表面處理的裝置和方法及墊調(diào)節(jié)器和半導體器件制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了表面處理的裝置和方法及墊調(diào)節(jié)器和半導體器件制造方法。該裝置包括注入部件、傳送部件、壓力供給部件、碰撞部件和排放部件。物體通過注入部件被注入。傳送部件連接到注入部件并且在其多個點處彎折。物體穿過傳送部件。壓力供給部件與傳送部件連接并且將壓力供給到傳送部件中以移動物體。碰撞部件與在傳送部件中移動的物體碰撞，以處理物體的表面。排放部件與傳送部件連接，具有處理過的表面的物體通過排放部件被排放。
【專利說明】表面處理的裝置和方法及墊調(diào)節(jié)器和半導體器件制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于物體的表面處理的裝置和方法以及制造墊調(diào)節(jié)器的方法、化學機械拋光的方法和制造半導體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]化學機械拋光(CMP)工藝通過使用拋光墊而機械地拋光晶片并且同時使用拋光液(slurry)而化學地拋光該晶片來執(zhí)行，在使用拋光墊重復地執(zhí)行CMP工藝時，拋光液和拋光副產(chǎn)物可能沉積在拋光墊上，從而降低了拋光晶片的效率。因而，拋光墊的表面可以通過墊調(diào)節(jié)器(pad conditioner)來調(diào)節(jié),從而保持清潔和均勻。
[0003]墊調(diào)節(jié)器可以包括在板上的人造金剛石，當墊調(diào)節(jié)器被用于調(diào)節(jié)拋光墊時，人造金剛石可能被碾碎或者與墊調(diào)節(jié)器分離而附著到拋光墊上，使得晶片可能在使用該拋光墊的CMP工藝期間被劃傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]示例實施方式提供一種人造金剛石的表面處理的裝置。
[0005]示例實施方式提供一種處理人造金剛石的表面的方法。
[0006]示例實施方式提供一種利用人造金剛石制造墊調(diào)節(jié)器的方法。
[0007]示例實施方式提供一種利用墊調(diào)節(jié)器的CMP方法。
[0008]示例實施方式提供一種利用CMP方法制造半導體器件的方法。
[0009]根據(jù)示例實施方式，提供一種表面處理的裝置。該裝置包括注入部件、傳送部件、壓力供給部件、碰撞部件和排放部件。傳送部件包括具有相對的第一和第二端部分的通道。傳送部件通道在其多個點處彎折。注入部件在傳送部件通道的第一端部分處，而排放部件在傳送部件通道的第二端部分處。注入部件配置為將物體注入到傳送部件通道中。排放部件配置為從傳送部件通道排放出物體。壓力供給部件與傳送部件通道連接，并且配置為將壓力供給到傳送部件通道中以使物體朝向排放部件移動。傳送部件通道的彎折點中的至少一些被暴露于碰撞部件，使得在傳送部件通道中移動的物體與碰撞部件碰撞，以處理物體的表面。
[0010]在示例實施方式中，傳送部件可以是在其中設(shè)置有通道的襯底。碰撞部件可以可分離地安裝在襯底上。
[0011]在不例實施方式中，碰撞部件可以在傳送部件的多個點中的一些點處通過傳送部件暴露，以與在傳送部件中移動的物體碰撞。
[0012]在示例實施方式中，碰撞部件可以在傳送部件的多個點中的奇數(shù)點處通過傳送部件暴露，以與在傳送部件中移動的物體碰撞。
[0013]在示例實施方式中，傳送部件在其多個點中的奇數(shù)點處的直徑可以大于在其多個點中的偶數(shù)點處的直徑。
[0014]在示例實施方式中，碰撞部件可以包括:第一靶，在傳送部件的多個點中的奇數(shù)點處通過傳送部件暴露，以與在傳送部件中移動的物體碰撞；以及第二靶，在傳送部件的多個點中的偶數(shù)點處通過傳送部件暴露，以與在傳送部件中移動的物體碰撞。
[0015]在示例實施方式中，壓力供給部件可以通過向傳送部件中噴射氣體或液體而供給壓力。
[0016]在示例實施方式中，氣體可以包括空氣，所述液體可以包括水。
[0017]在示例實施方式中，多個壓力供給部件可以形成在該裝置中。
[0018]在示例實施方式中，物體可以是人造金剛石。
[0019]根據(jù)其它示例實施方式，一種用于物體的表面處理的裝置包括主體、注入構(gòu)件、排放構(gòu)件、壓力供給構(gòu)件和碰撞構(gòu)件。主體具有傳送通路，該傳送通路具有相對的第一和第二端，傳送通路在傳送通路的多個間隔開的彎折部分處彎折。注入構(gòu)件在傳送通路的第一端處，并且注入構(gòu)件配置為將物體注入到傳送通路中。排放構(gòu)件在傳送通路的第二端處，并且排放構(gòu)件配置為將物體從傳送通道排放出。壓力供給構(gòu)件在注入構(gòu)件附近與傳送通路連接，并且配置為將壓力供給到傳送通路。碰撞構(gòu)件在主體上，傳送通路的彎折部分的至少一些被暴露于碰撞構(gòu)件。該裝置配置為使得通過注入構(gòu)件注入的物體通過由壓力供給構(gòu)件供給的壓力而沿著傳送通路被運送，以使得在物體通過排放構(gòu)件被排放之前，物體在傳送通路的暴露于碰撞構(gòu)件的彎折部分處與碰撞構(gòu)件碰撞。
[0020]根據(jù)不例實施方式，提供一種用于物體的表面處理的方法。該方法包括括提供一種裝置，該裝置包括:注入部件；排放部件；傳送部件，具有在注入部件和排放部件之間延伸的傳送通道，其中傳送通道在傳送通道的多個間隔開的彎折部分處彎折；在傳送部件上的碰撞部件，其中傳送通道的彎折部分中的至少一些被暴露于碰撞構(gòu)件；以及壓力供給部件，與傳送通道連接。該方法包括:經(jīng)由注入部件將物體注入到傳送通道中；經(jīng)由壓力供給部件將壓力供給到傳送通道中；利用所供給的壓力通過傳送通道運送物體，使得物體在傳送通道的暴露于碰撞構(gòu)件的彎折部分處與碰撞部件碰撞，以處理物體的表面；以及經(jīng)由排放部件排放出具有處理過的表面的物體。
