不超出所述元件分離區(qū)域所需的大小，且被整齊排列于所述元件分離區(qū)域。
[0044]由于蝕刻溶液可通過(guò)所述貫通孔而滲透，因此可進(jìn)一步縮短生長(zhǎng)基板的分離時(shí)間。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的另一形態(tài)，公開(kāi)一種發(fā)光二極管制造方法，這一方法包括前述的生長(zhǎng)基板分離方法。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明又一形態(tài)，公開(kāi)一種利用前述生長(zhǎng)基板分離方法制造的發(fā)光二極管。
[0046]根據(jù)本發(fā)明又一形態(tài)的發(fā)光二極管，包括:支撐基板；半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，位于所述支撐基板上，且包含活性層；凹凸圖案，形成于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上部面；電極，形成于所述凹凸圖案的局部。
[0047]根據(jù)本發(fā)明另一形態(tài)的發(fā)光二極管制造方法，包括如下步驟:準(zhǔn)備包含圖案的生長(zhǎng)基板；在所述生長(zhǎng)基板上形成犧牲層和掩模圖案，并使所述犧牲層在所述掩模圖案的開(kāi)口部露出；蝕刻所述犧牲層而形成空穴；形成覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于不是使用激光而是利用應(yīng)力或化學(xué)蝕刻而分離生長(zhǎng)基板，因此可以用低成本更加有效而簡(jiǎn)便地分離生長(zhǎng)基板，并可以減少氮化物半導(dǎo)體層的損傷。由于可以使蝕刻溶液的滲透順暢，因此能夠減少分離大面積生長(zhǎng)基板所需時(shí)間。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0049]圖1至圖3為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0050]圖4 (a)為用于說(shuō)明元件分離區(qū)域及支撐基板的貫通孔的概略性平面圖，而圖4(b)為用于說(shuō)明最終發(fā)光二極管的支撐基板的概略性平面圖。
[0051]圖5至圖7分別為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模圖案的平面圖。
[0052]圖8和圖9為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的平面圖和剖面圖。
[0053]圖10和圖11為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0054]圖12為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0055]圖13為表示在電化學(xué)蝕刻工藝中隨著電壓變化的高濃度摻雜層的蝕刻率的曲線(xiàn)圖。
[0056]圖14為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0057] 圖15為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0058]符號(hào)說(shuō)明:
[0059]110:生長(zhǎng)基板120、140、144:犧牲層
[0060]125:下部氮化物層130:掩模圖案
[0061]142、146:上部氮化物層150:微氣孔
[0062]160:第一氮化物半導(dǎo)體層170:活性層
[0063]180:第二氮化物半導(dǎo)體層190:金屬層
[0064]200:氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu) 210:支撐基板
[0065]220:電極
【具體實(shí)施方式】
[0066]以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。下面介紹的實(shí)施例是為了將本發(fā)明的思想充分傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員而作為示例提供的。因此，本發(fā)明并不局限于以下說(shuō)明的實(shí)施例而也可以具體實(shí)現(xiàn)為其他形態(tài)。并且，在附圖中，同一附圖標(biāo)記表示同一構(gòu)成要素，而構(gòu)成要素的寬度、長(zhǎng)度、厚度等也可能為了方便而被夸張地表示。
[0067]本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)一種在生長(zhǎng)基板上生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體層之后從氮化物半導(dǎo)體層分離生長(zhǎng)基板的技術(shù)。尤其，本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)一種不使用現(xiàn)有技術(shù)中的激光剝離技術(shù)而通過(guò)利用應(yīng)力或者利用借助于蝕刻溶液的化學(xué)蝕刻而分離生長(zhǎng)基板的技術(shù)，并為此提供多種技術(shù)方法。
[0068]圖1至圖3為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0069]首先，參照?qǐng)D1 (a)，準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板110。生長(zhǎng)基板110可以是藍(lán)寶石基板、GaN基板、碳化硅(SiC)基板、或硅(Si)基板等，尤其可以是藍(lán)寶石基板或GaN基板。
[0070]在所述生長(zhǎng)基板110上形成犧牲層120。犧牲層120例如可借助于M0CVD(metalorganic chemical vapour deposition,金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)或MBE(molecular beam epitaxy,分子束外延生長(zhǎng))等技術(shù)而生長(zhǎng)于生長(zhǎng)基板110上。犧牲層120可以由摻入相對(duì)較高濃度(例如3E18/cm3=3 X IO1Vcm3以上)的Si雜質(zhì)的氮化鎵系材料(例如GaN層)形成。以下說(shuō)明的氮化物系列半導(dǎo)體層可以如所述犧牲層120—樣借助于MOCVD或MBE技術(shù)而生長(zhǎng)，對(duì)此不予特別說(shuō)明。
[0071]參照?qǐng)D1 (b),所述犧牲層120上形成掩模圖案(Mask pattern)130。所述掩模圖案130例如可以由SiO2形成。如圖5 (a)所示，掩模圖案130的各掩模區(qū)域可具有條紋形狀，并且，如圖5 (b)所示，也可以具有沿著不同方向延伸的條紋相交的形狀。與此不同，當(dāng)所述掩模圖案130為陽(yáng)刻圖案時(shí)，掩模區(qū)域既可以如圖6 (a)所示具有六邊形形狀，也可以如圖7 (a)所示具有菱形形狀。與此不同，所述掩模圖案130為陰刻圖案時(shí)，開(kāi)口部區(qū)域既可以如圖6 (b)所示具有六邊形形狀，也可以如圖7 (b)所示具有菱形形狀。所述掩模圖案130還可以是掩模區(qū)域?yàn)閳A形形狀的陽(yáng)刻圖案或開(kāi)口部區(qū)域?yàn)閳A形形狀的陰刻圖案。
