具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板的制作方法
【專利摘要】在本發(fā)明的較佳實施態(tài)樣中，具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板包括：一半導(dǎo)體元件、一核心層、一屏蔽蓋、多個屏蔽狹槽及增層電路。增層電路覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層，屏蔽狹槽及屏蔽蓋是通過增層電路而與半導(dǎo)體元件的至少一接地接觸墊電性連接，且屏蔽狹槽及屏蔽蓋可分別作為半導(dǎo)體元件的有效的水平及垂直電磁屏障。
【專利說明】具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路，尤指一種具有屏蔽蓋和屏蔽狹槽的線路板，其中，屏蔽蓋和屏蔽狹槽可分別做為內(nèi)嵌元件的水平及垂直屏障。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體元件易受到電磁干擾(EMI)或是其他內(nèi)部元件干擾，例如在高頻模式操作時的電容、感應(yīng)、導(dǎo)電耦合等。當半導(dǎo)體芯片為了微型化而與彼此緊密地設(shè)置時，這些不良干擾的嚴重性可能會大幅上升。為了減少電磁干擾，在某些半導(dǎo)體元件及模塊上可能需要屏障。
[0003]Bolognia等人的美國專利號8，102, 032、Pagaila等人的美國專利號8，105, 872、Fuentes等人的美國專利號8，093, 691、Chi等人的美國專利號8，314，486及美國專利號8，349，658揭示用于半導(dǎo)體元件屏障的各種方法,包括金屬罐、線狀網(wǎng)(wire fences)、或球狀網(wǎng)(ball fences)。上述所有方法皆設(shè)計用于組裝于基板及屏蔽材料(例如金屬罐、金屬膜、線狀或球狀網(wǎng))上的元件，屏蔽材料皆為外部添加的形式，其需要額外空間，因而增加半導(dǎo)體封裝的尺寸及額外耗費。
[0004]Ito等人的美國專利號7，929，313、美國專利號7，957，154及美國專利號8，168，893揭露一種使用位于樹脂層中的導(dǎo)電盲孔以形成電磁屏障層的方法，該電磁屏障層環(huán)繞用于容納內(nèi)嵌半導(dǎo)體元件的凹陷部分。此種結(jié)構(gòu)確保在小空間中內(nèi)嵌元件的優(yōu)異電性屏蔽，但導(dǎo)電盲孔的深度需要如同半導(dǎo)體元件的厚度，故鉆孔及被覆孔洞時受到高縱橫比的限制，且僅能容納一些超薄的元件。此外，由于作為芯片放置區(qū)域的凹陷部分是于導(dǎo)電盲孔金屬化后形成，因?qū)市圆钤斐砂雽?dǎo)體元件錯位，進而使此方法在大量制造時產(chǎn)率極低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是有鑒于以上的情形而發(fā)展，其目的在于提供一種具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路，電磁屏障可有效屏蔽內(nèi)嵌元件免于電磁干擾。據(jù)此，本發(fā)明提供一種包括半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽狹槽、屏蔽蓋、第一增層電路、及選擇性地包含第二增層電路的線路板。此外，本發(fā)明亦提供另一線路板，其包含半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽狹槽、第一增層電路、及具有屏蔽蓋的第二增層電路。
