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多層線圈部件的制作方法

文檔序號:7008621閱讀:189來源:國知局
多層線圈部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多層線圈部件,包括用于內(nèi)部電極的銅-鎳混合物,其中,在將銅-鎳混合物用作用于多層線圈部件的內(nèi)部電極的材料的同時,調(diào)節(jié)內(nèi)部電極中的鎳含量,以優(yōu)化鎳與銅的面積比,從而防止多層線圈部件的特性的劣化,使得能改進多層線圈部件的鐵氧體特性,諸如阻抗(Z)、電感(L)等。
【專利說明】多層線圈部件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]根據(jù)美國法典第35篇第119節(jié),本申請要求于2012年11月20日提交的題為“多層線圈部件(Multilayer Coil Component)”的韓國專利申請序列N0.10-2012-0131551的權(quán)益,將其整體通過弓I證結(jié)合到本申請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種多層線圈部件。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著諸如智能電話、平板電腦和PC的電子設(shè)備的小型化、高容量和高效率的趨勢不斷加快,構(gòu)成這些電子設(shè)備的電子部件(諸如電感器)的重要性正變得越來越大。原因在于,隨著各種電子設(shè)備變得更小并且具有更大的容量,電子部件集成在更小的空間中,電子部件之間的電磁干擾變得更大,并且由于待處理的信息量的增加,有源元件的數(shù)量增大,導(dǎo)致對無源元件的需求增加。
[0005]包括電感器的多層線圈部件已經(jīng)用在許多不同的領(lǐng)域中,因為由于內(nèi)部電極覆蓋有磁性材料并且串音得到抑制而使得其沒有漏磁通量;適用于高密度組件并且在保持電感(L)的同時可小型化;并且保持高可靠性。
[0006]這種多層線圈部件通常通過以下方法來制造:層壓并結(jié)合其上通過印刷法、刮勻涂裝法(doctor blade method)等而印刷有磁性衆(zhòng)料和用于內(nèi)部電極的衆(zhòng)料的磁板或板,并且然后在通過在高溫下燒制層壓件而獲得的燒結(jié)體的表面上印刷用于外部電極的漿料并且對其進行燒制。
[0007]作為用于內(nèi)部電極層的材料,主要使用對多層線圈部件的直流電阻的影響具有低抵抗性的銀(Ag)。作為貴金屬的銀(Ag)在高溫下不氧化,并且因此,可在普通大氣下采用脫脂工藝(在高溫下從半成品中去除有機物質(zhì))和燒結(jié)工藝。然而,盡管具有這些優(yōu)點,但由于銀為貴金屬,因此其價格昂貴并且其臨時價格變化大。近來,飛漲的銀價給產(chǎn)品成本造成沉重負擔(dān),并且因此需要開發(fā)替代銀的材料。
[0008]因此,已經(jīng)進行了許多關(guān)于替代銀(Ag)而通常可用作內(nèi)部電極的多種金屬的研究。然而,由于除了銅(Cu)之外的大多數(shù)金屬都具有比銀高的電阻率,因此已知這些金屬不適于作為用于一般線圈元件的內(nèi)部電極,除了用于忽略低效率的特殊目的之外。
[0009]為了克服這些缺陷,已經(jīng)采取了用廉價的銅(Cu)替代銀(Ag)作為用于多層線圈部件的內(nèi)部電極的材料的行動。然而,盡管價格競爭力很強,但由于其易氧化,銅基本上未曾被用作用于內(nèi)部電極的材料。
[0010]因此,為了用銅替代銀作為用于多層線圈部件的內(nèi)部電極的材料,急需解決上述問題。
[0011]同時,通過以下方法來制造多層陶瓷電容器(下文中,被稱為MLCC):利用網(wǎng)屏(screen)、凹版印刷或其他方法在模制的介電板上印刷導(dǎo)電漿料從而形成內(nèi)部電極層,并且然后層壓其上印刷有內(nèi)部電極層的板。已知MLCC的內(nèi)部電極層通過使用金屬粉末(主要諸如鎳(Ni)、銅(Cu)等)來形成。
[0012]在外部形狀和制造方法方面,MLCC與多層線圈部件之間具有許多相似之處。然而,MLCC為其中交替地層壓形成在介電陶瓷板上的薄方形內(nèi)部電極以實現(xiàn)高電容的產(chǎn)品,并且為其中各個內(nèi)部電極在片內(nèi)彼此不接觸的平行式電容器。
[0013]同時,對于多層線圈部件,線圈式內(nèi)部電極形成在陶瓷內(nèi)層上,并且線圈式內(nèi)部電極彼此連接以實現(xiàn)電路相對于流過線圈的電流的電感和阻抗。
[0014]另外,MLCC主要在1000°C或更高的高溫下燒制,并且從而具有與在1000°C以下的溫度下燒制的多層線圈部件不同的機制。
[0015]另外,對于多層線圈部件,當內(nèi)部電極由銅形成時,內(nèi)部電極的電阻增大,并且因此銅的使用受限。然而,對于MLCC,沒有關(guān)于電阻(Rdc)的問題,并且即使由于使用銅作為內(nèi)部電極而使得內(nèi)部電極氧化,其應(yīng)用被認為是沒有太大的麻煩。[0016]因此,盡管銅和鎳通常用作用于現(xiàn)有MLCC的內(nèi)部電極層的材料,但是根據(jù)這種技術(shù)通過簡單的替代將其用作用于多層線圈部件的內(nèi)部電極的材料仍受限。