[0072]參照?qǐng)D1 (c),利用電化學(xué)蝕刻(electro chemical etching:ECE)部分性蝕刻所述犧牲層120而在犧牲層120內(nèi)形成微氣孔150。
[0073]通過(guò)將形成有犧牲層120的生長(zhǎng)基板110和陰極(例如Pt電極)浸泡在電化學(xué)蝕刻溶液之后，將正電壓施加于犧牲層120而將負(fù)電壓施加于陰極而執(zhí)行所述電化學(xué)蝕刻工藝，并可以通過(guò)調(diào)節(jié)電化學(xué)蝕刻溶液的摩爾濃度、工藝時(shí)間、以及施加電壓而調(diào)節(jié)微氣孔150的大小。
[0074]所述電化學(xué)蝕刻溶液可以是電解質(zhì)溶液，例如可以是包含乙二酸(oxalic acid)、HF、或NaOH的電解質(zhì)溶液。
[0075]在本實(shí)施例中，可通過(guò)連續(xù)施加恒定電壓(例如10?60V范圍)的單步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)而部分性地蝕刻犧牲層120。然而并不局限于此，也可以通過(guò)初期施加相對(duì)較低的電壓之后施加相對(duì)較高的電壓的兩步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)而部分性地蝕刻。圖1 (c)表示通過(guò)兩步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)形成的微氣孔152、154，其中相對(duì)較小的微氣孔152在施加相對(duì)較低的電壓的第一階段形成，而相對(duì)較大的微氣孔154在施加相對(duì)較高的電壓的第二階段形成。例如，可利用20°C的0.3M (molar concentration:mol/l)乙二酸溶液而對(duì)Si摻雜濃度為6E18/cm3的犧牲層120執(zhí)行第一階段施加8?9V電壓而第二階段施加15?17V電壓的電化學(xué)蝕刻。
[0076]通過(guò)利用兩步驟電化學(xué)蝕刻，可以使?fàn)奚鼘?20的表面維持相對(duì)較好的結(jié)晶性，并能夠在犧牲層120的內(nèi)部形成相對(duì)較大的微氣孔154，因而有利于后續(xù)工序。
[0077]參照?qǐng)D1 (d)，將所述犧牲層120使用為種子(Seed)而生長(zhǎng)包含第一氮化物半導(dǎo)體層160、活性層170、以及第二氮化物半導(dǎo)體層180的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200。氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200通過(guò)水平生長(zhǎng)而不僅覆蓋犧牲層120，而且還覆蓋掩模圖案130。
[0078]所述第一氮化物半導(dǎo)體層160可以是單層，然而并不局限于此而也可以是多層。這種多層可以包含未摻雜層和摻雜層。
[0079]另外，在生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的期間，微氣孔152、154相互合并或生長(zhǎng)而形成空穴150a。所述空穴150a形成為使所述掩模圖案130的相鄰掩模區(qū)域相連接。在圖1(d)中表示了犧牲層120與第一氮化物半導(dǎo)體層160之間騰出界面的情形，然而也可以使所述空穴150a成為犧牲層120與第一氮化物半導(dǎo)體層160的界面。[0080]參照?qǐng)D2 (a)，犧牲層140上形成包含第一氮化物半導(dǎo)體層160、活性層170、以及第二氮化物半導(dǎo)體層180的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200。如前所述，在形成所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的期間內(nèi)，犧牲層120內(nèi)的微氣孔152、154使?fàn)奚鼘?20中形成空穴150a。其中，圖2 (a)表示與圖1 (d)相同的工序步驟，是僅僅將規(guī)模改變而表示的。
[0081]所述第一氮化物半導(dǎo)體層160可以由摻入第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體層形成，例如可以由摻入η型雜質(zhì)的III Α-Ν系列的化合物半導(dǎo)體形成(如(Al, In, Ga)N系列的氮化物半導(dǎo)體層)，并可以包含氮化鎵層。并且，所述第一氮化物半導(dǎo)體層160還可以包括特意沒(méi)有摻入雜質(zhì)的未摻雜層。
[0082]所述活性層170可以由III A-N系列的化合物半導(dǎo)體形成(例如(Al, Ga, In)N半導(dǎo)體層)，并可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或者阱層(未圖示)與勢(shì)壘層(未圖示)交替層疊的多量子阱結(jié)構(gòu)。
[0083]所述第二氮化物半導(dǎo)體層180包含摻入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)(例如P型雜質(zhì))的III A-N系列的化合物半導(dǎo)體(如(Al，Ga, In) N系列的III A族氮化物半導(dǎo)體層)，例如可以包含GaN層。
[0084]參照?qǐng)D2 (b),通過(guò)將所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200圖案化(Patterning)而形成元件分離區(qū)域200a?？赏ㄟ^(guò)光刻及蝕刻工藝形成元件分離區(qū)域200a。通過(guò)元件分離區(qū)域200a而形成分離為分立元件區(qū)域的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200。
[0085]另外，如圖所示，通過(guò)所述元件分離區(qū)域200a而使?fàn)奚鼘?20和掩模圖案130露出。
[0086]參照?qǐng)D2 (c)，在氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上貼附支撐基板210。支撐基板210可通過(guò)金屬層190而粘結(jié)(Bonding)于氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上。所述金屬層190例如可以包括反射金屬層192、勢(shì)壘金屬層194、以及粘結(jié)金屬層196。勢(shì)壘金屬層194覆蓋反射金屬層192，粘結(jié)金屬層196為了從蝕刻溶液中保護(hù)反射金屬層192和勢(shì)壘金屬層194而包覆這些金屬層192、194。所述反射金屬層192電連接于第二氮化物半導(dǎo)體層180。
[0087]在本實(shí)施例中說(shuō)明了所述金屬層190在形成元件分離區(qū)域200a之后形成的情形，然而并不局限于此。即，所述反射金屬層192及勢(shì)壘金屬層194也可以在形成元件分離區(qū)域200a之前形成。而且，所述粘結(jié)金屬層196也可以在形成元件分離區(qū)域200a之前形成。
