卷對(duì)卷制程用柔性基板及其制造方法和有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法
【專利摘要】在具有改善的熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板、制造它的方法及包含它的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，所述用于卷對(duì)卷制程的柔性基板包括由有機(jī)材料形成的基膜和由無機(jī)材料形成的無機(jī)網(wǎng)狀圖案。所述基膜包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一表面包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽。所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案填蓋所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽。
【專利說明】卷對(duì)卷制程用柔性基板及其制造方法和有機(jī)發(fā)光顯示裝置
[0001]優(yōu)先權(quán)要求
[0002]本申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C.§ 119法條所規(guī)定要求2012年12月14日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局早先遞交并正式分配給序列號(hào)10-2012-0146633的申請(qǐng)的所有權(quán)益，并引用全部?jī)?nèi)容合并入這個(gè)說明書中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及用于卷對(duì)卷制程的柔性基板，并且更具體地涉及具有改善的熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板及制造它的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]塑料基板目前用于卷對(duì)卷制程。通常通過使用聚合物材料以膜的類型制造用于卷對(duì)卷制程的塑料基板。通過使用聚合物材料制造的塑料基板具有特別的柔性，但是由于聚合物材料獨(dú)特的性質(zhì)，它們具有低的熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的問題。
[0005]在這種塑料基板用于進(jìn)行卷對(duì)卷制程的情況下，如果加工溫度高或加工頻率提高，塑料基板改變，例如它的長(zhǎng)度或褶皺增加。由于塑料基板的這種低穩(wěn)定性，卷對(duì)卷制程可能只用在通過簡(jiǎn)單加工制造的產(chǎn)品中，并且不能用在需要復(fù)雜和困難加工的柔性顯示器中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種具有改善的熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板。
[0007]本發(fā)明還提供一種制造所述用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的方法。
[0008]本發(fā)明還提供一種包括所述用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于卷對(duì)卷制程的柔性基板，包括:基膜，所述基膜由有機(jī)材料形成并包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一表面包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽，以及無機(jī)網(wǎng)狀圖案，所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案由無機(jī)材料形成并填充在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)。
[0010]所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽可彼此交叉，并以網(wǎng)狀形狀布置。
[0011]所述基膜可包括選自由聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)和聚醚砜(PES)組成的組中的至少一種。
[0012]所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案可包括無機(jī)絕緣材料。
[0013]所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案可包括金屬。
[0014]所述柔性基板可進(jìn)一步包括堆疊在所述基膜的所述第一表面上的無機(jī)絕緣層。所述無機(jī)絕緣層可包括第一無機(jī)絕緣層和堆疊在所述第一無機(jī)絕緣層上的第二無機(jī)絕緣層。
[0015]所述柔性基板可進(jìn)一步包括堆疊在所述基膜的所述第二表面上的無機(jī)絕緣層，其中元件形成在所述無機(jī)絕緣層上。
[0016]所述柔性基板在不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上可具有卷軸的形狀。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種制造用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的方法，包括:制備基膜，所述基膜由有機(jī)材料形成并包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；在所述基膜的所述第一表面上形成在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽；以及通過在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)填充無機(jī)材料而形成無機(jī)網(wǎng)狀圖案。
[0018]可通過使用熱型棍壓印(thermal type roll imprinting)方法形成所述多個(gè)第
一槽和所述多個(gè)第二槽。
[0019]可通過使用刮片在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)填充所述無機(jī)材料，并去除在所述基膜的所述第一表面上剩余的所述無機(jī)材料，而形成所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案。
[0020]所述方法可進(jìn)一步包括在所述基膜的所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)上堆疊無機(jī)絕緣層。
[0021]可通過使用濺射方法或化學(xué)氣相沉積方法堆疊所述無機(jī)絕緣層。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:
[0023]柔性基板:
[0024]顯示單元，所述顯示單元包括布置在所述柔性基板上的薄膜晶體管和連接至所述薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光元件；和