[0017]【現(xiàn)有技術(shù)文獻】
[0018]【專利文獻】
[0019](專利文獻I)美國專利特開公開N0.2011-0285494
【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明的目的在于提供一種多層線圈部件,該多層線圈部件能夠解決由于使用銅替代銀作為用于現(xiàn)有多層線圈部件的內(nèi)部電極的材料而導(dǎo)致的現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例,提供了一種多層線圈部件,包括:其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,內(nèi)部電極通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物。
[0022]銅-鎳混合物可為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
[0023]在此,內(nèi)部電極中的鎳含量可為5~25wt%。
[0024]陶瓷層可由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例,提供了一種多層線圈部件,包括:其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,內(nèi)部電極通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物,并且其中,內(nèi)部電極中的鎳含量滿足5 ( Ni (wt%) ( 25。
[0026]銅-鎳混合物可為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
[0027]陶瓷層可由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的又一個示例性實施例,提供了一種多層線圈部件,包括:其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,內(nèi)部電極通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物,并且其中,在內(nèi)部電極與陶瓷層之間的界面處形成有鎳和鐵氧體混合區(qū)域。[0029]鎳和鐵氧體混合區(qū)域可通過包含內(nèi)部電極的鎳和陶瓷層的鐵氧體而形成。
[0030]鎳和鐵氧體混合區(qū)域具有的厚度可為0.2?5 μ m。
[0031]在此,內(nèi)部電極中的鎳含量可為5?25wt%。
[0032]銅-鎳混合物可為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
[0033]陶瓷層可由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
[0034]多層線圈部件可為多層片式電感器(multilayer coil inductor)、多層片式磁珠(multilayer coil bead)或多層功率電感器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的多層線圈部件的橫截面結(jié)構(gòu);
[0036]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例的多層線圈部件的橫截面結(jié)構(gòu);
[0037]圖3示出了在圖2中的內(nèi)部電極與陶瓷層之間的界面處形成有鎳和鐵氧體混合區(qū)域的結(jié)構(gòu);
[0038]圖4示出了圖2中的內(nèi)部電極的內(nèi)部結(jié)構(gòu);
[0039]圖5示出了制造根據(jù)本發(fā)明的該示例性實施例的多層線圈部件的線圈形成工序;
[0040]圖6和圖7分別示出了根據(jù)實例和比較實例而制造的多層線圈部件的阻抗測量結(jié)果;
[0041]圖8為根據(jù)本發(fā)明的該示例性實施例的多層線圈部件的橫截面結(jié)構(gòu)的光學(xué)顯微鏡圖像;
[0042]圖9為圖8的光學(xué)顯微鏡圖像的一部分的掃描電子顯微鏡圖像;以及
[0043]圖1OA和圖1OB為示出了通過圖9的EPDA制圖而測得的銅(a)和鎳(b)在內(nèi)部電極中的分布的圖像。
【具體實施方式】
[0044]下文中,將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細描述。
[0045]在本說明書中使用的術(shù)語是用于解釋示例性實施例,而不是用于限制本發(fā)明。如在此所使用的,除非明確說明與之相反,在本說明書中,單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式。同樣,在此所使用的詞語“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”應(yīng)當理解為意指包含所述成分、步驟、操作和/或元件,但是并不排除任何其他成分、步驟、操作和/或元件。
[0046]本發(fā)明針對能夠使用廉價的銅作為用于內(nèi)部電極的材料的替代物的多層線圈部件。