[0088]另外，如圖所示，支撐基板210可具有多個(gè)貫通孔210a。如圖4 (a)所示，可通過(guò)整齊排列而使這些貫通孔210a位于元件分離區(qū)域200a之內(nèi)。例如，如圖4 (a)所示，位于一個(gè)元件區(qū)域內(nèi)的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的四個(gè)角落附近可分別設(shè)置有貫通孔210a。所述多個(gè)貫通孔210a在化學(xué)蝕刻過(guò)程中促進(jìn)蝕刻溶液向元件分離區(qū)域200a滲透，從而縮短分離生長(zhǎng)基板110的時(shí)間。
[0089]再看圖2 (c)，所述支撐基板210既可以是藍(lán)寶石基板、GaN基板、玻璃基板、碳化硅基板、或硅基板，也可以是由金屬物質(zhì)形成的導(dǎo)電性基板，還可以是印刷電路板(PCB)等電路基板，并且可以是陶瓷基板。
[0090]而且，對(duì)應(yīng)于粘結(jié)金屬層196的粘結(jié)金屬層(未圖示)被提供到所述支撐基板210偵牝而支撐基板210側(cè)的粘結(jié)金屬層與氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200側(cè)的粘結(jié)金屬層196共熔(eutetic)粘結(jié)，從而使支撐基板210貼附于氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上。
[0091]參照?qǐng)D2 (d)，貼附支撐基板210之后，通過(guò)利用Na0H、B0E(Buffered-Oxide-Etch)、或HF等蝕刻溶液的化學(xué)蝕刻而將生長(zhǎng)基板110從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離?？赏ㄟ^(guò)用蝕刻溶液蝕刻掩模圖案130或者在掩模圖案130和氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的界面上蝕刻GaN而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。分離的生長(zhǎng)基板110在經(jīng)過(guò)表面平整化之后可以重新利用為生長(zhǎng)基板。
[0092]隨著掩模圖案130被除去，氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的表面、尤其是第一氮化物半導(dǎo)體層160的表面上形成具有凹陷區(qū)域130a和凸出區(qū)域160a的凹凸結(jié)構(gòu)。
[0093]在本實(shí)施例中說(shuō)明了通過(guò)化學(xué)蝕刻分離生長(zhǎng)基板110的情形，然而也可以利用物理應(yīng)力而將生長(zhǎng)基板Iio從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。例如，可以在形成多個(gè)所述空穴150a之后對(duì)掩模圖案130施加應(yīng)力，從而使所述生長(zhǎng)基板110與所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200分離。
[0094]圖3 (a)將生長(zhǎng)基板110得到分離的圖2 (d)倒置而表示。參照?qǐng)D3 (a)，生長(zhǎng)基板110得到分離之后，為了除去Ga殘留物(droplet)，可利用鹽酸等清洗表面。并且，為了除去殘留在表面?zhèn)鹊母唠娮璧锇雽?dǎo)體層，可利用干式蝕刻而除去氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的一部分。
[0095]參照?qǐng)D3 (b)，可利用光電化學(xué)(PEC)蝕刻技術(shù)等而在氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的表面形成粗糙表面R。粗糙表面R形成于凹陷區(qū)域130a的底面和凸出區(qū)域160a的表面。通過(guò)在形成凹陷區(qū)域130a和凸出區(qū)域160a之外還形成粗糙表面R而改善由活性層170生成的光的光提取效率。
[0096]參照?qǐng)D3 (C)，接著在所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上形成電極220。電極220可具有用于連接引線(xiàn)的電極墊、以及從電極墊延伸的延伸部。電極220電連接于第一氮化物半導(dǎo)體層160。另外，當(dāng)所述支撐基板210具有導(dǎo)電性時(shí)，支撐基板210可電連接于第二氮化物半導(dǎo)體層180而起到電極作用，或者可以在支撐基板210下部增設(shè)單獨(dú)的電極墊。當(dāng)所述支撐基板210具有絕緣性時(shí)，可由所述金屬層190向外部延伸而形成電極墊。
[0097]所述電極220形成之前或者形成以后，可增設(shè)用于覆蓋氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的絕緣層(未圖示)。
[0098]參照?qǐng)D3 (d)，通過(guò)以分立元件為單位劃分所述支撐基板210而得到發(fā)光二極管。可通過(guò)沿著元件分離區(qū)域進(jìn)行劃線(xiàn)而劃分所述支撐基板210。
[0099]如圖4(b)所示，支撐基板210的四個(gè)角落各自分得貫通孔210a而形成凹部210b。在所述發(fā)光二極管中，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200具有小于所述支撐基板210的寬度，尤其可以位于凹部210b的內(nèi)側(cè)。
[0100]根據(jù)本實(shí)施例，可以在不損傷氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的情況下分離生長(zhǎng)基板110。而且由于利用形成于生長(zhǎng)基板110與半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200之間的空穴150a而分離生長(zhǎng)基板110，因此可利用物理應(yīng)力或化學(xué)蝕刻而輕易地分離生長(zhǎng)基板110。
[0101]并且，通過(guò)在形成元件分離區(qū)域的同時(shí)形成多個(gè)貫通孔210a，從而使蝕刻溶液的滲透進(jìn)一步加快，由此可以進(jìn)一步縮短工藝時(shí)間。而且，分離的生長(zhǎng)基板110可以重新利用為生長(zhǎng)基板。
[0102]圖8和圖9為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的平面圖及剖面圖。其中，圖8和圖9 (a)為表示形成掩模圖案130和分離掩模132的步驟的平面圖及剖面圖。[0103]參照?qǐng)D8和圖9 (a)，首先，如參照?qǐng)D1 (a)進(jìn)行的說(shuō)明，在基板110上形成犧牲層120。并且，如參照?qǐng)D1 (b)進(jìn)行的說(shuō)明，在犧牲層120上形成掩模圖案130。然而在本實(shí)施例中，掩模圖案130被分離為多個(gè)元件區(qū)域而形成。掩模圖案130例如可以被分離掩模132劃分為多個(gè)區(qū)域?？衫门c掩模圖案130相同的材料(例如Si02)并通過(guò)與前述相同的工藝形成分離掩模132。然而本發(fā)明并不局限于此，分離掩模132也可以由能夠阻止氮化物半導(dǎo)體層生長(zhǎng)的其他材料形成。
[0104]所述分離掩模132將對(duì)應(yīng)于元件分離區(qū)域200a而形成，而所述掩模圖案130將對(duì)應(yīng)于元件區(qū)域形成。
[0105]其中，所述掩模圖案130可以是如參照?qǐng)D1(b)、圖5?圖7進(jìn)行說(shuō)明的條紋圖案、陽(yáng)刻或者陰刻圖案。