[0006]在一較佳實施態(tài)樣中，屏蔽狹槽及屏蔽蓋是與半導(dǎo)體元件的至少一接地接觸墊電性連接，且可分別做為半導(dǎo)體元件的水平及垂直屏障。核心層于垂直于該垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向覆蓋該半導(dǎo)體元件，屏蔽蓋于第二垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件，第一增層電路及第二增層電路分別白第一及第二垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層。
[0007]本發(fā)明的線路板可還包括一定位件，其可作為半導(dǎo)體元件的配置導(dǎo)件，該定位件于側(cè)面方向靠近及側(cè)向?qū)试摪雽?dǎo)體元件的外圍邊緣。該定位件可于第一垂直方向接觸該第二增層電路的屏蔽蓋或絕緣層，及于第一垂直方向自該第二增層電路的屏蔽蓋或絕緣層朝延伸，或自該第一增層電路的絕緣層于第二垂直方向延伸。例如，該定位件可自第二增層電路的絕緣層或屏蔽蓋于第一垂直方向延伸，并延伸超過該半導(dǎo)體元件的非主動面；或自第一增層電路的絕緣層于第二垂直方向延伸，或延伸超過該半導(dǎo)體元件的主動面。在任何條件下，該定位件是位于半導(dǎo)體元件的外圍邊緣外，并靠近半導(dǎo)體元件的外圍邊緣。
[0008]該半導(dǎo)體元件包含一具有多個接觸墊的主動面、及與該主動面相反的一非主動面。該半導(dǎo)體元件的主動面面朝該第一垂直方向并背向該第二增層電路或屏蔽蓋，且該半導(dǎo)體元件的非主動面面朝該第二垂直方向并朝向該第二增層電路或屏蔽蓋。該半導(dǎo)體元件可利用一黏著劑固定在第一或第二增層電路上、或設(shè)置在屏蔽蓋上。
[0009]該核心層可接觸并環(huán)繞該半導(dǎo)體元件的側(cè)壁及該定位件，且與該半導(dǎo)體元件的側(cè)壁及該定位件同形被覆，及自該半導(dǎo)體元件及該定位件側(cè)向延伸至該線路板的外圍邊緣。該核心層可由預(yù)浸材料制成，例如環(huán)氧樹指、BT、聚酰亞胺及它種樹脂或樹脂/玻璃復(fù)合物。
[0010]該屏蔽狹槽可自該第一增層電路于第二垂直方向延伸至屏蔽蓋或定位件。例如，該屏蔽狹槽可于一第一端延伸至第一增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層，并電性連接至第一增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層；且于一第二端可延伸至屏蔽蓋或定位件，并電性連接至屏蔽蓋或定位件。另一方面，屏蔽狹槽可自第二增層電路于第一垂直方向延伸至定位件。例如，于第一端的該屏蔽狹槽可延伸至定位件，并電性連接至定位件；且于第二端可延伸至第二增層電路的屏蔽蓋，或電性連接至第二增層電路的屏蔽蓋。與第一增層電路間隔的屏蔽狹槽可通過導(dǎo)電盲孔或一個以上被覆穿孔而電性連接至第一增層電路，所述導(dǎo)電盲孔是與定位件電性接觸，所述被覆穿孔是與屏蔽蓋和第一增層電路電性接觸。在任何條件下，屏蔽狹槽延伸穿過核心層且側(cè)向覆蓋半導(dǎo)體元件，并可通過第一增層電路而電性連接至半導(dǎo)體元件的至少一個接地接觸墊。所述屏蔽狹槽可通過形成延伸穿過核心層的狹孔、接著電鍍所述狹孔的內(nèi)側(cè)壁而形成。屏蔽狹槽各自可為一連續(xù)的金屬化狹槽，且可具有一面朝第一或第二垂直方向的開放端。