[0021]根據(jù)示例實施方式，提供一種表面處理的方法。在該方法中，物體經(jīng)由注入部件被注入到傳送部件中。壓力經(jīng)由壓力供給部件被供給到傳送部件中以在傳送部件中移動物體。物體沿著相對于碰撞部件的表面傾斜的方向與碰撞部件碰撞多次，以處理物體的表面。其表面已被處理過的物體經(jīng)由與傳送部件連接的排放部件被排放。
[0022]根據(jù)示例實施方式，提供一種制造墊調(diào)節(jié)器的方法。在該方法中，人造金剛石經(jīng)由注入部件被注入到傳送部件中。傳送部件在其多個點處彎折。壓力經(jīng)由壓力供給部件被供給到傳送部件中以在傳送部件中移動人造金剛石。在傳送部件中移動的人造金剛石與碰撞部件碰撞多次，以處理人造金剛石的表面。其表面已被處理過的人造金剛石經(jīng)由與傳送部件連接的排放部件被排放。所排放的人造金剛石被安裝在板上。在板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到板上。
[0023]根據(jù)示例實施方式，提供一種CMP的方法。在該方法中，在襯底上形成物體層。通過以下步驟制造墊調(diào)節(jié)器:人造金剛石經(jīng)由注入部件被注入到傳送部件中，該傳送部件在其多個點處彎折；壓力經(jīng)由壓力供給部件被供給到傳送部件中以在傳送部件中移動人造金剛石；在傳送部件中移動的人造金剛石與碰撞部件碰撞多次，以處理人造金剛石的表面；其表面已被處理過的人造金剛石經(jīng)由與傳送部件連接的排放部件被排放；將所排放的人造金剛石安裝到板上；以及在板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到板上。利用墊調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)拋光墊。利用調(diào)節(jié)過的拋光墊以及拋光液拋光物體層。
[0024]根據(jù)示例實施方式，提供一種制造半導體器件的方法。在該方法中，I)在襯底上形成物體層。II)通過以下步驟制造墊調(diào)節(jié)器:人造金剛石經(jīng)由注入部件被注入到傳送部件中，該傳送部件在其多個點處彎折；壓力經(jīng)由壓力供給部件被供給到傳送部件中以在傳送部件中移動人造金剛石；在傳送部件中移動的人造金剛石與碰撞部件碰撞多次，以處理人造金剛石的表面；其表面已被處理過的人造金剛石經(jīng)由與傳送部件連接的排放部件被排放；將所排放的人造金剛石安裝到板上；以及在板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到板上。III)利用墊調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)拋光墊。IV)利用調(diào)節(jié)過的拋光墊以及拋光液拋光物體層。步驟I)、III)和IV)的每個被執(zhí)行至少一次
[0025]根據(jù)示例實施方式，物體例如人造金剛石可以與表面處理裝置的碰撞部件碰撞多次，使得人造金剛石的粗糙表面可以被平滑化，并且多晶人造金剛石可以被分成單晶人造金剛石。因而，在用CMP裝置的墊調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)拋光墊時，該墊調(diào)節(jié)器包括人造金剛石，該人造金剛石的表面已經(jīng)被處理過，人造金剛石不會從墊調(diào)節(jié)器分離而粘到拋光墊上，因而在使用該CMP裝置對晶片的CMP工藝期間，不會在晶片上產(chǎn)生劃傷。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]從以下結(jié)合附圖的詳細描述，示例實施方式將被更清楚地理解。圖1至圖37描繪了如此處描述的非限制的示例實施方式。
[0027]圖1是示出根據(jù)示例實施方式的表面處理裝置的透視圖；
[0028]圖2是示出根據(jù)一些示例實施方式的圖1的表面處理裝置的傳送部件的截面圖；
[0029]圖3是示出根據(jù)其他示例實施方式的表面處理裝置的截面圖；
[0030]圖4是顯示在圖1和圖2的表面處理裝置的傳送部件中物體的移動以及物體與其碰撞部件的碰撞的圖不;
[0031]圖5和圖6是不出其它不例實施方式中的表面處理裝置的截面圖；
[0032]圖7是示出使用根據(jù)示例實施方式的表面處理裝置來處理物體表面的方法的流程圖；
[0033]圖8至圖10是示出根據(jù)示例實施方式的制造墊調(diào)節(jié)器的方法的截面圖；
[0034]圖11是通過圖8至圖10的方法制造的墊調(diào)節(jié)器的平面圖；
[0035]圖12是示出用于執(zhí)行CMP方法的CMP裝置的透視圖；
[0036]圖13是示出使用圖12的CMP裝置的CMP方法的流程圖；
[0037]圖14是示出通過使用包括墊調(diào)節(jié)器的CMP裝置拋光物體層來制造半導體器件的方法的流程圖，該墊調(diào)節(jié)器可以包括通過根據(jù)示例實施方式的表面處理方法制造的人造金剛石；
[0038]圖15至圖31示出根據(jù)示例實施方式的制造半導體器件的方法的各階段，圖15、圖
17、圖19、圖21、圖23、圖25和圖27是示出根據(jù)示例實施方式的制造半導體器件的方法的各階段的平面圖，圖16、圖18、圖20、圖22、圖24、圖26和圖28至圖31是示出根據(jù)示例實施方式的制造半導體器件的方法的各階段的截面圖；以及[0039]圖32至圖37是示出根據(jù)示例實施方式的制造半導體器件的方法的各階段的截面圖。
【具體實施方式】
[0040]將在下文中參考附圖更全面地描述多個示例實施方式，在附圖中顯示了一些示例實施方式。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實施且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的示例實施方式。而是，提供這些示例實施方式使得該描述將透徹和完整，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在圖中，為了清晰，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