[0106]參照?qǐng)D9 (b)，如參照?qǐng)D1 (c)以及圖1 (d)進(jìn)行的說(shuō)明，利用電化學(xué)蝕刻(ECE)而部分性地蝕刻暴露于掩模圖案130的開(kāi)口部區(qū)域的犧牲層120，并將犧牲層120使用為種子而生長(zhǎng)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200。然而在本實(shí)施例中，由于氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的生長(zhǎng)在分離掩模132上被阻斷，因此根據(jù)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的生長(zhǎng)工序而在分離掩模132上形成元件分離區(qū)域200a，由此使氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200被劃分為多個(gè)元件區(qū)域。即，元件分離區(qū)域200a將通過(guò)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的生長(zhǎng)工序而得到自對(duì)準(zhǔn)，而用于形成元件分離區(qū)域的專(zhuān)門(mén)的圖案化工序?qū)⒌玫绞÷浴?br> [0107]參照?qǐng)D9 (c)，如參照?qǐng)D2 (c)進(jìn)行的說(shuō)明，支撐基板210貼附于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上。由于支撐基板210的貼附與前述實(shí)施例相同，因此為避免重復(fù)而省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0108]參照?qǐng)D9 (d)，如參照?qǐng)D2 (d)進(jìn)行的說(shuō)明，利用Na0H、B0E、或HF等蝕刻溶液并通過(guò)化學(xué)蝕刻而將生長(zhǎng)基板110從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離?？赏ㄟ^(guò)利用蝕刻溶液蝕刻分離掩模132和掩模圖案130或者在掩模圖案130與氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的界面上蝕刻GaN而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。分離的生長(zhǎng)基板110在進(jìn)行表面平整化之后可被重新利用為生長(zhǎng)基板。
[0109]隨著掩模圖案130被除去，氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的表面、尤其是第一氮化物半導(dǎo)體層160的表面上形成具有凹陷區(qū)域130a和凸出區(qū)域160a的凹凸結(jié)構(gòu)。
[0110]接著，可通過(guò)參照?qǐng)D3說(shuō)明的工序制造圖3 (d)所示發(fā)光二極管。
[0111]在本實(shí)施例中說(shuō)明了通過(guò)化學(xué)蝕刻分離生長(zhǎng)基板110的情形，然而也可以利用物理應(yīng)力而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。例如，可在形成多個(gè)所述空穴150a之后對(duì)掩模圖案130施加應(yīng)力，從而使所述生長(zhǎng)基板110與所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200分離。
[0112]另外，在前述實(shí)施例中，是在氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200生長(zhǎng)之后利用光刻及蝕刻工藝形成了元件分離區(qū)域200a，然而在本實(shí)施例中，由于元件分離區(qū)域200a在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200生長(zhǎng)的期間自動(dòng)形成，因此可以省略光刻及蝕刻工序。
[0113]圖10?圖11為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0114]首先，參照?qǐng)D10 (a)，準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板110。由于生長(zhǎng)基板110與參照?qǐng)D1 (a)說(shuō)明的相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0115]所述生長(zhǎng)基板110上形成下部氮化物層125。下部氮化物層125例如可借助于MOCVD (metalorganic chemical vapour deposition,金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)或MBE (molecular beam epitaxy,分子束外延生長(zhǎng))等技術(shù)而生長(zhǎng)于生長(zhǎng)基板110上。下部氮化物層125可以由沒(méi)有特意摻入雜質(zhì)的、或者摻入相對(duì)較低濃度(例如3E18/cm3以下，更為優(yōu)選的是lE18/cm3以下)的Si的氮化鎵系材料(例如GaN層)形成。以下說(shuō)明的氮化物系列的半導(dǎo)體層可以如所述下部氮化物層125 —樣借助于MOCVD或MBE技術(shù)生長(zhǎng)，對(duì)此不予特別說(shuō)明。
[0116]參照?qǐng)D10 (b)，所述下部氮化物層125上形成掩模圖案130。如參照?qǐng)D1 (b)進(jìn)行的說(shuō)明，掩模圖案130可以形成為陽(yáng)刻圖案或陰刻圖案。即，可以使掩模圖案130的各掩模具有條紋形狀、菱形形狀、六邊形形狀、或圓形形狀，或者使掩模圖案130的掩模具有連續(xù)性，且由掩模包圍的開(kāi)口區(qū)域具有菱形形狀、六邊形形狀、或圓形形狀。
[0117]參照?qǐng)D10 (C)，將所述掩模圖案130使用為蝕刻掩模而對(duì)下部氮化物層125進(jìn)行蝕刻。可利用反應(yīng)性離子蝕刻技術(shù)等干式蝕刻技術(shù)而蝕刻下部氮化物層125。通過(guò)蝕刻下部氮化物層125而形成凹陷部125a。
[0118]參照?qǐng)D10 (d)，所述凹陷部125a內(nèi)形成氮化物半導(dǎo)體的犧牲層140。犧牲層140可以由相比于下部氮化物層125摻雜著相對(duì)較高濃度的雜質(zhì)(例如Si)的高濃度摻雜層形成。例如，犧牲層140可具有3E18/cm3以上的Si摻雜濃度。
[0119]參照?qǐng)D10 (e),利用電化學(xué)蝕刻(electro chemical etching:ECE)而部分性地蝕刻所述犧牲層而在犧牲層140內(nèi)形成微氣孔150。
[0120]通過(guò)將形成有犧牲層140的生長(zhǎng)基板110和陰極(例如Pt電極)浸泡在電化學(xué)蝕刻溶液之后將正電壓施加于犧牲層140而將負(fù)電壓施加于陰極而執(zhí)行所述電化學(xué)蝕刻工藝，并可以通過(guò)調(diào)節(jié)電化學(xué)蝕刻溶液的摩爾濃度、工藝時(shí)間、以及施加電壓而調(diào)節(jié)微氣孔150的大小。