為了提供有效的側(cè)向EMI屏障，每一屏蔽狹槽較佳是沿著半導(dǎo)體元件的每一側(cè)面邊緣側(cè)向延伸，且屏蔽狹槽的兩側(cè)端較佳為向外側(cè)向延伸超過半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，甚至側(cè)向延伸至線路板的外圍邊緣。例如，線路板可設(shè)計為具有四個屏蔽狹槽，各自于側(cè)面方向沿著半導(dǎo)體元件的四個側(cè)邊而連續(xù)延伸超過半導(dǎo)體元件的外圍邊緣。據(jù)此，屏蔽狹槽可完全覆蓋半導(dǎo)體元件的側(cè)面，以減少側(cè)面電磁干擾?；蛘撸谄帘为M槽延伸至定位件的情況下，半導(dǎo)體元件的側(cè)面可由定位件和屏蔽狹孔的組合完全覆蓋。
[0011]屏蔽蓋是從第二垂直方向?qū)试摪雽?dǎo)體元件并覆蓋該半導(dǎo)體元件，且可通過第一增層電路而電性連接至半導(dǎo)體元件的至少一接地接觸墊。屏蔽蓋可為一連續(xù)金屬層，且為了提供有效的垂直EMI屏障，較佳為至少側(cè)向延伸至與半導(dǎo)體元件的外圍邊緣重合。例如，屏蔽蓋可于側(cè)面方向側(cè)向延伸至與半導(dǎo)體元件的外圍邊緣共平面，或向外側(cè)向延伸超過半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，且甚至側(cè)向延伸至線路板的外圍邊緣。據(jù)此，屏蔽蓋可白第二垂直方向完全覆蓋半導(dǎo)體元件，以減少垂直的電磁干擾。與第一增層電路間隔的屏蔽蓋可通過屏蔽狹槽而電性連接至第一增層電路，屏蔽狹槽是與第一增層電路電性連接。例如，本發(fā)明的一態(tài)樣中，具有屏蔽狹槽的線路板于第二端延伸至屏蔽蓋，屏蔽狹槽接觸屏蔽蓋并可提供屏蔽蓋與第一增層電路間的電性連接。并且，根據(jù)另一態(tài)樣中，當定位件白屏蔽蓋朝第一垂直方向延伸，且屏蔽狹槽于第二端延伸至定位件時，屏蔽蓋可通過定位件及屏蔽狹槽而電性連接至第一增層電路。再一實施態(tài)樣的具有屏蔽狹槽的線路板，屏蔽狹槽于第二端延伸至定位件，其中，定位件通過第二增層電路的絕緣層而與屏蔽蓋間隔開來，屏蔽蓋可通過第二增層電路的導(dǎo)電盲孔或?qū)щ姕隙娦赃B接至定位件，因此，屏蔽狹槽、定位件及導(dǎo)電盲孔或?qū)щ姕系慕M合可提供屏蔽蓋與第一增層電路間的電性連接。或者，屏蔽蓋可通過一個以上的延伸穿過核心層的被覆穿孔而電性連接至第一增層電路。例如，于第一端的被覆穿孔可延伸至第一增層電路，并電性連接至第一增層電路；且于第二端可延伸至屏蔽蓋，并電性連接至屏蔽蓋。因此，被覆穿孔可提供屏蔽蓋與第一增層電路間的電性連接。
[0012]第一增層電路自第一垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層，且可包含第一絕緣層及一個以上的第一導(dǎo)線。例如，第一絕緣層于第一垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層，且可延伸至線路板的外圍邊緣，及第一導(dǎo)線自第一絕緣層朝第一垂直方向延伸。第一絕緣層可包含多個第一盲孔，其設(shè)置為鄰接于半導(dǎo)體元件的所述接觸墊。一個以上的第一導(dǎo)線白第一絕緣層于第一垂直方向延伸，且于第一絕緣層上側(cè)向延伸，并于第二垂直方向延伸進入第一盲孔以形成第一導(dǎo)電盲孔，因而提供半導(dǎo)體元件的信號接觸墊的信號路由、及半導(dǎo)體元件的接地接觸墊的接地。此外，一實施態(tài)樣的線路板，其定位件白第一絕緣層于第一垂直方向延伸，第一絕緣層可還包括一或多個額外的第一盲孔，其是設(shè)置為鄰接于定位件的選定部位。第一導(dǎo)線可于第二垂直方向更延伸進入額外的第一盲孔，以形成一或多個額外的第一導(dǎo)電盲孔，其是與定位件電性接觸，因而提供半導(dǎo)體元件的接地接觸墊與定位件間的接地。