[0041]將理解，當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到或直接聯(lián)接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)?。相反，當元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，則沒有居間元件或?qū)哟嬖?。相同的附圖標記始終指代相同的元件。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列舉項目的任意和所有組合。
[0042]將理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三、第四等可以用于此來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分。因而，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導。
[0043]為了便于描述，可以在此使用空間相對術(shù)語，諸如“在……下面”、“以下”、“下”、“在……上”、“上”等來描述一個元件或特征與其它元件或特征如圖中所示的關(guān)系。將理解，空間相對術(shù)語旨在包含除了圖中所描繪的取向之外，裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下”或“下面”的元件可以取向為在所述其它元件或特征“上〃。因而，示例性術(shù)語“在……下”可以包含上和下兩種取向。裝置可以被另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間相對描述語可以被相應(yīng)地解釋。
[0044]在此使用的術(shù)語僅用于描述特定示例實施方式，不意欲限制本發(fā)明構(gòu)思。在此使用時，單數(shù)形式也旨在包括復數(shù)形式，除非上下文清晰地另外表示。還將理解，當在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。
[0045]在此參考圖示(例如,截面圖示)描述了示例實施方式，其中所述圖示是理想化的示例實施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。因此，由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏離是可以預期的。因而，示例實施方式不應(yīng)被理解為限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣一般將具有圓化或彎曲的特征和/或注入濃度梯度，而不是注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)可導致埋入?yún)^(qū)與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因而，除非另有陳述，在圖 中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的實際形狀，并且不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。[0046]除非另外地定義，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。還將理解，術(shù)語(諸如在通常使用的字典中所定義的那些)應(yīng)被理解為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的含義一致的含義，將不被理解為理想化或過度正式的意義，除非在此清楚地如此定義。
[0047]圖1是示出根據(jù)示例實施方式的表面處理裝置的透視圖，圖2是示出表面處理裝置的傳送部件的截面圖，圖3是示出根據(jù)其它示例實施方式的表面處理裝置的截面圖，圖4是顯示在圖1和圖2的表面處理裝置的傳送部件中物體的移動以及物體與其碰撞部件的碰撞的圖示。為了便于說明，圖2和圖3顯示了傳送部件形成在其中的襯底的截面圖，而表面處理裝置的其他部件在圖1的透視圖中顯示。
[0048]參考圖1和圖2，表面處理裝置可以通過碰撞來處理物體的表面，并且可以包括:注入器件、注入構(gòu)件或注入部件件110 ;傳送器件、傳送構(gòu)件或傳送部件120 ;壓力供給器件、壓力供給構(gòu)件或壓力供給部件130 ;碰撞器件、碰撞構(gòu)件或碰撞部件140 ;以及排放器件、排放構(gòu)件或排放部件150。
[0049]物體可以包括其形狀可以是不規(guī)則的或粗糙的表面，或者可以包括在其上具有尖端或缺陷的表面。備選地，物體可具有多晶結(jié)構(gòu)。因而，物體的表面可以通過表面處理裝置處理以使得物體的表面可具有規(guī)則或光滑的形狀或者可以從物體去除尖端或缺陷。備選地，物體可以被分成多個塊，每個塊可以具有單晶結(jié)構(gòu)。
[0050]在示例實施方式中，物體可以是用于墊調(diào)節(jié)器的人造金剛石，該墊調(diào)節(jié)器可以調(diào)節(jié)化學機械拋光(CMP)裝置的拋光墊。
[0051]注入部件110可以是表面處理裝置的物體可以被注入其中的部件。在示例實施方式中，注入部件110可具有漏斗形狀，其入口可具有相對大的直徑而出口可具有相對小的直徑。在示例實施方式中，注入部件Iio的出口的直徑可以是物體直徑的約I倍至約2倍。因而，雖然許多物體能夠被同時注入到注入部件110中，但是僅一個物體可以被注入到與注入部件110的出口連接的傳送部件120中。
[0052]傳送部件120的一端可以與注入部件110的出口連接，傳送部件120可以從注入部件Iio的出口延伸，從而用作被注入到注入部件110中的物體的移動路徑。在示例實施方式中，傳送部件120可以延伸為在其多個點(例如，傳送部件120的彎折或轉(zhuǎn)換點，在此處傳送部件120改變方向)處彎折。