[0121]所述電化學(xué)蝕刻溶液可以是電解質(zhì)溶液，例如可以是包含乙二酸(oxalic acid)、HF、或NaOH的電解質(zhì)溶液。
[0122]在本實(shí)施例中，可通過(guò)連續(xù)施加恒定電壓(例如10?60V范圍)的單步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)而部分性地蝕刻犧牲層140。然而并不局限于此，也可以通過(guò)初期施加相對(duì)較低的電壓之后施加相對(duì)較高的電壓的兩步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)而部分性地蝕刻。圖10 (e)表示通過(guò)兩步驟電化學(xué)蝕刻(ECE)形成的微氣孔152、154，其中相對(duì)較小的微氣孔152在施加相對(duì)較低的電壓的第一階段形成，而相對(duì)較大的微氣孔154在施加相對(duì)較高的電壓的第二階段形成。例如，可利用20°C的0.3M乙二酸溶液而對(duì)Si摻雜濃度為6E18/cm3的犧牲層140執(zhí)行第一階段施加8?9V電壓而第二階段施加15?17V電壓的電化學(xué)蝕刻。
[0123]通過(guò)利用兩步驟電化學(xué)蝕刻，可以使?fàn)奚鼘?40的表面維持相對(duì)較好的結(jié)晶性，并能夠在犧牲層140的內(nèi)部形成相對(duì)較大的微氣孔154，從而對(duì)后續(xù)工序有利。
[0124]另外，在進(jìn)行所述電化學(xué)蝕刻的時(shí)間內(nèi)，由于下部氮化物層125的雜質(zhì)濃度相對(duì)較低，因此實(shí)際上不會(huì)被蝕刻而殘留。
[0125]參照?qǐng)D10 (f)，將所述犧牲層140使用為種子(Seed)而生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160。第一氮化物半導(dǎo)體層160不僅覆蓋犧牲層140，而且還覆蓋掩模圖案130。
[0126]所述第一氮化物半導(dǎo)體層160可以是單層，然而并不局限于此而也可以是多層。這種多層可以包含未摻雜層和摻雜層。[0127]另外，在生長(zhǎng)所述第一氮化物半導(dǎo)體層160的期間，微氣孔152、154相互合并和生長(zhǎng)，從而使下部氮化物層125的凹陷部125a內(nèi)形成空穴140a。利用所述空穴140a并借助于機(jī)械應(yīng)力或熱應(yīng)力等物理應(yīng)力或者利用蝕刻溶液的化學(xué)蝕刻而分離生長(zhǎng)基板110。例如可以在所述第一氮化物半導(dǎo)體層160上連續(xù)生長(zhǎng)用于制造發(fā)光二極管的氮化物半導(dǎo)體層，然后貼附支撐基板，并對(duì)所述下部氮化物層125和掩模圖案130部分施加應(yīng)力，從而分離生長(zhǎng)基板110。另外，以下參照?qǐng)D11對(duì)利用化學(xué)蝕刻分離生長(zhǎng)基板110的方法進(jìn)行說(shuō)明。在圖11中，掩模圖案130的間距與圖10中的相同，然而為了有助于理解而表示為更加稠密。
[0128]參照?qǐng)D11(a)，犧牲層140上形成包含第一氮化物半導(dǎo)體層160、活性層170、以及第二氮化物半導(dǎo)體層180的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200。如前所述，在形成所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的期間，犧牲層140內(nèi)的微氣孔152、154使下部氮化物層125的凹陷部125a內(nèi)形成空穴140a。
[0129]由于所述第一氮化物半導(dǎo)體層160、所述活性層170、以及所述第二氮化物半導(dǎo)體層180與參照?qǐng)D2 (a)說(shuō)明的相同，因此為了避免重復(fù)而省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0130]參照?qǐng)D11 (b)，如參照?qǐng)D2 (b)進(jìn)行的說(shuō)明，通過(guò)將所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200圖案化而形成元件分離區(qū)域200a。
[0131]參照?qǐng)D11 (c)，如參照?qǐng)D2 (c)進(jìn)行的說(shuō)明，氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200上被貼附支撐基板210。
[0132]在本實(shí)施例中說(shuō)明了所述金屬層190在形成元件分離區(qū)域200a之后形成的情形，然而并不局限于此。即，所述反射金屬層192和勢(shì)壘金屬層194也可以在形成元件分離區(qū)域200a之前形成。并且，所述粘結(jié)金屬層196也可以在形成元件分離區(qū)域200a之前形成。
[0133]而且，如圖所示，支撐基板210可具有多個(gè)貫通孔210a。由于這些貫通孔210a與參照?qǐng)D4 (a)進(jìn)行的說(shuō)明相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。所述貫通孔210a在化學(xué)蝕刻過(guò)程中促進(jìn)蝕刻溶液向元件分離區(qū)域200a滲透，從而縮短分離生長(zhǎng)基板110的時(shí)間。
[0134]參照?qǐng)D11 (d)，如參照?qǐng)D2 (d)進(jìn)行的說(shuō)明，在貼附支撐基板210之后，利用NaOH、Β0Ε、或HF等蝕刻溶液而通過(guò)化學(xué)蝕刻而將生長(zhǎng)基板110從半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。可通過(guò)利用蝕刻溶液蝕刻掩模圖案130或者在掩模圖案130與氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的界面上對(duì)GaN進(jìn)行蝕刻而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。分離的生長(zhǎng)基板110可在進(jìn)行表面平整化之后被重新利用為生長(zhǎng)基板。
[0135]隨著掩模圖案130被除去，氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的表面、尤其是第一氮化物半導(dǎo)體層160的表面上形成凹陷區(qū)域130a和凸出區(qū)域160a。
[0136]在本實(shí)施例中說(shuō)明了通過(guò)化學(xué)蝕刻分離生長(zhǎng)基板110的情形，然而也可以利用物理應(yīng)力而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離。例如，可以在形成多個(gè)所述空穴140a之后對(duì)掩模圖案130施加應(yīng)力，從而使所述生長(zhǎng)基板110與所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200分離。
[0137]接著，通過(guò)參照?qǐng)D3 (a)?圖3 (d)說(shuō)明的工序得到發(fā)光二極管，為了避免重復(fù)而省略詳細(xì)說(shuō)明。并且，如圖4 (b)所示，支撐基板210的四個(gè)角落各自分得貫通孔210a而形成凹部210b。