因此，與定位件電性連接的屏蔽狹槽可通過定位件與第一導(dǎo)電盲孔而電性連接至半導(dǎo)體元件的接地接觸墊。簡言的，第一增層電路是通過第一導(dǎo)電盲孔而電性連接至半導(dǎo)體元件的接觸墊，以提供半導(dǎo)體元件的信號路由及接地，并可更通過額外的第一導(dǎo)電盲孔而電性連接至接定位件，以提供定位件的接地。當?shù)谝粚?dǎo)線可直接接觸半導(dǎo)體元件的接觸墊與定位件時，半導(dǎo)體元件與第一增層電路件間、定位件與第一增層電路間的電性連接可不含焊料。
[0013]根據(jù)具有半導(dǎo)體元件設(shè)至于屏蔽蓋上的線路板態(tài)樣，可選擇性地提供第二增層電路，其自第二垂直方向覆蓋屏蔽蓋及核心層。在此態(tài)樣中，第二增層電路可包含第二絕緣層及一個以上第二導(dǎo)線。例如，第二絕緣層白第二垂直方向覆蓋屏蔽蓋及核心層，且可延伸至線路板的外圍邊緣，及第二導(dǎo)線白第二絕緣層于第二垂直方向延伸，并于第二絕緣層上側(cè)向延伸。第二絕緣層可包含一個以上第二盲孔，其是設(shè)置為鄰接于屏蔽蓋的選定部位。第二導(dǎo)線可于第一垂直方向更延伸進入第二盲孔，以形成一個以上的第二導(dǎo)電盲孔，因而提供屏蔽蓋的電性連接。另一線路板態(tài)樣，其屏蔽蓋內(nèi)建于第二增層電路中，第二增層電路自第二垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層，并可包含第二絕緣層、屏蔽蓋及選擇性包含第二導(dǎo)線。例如，第二絕緣層自第二垂直方向覆蓋半導(dǎo)體元件及核心層，并可延伸至線路板的外圍邊緣，且屏蔽蓋及第二導(dǎo)線自第二絕緣層朝第二垂直方向延伸，并于第二絕緣層上側(cè)向延伸。在線路板的一實施態(tài)樣中，定位件自第二絕緣層朝第一垂直方向延伸，第二絕緣層可包含一個以上第二盲孔或溝孔，其是設(shè)置為鄰接于定位件的選定部位，并可被金屬化以形成一個以上的第二導(dǎo)線或?qū)щ姕?。?jù)此，于第二端的屏蔽狹槽延伸至定位件的條件下，屏蔽蓋可通過屏蔽狹槽、定位件、及第二導(dǎo)電盲孔或?qū)щ姕隙娦赃B接至第一增層電路以接地。在另一態(tài)樣的線路板中，屏蔽狹槽自第一增層電路延伸至第二增層電路的屏蔽蓋，屏蔽蓋可通過屏蔽狹槽而電性連接至第一增層電路。[0014]若需要額外的信號路由，第一及第二增層電路可包含額外介電層、額外盲孔層、及額外導(dǎo)線層。例如，第一增層電路可還包含第三絕緣層及第三導(dǎo)線。第三絕緣層自第一絕緣層及第一導(dǎo)線于第一垂直方向延伸，并可延伸至線路板的外圍邊緣，且第三導(dǎo)線自第三絕緣層朝第一垂直方向延伸。在屏蔽狹槽于第一端延伸至第一導(dǎo)線且具有朝向第一垂直方向的開放端的情況下，第三絕緣層可于屏蔽狹槽的開放端更延伸進入屏蔽狹槽。第一及第二增層電路的最外導(dǎo)線可分別包含一個以上第一及第二內(nèi)連接墊，以提供如半導(dǎo)體芯片、塑料封裝或另一半導(dǎo)體組體的電子元件的電性接點。第一內(nèi)連接墊可包含面朝第一垂直方向的外露接觸表面，同時第二內(nèi)連接墊可包含面朝第二垂直方向的外露接觸表面。因此，線路板可包含電性接點(例如第一及第二內(nèi)連接墊)，其是互相電性連接且位于面朝相反垂直方向的相反表面，使線路板可堆疊且電子元件可利用各種連接媒介電性連接至該線路板，連接媒介包括打線或焊錫凸塊以作為電性接點。