[0025]形成在所述柔性基板上以覆蓋所述顯示單元并具有多個(gè)無機(jī)膜和多個(gè)有機(jī)膜交替堆疊結(jié)構(gòu)的封裝薄膜；
[0026]其中，所述柔性基板包括:
[0027]基膜，所述基膜由有機(jī)材料形成并包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一表面包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽；和
[0028]無機(jī)網(wǎng)狀圖案，所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案由無機(jī)材料形成并填充在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]參照以下詳細(xì)說明，同時(shí)結(jié)合附圖，本發(fā)明的更完整的理解及它隨之產(chǎn)生的許多優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，同樣變得更好地被理解，附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件，其中:
[0030]圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性透視圖；
[0031]圖2為圖1的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性俯視圖；
[0032]圖3為圖1的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0033]圖4為根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0034]圖5為根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0035]圖6為根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0036]圖7為根據(jù)本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0037]圖8為根據(jù)本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0038]圖9為根據(jù)本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0039]圖10為根據(jù)本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖；
[0040]圖1lA至圖1lD為說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的方法的示意性截面圖；
[0041]圖12為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的包括用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；和
[0042]圖13為圖12的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的詳細(xì)的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下文，將參照附圖更全面地說明創(chuàng)造性概念，其中，顯示了所述創(chuàng)造性概念的示例性實(shí)施方式。提供這些實(shí)施方式以使這個(gè)公開全面和完整，并全面覆蓋對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的創(chuàng)造性概念的范圍。由于所述創(chuàng)造性概念允許各種改變和許多實(shí)施方式，具體的實(shí)施方式將在附圖中描述，并在書面的說明書中詳細(xì)說明。然而，這不旨在限制所述創(chuàng)造性概念為實(shí)踐的具體模式，而是應(yīng)理解不背離所述創(chuàng)造性概念的精神和技術(shù)范圍的全部改變、等價(jià)方式和替換包含在所述創(chuàng)造性概念中。
[0044]附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件，并且為了說明的清楚，可擴(kuò)大元件的大
小和厚度。
[0045]本說明書中使用的術(shù)語僅用于說明具體的實(shí)施方式，并且不旨在限制所述創(chuàng)造性概念。以單數(shù)使用的表述包括復(fù)數(shù)的表述，除非它在上下文中具有明確不同的意思。在本說明書中，應(yīng)理解例如“包括”或“具有”等表述旨在表示所述說明書中公開的特征、數(shù)、步驟、動(dòng)作、部件、部分或它們組合的存在，而不旨在排除可存在或增加一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù)、步驟、動(dòng)作、部件、部分或它們組合的可能性。此處所用的表述“和/或”包括相關(guān)的列出項(xiàng)目的一項(xiàng)或多項(xiàng)的任意組合和全部組合。當(dāng)例如“第一”、“第二”等術(shù)語用于說明各種部件時(shí)，這些部件應(yīng)不被上述術(shù)語限制。上述術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)部件與另一個(gè)部件。在下面的說明中，當(dāng)公開第一特征連接至第二特征，與第二特征結(jié)合，或聯(lián)接第二特征時(shí)，不排除第三特征可插入所述第一特征和第二特征之間。同樣，當(dāng)?shù)谝辉贾迷诘诙考蠒r(shí)，不排除第三元件插入所述第一元件和所述第二元件之間。然而，當(dāng)所述第一元件直接布置在第二元件上時(shí)，排除了第三元件插入所述第一元件和所述第二元件之間。
[0046]除非不同地定義，說明書中使用的全部術(shù)語，包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語，具有與關(guān)于該發(fā)明的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解相同的意思。進(jìn)一步理解術(shù)語，例如通常使用的字典中限定的那些，應(yīng)解釋為與它們?cè)诂F(xiàn)有技術(shù)的語境下它們的意思一致的意思，不應(yīng)以理想化或過于刻板的意義上解釋，除非文中明確這樣定義。當(dāng)例如“至少一種”的表述位于一列元件之前時(shí)，修飾整列元件，而不修飾所述列表的單個(gè)元件。
[0047]圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性透視圖，圖2為圖1的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性俯視圖，并且圖3為圖1的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0048]參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100包括基膜110和形成在基膜110中的無機(jī)網(wǎng)狀圖案120。用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100可具有如圖1所示的卷軸的形狀，并可在第三方向上卷動(dòng)或展開。