[0138]根據(jù)本實(shí)施例，可以在不損傷氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的情況下分離生長(zhǎng)基板110。而且由于利用形成于生長(zhǎng)基板110與半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200之間的空穴140a而分離生長(zhǎng)基板110，因此可利用物理應(yīng)力或化學(xué)蝕刻而輕易地分離生長(zhǎng)基板110。而且，根據(jù)本實(shí)施例，可通過(guò)調(diào)節(jié)下部氮化物層125的厚度而調(diào)節(jié)空穴140a的大小，因此可以形成相對(duì)較大的空穴140a。據(jù)此，可在化學(xué)蝕刻過(guò)程中促進(jìn)蝕刻溶液的滲透而縮短工藝時(shí)間。并且，在形成元件分離區(qū)域的同時(shí)形成多個(gè)貫通孔210a，從而可以進(jìn)一步加快蝕刻溶液的滲透，由此進(jìn)一步縮短工藝時(shí)間。而且，分離的生長(zhǎng)基板110可被重新利用為生長(zhǎng)基板。
[0139]圖12為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0140]由于圖12 (a)?圖12 (d)與參照?qǐng)D10 (a)?圖10 (d)進(jìn)行的說(shuō)明相同，因此為了避免重復(fù)而省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0141]參照?qǐng)D12 (e)，犧牲層140上形成上部氮化物層142。上部氮化物層142中摻入摻雜濃度低于所述犧牲層140的雜質(zhì)(例如Si)，或者并不特意摻入雜質(zhì)而形成。例如，上部氮化物層142中可以不用特意摻入雜質(zhì)，或者由摻入3E18/cm3以下(更加優(yōu)選的是1E18/cm3以下)的Si的氮化鎵系材料(例如GaN層)形成。
[0142]參照?qǐng)D12 (f),通過(guò)電化學(xué)蝕刻(electro chemical etching:ECE)對(duì)犧牲層 140進(jìn)行蝕刻而形成空穴140a。
[0143]如參照?qǐng)D10(e)進(jìn)行的說(shuō)明，通過(guò)將形成有犧牲層140的生長(zhǎng)基板110和陰極(例如Pt電極)浸泡在電化學(xué)蝕刻溶液之后將正電壓施加于犧牲層140并將負(fù)電極施加于陰極而執(zhí)行所述電化學(xué)蝕刻工藝。
[0144]然而在本實(shí)施例中，所述電化學(xué)蝕刻工藝是在相對(duì)較高的電壓下進(jìn)行。圖13為表示在電化學(xué)蝕刻工序中蝕刻率隨電壓變化的曲線(xiàn)圖。其中，乙二酸溶液的摩爾濃度為0.3M，而作為樣品則是使用了在生長(zhǎng)基板上形成具有6E18/cm3的Si摻雜濃度的高濃度GaN層并在其上面形成未摻雜GaN層的材料。以5V為單位改變電壓而對(duì)高濃度GaN層進(jìn)行電化學(xué)蝕刻之后，測(cè)定高濃度GaN層的被蝕刻厚度，從而導(dǎo)出隨電壓而變的蝕刻率。如圖13所示，在30?40V范圍內(nèi)蝕刻率無(wú)顯著變化，然而隨著超過(guò)40V而急劇增加，并在55V下出現(xiàn)最大蝕刻率。約在50?65V范圍內(nèi)執(zhí)行電化學(xué)蝕刻時(shí)犧牲層140表現(xiàn)出較高的蝕刻率。因此，如果在相對(duì)較高的電壓下進(jìn)行電化學(xué)蝕刻，則可以用蝕刻工藝中形成空穴140a來(lái)代替形成微氣孔。
[0145]參照?qǐng)D12 (g)，隨后可以在所述上部氮化物層142上生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160。接著，可通過(guò)參照?qǐng)D2和圖3說(shuō)明的工序而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離，并可以制造如圖3 (d)所示的發(fā)光二極管。然而在本實(shí)施例中，在分離生長(zhǎng)基板110之后，可通過(guò)干式蝕刻工藝等除去上部氮化物層142。
[0146]根據(jù)本實(shí)施例，由于在沒(méi)有被電化學(xué)蝕刻侵蝕的上部氮化物層142上生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160，因此相比于前述實(shí)施例，可改善氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的結(jié)晶品質(zhì)。
[0147]圖14為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0148]根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法與前面參照?qǐng)D12說(shuō)明的方法大體上類(lèi)似。只是在圖12中犧牲層140被上部氮化物層142完全覆蓋，但在本實(shí)施例中犧牲層144卻沒(méi)有被上部氮化物層146覆蓋而露出在外。[0149]首先，由于圖14 (a)?圖14 (c)與圖10 (a)?圖10 (c)相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0150]參照?qǐng)D14 (d)，使?fàn)奚鼘?44部分性地覆蓋掩模圖案130的各掩模。犧牲層144填充形成于下部氮化物層125的凹陷部125a，并向掩模圖案130上側(cè)生長(zhǎng)而部分性地覆蓋掩模圖案130。掩模圖案130的各掩膜的中央部并不被犧牲層144覆蓋而露出。
[0151]另外，上部氮化物層146形成為填充犧牲層144內(nèi)的凹部并覆蓋掩模圖案130。犧牲層144的上部表面并不被上部氮化物層146覆蓋而向外部露出。
[0152]參照?qǐng)D14 (e)，通過(guò)電化學(xué)蝕刻對(duì)犧牲層144進(jìn)行蝕刻而形成空穴144a。與參照?qǐng)D12 (f)進(jìn)行的說(shuō)明相同，電化學(xué)蝕刻可以在高壓下進(jìn)行。
[0153]參照?qǐng)D14 (f)，將上部氮化物層146使用為種子而生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160。接著，通過(guò)參照?qǐng)D2和圖3說(shuō)明的工序而將生長(zhǎng)基板110從氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200中分離，并可制造如圖3 (d)所示的發(fā)光二極管。在本實(shí)施例中，上部氮化物層146可在分離生長(zhǎng)基板110之后借助于干式蝕刻工藝等而被除去。
[0154]根據(jù)本實(shí)施例，由于將沒(méi)有被電化學(xué)蝕刻所侵蝕的上部氮化物層146使用為種子而生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160，因此可以改善氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的結(jié)晶品質(zhì)。
[0155]圖15為用于一并說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的生長(zhǎng)基板分離方法和發(fā)光二極管制造方法的剖面圖。