[0053]在示例實施方式中，傳送部件120可以是在主體、殼體或襯底100中的通道、通路或孔。襯底100可以包括例如金屬諸如不銹鋼。備選地，傳送部件120可以是包括金屬的諸如管的管狀組件。在下文中，為了便于說明，可以僅示出其中傳送部件120具有孔形狀的情形。
[0054]壓力供給部件130可以與傳送部件120連接以向其中供給壓力，使得注入到傳送部件120中的物體可以在其中移動。因而，壓力供給部件130可以設(shè)置在傳送部件120的與注入部件110的出口相鄰的部分處。
[0055]備選地，多個壓力供給部件130可以設(shè)置為與傳送部件120的多個點連接，在圖3中示出了包括多個壓力供給部件130的表面處理裝置。當表面處理裝置包括多個壓力供給部件130時，施加到在傳送部件120中移動的物體的壓力可以受到控制。
[0056]壓力供給部件130可以通過噴射氣體(例如空氣)或液體(例如水)而供給壓力。[0057]碰撞部件140可以與在傳送部件120中移動的物體碰撞多次以處理物體的表面。也就是說，當物體包括具有不規(guī)則或粗糙形狀的表面時，或者包括在其上具有尖端或缺陷的表面時，物體可以與碰撞部件140碰撞多次以使得物體的表面被處理。因而，物體可具有規(guī)則或光滑的形狀，或可以從物體去除尖端或缺陷。備選地，當物體具有多晶結(jié)構(gòu)時，物體可以被分成幾塊以使得每個物體可具有單晶結(jié)構(gòu)。碰撞部件140可以包括例如金屬，諸如不銹鋼。
[0058]在示例實施方式中，碰撞部件140可以在傳送部件120的多個點(例如，彎折或轉(zhuǎn)換點)中的一些點處被傳送部件120暴露以與物體碰撞，在所述多個點處傳送部件120彎折。例如，傳送部件120可以在第一至第九點P1-P9處彎折，碰撞部件140可以在奇數(shù)點PU P3、P5、P7和P9 (例如，碰撞點或碰撞部分)處被傳送部件120暴露以與物體碰撞。如所示出的，碰撞部件140的五個部分可以與物體碰撞，然而可預期更多或更少數(shù)量的這樣的部分。
[0059]在示例實施方式中，傳送部件120的奇數(shù)彎折部分P1、P3、P5、P7和P9的第一直徑Dl可以大于傳送部件120的偶數(shù)彎折部分P2、P4、P6和P8的第二直徑D2。例如，第一直徑Dl可以是物體直徑的約1.5至約3倍，第二直徑D2可以是物體直徑的約I至約1.5倍。
[0060]在示例實施方式中，傳送部件120的沿著物體可以相對于碰撞部件140表面的法線移動的方向從偶數(shù)點P2、P4、P6和P8延伸至奇數(shù)點P1、P3、P5、P7和P9的部分的第一角度A可以大于傳送部件120的沿著物體可以相對于碰撞部件140表面的法線移動的方向從奇數(shù)點PU P3、P5、P7和P9延伸至偶數(shù)點P2、P4、P6和P8的部分的第二角度B。
[0061]因而，參考圖2和圖4，通過物體例如人造金剛石10和碰撞部件140之間的碰撞從人造金剛石10的表面去除尖端15的過程可以為如下所示。
[0062]人造金剛石10可以在傳送部件120中移動并且在第一點Pl處與碰撞部件140的表面碰撞。在該點Pi處，人造金剛石10可以改變其方向。因而，在人造金剛石10的沿著移動方向的后表面上的尖端15可以改變其位置至人造金剛石10的沿著移動方向的前表面。傳送部件120可具有相對大的第一直徑D1，因而人造金剛石10可以更容易改變其方向。
[0063]人造金剛石10可以朝向傳送部件120的第二點P2移動。第二角度B小于第一角度A，因而人造金剛石10可以沿著傳送部件120的側(cè)壁移動或者附著到其上，或者與傳送部件120的相對側(cè)壁交替地碰撞。當人造金剛石10通過第二點P2時，傳送部件120可具有相對小的第二直徑D2，因而人造金剛石10可以不改變其方向。
[0064]當人造金剛石10通過第三點P3時，人造金剛石10的前表面上的尖端15可以與碰撞部件140的表面碰撞,人造金剛石10可以像在第一點Pl處一樣地改變其方向。也就是說，在人造金剛石10通過第一、第三、第五、第七和第九點PU P3、P5、P7和P9時，人造金剛石10與碰撞部件140碰撞的表面可以改變，因而人造金剛石10的整個表面可以被處理。圖4顯示了在人造金剛石10通過第三點P3時，由于在第一點Pl和第三點P3處的沖擊(impulse),尖端15可以被從人造金剛石10去除。
[0065]碰撞部件140可以可分離地或可釋放地安裝在襯底100上。例如，碰撞部件140可以通過一個或多個固定構(gòu)件或固定部件145例如螺釘和螺母而可分離地安裝在襯底100上。因而，當碰撞部件140與物體碰撞給定次數(shù)以上時，碰撞部件140可被以新的碰撞部件代替，從而可以保持碰撞部件140的功能，即處理物體表面的功能。[0066]排放部件150可以與傳送部件120的另一端連接以排放出其表面已被處理過的物體。在示例實施方式中，檢測或測量器件或單元(諸如分光鏡或者包括分光鏡)可以安裝在排放部件150處以檢測或測量物體的表面和/或結(jié)晶狀態(tài)，并且如果物體的表面沒有被充分地處理，可以單獨地收集或轉(zhuǎn)移物體并且再次將其傳送到注入部件110中。
[0067]圖5和圖6是不出其它不例實施方式中的表面處理裝置的截面圖。該表面處理裝置可以與參考圖1至圖3示出的那些實質(zhì)上相同或類似，除了傳送部件和碰撞部件之外。因而，此處可以省略關(guān)于相同或類似元件的詳細描述。
[0068]參考圖5和圖6，表面處理裝置可以包括:注入器件、注入構(gòu)件或注入部件210 ;傳送器件、傳送構(gòu)件或傳送部件220 ;壓力供給器件、壓力供給構(gòu)件或壓力供給部件230 ;碰撞器件、碰撞構(gòu)件或碰撞部件240 ;以及排放器件、排放構(gòu)件或排放部件250。
[0069]傳送部件220的一端可以與注入部件210的出口連接，傳送部件220可以從注入部件210的出口延伸以使得傳送部件220的另一端可以與排放部件250連接。在示例實施方式中，傳送部件220可以延伸為在其多個點處彎折。