[0049]卷對(duì)卷(R2R)制程為通過沿旋轉(zhuǎn)軸卷動(dòng)薄的物質(zhì)，例如膜或銅箔，并通過涂布特定的材料或去除預(yù)定的部分而產(chǎn)生新功能的一種連續(xù)生產(chǎn)過程。卷對(duì)卷制程有利于大量生產(chǎn)，可有利地降低制造成本。
[0050]用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100為可用在卷對(duì)卷制程中的柔性基板，在卷對(duì)卷制程前后可以卷軸的形狀卷動(dòng)，并在卷對(duì)卷制程的過程中可以平面的方式展開，并可具有耐受卷對(duì)卷制程的結(jié)構(gòu)。
[0051]基膜110可包括有機(jī)聚合物材料?；?10可包括熱塑性材料?；?10可包括選自由聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)和聚醚砜(PES)組成的組中的至少一種。
[0052]基膜110可包括具有包括低的光透過率、低的光各向異性和低的折射率的光學(xué)特性的材料?；?10可包括能夠防止雜質(zhì)例如氧、蒸汽和灰塵透過并耐受高加工溫度的耐熱材料。因?yàn)榛?10必須對(duì)加工溫度的變化不敏感，所以基膜110可包括具有低熱膨脹系數(shù)和尺寸穩(wěn)定性的材料。此外，基膜110可包括具有小的厚度變化、高的表面光滑度和優(yōu)異的機(jī)械特性例如耐磨性或抗沖擊性的材料。
[0053]基膜110可包括第一表面111和與第一表面111相對(duì)的第二表面112(參照?qǐng)D3)。第一表面111可為其中形成元件的活性表面。然而，本發(fā)明不限于此。第二表面112可為其中形成元件的活性表面。在本發(fā)明中第一表面111稱為其中形成無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的表面。
[0054]當(dāng)從視圖的平面角度上看時(shí)，槽IlOt可以網(wǎng)狀形狀形成在基膜110的第一表面111上。以網(wǎng)狀形狀布置的槽IlOt可包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽IlOtl和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽110t2 (參照?qǐng)D2)。多個(gè)第一槽IlOtl和多個(gè)第二槽110t2用于配置成以網(wǎng)狀形狀布置的槽liot，并除了延伸方向以外，可不特別地將多個(gè)第一槽IlOtl和多個(gè)第二槽110t2彼此區(qū)分。
[0055]第一方向和第二方向可不同于第三方向。而且，第一方向和第二方向可形成直角。而且，第一方向和第二方向可形成銳角。例如，第一方向和第二方向可形成60度的角度。
[0056]例如，在第三個(gè)方向上的強(qiáng)的張力施加到用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100的情況下，可減小第一方向和第二方向之間的角度；而在第三個(gè)方向上的弱的張力施加到用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100的情況下，第一方向和第二方向可形成接近于直角的銳角。
[0057]槽IlOt的深度d2可小于基膜110的厚度dl的二分之一。在槽IlOt的深度d2小于基膜110的厚度dl的二分之一的情況下，在形成槽IlOt的過程中可改變基膜110。槽IlOt的深度d2可在基膜110的厚度dl的20%和50%之間。如果槽IlOt的深度d2增加，基膜100的改變可最小化。具體地，在由于基膜110和形成在基膜110上部的元件之間的熱膨脹系數(shù)的差異，而使基膜110的改變?cè)龃蟮那闆r下，可增加槽IlOt的深度d2。S卩，基膜Iio的厚度dl可在幾十μ m和幾百μπι之間。例如,基膜110的厚度dl可在30 μ m和200 μ m之間。在這個(gè)情況下，槽IlOt的深度d2可在15μπι和100 μπι之間。
[0058]槽IlOt的寬度w可為幾十μ m。例如,槽IlOt的寬度w可在20 μ m和50 μ m之間。S卩，槽IlOt的寬度W可為40 μ m。槽IlOt的寬度W可與槽IlOt的深度d2基本上相同。即，槽IlOt可具有矩形的截面。
[0059]進(jìn)一步參照?qǐng)D3，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120可填蓋基膜110的槽110t。無機(jī)網(wǎng)狀圖案120可不存在于基膜110的第一表面111上。在基膜110的槽IlOt內(nèi)填充無機(jī)材料，從而形成無機(jī)網(wǎng)狀圖案120。
[0060]根據(jù)本實(shí)施方式，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的無機(jī)材料可為無機(jī)絕緣材料。S卩，無機(jī)材料可包括氧化物、氮化物和氮氧化物中的至少一種。例如，無機(jī)材料可包括選自由氧化硅(SiO2)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiON)、氧化招(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)組成的組中的至少一種。
[0061]而且，無機(jī)材料可包括透明導(dǎo)電氧化物。例如，無機(jī)材料可包括選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)組成的組中的至少一種。
[0062]無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的無機(jī)材料可為致密的，并可具有低的熱膨脹系數(shù)，并且與有機(jī)材料相比，可具有高的尺寸穩(wěn)定性。而且，與基膜110的有機(jī)材料相比，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的無機(jī)材料可具有優(yōu)異的機(jī)械特性，例如硬度、耐磨性和抗沖擊性。因此，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120可執(zhí)行補(bǔ)充由有機(jī)材料形成的基膜110的功能。
[0063]此外，在元件形成在基膜110上的情況下，由于基膜110和元件之間的熱膨脹系數(shù)的差異，可存在出現(xiàn)邊界面剝落或裂開的問題。然而，根據(jù)本發(fā)明，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120可形成在基膜110的活性表面上，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120與元件的接觸面之間的結(jié)合力比由有機(jī)材料形成的基膜110和元件之間的結(jié)合力更優(yōu)異，因此可解決會(huì)在邊界面出現(xiàn)的剝落或開裂的問題。此外，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120減小了基膜110的熱膨脹，從而減少了由于用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100和元件之間的熱膨脹系數(shù)的差異而出現(xiàn)的問題。