[0156]前述實(shí)施例中說(shuō)明了先在生長(zhǎng)基板110上生長(zhǎng)下部氮化物層125之后在下部氮化物層125上形成掩模圖案130的情形。然而在本實(shí)施例中要對(duì)省去下部氮化物層125而在生長(zhǎng)基板110上直接形成掩模圖案130的情形進(jìn)行說(shuō)明。
[0157]參照?qǐng)D15 (a)，在生長(zhǎng)基板110上形成掩模圖案130。由于掩模圖案130與參照?qǐng)D10(b)進(jìn)行的說(shuō)明相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。掩模圖案130使生長(zhǎng)基板110部分性露出。此外，可將所述掩模圖案130使用為蝕刻掩模而對(duì)基板110進(jìn)行蝕刻。
[0158]參照?qǐng)D15(b)，生長(zhǎng)基板110上形成犧牲層140。犧牲層140填充由掩模圖案130確定的凹陷部。進(jìn)而，犧牲層140還可以部分性地覆蓋掩模圖案130。
[0159]參照?qǐng)D15 (c)，將上部氮化物層142形成為覆蓋所述犧牲層140和掩模圖案130。由于上部氮化物層142與參照?qǐng)D12(e)說(shuō)明的上部氮化物層142相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0160]參照?qǐng)D15 (d)，通過(guò)電化學(xué)蝕刻工藝蝕刻犧牲層140而形成空穴140a。由于電化學(xué)蝕刻工藝與參照?qǐng)D12 (f)說(shuō)明的相同，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。
[0161]參照?qǐng)D15 (e)，在所述上部氮化物層142上形成第一氮化物半導(dǎo)體層160，然后通過(guò)參照?qǐng)D2和圖3說(shuō)明的工序制造類(lèi)似于圖3 (d)所示的發(fā)光二極管。而且，上部氮化物層142可在分離生長(zhǎng)基板110之后借助于干式蝕刻等而被除去。
[0162]在本實(shí)施例中，由于可以省略下部氮化物層125，因此可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化工序。
[0163]另外，在本實(shí)施例中是對(duì)上部氮化物層142完全覆蓋犧牲層140的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以像參照?qǐng)D14 (d)說(shuō)明的一樣，使?fàn)奚鼘?44部分性地覆蓋掩模圖案130的各掩膜，而上部氮化物層146覆蓋露出的掩模圖案130，并使?fàn)奚鼘?44露出。
[0164]而且在本實(shí)施例中可以省略上部氮化物層142，并且像參照?qǐng)D10 (e)說(shuō)明的那樣，可通過(guò)電化學(xué)蝕刻而在犧牲層140中形成微氣孔152、154。然后，可將所述犧牲層140使用為種子而生長(zhǎng)第一氮化物半導(dǎo)體層160，并可以在形成半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)200的期間形成空穴 140a。
[0165]雖然說(shuō)明了多種實(shí)施例，然而不能認(rèn)為本發(fā)明局限于特定實(shí)施例。而且，在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)也可以將特定實(shí)施例中說(shuō)明的構(gòu)成要素應(yīng)用于其他實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種生長(zhǎng)基板分離方法，包括如下步驟:準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板；在所述生長(zhǎng)基板上形成犧牲層和掩模圖案，并使所述犧牲層在所述掩模圖案的開(kāi)口部露出；通過(guò)電化學(xué)蝕刻而對(duì)所述犧牲層進(jìn)行蝕刻；覆蓋所述掩模圖案，并形成通過(guò)元件分離區(qū)域而相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上貼附支撐基板，所述支撐基板具有連接于所述元件分離區(qū)域的多個(gè)貫通孔；將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離。
2.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述犧牲層形成于所述生長(zhǎng)基板上，而所述掩模圖案形成于所述犧牲層上。
3.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，至少分兩個(gè)步驟施加電壓而部分性地蝕刻所述犧牲層，并且先施加的電壓低于后施加的電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，形成所述相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟包括將所述犧牲層使用為種子而生長(zhǎng)覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，在形成所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的期間，在所述犧牲層中形成空穴。
6.如權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，形成所述相互分離的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的步驟還包括將生長(zhǎng)的所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)圖案化而形成所述元件分離區(qū)域的步驟。
7.如權(quán)利要求4所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，在生長(zhǎng)所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)之前，還包括形成用于將所述掩模圖案劃分為多個(gè)區(qū)域的分離掩模的步驟，并使所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)在所述分離掩模上彼此分開(kāi)而生長(zhǎng)，從而形成所述元件分離區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，彼此分開(kāi)的多個(gè)所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)在平面圖中分別具有四邊形形狀，而所述支撐基板的貫通孔與所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的四個(gè)角落相鄰而排列。
9.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述支撐基板的貫通孔具有不超出所述元件分離區(qū)域而設(shè)置的大小，且被整齊排列于所述元件分離區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，通過(guò)施加應(yīng)力或借助于化學(xué)蝕刻而將所述生長(zhǎng)基板從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