[0015]本發(fā)明的線路板可還包含一個以上的延伸穿過核心層的被覆穿孔，被覆穿孔可提供第一增層電路與第二增層電路間的電性連接。例如，于第一端的被覆穿孔可延伸至第一增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層，并電性連接至第一增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層；及于第二端可延伸至第二增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層或屏蔽蓋，并電性連接至第二增層電路的外或內(nèi)導(dǎo)電層或屏蔽蓋。因此，被覆穿孔可提供垂直方向信號路由的電性連接或接地。
[0016]定位件可由金屬、光敏性塑料材料、或非光敏性材料制備而成，例如，定位件可大致由銅、鋁、鎳、鐵、錫、其合金所組成，定位件亦可由環(huán)氧樹脂、或聚酰亞胺所組成。此外，定位件可具有圖案以防止半導(dǎo)體元件的不必要位移。如，定位件可包含一連續(xù)或不連續(xù)的條板或突柱陣列。具體來說，該定位件可側(cè)向?qū)R該半導(dǎo)體元件的四個側(cè)表面，以防止該半導(dǎo)體元件的橫向位移。舉例來說，該定位件可沿著該半導(dǎo)體元件的四個側(cè)面、兩個對角、或四個角對齊，且該半導(dǎo)體元件以及該定位件間的間隙較佳約于0.001至I毫米的范圍的內(nèi)。因此，未于屏蔽狹槽和半導(dǎo)體元件的定位件可防止半導(dǎo)體元件的位置誤差超過最大可接受誤差限制。此外，在屏蔽狹槽延伸至定位件的情況下，定位件亦可作為半導(dǎo)體元件的水平屏障的部分。此外，定位件較佳為具有10-200微米的厚度。
[0017]本發(fā)明更提供了一種三維堆疊組體，其由多個各自具有內(nèi)嵌元件及電磁屏障的線路板所堆疊而成，多個線路板是利用分別位于兩相鄰線路板間的內(nèi)介電層，以背對背(back-to-back)或面對背(face_to_back)的方式堆疊，并通過一或多個被覆穿孔與彼此電性連接。
[0018]本發(fā)明具有許多優(yōu)點，其中，屏蔽狹槽和屏蔽蓋可分別做為半導(dǎo)體元件的水平及垂直EMI屏障，以降低電磁干擾。該半導(dǎo)體元件的所述接地接觸墊與所述屏蔽側(cè)狹槽/屏蔽蓋間的電性連接可經(jīng)由該增層電路提供，以提供嵌埋于該線路板中的該半導(dǎo)體元件的有效的電磁屏障效果。因該增層電路的高路由選擇能力(routing capability)，該增層電路可提供信號路由并利于展現(xiàn)高I/O值以及高性能。此外，可因?qū)嶋H需求而選擇性地提供定位件。例如，在線路板中嵌埋具有精細間距(pitch)的芯片的情況下，該定位件可準確地限制芯片的放置位置，以避免因芯片橫向位移導(dǎo)致芯片以及增層電路間的電性連接錯誤，進而大幅度的改善了產(chǎn)品良率。該線路板及使用其的該堆疊組體的可靠度高、價格低廉、且非常適合大量制造生產(chǎn)。
[0019]本發(fā)明的上述及其他特征與優(yōu)點將于下文中通過各種較佳實施例進一步加以說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為進一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合較佳實施例及附圖詳細說明如后，其中:
[0021]圖1至圖5是本發(fā)明一較佳實施例的線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽蓋、屏蔽狹槽、端子、增層電路及被覆穿孔；其中圖1A、2A及4A分別為圖1、圖2及圖4的俯視圖，且圖1B至圖1G為定位件的其他參考圖案的俯視圖。
[0022]圖6至圖15是本發(fā)明另一較佳實施例的另一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽蓋、屏蔽狹槽、雙增層電路及被覆穿孔。