[0064]圖4為根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0065]參照?qǐng)D4，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa包括堆疊在基膜110的第一表面111上的無機(jī)絕緣層130以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa與圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100基本上相同。現(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa與圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。
[0066]參照?qǐng)D4，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa可進(jìn)一步包括堆疊在基膜110的第一表面111上的無機(jī)絕緣層130。
[0067]無機(jī)絕緣層130可包括選自由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)組成的組中的至少一種。無機(jī)絕緣層130可包括彼此堆疊的多個(gè)無機(jī)絕緣層。而且，無機(jī)絕緣層130可進(jìn)一步包括布置在多個(gè)無機(jī)絕緣層之間的金屬層。無機(jī)絕緣層130可進(jìn)一步包括布置在無機(jī)絕緣層之間的有機(jī)材料層。
[0068]無機(jī)絕緣層130可包括與無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的材料相同的材料。在卷對(duì)卷制程的過程中，元件可形成在無機(jī)絕緣層130上。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，在卷對(duì)卷制程的過程中元件可形成在基膜110的第二表面112上。
[0069]無機(jī)絕緣層130可起到阻擋層的作用，該阻擋層防止雜質(zhì)例如氧氣、蒸汽和灰塵由此通過。無機(jī)絕緣層130可改善基膜110的表面特性。
[0070]圖5為根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0071]參照?qǐng)D5，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb包括代替無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的金屬網(wǎng)狀圖案140以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb與圖4的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa基本上相同?，F(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb與圖4的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。
[0072]參照?qǐng)D5，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb可包括金屬網(wǎng)狀圖案140。
[0073]金屬網(wǎng)狀圖案140可填蓋基膜110的槽110t。金屬網(wǎng)狀圖案140可不存在于基膜110的第一表面111上。金屬材料填充在基膜110的槽IlOt內(nèi)，從而形成金屬網(wǎng)狀圖案140。金屬網(wǎng)狀圖案140可具有與圖1至圖3的無機(jī)網(wǎng)狀圖案120相同的形狀。
[0074]根據(jù)本實(shí)施方式，金屬網(wǎng)狀圖案140可包括金屬材料。例如，金屬網(wǎng)狀圖案140可包括金屬，例如Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、N1、Ti和Ta。金屬網(wǎng)狀圖案140可包括合金，例如Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、N1、Ti或Ta的合金，或合金例如NiCr、NiV和SST。金屬網(wǎng)狀圖案140具有高的機(jī)械強(qiáng)度，從而極大地改善了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb的機(jī)械穩(wěn)定性。
[0075]金屬網(wǎng)狀圖案140可被無機(jī)絕緣層130覆蓋。在卷對(duì)卷制程的過程中，元件可形成在無機(jī)絕緣層130上。
[0076]圖6為根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0077]參照?qǐng)D6，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOc具有第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132的堆疊結(jié)構(gòu)以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOc與圖4的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa基本上相同。現(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOc與圖4的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOa之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。
[0078]參照?qǐng)D6，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOc可包括在基膜110的第一表面111上堆疊的第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132。
[0079]第一無機(jī)絕緣層131和/或第二無機(jī)絕緣層132可包括選自由氧化硅(SiO2)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiON)、氧化招(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)組成的組中的至少一種。
[0080]而且，雖然未顯示，金屬層、透明導(dǎo)電氧化物層或有機(jī)材料層可布置在第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132之間。