[0070]在示例實施方式中，傳送部件220可以包括在水平方向上延伸的多個第一延伸部分和使所述多個第一延伸部分彼此連接的多個第一彎折部分，其在圖5中示出。也就是說，第一延伸部分可以通過第一彎折部分在傳送部件220的第一至第十點Pl-PlO處彼此連接。第一延伸部分和第一彎折部分的數(shù)目可以不限于所示出的那些，例如，傳送部件220可以包括至少30個第一彎折部分。
[0071]在其它示例實施方式中，傳送部件220可以包括在傾斜方向上延伸的多個第二延伸部分和使所述多個第二延伸部分彼此連接的多個第二彎折部分，其中該傾斜方向既不是水平方向也不是垂直方向，其在圖6中示出。也就是說，第二延伸部分可以通過第二彎折部分在傳送部件220的第一至第七點P1-P7處彼此連接。第二延伸部分和第二彎折部分的數(shù)目可以不限于所示出的那些。
[0072]在示例實施方式中，傳送部件220可以是在主體、殼體或襯底200中的通道、通路或孔。備選地，傳送部件220可以是包括金屬的諸如管的管狀構(gòu)件。在下文中，為了便于說明，可以僅示出其中傳送部件220具有孔形狀的情形。
[0073]壓力供給部件230可以與傳送部件220連接，并向其中供給壓力以使注入到傳送部件220中的物體可以在其中移動。因而，壓力供給部件230可以設(shè)置在傳送部件220的與注入部件210的出口相鄰的部分處。備選地，多個壓力供給部件230可以設(shè)置為與傳送部件220的多個點連接。在圖5和圖6中，示出了包括多個壓力供給部件230的表面處理
>j-U ρ?α裝直。
[0074]碰撞部件240可以與在傳送部件220中移動的物體碰撞多次以處理物體的表面。
[0075]在示例實施方式中，碰撞部件240可以包括在襯底200上彼此相對的第一和第二構(gòu)件、部分或靶(target) 242和244。第一靶242可以在傳送部件220的多個彎折部分所處的多個點Pl-PlO當中的奇數(shù)點PU P3、P5、P7和P9處被傳送部件220暴露或暴露于傳送部件220，以與物體碰撞。第二靶244可以在傳送部件220的多個彎折部分所處的多個點Pl-PlO當中的偶數(shù)點P2、P4、P6、P8和PlO處被傳送部件220暴露或暴露于傳送部件220，以與物體碰撞。
[0076]在圖6中，傳送部`件220的沿著物體可以相對于碰撞部件240的表面移動的方向從偶數(shù)點P2、P4和P6延伸到奇數(shù)點P1、P3、P5和P7的第二延伸部分的第三角度E可以與傳送部件220的沿著物體可以相對于碰撞部件240的表面移動的方向從奇數(shù)點P1、P3、P5和P7延伸到偶數(shù)點P2、P4和P6的第二延伸部分的第四角度F實質(zhì)上相同或不同。
[0077]第一和第二靶242和244可以包括例如金屬諸如不銹鋼，靶242和244的每個可以可分離地或可釋放地安裝在襯底200上。也就是說，例如，碰撞部件240可以通過一個或多個固定構(gòu)件或固定部件245例如螺釘和螺母而可分離地安裝在襯底200上。
[0078]與圖1至圖3的裝置不同，圖5和圖6的裝置可以包括由相對的第一和第二靶242和244組成的碰撞部件240，因而物體與碰撞部件240的碰撞次數(shù)可以增加。
[0079]圖7是示出使用根據(jù)示例實施方式的表面處理裝置來處理物體表面的方法的流程圖。在下文中，為了便于說明，將僅描述其中物體的表面用圖1和圖2的裝置處理的情形。
[0080]參考圖7，在步驟SllO中，其表面可以被處理的物體可以經(jīng)由注入部件110被注入到傳送部件120中，傳送部件120可以延伸為在多個點P1-P9處彎折。
[0081]在步驟S120中，與傳送部件120連接的壓力供給部件130可以將壓力供給到傳送部件120中以使得物體可以在傳送部件120中移動。
[0082]在步驟S130中，在傳送部件120中移動的物體可以與碰撞部件140碰撞多次，使得物體的表面可以被處理。
[0083]在示例實施方式中，傳送部件120可以延伸為在多個點P1-P9處彎折，物體可以至少在點P1-P9中的一些點處與碰撞部件140碰撞,使得物體可以沿著相對于碰撞部件140的表面傾斜的方向與碰撞部件140碰撞多次。
[0084]在步驟S140中，其表面已經(jīng)被處理過的物體可以經(jīng)由與傳送部件120連接的排放部件150被排放出。
[0085]通過上述步驟被排放出的物體可具有規(guī)則或光滑的表面，尖端可以從物體去除，或物體可以分裂以使得每個物體可以具有單晶結(jié)構(gòu)。
[0086]圖8至圖10是示出根據(jù)示例實施方式的制造墊調(diào)節(jié)器的方法的截面圖，圖11是通過上述方法制造的墊調(diào)節(jié)器的平面圖。
[0087]參考圖8，可以在板310上形成掩模320。
[0088]在示例實施方式中，板310可具有圓形形狀，并且可以包括金屬或塑料。掩模320可以包括多個開口 325，并且每個開口 325可以暴露板310的頂表面。在示例實施方式中，掩模320可以形成為包括絕緣材料。
[0089]參考圖9，參考圖7示出的處理表面的方法可以使用參考圖1至圖6示出的表面處理裝置來執(zhí)行，以制造多個人造金剛石330，多個人造金剛石330可以分別安裝在板310的暴露的頂表面上。
[0090]參考圖10，在去除掩模320之后，可以在板310上形成粘附層340，使得所安裝的人造金剛石330可以附著于板310上。
[0091]粘附層340可以形成為部分地覆蓋每個人造金剛石330。粘附層340可以通過使用例如金屬諸如鈀、鈷、鎳等電鍍而形成。
[0092]保護層350可以形成在粘附層340上以部分地覆蓋每個人造金剛石330，從而可以
制造墊調(diào)節(jié)器。
[0093]通過上述方法制造的墊調(diào)節(jié)器可以包括具有規(guī)則或光滑表面、沒有尖端、或具有單晶結(jié)構(gòu)的人造金剛石330，因而拋光墊可通過墊調(diào)節(jié)器而容易地調(diào)節(jié)。
[0094]現(xiàn)在參考圖10和圖11，墊調(diào)節(jié)器300可以包括具有調(diào)節(jié)區(qū)域360、流動路徑區(qū)域370和保持區(qū)域(holding area) 380的板310、以及用于保持板310的支架。