[0023]圖16至圖21是本發(fā)明再一較佳實施例的再一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含與定位件電性接觸的屏蔽狹槽。
[0024]圖22至圖27是本發(fā)明一較佳實施例的線路板的另一制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽狹槽及雙增層電路；其中圖22’至圖23’為圖22至圖23的另一實施態(tài)樣的剖視圖。
[0025]圖26’至27’是圖26至圖27的另一實施態(tài)樣的剖視圖。
[0026]圖28至圖30是本發(fā)明另一較佳實施例的另一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含與定位件和屏蔽蓋電性連接的屏蔽狹槽。
[0027]圖31至圖33是本發(fā)明再一較佳實施例的再一線路板的制造方法剖視圖，其中屏蔽蓋通過與定位件接觸的導(dǎo)電溝而電性連接至第一增層電路；其中圖32A為圖32的仰視圖。
[0028]圖33’是圖33的另一實施態(tài)樣的剖視圖。
[0029]圖34至圖36是本發(fā)明又一較佳實施例的又一線路板的制造方法剖視圖，其中屏蔽蓋通過被覆穿孔而電性連接至第一增層電路。
[0030]圖37至圖39是本發(fā)明一較佳實施例的三維堆疊組體的制造方法剖視圖，該三維堆疊組體包含多個線路板，其是以面對背的方式堆疊。
[0031]圖40至圖42是本發(fā)明另一較佳實施例的另一三維堆疊組體的制造方法剖視圖，該三維堆疊組體包含多個線路板，其是以背對背的方式堆疊。
【具體實施方式】
[0032]在下文中，將提供實施例以詳細說明本發(fā)明的實施態(tài)樣。本發(fā)明的其他優(yōu)點以及功效將通過本發(fā)明所揭露的內(nèi)容而更為顯著。應(yīng)當注意的是，所述附圖為簡化的附圖，附圖中所示的元件數(shù)量、形狀、以及大小可根據(jù)實際條件而進行修改，且元件的配置可能更為復(fù)雜。本發(fā)明中也可進行其他方面的實踐或應(yīng)用，且不背離本發(fā)明所定義的精神與范疇的條件下，可進行各種變化以及調(diào)整。
[0033]實施例1
[0034]圖1至圖5是本發(fā)明一較佳實施例的線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽蓋、屏蔽狹槽、端子、增層電路及被覆穿孔515。
[0035]如圖5所示，線路板100包含定位件123、半導(dǎo)體元件31、核心層41、屏蔽蓋224、屏蔽狹槽414、端子222、增層電路201、及被覆穿孔515。半導(dǎo)體元件31包含主動面311、與主動面311相反的非主動面313、及位于主動面311的接觸墊312。定位件123設(shè)置于半導(dǎo)體元件31的外圍邊緣外，并靠近半導(dǎo)體元件31的外圍邊緣。核心層41側(cè)向覆蓋定位件123及半導(dǎo)體元件31，并側(cè)向延伸至線路板100的外圍邊緣。增層電路201包含第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215，并通過第一導(dǎo)線215電性連接至半導(dǎo)體元件31。屏蔽狹槽414白第一導(dǎo)線215于向下方向延伸至屏蔽蓋224,并側(cè)向覆蓋半導(dǎo)體兀件31。屏蔽蓋224于向下方向覆蓋半導(dǎo)體元件31，端子222自核心層41于向下方向延伸并與屏蔽蓋224間隔開來，被覆穿孔515延伸穿過增層電路201及核心層41，并提供增層電路201及端子222間的電性連接。