[0081]第一無機(jī)絕緣層131可包含與無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的材料相同的材料。第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132可包括不同的材料。[0082]圖7為根據(jù)本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0083]參照?qǐng)D7，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOd具有第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132的堆疊結(jié)構(gòu)以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOd與圖5的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb基本上相同?，F(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOd與圖5的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOb之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。同樣，參照?qǐng)D6在實(shí)施方式中說明第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132，因而不提供它們的詳細(xì)說明。
[0084]參照?qǐng)D7，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOd可包括金屬網(wǎng)狀圖案140，并可進(jìn)一步包括覆蓋基膜110的金屬網(wǎng)狀圖案140和第一表面111的第一無機(jī)絕緣層131和第二無機(jī)絕緣層132。
[0085]圖8為根據(jù)本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0086]參照?qǐng)D8，除了圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100在本實(shí)施方式中倒置以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe與圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100基本上相同?，F(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe與圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。
[0087]參照?qǐng)D8，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe的結(jié)構(gòu)與倒置的圖1至圖3的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100相同。S卩，第二表面112布置在基膜110的上部，并為其中形成元件的活性表面。即，無機(jī)網(wǎng)狀圖案120可形成在為基膜110的非活性表面的背面上。
[0088]可用圖5的金屬網(wǎng)狀圖案140替代無機(jī)網(wǎng)狀圖案120。
[0089]形成在基膜110的非活性表面上的無機(jī)網(wǎng)狀圖案120或金屬網(wǎng)狀圖案140可參與用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe的機(jī)械強(qiáng)度的增加和全部熱膨脹系數(shù)的減小。
[0090]圖9為根據(jù)本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0091]參照?qǐng)D9，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf包括堆疊在基膜110的第二表面112上的無機(jī)絕緣層150以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf與圖8的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe基本上相同?，F(xiàn)將說明用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf與圖8的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOe之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。
[0092]參照?qǐng)D9，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf可包括堆疊在基膜110的第二表面112上的無機(jī)絕緣層150。
[0093]無機(jī)絕緣層150可包括選自由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)組成的組中的至少一種。無機(jī)絕緣層150可包括彼此堆疊的多個(gè)無機(jī)絕緣層。而且，無機(jī)絕緣層150可進(jìn)一步包括布置在多個(gè)無機(jī)絕緣層之間的金屬層。無機(jī)絕緣層150可進(jìn)一步包括布置在無機(jī)絕緣層之間的有機(jī)材料層。
[0094]在卷對(duì)卷制程的過程中，元件可形成在無機(jī)絕緣層150上。無機(jī)絕緣層150可起到阻擋層的作用，該阻擋層防止雜質(zhì)例如氧氣、蒸汽和灰塵由此通過。無機(jī)絕緣層150可改善基膜110的表面特性。[0095]圖10為根據(jù)本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施方式的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的示意性截面圖。
[0096]參照?qǐng)D10，除了用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOg包括代替無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的金屬網(wǎng)狀圖案140以外，用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOg與圖9的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf基本上相同?，F(xiàn)將說明圖10的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOg與圖9的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOf之間的差異，但是這里不提供它們之間相同元件的說明。參照?qǐng)D5在實(shí)施方式中說明金屬網(wǎng)狀圖案140，因此這里將不提供它的多余的說明。
[0097]參照?qǐng)D10，金屬網(wǎng)狀圖案140形成在基膜110的第一表面111上，且無機(jī)絕緣層150形成在基膜110的第二表面112上。用于卷對(duì)卷制程的柔性基板IOOg的活性表面可為無機(jī)絕緣層150的上表面。即，在卷對(duì)卷制程的過程中元件可形成在無機(jī)絕緣層150上。
[0098]在圖3至圖7中暴露基膜110的第二表面112。然而，這僅為示例性的，且基膜110的第二表面112可被無機(jī)絕緣層150覆蓋。