[0095]其表面已被處理過的多個人造金剛石330可以設(shè)置在調(diào)節(jié)區(qū)域360中，拋光殘余物和/或拋光液殘余物可以通過人造金剛石330從CMP工藝中使用的拋光墊被去除。在示例實施方式中，板310可具有可以設(shè)置成龍卷風形狀的多個調(diào)節(jié)區(qū)域360。
[0096]流動路徑區(qū)域370可以用作在拋光墊上殘留的拋光液通過其可以移動的通道，因而人造金剛石330可以不被設(shè)置在其中。在示例實施方式中，板310可具有多個流動路徑區(qū)域370，并且調(diào)節(jié)區(qū)域360可以通過多個流動路徑區(qū)域370被劃分。
[0097]在示例實施方式中，保持區(qū)域380可以設(shè)置在板310的中心部分處。例如，一個或多個固定槽或開口 385可以形成在保持區(qū)域380中，并且板310可以通過固定槽385被固定于支架。
[0098]圖12是示出用于執(zhí)行CMP方法的CMP裝置的透視圖，圖13是示出使用圖12的CMP裝置的CMP方法的流程圖。
[0099]參考圖12，CMP裝置400可以包括驅(qū)動器或驅(qū)動軸410、臺板或底板(platter)420、拋光墊430、拋光頭440、第一驅(qū)動構(gòu)件450、拋光液供給器件、拋光液供給構(gòu)件或拋光液供給部件460、墊調(diào)節(jié)器300以及第二驅(qū)動構(gòu)件470。
[0100]驅(qū)動器或驅(qū)動軸410可以設(shè)置在臺板420下面以旋轉(zhuǎn)臺板420，因而安裝在臺板420上的拋光墊430也可以被旋轉(zhuǎn)。
[0101]在示例實施方式中，臺板420和拋光墊430可具有圓盤形狀。拋光墊430可以包括由拋光液供給部件460供給的拋光液465可以通過其移動的槽并且可以包括其中可以包含拋光液465的微孔。拋光墊430可以是硬墊或軟墊，并且可以包括例如聚亞安酯。
[0102]拋光頭440可以在其下面保持其上形成物體層的襯底，例如晶片W，并且可以通過第一驅(qū)動構(gòu)件450在垂直方向上移動以使得晶片W可以接觸拋光墊430的頂表面。因而，拋光頭440可以向晶片W或拋光墊430上施加給定壓力。在晶片W接觸拋光墊430時，拋光頭440可以通過第一驅(qū)動構(gòu)件450被旋轉(zhuǎn)或線性移動以使得晶片W也可以被旋轉(zhuǎn)或線性移動。物體層可以通過晶片W的旋轉(zhuǎn)或線性移動而被機械地拋光，并且可以通過由拋光液供給部件460供給的拋光液465而被化學地拋光。
[0103]通過參考圖8至圖10示出的方法制造的墊調(diào)節(jié)器300可以通過第二驅(qū)動構(gòu)件470在垂直方向上移動以接觸拋光墊430的頂表面。因而，墊調(diào)節(jié)器300可以向拋光墊430上施加給定壓力。在晶片W接觸拋光墊430時，墊調(diào)節(jié)器300可以通過第二驅(qū)動構(gòu)件470被旋轉(zhuǎn)或線性移動以使得拋光墊430上殘留的拋光殘余物或拋光液殘余物可以被去除，或可以增強拋光墊430的粗糙度。
[0104]參考圖12和圖13，CMP方法可以通過以下步驟使用CMP裝置來執(zhí)行。
[0105]在步驟S210中，可以在襯底例如晶片W上形成物體層。物體層可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br> [0106]在步驟S220中，可以通過參考圖8至圖10示出的方法制造墊調(diào)節(jié)器300。因而，可以制造包括具有規(guī)則或光滑表面、沒有尖端、或具有單晶結(jié)構(gòu)的人造金剛石的墊調(diào)節(jié)器300。[0107]在步驟S230中，拋光墊430可以通過墊調(diào)節(jié)器300被調(diào)節(jié)。
[0108]也就是說，在通過經(jīng)由驅(qū)動軸410旋轉(zhuǎn)臺板420而旋轉(zhuǎn)拋光墊430時，墊調(diào)節(jié)器300可以經(jīng)由第二驅(qū)動構(gòu)件470接觸拋光墊430的頂表面，墊調(diào)節(jié)器300可以旋轉(zhuǎn)或線性移動，使得墊調(diào)節(jié)器300和拋光墊430可以彼此摩擦。因而，通過重復執(zhí)行CMP方法而殘留在拋光墊430上的拋光殘余物和/或拋光液殘余物可以被去除，并且拋光墊430的粗糙度可以得到增強。
[0109]特別地，在墊調(diào)節(jié)器300中可以接觸拋光墊430頂表面的人造金剛石的表面可以如上所述地被處理，因而人造金剛石可以不存在可能從人造金剛石分離而通過摩擦粘到拋光墊430上的尖端或部分。
[0110]在步驟S240中，其上形成物體層的晶片W可以被裝載至拋光頭440并被安裝到其上。在通過經(jīng)由驅(qū)動軸410旋轉(zhuǎn)臺板420而旋轉(zhuǎn)拋光墊430時,拋光頭440可以經(jīng)由第一驅(qū)動構(gòu)件450而在垂直方向上移動以使晶片W接觸拋光墊430的頂表面,拋光頭440可以旋轉(zhuǎn)或線性移動以使晶片W與拋光墊430摩擦。另外，拋光液465可以通過拋光液供給部件460被供給到拋光墊430上以接觸晶片W上的物體層。因而，物體層可以通過與拋光墊430機械摩擦以及與拋光液465的化學反應(yīng)而被拋光。
[0111]如上所述，當在步驟S230中拋光墊430通過墊調(diào)節(jié)器300被調(diào)節(jié)時，墊調(diào)節(jié)器300中人造金剛石的表面已經(jīng)被處理，因而沒有或?qū)嵸|(zhì)上沒有人造金剛石的尖端或部分可能從人造金剛石分離。即使人造金剛石的一些尖端或部分可以從其分離，這些尖端或部分的表面也可以是光滑的，使得晶片W不會由于人造金剛石而被損壞或劃傷。
[0112]同時，在步驟S230中用墊調(diào)節(jié)器300調(diào)節(jié)拋光墊430的過程可以與在步驟S240中的拋光過程同時執(zhí)行或者在其之后執(zhí)行。
[0113]比較試齡