11.如權(quán)利要求10所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，通過(guò)利用NaOH、B0E、或HF的化學(xué)蝕刻而將所述生長(zhǎng)基板從所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中分離。
12.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述掩模圖案為掩模區(qū)域具有條紋形狀、菱形或六邊 形形狀的陽(yáng)刻圖案。
13.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述掩模圖案為開(kāi)口部區(qū)域具有菱形或六邊形形狀的陰刻圖案。
14.如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，在貼附所述支撐基板之前，還包括在所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上形成反射金屬層、勢(shì)壘金屬層、以及粘結(jié)金屬層的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述粘結(jié)金屬層包覆所述反射金屬層和所述勢(shì)壘金屬層。
16.一種發(fā)光二極管制造方法，包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求15中的任意一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)基板分尚方法。
17.一種發(fā)光二極管，包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求15中的任意一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)基板分離方法進(jìn)行制造。
18.—種發(fā)光二極管,包括: 支撐基板； 半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，位于所述支撐基板上，且包含活性層； 周期性凹凸圖案，形成于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上部面， 其中，所述支撐基板在角落部分具有凹部。
19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管，其中，所述支撐基板在平面圖中具有四邊形形狀，且所述支撐基板的四個(gè)角落部分分別具有凹部。
20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管，其中，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)位于所述凹部的內(nèi)側(cè)。
21.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管，其中，在所述周期性凹凸圖案的凹部及凸部上分別具有粗糙表面。
22.—種生長(zhǎng)基板分離方法，包括如下步驟: 準(zhǔn)備生長(zhǎng)基板； 在所述生長(zhǎng)基板上形成掩模圖案； 在所述生長(zhǎng)基板上選擇性生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體的犧牲層，并至少露出所述掩模圖案的各掩模的上部區(qū)域中的一部分； 通過(guò)電化學(xué)蝕刻而對(duì)所述犧牲層至少進(jìn)行部分性蝕刻； 形成覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)； 將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離。
23.如權(quán)利要求22所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，還包括如下步驟: 在形成所述掩模圖案之前在所述生長(zhǎng)基板上形成下部氮化物層； 將所述掩模圖案用作蝕刻掩模而對(duì)所述下部氮化物層進(jìn)行蝕刻而形成凹陷部， 其中，所述犧牲層填充所述凹陷部，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述下部氮化物層更聞的雜質(zhì)。
24.如權(quán)利要求23所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，還包括形成覆蓋所述掩模圖案的上部氮化物層的步驟，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述上部氮化物層更高的雜質(zhì)，而且在所述上部氮化物層形成之后，通過(guò)所述電化學(xué)蝕刻而在所述犧牲層中形成空穴，并使所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)形成于所述上部氮化物層上。
25.如權(quán)利要求24所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，將所述上部氮化物層形成為覆蓋所述犧牲層。
26.如權(quán)利要求24所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，所述上部氮化物層形成為覆蓋通過(guò)所述犧牲層露出的所述掩模，并使所述犧牲層露出。
27.如權(quán)利要求22所述的生長(zhǎng)基板分離方法，其中，還包括形成覆蓋所述掩模圖案的上部氮化物層的步驟，并且，所述犧牲層中摻雜著濃度比所述上部氮化物層更高的雜質(zhì)，而且在所述上部氮化物層形成之后，通過(guò)所述電化學(xué)蝕刻而在所述犧牲層中形成空穴，并使所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)形成于所述上部氮化物層上。
28.一種發(fā)光二極管制造方法，包括權(quán)利要求22至權(quán)利要求27中的任意一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)基板分尚方法。
29.—種發(fā)光二極管,包括: 支撐基板； 半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，位于所述支撐基板上，且包含活性層； 凹凸圖案，形成于所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的上部面； 電極，形成于所述凹凸圖案的局部。
30.一種生長(zhǎng)基板分離方法，包括如下步驟: 準(zhǔn)備包含圖案的生長(zhǎng)基板； 在所述生長(zhǎng)基板上形成 犧牲層和掩模圖案，并使所述犧牲層在所述掩模圖案的開(kāi)口部露出； 蝕刻所述犧牲層而形成空穴； 形成覆蓋所述掩模圖案的氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)； 將所述生長(zhǎng)基板從所述氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)分離。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103730544SQ201310481911
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】許政勛, 崔周源, 李忠敏, 金永郁, 辛秀珍, 紅豎延 申請(qǐng)人:首爾偉傲世有限公司