[0047]參照示出了根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的多層線圈部件的橫截面的圖1,該多層線圈部件可包括:其中具有多個陶瓷層的主體110 ;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極120,內(nèi)部電極120通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極120包含銅-鎳混合物。
[0048]在如同現(xiàn)有技術(shù)那樣僅將銅用作用于內(nèi)部電極的材料的情況下,由于銅在塑化工藝中氧化,內(nèi)部電極的電阻可能增大,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。在本發(fā)明中,銅和鎳可混合使用以防止上述缺陷。[0049]另外,當銅和鎳相混合而用作用于內(nèi)部電極的材料時,這妨礙了陶瓷層與內(nèi)部電極之間的接觸,并且因此增大了可能在兩種材料之間產(chǎn)生的絕緣電阻,從而能夠防止多層線圈部件的特性的劣化。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的銅-鎳混合物可包含從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
[0051]銅-鎳混合粉末是指其中銅粉和鎳粉簡單混合的粉末。在此,基于銅-鎳混合粉末的總含量,銅-鎳混合粉末中的鎳含量可優(yōu)選地為5~25wt%。如果銅-鎳混合粉末中的鎳含量在5wt%以下,則抑制銅與磁性材料之間的反應(yīng)的效果不充分,并且因此可能仍不能充分地防止銅的氧化。如果在25wt%以上,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0052]另外,銅-鎳合金是指其中銅和鎳為合金類型的合金。制備銅-鎳合金的方法未特別限制。銅和 鎳可通過使用已知的方法制成合金,并且可使用商業(yè)銅-鎳合金。銅-鎳合金中的鎳含量可優(yōu)選地為5~25wt%。如果銅-鎳合金中的鎳含量在5wt%以下,則抑制銅與磁性材料之間的反應(yīng)的效果不充分,并且因此可能仍不能充分地防止銅的氧化。如果在25wt%以上,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0053]另外,涂覆有鎳的銅粉末是指銅粉的表面涂覆有鎳。涂覆在銅粉末上的鎳層具有的厚度優(yōu)選地為0.2~1.0 μ m,但不特別限于此。然而,基于涂覆有鎳的銅粉末的總含量,涂覆在銅粉末上的鎳的含量可優(yōu)選地為5~25wt%。如果涂覆有鎳的銅粉末中的鎳含量在5wt%以下,則抑制銅與磁性材料之間的反應(yīng)的效果不充分,并且因此可能仍不能充分地防止銅的氧化。如果在25wt%以上,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0054]作為本發(fā)明的陶瓷層,可應(yīng)用軟磁鐵氧體,并且特別地,可優(yōu)選地使用NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體。在此,陶瓷層還可包含作為燒結(jié)助劑的玻璃、Bi203> V2O5等,但不限于此。
[0055]另外,為了形成陶瓷層,其中還可包含已知的溶劑和聚合物粘合劑,但其種類和含量未特別限制,并且適于形成普通陶瓷層。
[0056]另外,多層線圈部件包括外部電極130。外部電極130可由與內(nèi)部電極120相同的材料或其他材料形成,但用于外部電極的材料未特別限制。
[0057]具有上述結(jié)構(gòu)的多層線圈部件可應(yīng)用于所有以下類型:磁珠類型、普通電感器類、以及功率電感器類型。
[0058]另外,參照示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例的多層線圈部件的橫截面的圖1,該多層線圈部件可包括:其中具有多個陶瓷層的主體110 ;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極120,內(nèi)部電極120通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極120包含銅-鎳混合物,并且其中,內(nèi)部電極中的鎳含量滿足5≤Ni (wt%)(25。
[0059]根據(jù)上述示例性實施例,銅-鎳混合物用于內(nèi)部電極,并且基于整個內(nèi)部電極,銅-鎳混合物中的鎳含量為5~25wt%,從而使本發(fā)明的多層線圈部件的特性最大化。
[0060]根據(jù)本發(fā)明的銅-鎳混合物可包含從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。作為用在本發(fā)明中的銅-鎳混合物的銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末具有與上述示例性實施例中描述的含義相同的含義。
[0061]如果銅-鎳混合物中的鎳含量在5wt%以下,則增大銅和陶瓷層的鐵氧體之間的絕緣電阻的效果不充分。如果在25wt%以上,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0062]作為根據(jù)本示例性實施例的銅-鎳混合物,如同在上述示例性實施例中那樣,可使用各種類型的銅-鎳混合物。在此,多層線圈部件的電阻(Rdc)可通過使用包含5?25wt%的鎳含量的內(nèi)部電極而保持在預(yù)定的要求水平。