[0114]為了確認使用根據(jù)示例實施方式的表面處理裝置的表面處理方法的特性，當拋光墊使用通過表面處理的裝置和方法制造的墊調(diào)節(jié)器被調(diào)節(jié)時，測量通過拋光墊拋光的晶片上的劃傷率。
[0115]也就是說，當拋光墊使用墊調(diào)節(jié)器被調(diào)節(jié)時，測量在通過拋光墊拋光時在晶片上產(chǎn)生的劃傷率，其中墊調(diào)節(jié)器被以其表面已經(jīng)根據(jù)實施方式I和2以及比較示例I至3被分別處理的人造金剛石制造。實施方式I使用其表面已經(jīng)利用圖1和圖2的表面處理裝置被處理的人造金剛石，實施方式2使用其表面已經(jīng)利用圖5的表面處理裝置被處理的人造金剛石，比較示例I使用其表面已經(jīng)通過在金屬容器中注入人造金剛石和多個鋼珠并且搖動該金屬容器以使其彼此碰撞而被處理的人造金剛石，比較示例2使用其表面已經(jīng)通過在金屬容器中注入人造金剛石和多個鋼珠并搖動該金屬容器以使其彼此碰撞、并且隨后使每個人造金剛石與金屬壁碰撞而被處理的人造金剛石，比較示例3使用其表面完全沒有被處理的人造金剛石。特別地，實施方式I的人造金剛石在5個點處與碰撞部件碰撞，實施方式2的人造金剛石在30個點處與碰撞部件碰撞，比較示例I和2的人造金剛石與鋼珠碰撞大約40分鐘。
[0116]為了測量晶片上的劃傷率，不含孔隙并且直徑為大約190mm的拋光墊被安裝在臺板上，晶片被安裝在拋光頭上，該拋光頭在拋光墊上施加大約251bf的壓力，并且拋光墊和拋光頭被旋轉(zhuǎn)。另外，去離子水以大約150cc/min的流速被供給到拋光墊上以拋光晶片。根據(jù)實施方式I和2以及比較示例I至3的墊調(diào)節(jié)器在拋光墊上施加大約331bf的壓力并且持續(xù)大約60秒，并且被旋轉(zhuǎn)以調(diào)節(jié)拋光墊。在晶片上產(chǎn)生的劃傷率被列在以下表格中。
[0117]表格
[0118]
【權(quán)利要求】
1.一種用于物體的表面處理的裝置，所述裝置包括: 傳送部件，包括具有相對的第一和第二端部分的傳送部件通道，所述傳送部件通道在其多個點處彎折； 注入部件，在所述傳送部件通道的所述第一端部分處，所述注入部件配置為將物體注入到所述傳送部件通道中； 排放部件，在所述傳送部件通道的所述第二端部分處，所述排放部件配置為從所述傳送部件通道排放出所述物體； 壓力供給部件，與所述傳送部件通道連接，所述壓力供給部件配置為將壓力供給到所述傳送部件通道中以使所述物體朝向所述排放部件移動；以及 碰撞部件，其中所述傳送部件通道的所述彎折點中的至少一些被暴露于所述碰撞部件，使得在所述傳送部件通道中移動的所述物體與所述碰撞部件碰撞以處理所述物體的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述傳送部件是其中設(shè)置有所述傳送部件通道的襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述碰撞部件可分離地安裝在所述襯底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述傳送部件通道在所述傳送部件通道的所述多個彎折點中的間隔彎折點處被暴露于所述碰撞部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述傳送部件通道在所述傳送部件通道的暴露于所述碰撞部件的彎折點處的直徑大于在所述傳送部件通道的沒有暴露于所述碰撞部件的彎折點處的直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述碰撞部件包括: 第一靶，其中所述傳送部件通道在所述傳送部件通道的所述多個彎折點中的間隔彎折點處被暴露于所述第一靶，使得在所述傳送部件通道中移動的所述物體與所述第一靶碰撞；以及 第二靶，其中所述傳送部件通道在所述傳送部件通道的所述多個彎折點中的沒有暴露于所述第一靶的間隔彎折點處被暴露于所述第二靶，使得在所述傳送部件通道中移動的所述物體與所述第二靶碰撞。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述壓力供給部件配置為通過向所述傳送部件通道中噴射氣體或液體而供給壓力。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述壓力供給部件配置為將空氣供給到所述傳送部件通道中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述壓力供給部件配置為將水供給到所述傳送部件通道中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，包括多個壓力供給部件，所述壓力供給部件與所述傳送部件通道在其間隔開的部分處連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述物體是人造金剛石。
12.一種用于物體的表面處理的裝置，所述裝置包括: 主體，具有傳送通路，該傳送通路具有相對的第一和第二端，其中所述傳送通路在所述傳送通路的多個間隔開的彎折部分處彎折；注入構(gòu)件，在所述傳送通路的所述第一端處，所述注入構(gòu)件配置為將物體注入到所述傳送通路中； 排放構(gòu)件，在所述傳送通路的所述第二端處，所述排放構(gòu)件配置為將所述物體從所述傳送通路排放出； 壓力供給構(gòu)件，在所述注入構(gòu)件附近與所述傳送通路連接，并且配置為將壓力供給到所述傳送通路；以及 在所述主體上的碰撞構(gòu)件，其中所述傳送通路的所述彎折部分的至少一些被暴露于所述碰撞構(gòu)件； 其中所述裝置配置為使得通過所述注入構(gòu)件注入的物體通過由所述壓力供給構(gòu)件供給的壓力而沿著所述傳送通路被運送，使得在所述物體通過所述排放構(gòu)件被排放之前，所述物體在所述傳送通路的暴露于所述碰撞構(gòu)件的所述彎折部分處與所述碰撞構(gòu)件碰撞。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述傳送通路的所述彎折部分中的間隔彎折部分被暴露于所述碰撞構(gòu)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述碰撞構(gòu)件包括間隔開的第一和第二碰撞構(gòu)件，其中: 所述傳送通路的所述彎折部分中的間隔彎折部分被暴露于所述第一碰撞構(gòu)件，使得所述物體與所述第一碰撞構(gòu)件碰撞；以及 所述傳送通路的所述彎折部分中的沒有暴露于所述第一碰撞構(gòu)件的間隔彎折部分被暴露于所述第二碰撞構(gòu)件，使得所述物體與所述第二碰撞構(gòu)件碰撞。`