[0099]同樣,基膜110的第一表面111還可被無機(jī)絕緣層150覆蓋。
[0100]圖1lA至圖1lD為說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的方法的示意性截面圖。
[0101]參照?qǐng)D11A，制備包括第一表面111和第二表面112的基膜110p?；lOp的第一表面111和第二表面112是平的?？稍鰪?qiáng)基膜IlOp的第一表面111的結(jié)合力，并可使用等離子體進(jìn)行表面處理以提高平坦性。
[0102]基膜IlOp可包括選自由聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)和聚醚砜(PES)組成的組中的至少一種。
[0103]參照?qǐng)D11B，在基膜IlOp上進(jìn)行熱型輥壓印并形成槽110t?；lOp可布置在熱型輥10和支承輥20之間。熱型輥10可接觸基膜IlOp的第一表面111。支承輥20可接觸基膜IlOp的第二表面112。熱型輥10可加熱。熱型輥10和支承輥20可彼此相對(duì)加壓。對(duì)應(yīng)于槽IlOt的突起11可形成在熱型輥10的表面上。
[0104]熱型輥10沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。支承輥20可沿?zé)嵝洼?0的逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，支承輥20可沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)，以具有與熱型輥10的圓周相同的線速度。因此，布置在熱型輥10和支承輥20之間的基膜IlOp可轉(zhuǎn)移到右側(cè)。
[0105]熱型輥10在加熱的狀態(tài)，并且支承輥20和熱型輥10彼此相對(duì)加壓，以使基膜IlOp由于施加至其上的熱和壓力而改變。因此，對(duì)應(yīng)于熱型輥10的突起11的槽IlOt可形成在基膜IlOp的第一表面111上。槽IlOt可包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸并與多個(gè)第一槽相交的多個(gè)第二槽。
[0106]熱型輥10和支承輥20可連續(xù)地在基膜IlOp上形成槽110t。因此，可產(chǎn)生大量的基膜IlOp0
[0107]參照?qǐng)D11C，可使用刮片30將無機(jī)材料40填蓋在基膜IlOp的槽IlOt內(nèi)。而且，可使用刮片30將無機(jī)材料40從基膜IlOp的第一表面111上去除。
[0108]更詳細(xì)地，無機(jī)材料40可涂布在其中形成槽IlOt的基膜IlOp上。例如，可通過使用狹縫式涂布方法或棒式涂布方法在基膜IlOp的第一表面111上涂布無機(jī)材料40。
[0109]無機(jī)材料40可為液化的流體?？墒褂糜∷⒂湍圃鞜o機(jī)材料40。無機(jī)材料40可具有溶液型，其中混合納米顆粒和溶劑。無機(jī)材料40可填充在基膜IlOp的槽IlOt內(nèi)。無機(jī)材料40可為金屬漿料，例如Ag漿料。金屬漿料可包括金屬，例如Au、Al和Cu。
[0110]當(dāng)刮片30接觸基膜IlOp的第一表面111時(shí)，如果涂布有無機(jī)材料40的基膜IlOp移動(dòng)到右側(cè)，則去除了涂布在基膜IlOp的第一表面上的無機(jī)材料40，并且無機(jī)材料40僅保持在基膜IlOp的槽IlOt內(nèi)。
[0111]可根據(jù)卷對(duì)卷制程進(jìn)行狹縫式涂布方法或棒式涂布方法。還可根據(jù)卷對(duì)卷制程進(jìn)行通過使用刮片30而去除涂布在基膜IlOp的第一表面111上的無機(jī)材料40的過程。
[0112]參照?qǐng)D11D，改變槽IlOt的無機(jī)材料40以形成無機(jī)網(wǎng)狀圖案120。為此，可固化液化的無機(jī)材料40。更具體地，通過使用加熱狀態(tài)的輥可燒結(jié)基膜IlOp。S卩，基膜IlOp可通過用于燒結(jié)的在加熱狀態(tài)的輥。
[0113]還可根據(jù)卷對(duì)卷制程通過使用在加熱狀態(tài)的輥進(jìn)行燒結(jié)。
[0114]因此，可以小的費(fèi)用大量制造圖1lD的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板。
[0115]為了制造圖4的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板100a，無機(jī)絕緣層130可形成在基膜IlOp的第一表面111上。
[0116]可通過濺射形成無機(jī)絕緣層130。轉(zhuǎn)移其中形成有無機(jī)網(wǎng)狀圖案120的基膜ΙΙΟρ，并濺射無機(jī)絕緣材料的靶，因而可形成無機(jī)絕緣層130。還可根據(jù)卷對(duì)卷制程進(jìn)行這種濺射沉積工藝。
[0117]而且，可使用化學(xué)氣相沉積方法沉積無機(jī)絕緣層130。可根據(jù)卷對(duì)卷制程進(jìn)行化學(xué)氣相沉積方法。
[0118]圖12為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的包含用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖，并且圖13為圖12的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的詳細(xì)的截面圖。
[0119]參照12和圖13，有機(jī)發(fā)光顯示裝置1000包括柔性基板100h、顯示單元200和封裝薄膜300。
[0120]柔性基板IOOh可為參照?qǐng)D1至圖11說明的柔性基板100和IOOa至IOOg中的一種。在圖12中，柔性基板IOOh示例性地為圖1至圖3的柔性基板100。
[0121]柔性基板100可包括由有機(jī)材料形成的基膜和由無機(jī)材料形成的無機(jī)網(wǎng)狀圖案?；ぐǖ谝槐砻婧团c第一表面對(duì)面的第二表面。在第一表面中形成在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽。
[0122]顯示單元200包括布置在柔性基板IOOh上的薄膜晶體管和連接至該薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0123]封裝薄膜300形成在覆蓋顯示單元200的柔性基板IOOh上，并具有多個(gè)無機(jī)膜和多個(gè)有機(jī)膜交替堆疊的結(jié)構(gòu)。
[0124]顯示單元200可布置在柔性基板100的上表面上。本說明書中提到的“顯示單元200”是指有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和用于驅(qū)動(dòng)該OLED的薄膜晶體管(TFT)陣列，并意味為被箭頭表示的部分和用于顯示圖像的驅(qū)動(dòng)部分。
[0125]當(dāng)從平面上看時(shí)，多個(gè)像素布置在矩陣形狀的顯示單元200內(nèi)。每個(gè)像素包括OLED和電連接至該OLED的電子元件。電子元件可包括含驅(qū)動(dòng)TFT和開關(guān)TFT的至少兩個(gè)TFT和存儲(chǔ)電容器。通過電連接至導(dǎo)線并從顯示單元200外部的驅(qū)動(dòng)單元接收電信號(hào)而操作電子元件。電連接至OLED的電子元件和導(dǎo)線的布置稱為TFT陣列。