[0063]本發(fā)明的陶瓷層可優(yōu)選地由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成,并且在此,還可以包含作為燒結(jié)助劑的玻璃、Bi203、V205等,但不限于此。另外,為了形成陶瓷層,其中還可包含已知的溶劑和聚合物粘合劑,但是其種類和含量未特別限制,并且適于形成普通陶瓷層。
[0064]另外,多層線圈部件包括外部電極130。外部電極130可由與內(nèi)部電極120相同的材料或其他材料形成,但是用于多層線圈部件的材料未特別限制。
[0065]具有上述結(jié)構(gòu)的多層線圈部件可應(yīng)用于所有以下類型:磁珠類型、普通電感器類型、以及功率電感器類型。
[0066]另外,參照示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例的多層線圈部件的橫截面的圖2,該多層線圈部件可包括:其中具有多個陶瓷層的主體110 ;以及分別形成在多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極120,內(nèi)部電極120通過陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案,其中,內(nèi)部電極120包含銅-鎳混合物,并且其中,在內(nèi)部電極120與陶瓷層之間的界面處形成有鎳和鐵氧體混合區(qū)域140。
[0067]術(shù)語“鎳和鐵氧體混合區(qū)域140”是指通過包含內(nèi)部電極120中所包含的鎳和陶瓷層中所包含的鐵氧體而形成的區(qū)域。鎳和鐵氧體混合區(qū)域主要包含鎳,并部分包含鐵氧體。
[0068]根據(jù)本示例性實施例的內(nèi)部電極120可由銅-鎳混合物形成,鎳和鐵氧體混合區(qū)域140形成在內(nèi)部電極120與陶瓷層之間的界面處,同時鎳和鐵氧體混合區(qū)域140由從用于內(nèi)部電極120的銅-鎳混合物中移出的鎳和從陶瓷層移出的鐵氧體而形成。
[0069]參照示出了圖2中的包括內(nèi)部電極的圓圈部分的放大結(jié)構(gòu)的圖3和示出了內(nèi)部電極的結(jié)構(gòu)的圖4,由銅-鎳混合物形成的內(nèi)部電極120形成在鎳和鐵氧體混合區(qū)域140內(nèi)。
[0070]在內(nèi)部電極120中,鎳與銅的面積比(ANi/ACu)可優(yōu)選地在0.03?0.2的范圍內(nèi)。如果內(nèi)部電極中的鎳與銅的面積比在0.03以下并且鎳含量過少,則抑制銅的氧化的效果不充分。如果在0.2以上并且因此鎳含量過多,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0071]根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)部電極120中的鎳與銅的面積比通過僅使用存在于內(nèi)部電極120中的鎳的面積(除分布在距離內(nèi)部電極120與陶瓷層之間的界面的O?1.0 μ m厚度內(nèi)的鎳以外)來計算。
[0072]另外,包含在內(nèi)部電極120中的鎳在燒制過程中從內(nèi)部電極120中移出,并且鐵氧體從陶瓷層中移出,以在內(nèi)部電極120與陶瓷層之間的界面處單獨形成鎳和鐵氧體混合區(qū)域140。因此,本發(fā)明的內(nèi)部電極120中的鎳與銅的面積比通過僅使用存在于內(nèi)部電極120自身中的鎳的面積(除包含在鎳和鐵氧體混合區(qū)域140中的鎳的面積以外)來計算。
[0073]具體來說,選擇內(nèi)部電極的除與距離內(nèi)部電極與陶瓷層之間的界面的O?1.Ομπι厚度對應(yīng)的區(qū)域以外的任何區(qū)域,并且然后獲得其光學(xué)顯微鏡圖像。然后,當根據(jù)光學(xué)顯微鏡圖像進行EPMA制圖工序時,可獲得其中銅和鎳以不同顏色標記的圖像。根據(jù)所獲得的圖像,可計算內(nèi)部電極的總面積中的由鎳占據(jù)的面積與由銅占據(jù)的面積的比。
[0074]另外,參照示出了圖2中的內(nèi)部電極120的放大結(jié)構(gòu)的圖3,其中,從內(nèi)部電極120移出的鎳和從陶瓷層移出的鐵氧體混合的鎳和鐵氧體混合區(qū)域140形成在內(nèi)部電極120周圍的界面處。
[0075]鎳和鐵氧體混合區(qū)域140用作抑制內(nèi)部電極120的銅與陶瓷層的鐵氧體之間的反應(yīng)的障礙物,從而有效地防止由于銅的氧化而導(dǎo)致的電阻的增大。
[0076]另外,鎳和鐵氧體混合區(qū)域140用作一種絕緣膜,從而提高陶瓷體的絕緣電阻(IR),并且在使電阻損耗最小的同時使電特性(阻抗)提高至期望的水平。
[0077]本發(fā)明的鎳和鐵氧體混合區(qū)域140具有0.2?5 μ m的厚度,在提高絕緣電阻和電特性方面,這是特別優(yōu)選的。