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，包括多個壓力供給構(gòu)件，所述多個壓力供給構(gòu)件與所述傳送通路在其間隔開的部分處連接。
16.一種用于物體的表面處理的方法，所述方法包括: 提供一種裝置，所述裝置包括: 注入部件； 排放部件； 傳送部件，具有在所述注入部件和所述排放部件之間延伸的傳送通道，其中所述傳送通道在所述傳送通道的多個間隔開的彎折部分處彎折； 在所述傳送部件上的碰撞部件，其中所述傳送通道的所述彎折部分中的至少一些被暴露于所述碰撞部件；以及 壓力供給部件，與所述傳送通道連接； 經(jīng)由所述注入部件將物體注入到所述傳送通道中； 經(jīng)由所述壓力供給部件將壓力供給到所述傳送通道中； 利用所供給的壓力通過所述傳送通道運送所述物體，使得所述物體在所述傳送通道的暴露于所述碰撞部件的所述彎折部分處與所述碰撞部件碰撞，以處理所述物體的表面；以及 經(jīng)由所述排放部件排放出具有處理過的表面的所述物體。
17.一種用于物體的表面處理的方法，所述方法包括: 經(jīng)由注入部件將物體注入到傳送部件中； 經(jīng)由壓力供給部件將壓力供給到所述傳送部件中以在所述傳送部件中移動所述物體； 沿著相對于碰撞部件的碰撞表面傾斜的方向使所述物體與所述碰撞部件碰撞多次，以處理所述物體的表面；以及 經(jīng)由與所述傳送部件連接的排放部件排放出其表面已經(jīng)被處理過的所述物體。
18.—種制造墊調(diào)節(jié)器的方法，所述方法包括: 提供一種裝置，所述裝置包括: 注入部件； 排放部件； 傳送部件，具有在所述注入部件和所述排放部件之間延伸的傳送通道，其中所述傳送通道在所述傳送通道的多個間隔開的彎折部分處彎折； 在所述傳送部件上的碰撞部件，其中所述傳送通道的所述彎折部分中的至少一些被暴露于所述碰撞部件；以及 壓力供給部件，與所述傳送通道連接； 經(jīng)由所述注入部件將人造金剛石注入到所述傳送通道中； 經(jīng)由所述壓力供給部件將壓力供給到所述傳送通道中； 利用所供給的壓力通過所述傳送通道運送所述人造金剛石，使得所述人造金剛石在所述傳送通道的暴露于所述碰撞部件的所述彎折部分處與所述碰撞部件碰撞，以處理所述人造金剛石的表面；以及 經(jīng)由所述排放部件排放出具有處理過的表面的所述人造金剛石； 將所排放出的人造金剛石安裝到板上；以及 在所述板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到所述板上。
19.一種化學機械拋光(CMP)的方法，所述方法包括: 在襯底上形成物體層； 制造墊調(diào)節(jié)器，包括: 提供一種裝置，所述裝置包括: 注入部件； 排放部件； 傳送部件，具有在所述注入部件和所述排放部件之間延伸的傳送通道，其中所述傳送通道在所述傳送通道的多個間隔開的彎折部分處彎折； 在所述傳送部件上的碰撞部件，其中所述傳送通道的所述彎折部分中的至少一些被暴露于所述碰撞部件；以及 壓力供給部件，與所述傳送通道連接； 經(jīng)由所述注入部件將人造金剛石注入到所述傳送通道中； 經(jīng)由所述壓力供給部件將壓力供給到所述傳送通道中； 利用所供給的壓力通過所述傳送通道運送所述人造金剛石，使得所述人造金剛石在所述傳送通道的暴露于所述碰撞部件的所述彎折部分處與所述碰撞部件碰撞，以處理所述人造金剛石的表面；以及 經(jīng)由所述排放部件排放出具有處理過的表面的所述人造金剛石；將所排放的人造金剛石安裝到板上；以及 在所述板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到所述板上； 利用所述墊調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)拋光墊；以及 利用調(diào)節(jié)過的拋光墊以及拋光液拋光所述物體層。
20.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括: i)在襯底上形成物體層； ii)制造墊調(diào)節(jié)器，包括: 提供一種裝置，所述裝置包括: 注入部件； 排放部件； 傳送部件，具有在所述注入部件和所述排放部件之間延伸的傳送通道，其中所述傳送通道在所述傳送通道的多個間隔開的彎折部分處彎折； 在所述傳送部件上的碰撞部件，其中所述傳送通道的所述彎折部分中的至少一些被暴露于所述碰撞部件；以及 壓力供給部件，與所述傳送通道連接； 經(jīng)由所述注入部件將人造金剛石注入到所述傳送通道中； 經(jīng)由所述壓力供給部件將壓力供給到所述傳送通道中； 利用所供給的壓力通過所述傳送通道運送所述人造金剛石，使得所述人造金剛石在所述傳送通道的暴露于所述碰撞部件的所述彎折部分處與所述碰撞部件碰撞，以處理所述人造金剛石的表面；以及 經(jīng)由所述排放部件排放出具有處理過的表面的所述人造金剛石； 將所排放的人造金剛石安裝到板上；以及 在所述板上形成粘附層以部分地覆蓋所安裝的人造金剛石，使得所安裝的人造金剛石附著到所述板上。 iii)利用所述墊調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)拋光墊；以及 iv)利用調(diào)節(jié)過的拋光墊以及拋光液拋光所述物體層， 其中所述步驟i)、iii)和iv)的每個被執(zhí)行至少一次。
【文檔編號】H01L21/02GK103730391SQ201310482141
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】李成哲, 樸喆奎, 鄭起弘 申請人:三星電子株式會社