[0126]顯示單元200包括含TFT陣列的元件/導(dǎo)線層210和包括OLED陣列的OLED層220。
[0127]元件/導(dǎo)線層210可包括用于驅(qū)動(dòng)OLED的驅(qū)動(dòng)TFT、開關(guān)TFT (未顯示)、電容器(未顯示)和連接至電容器的TFT或?qū)Ь€(未顯示)。
[0128]緩沖層217可布置在柔性基板100的上表面上以給予平坦性，并防止雜質(zhì)擴(kuò)散。緩沖層217可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
[0129]活性層211可布置在緩沖層217的上部的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。在緩沖層217上可通過使用光刻工藝或蝕刻工藝在柔性基板100的正面中形成并圖案化硅、無機(jī)半導(dǎo)體例如氧化物半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體，而形成活性層211。在活性層211由硅材料形成的情況下，可通過在柔性基板100的正面上形成并結(jié)晶非晶硅層，形成并圖案化多晶硅層以及在周圍區(qū)域摻雜雜質(zhì)，而形成布置在源區(qū)和漏區(qū)之間的并包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的活性層211。
[0130]柵絕緣膜219a可布置在活性層211上。柵電極213可布置在柵絕緣膜219a的上部的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。層間絕緣膜21%可布置在柵電極213的上部。層間絕緣層21%可包括暴露活性層211的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔。源電極215a和漏電極215b可通過層間柵絕緣層21%的接觸孔分別電連接至活性層211的源區(qū)和漏區(qū)。鈍化膜219c可覆蓋和保護(hù)TFT。鈍化膜219c可包括無機(jī)絕緣膜和/或有機(jī)絕緣膜。
[0131]OLED可布置在鈍化膜219c的上部的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
[0132]OLED層220可包括形成在鈍化膜219c上的像素電極221、面對(duì)像素電極221布置的反電極225、以及布置在像素電極221和反電極225之間的中間層223。
[0133]有機(jī)發(fā)光顯示裝置1000根據(jù)發(fā)光方向可分成底發(fā)光型、頂發(fā)光型或雙發(fā)光型。底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括作為光透射電極的像素電極221和作為反射電極的反電極225。頂發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括作為反射電極的像素電極221和作為半透射電極的反電極225。在本發(fā)明中，OLED被稱作為在封裝薄膜300方向上發(fā)光的頂發(fā)光型。
[0134]像素電極221可為反射電極。像素電極221可具有反射層和具有高功函的透明電極的堆疊結(jié)構(gòu)。反射層可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li和Ca,或它們的合金。透明電極層可包括選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)組成的組中的至少一種。像素電極221可起到陽極的作用。
[0135]同時(shí)，覆蓋像素電極221的邊界并包括暴露像素電極221的中心部分的預(yù)定的開口部分的像素限定膜230可布置在像素電極221上。
[0136]反電極225可為透射電極。反電極225可為由具有低功函的薄金屬材料，例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和Ag形成的半透射膜。為了彌補(bǔ)薄金屬半透射膜的高電阻問題，由透明導(dǎo)電氧化物形成的透明導(dǎo)電膜可堆疊在金屬半透射膜上。反電極225可作為共用電極形成在柔性基板100的正面上。反電極225可起到陰極的作用。
[0137]像素電極221和反電極225可具有相反的極性。
[0138]中間層223可包括發(fā)光的發(fā)光層。發(fā)光層可使用低分子有機(jī)物質(zhì)或聚合物有機(jī)物質(zhì)。在發(fā)光層為由低分子有機(jī)物質(zhì)形成的低分子發(fā)光層的情況下，空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)可布置在相對(duì)于發(fā)光層的像素電極221的方向上，并且電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)可在反電極225的方向上布置。除了 HIL、HTL、ETL和EIL以外，功能層可堆疊。同時(shí)，在發(fā)光層為由聚合有機(jī)物質(zhì)形成聚合發(fā)光層的情況下，HTL可包含在相對(duì)于發(fā)光層的像素電極221的方向上。
[0139]雖然在本實(shí)施方式中說明了包括布置在包含驅(qū)動(dòng)TFT的元件/導(dǎo)線層上的OLED層220的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限于此。該結(jié)構(gòu)可以各種方式被改變，例如，OLED的像素電極221形成在與TFT的活性層211相同的層上、形成在與TFT的柵電極213相同的層上以及形成在與源電極215a和漏電極215b相同的層上的結(jié)構(gòu)。
[0140]而且，雖然在本實(shí)施方式中，柵電極213布置在驅(qū)動(dòng)TFT中的活性層211上，但是本發(fā)明不限于此。柵電極213可布置在活性層211的下面。
[0141]封裝薄膜300可布置在柔性基板100上，以覆蓋顯示單元200。包括在顯示單元200中的OELD由有機(jī)物質(zhì)形成，并可易于被外部的濕氣或氧氣劣化。因此，顯示單元200需要被封裝，以保護(hù)顯示單元200。封裝薄膜300可具有其中多個(gè)無機(jī)膜310、330和350的和多個(gè)有機(jī)膜320和340交替堆疊的結(jié)構(gòu)，以封裝顯示單元200。
[0142]本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1000使用柔性基板110和作為密封件的封裝薄膜300，從而易于實(shí)現(xiàn)柔性的和薄膜的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1000。
[0143]封裝薄膜300可包括多個(gè)無機(jī)膜310、330和350和多個(gè)有機(jī)膜320和340。多個(gè)無機(jī)膜310、330和350和多個(gè)有機(jī)膜320和340可交替堆疊。
[0144]無機(jī)膜310、330和350可包括金屬氧化物、金屬氮化物和金屬碳化物或這些的組合。例如，無機(jī)膜310、330和350可包括氧化鋁、氧化硅或氮化硅。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，無機(jī)膜310、330和350可具有多個(gè)無機(jī)絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)。無機(jī)膜310、330和350可防止外部的濕氣和/或氧氣擴(kuò)散進(jìn)入OLED層220。