[0078]用于根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的內(nèi)部電極120的銅-鎳混合物可包含從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。作為用在本發(fā)明的第三示例性實施例中的銅-鎳混合物的銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末具有與在上述示例性實施例中描述的含義相同的含義。
[0079]如果銅-鎳混合物中的鎳含量在5wt%以下,則抑制銅和磁性材料之間反應(yīng)的效果不充分,并且因此可能仍不能充分地防止銅的氧化。如果在25wt%以上,則電阻(Rdc)過高,導(dǎo)致多層線圈部件的特性劣化。
[0080]本發(fā)明的陶瓷層可優(yōu)選地由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成,并且在此,還可以包含作為燒結(jié)助劑的玻璃、Bi203、V205等,但不限于此。另外,為了形成陶瓷層,其中還可包含已知的溶劑和聚合物粘合劑,但是其種類和含量并不特別限制,并且適于形成普通陶瓷層。
[0081]另外,多層線圈部件包括外部電極130。外部電極130可由與內(nèi)部電極120相同的材料或其他材料形成,但是用于外部電極的材料未特別限制。
[0082]具有上述結(jié)構(gòu)的多層線圈部件可應(yīng)用于所有以下類型:磁珠類型、普通電感器類型、以及功率電感器類型。
[0083]下文中,將參照圖5對制造根據(jù)本發(fā)明的多層線圈部件的工序進行描述。首先,通過以下方法來制造多層線圈部件:在包含有機材料的陶瓷層110中形成用于層間相互作用的通孔111,這些陶瓷層通過帶模塑(tape molding)模制,并且然后在板上印刷內(nèi)部電極漿料(內(nèi)部電極120),使之適合孔20,以形成圖案。當根據(jù)精確的位置層壓這樣印刷的圖案時,內(nèi)部電極漿料通過通孔111連接,從而整體地形成線圈。將線圈式半成品切割成單獨的片(chip),并且在大氣下對其施加熱空氣以去除有機材料(脫脂)。在爐中在800°C或更高的溫度下對得到的產(chǎn)品進行燒制,從而形成片式電感器。
[0084]陶瓷層由包含NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體的鐵氧體漿料形成為磁板(鐵氧體板)。具體來說,在對包含F(xiàn)e203、NiO, CuO、以及ZnO (作為主要成分)的鐵氧體細粉末進行塑化和研磨之后,將溶劑(諸如乙醇等)和粘合劑(諸如PVA等)添加至鐵氧體細粉末并與之混合,從而制備鐵氧體漿料,并且然后通過刮勻涂裝法等將該鐵氧體漿料涂覆在為表面的形狀的膜(諸如PET等)上,從而獲得磁板(鐵氧體板)。
[0085]然后,通過使用模塑進行沖孔、使用激光工藝進行打孔等在陶瓷層中形成通孔的預(yù)定布置,并且然后在陶瓷層上印刷用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料以具有預(yù)定圖案。
[0086]另外,在其中根據(jù)本發(fā)明的多層線圈部件為多層功率電感器的情況下,可通過使用非磁性材料在陶瓷層內(nèi)另外形成間隙層。
[0087]在本發(fā)明中,通過使用從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者在陶瓷層上形成內(nèi)部電極:其中銅和鎳彼此混合的銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。在用在根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)部電極中的銅-鎳混合物中包含5~25wt%的鎳是重要的。另外,形成內(nèi)部電極的方法未特別限制,并且可按照現(xiàn)有技術(shù)的已知方法,諸如印刷法或刮勻涂裝法。
[0088]層壓并結(jié)合其上具有內(nèi)部電極的各個陶瓷層,同時通過通孔使內(nèi)部電極彼此連接以構(gòu)成螺旋形的線圈。將層壓件切割成預(yù)定尺寸,以獲得片型未燒制層壓件。
[0089]在空氣中在大約150~400°C的溫度下進行加熱,使未燒制層壓件經(jīng)受塑化工藝以去除粘合劑成分。在本發(fā)明中,銅-鎳混合物用于內(nèi)部電極,以允許鎳抑制陶瓷層與銅之間的反應(yīng),并且因此防止銅在塑化工藝過程中的氧化。因此,能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的問題,諸如由于銅的氧化而導(dǎo)致電阻的增大、多層線圈部件的特性的劣化。另外,由于抑制銅的氧化的效果,能夠容易地進行層壓片的塑化工藝。
[0090]然后,在去除粘合劑成分之后對未燒制層壓件進行燒制,從而獲得片狀層壓件。用于燒制工藝的條件未特別限制。燒制工藝可根據(jù)用于普通多層線圈部件的燒制條件來進行,并且可優(yōu)選地在其中氧被除去的還原氣氛中進行。
[0091]另外,為了形成外部電極,通過浸潰涂布法(dip coating method)等在片狀層壓件的兩個端部上涂覆導(dǎo)電漿料。作為用于形成外部電極的導(dǎo)電漿料,可使用與內(nèi)部電極相同的材料,或者可使用包含銀(Ag)的現(xiàn)有技術(shù)的金屬漿料作為主要成分,但是材料的種類未特別限制。
[0092]另外,可通過對層壓件進行燒制并且然后在層壓件的兩個端部處形成外部電極來制造多層電感器??蓪ν獠侩姌O應(yīng)用使用鎳、錫等的鍍覆工藝。
[0093]下文中,將對本發(fā)明的實例進行詳細描述。下面的實例僅僅對本發(fā)明進行說明,而本發(fā)明的范圍不應(yīng)被解釋為受這些實例限制。此外,下面的實例通過使用特定的化合物來說明,但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是,可使用其等同物來獲得相同或相似程度的效果。
[0094]實例和比較實例
[0095]通過使用具有如下面的表1中所示的鎳含量的用于內(nèi)部電極的材料并通過包括如在圖5中所示的形成內(nèi)部電極的工藝來制造具有圖1中所示的結(jié)構(gòu)的每個多層電感器。
[0096]實駘實例I
[0097]測量在實例中制造的每個多層電感器的阻抗和Rdc,并且將測量結(jié)果列在下面的表1中。另外,樣品號I和9的阻抗和Rdc測量結(jié)果在圖6和圖7中示出。
[0098]【表1】
[0099]
【權(quán)利要求】
1.一種多層線圈部件,包括: 其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在所述多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,所述內(nèi)部電極通過所述陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案, 其中,所述內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層線圈部件,其中,所述銅-鎳混合物為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層線圈部件,其中,所述內(nèi)部電極中的鎳含量為5~25wt%0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層線圈部件,其中,所述陶瓷層由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層線圈部件,其中,所述多層線圈部件為多層片式電感器、多層片式磁珠、或者多層功率電感器。
6.一種多層線圈部件,包括: 其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在所述多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,所述內(nèi)部電極通過所述陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案, 其中,所述內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物,并且 其中,所述內(nèi)部電極中的鎳含量滿足5 < Ni (wt%) ( 25。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層線圈部件,其中,所述銅-鎳混合物為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層線圈部件,其中,所述陶瓷層由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層線圈部件,其中,所述多層線圈部件為多層片式電感器、多層片式磁珠、或者多層功率電感器。
10.一種多層線圈部件,包括: 其中具有多個陶瓷層的主體;以及分別形成在所述多個陶瓷層上的多個內(nèi)部電極,所述內(nèi)部電極通過所述陶瓷層的通孔彼此層間連接以形成線圈圖案, 其中,所述內(nèi)部電極包含銅-鎳混合物,并且 其中,在所述內(nèi)部電極與所述陶瓷層之間的界面處形成有鎳和鐵氧體混合區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述鎳和鐵氧體混合區(qū)域通過包含所述內(nèi)部電極的鎳和所述陶瓷層的鐵氧體而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述鎳和鐵氧體混合區(qū)域具有的厚度為0.2~5 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述內(nèi)部電極中的鎳含量為5~25wt%0
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述銅-鎳混合物為從以下各項構(gòu)成的組中選出的至少一者:銅-鎳混合粉末、銅-鎳合金、以及涂覆有鎳的銅粉末。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述陶瓷層由NiZn鐵氧體或MnNiZn鐵氧體形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層線圈部件,其中,所述多層線圈部件為多層片式電感器、多層片式磁珠、或者多層功率電感器。
【文檔編號】H01F5/00GK103839647SQ201310485190
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】孫受煥, 韓鎮(zhèn)宇, 文炳喆 申請人:三星電機株式會社
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