[0145]有機(jī)膜320和340可為聚合有機(jī)化合物。例如，有機(jī)膜320和340可包括環(huán)氧樹月旨、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的一種。有機(jī)膜320和340可減輕無機(jī)膜310、330和350的內(nèi)部壓力，或彌補(bǔ)無機(jī)膜310、330和350的缺陷，并使無機(jī)膜310、330和350平坦。
[0146]在圖13中，雖然封裝薄膜300包括三個(gè)無機(jī)膜310、330和350及兩個(gè)有機(jī)膜320和340，但是這是示例性的，封裝薄膜300中可包括或多或少數(shù)目的無機(jī)膜和有機(jī)膜。
[0147]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板，可防止雜質(zhì)的透過，可改善耐熱性，可減小熱膨脹系數(shù)，可改善尺寸穩(wěn)定性，并可改善機(jī)械特性例如耐磨性和抗沖擊性。即，可改善熱穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。因此，本發(fā)明的用于卷對(duì)卷制程的柔性基板可用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置。因此，可使用卷對(duì)卷制程制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置，且其制造成本可顯著降低。
[0148]盡管參照其示例性實(shí)施方式具體示出并說明了本發(fā)明，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不違背由以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下在其中進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的改動(dòng)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于卷對(duì)卷制程的柔性基板，包括: 基膜，所述基膜由有機(jī)材料形成并包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一表面包括在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽；以及 無機(jī)網(wǎng)狀圖案，所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案由無機(jī)材料形成并填充在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，其中，所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽彼此交叉，并以網(wǎng)狀形狀布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，其中，所述基膜包括選自由聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亞胺和聚醚砜組成的組中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，其中，所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案包括無機(jī)絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，其中，所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案包括金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，進(jìn)一步包括堆疊在所述基膜的所述第一表面上的無機(jī)絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性基板，其中，所述無機(jī)絕緣層包括第一無機(jī)絕緣層和堆疊在所述第一無機(jī)絕緣層上的第二無機(jī)絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，進(jìn)一步包括堆疊在所述基膜的所述第二表面上的無機(jī)絕緣層，其中元件形成在所述無機(jī)絕緣層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板，其中，所述柔性基板在不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上具有卷軸的形狀。
10.一種制造用于卷對(duì)卷制程的柔性基板的方法，所述方法包括步驟: 制備基膜，所述基膜由有機(jī)材料形成并包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面； 在所述基膜的所述第一表面上形成在第一方向上延伸的多個(gè)第一槽和在第二方向上延伸的多個(gè)第二槽；以及 通過在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)填充無機(jī)材料而形成無機(jī)網(wǎng)狀圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過使用熱型輥壓印方法形成所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過使用刮片在所述多個(gè)第一槽和所述多個(gè)第二槽內(nèi)填充所述無機(jī)材料，并去除在所述基膜的所述第一表面上剩余的所述無機(jī)材料，而形成所述無機(jī)網(wǎng)狀圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括在所述基膜的所述第一表面和所述第二表面中的至少一個(gè)上堆疊無機(jī)絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，通過使用濺射方法和化學(xué)氣相沉積方法中的一種堆疊所述無機(jī)絕緣層。
15.—種有機(jī)發(fā)光顯不裝置,包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的柔性基板: 顯示單元，包括布置在所述柔性基板上的薄膜晶體管和連接至所述薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光兀件；和 形成在所述柔性基板上以覆蓋所述顯示單元并具有多個(gè)無機(jī)膜和多個(gè)有機(jī)膜交替堆疊結(jié)構(gòu)的封裝薄膜。`
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103872257SQ201310484614
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】金基鉉 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司