[0036]圖1及圖1A分別為具有形成于金屬層11上的定位件123的結(jié)構(gòu)剖視圖以及俯視圖。金屬層11 一般由銅制成，但銅合金或其他材料亦可使用，金屬層11的厚度范圍為5至200微米。在此實施例中，金屬層11繪示為厚度50微米的銅板，定位件123可被各種技術(shù)如電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合結(jié)合光刻技術(shù)而沉積于金屬層11上及被圖案化。定位件123—般由銅制成，但其他金屬材料亦可使用，此外，定位件123較佳具有10至200微米范圍內(nèi)的厚度。在此圖中，定位件123由厚度35微米的連續(xù)銅條所組成，且與隨后設(shè)置于金屬層11上的半導(dǎo)體元件的四側(cè)相符合。然而，定位件的形式并不受限于此，且可為防止隨后設(shè)置的半導(dǎo)體元件的不必要位移的任何圖案。
[0037]圖1B至圖1G為定位件的各種參考形式。舉例來說，定位件123可由一不連續(xù)的條板(如圖1B、ID及IF所示)、或矩形陣列的多個金屬突柱(如圖1C、IE及IG所示)所組成，且符合隨后設(shè)置的半導(dǎo)體元件的四側(cè)(如圖1B及IC所示)、兩個對角(如圖1D及IE所示)、或四個角落(如圖1F及1G)。
[0038]圖2及圖2A分別為使用黏著劑16將半導(dǎo)體元件31設(shè)置在金屬層11上的結(jié)構(gòu)剖視圖和俯視圖，其中黏著劑16位于金屬層11和半導(dǎo)體元件31之間，且黏著劑16接觸金屬層11和半導(dǎo)體元件31。半導(dǎo)體元件31包含主動面311、與主動面311相反的非主動面313、及位于主動面311的多個接觸墊312。定位件123可作為半導(dǎo)體元件31的配置導(dǎo)件，使半導(dǎo)體元件31以其非主動面313面朝金屬層11而準確地放置在預(yù)定位置。定位件123自金屬層11朝向上方向延伸超過半導(dǎo)體元件31的非主動面313，并對準半導(dǎo)體元件31的四側(cè)。當定位件123于側(cè)面方向靠近半導(dǎo)體元件31的四個側(cè)表面且符合半導(dǎo)體元件31的四個側(cè)表面，及在半導(dǎo)體元件31下方的黏著劑16低于定位件123時，可防止因黏著劑固化而導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件31的任何不必要位移。半導(dǎo)體元件31及定位件123間的間隙較佳于
0.001至I毫米的范圍內(nèi)。然而,對于具有粗間距(coarse pitch)的半導(dǎo)體元件，由黏著劑固化引起的元件錯位一般不會造成微孔連接錯誤，故亦可省略定位件123，且半導(dǎo)體元件31可使用任何已知對位技術(shù)而貼附在金屬層11上。
[0039]圖3為層疊有核心層41、第一絕緣層211及金屬層21的結(jié)構(gòu)剖視圖。核心層41于施加壓力以及高溫下與半導(dǎo)體元件31、定位件123及金屬層11壓合然后固化。因此，核心層41于向上方向接觸定位件123和金屬層11，并白定位件123和金屬層11于向上方向延伸，及側(cè)向覆蓋、環(huán)繞半導(dǎo)體元件31和定位件123，并與半導(dǎo)體元件31和定位件123同型被覆，且白半導(dǎo)體元件31和定位件123側(cè)向延伸至結(jié)構(gòu)的外圍邊緣。第一絕緣層211接觸金屬層21及半導(dǎo)體元件31，且位于金屬層21及半導(dǎo)體元件31之間、及金屬層21及核心層41之間。第一絕緣層211 —般具有50微米的厚度，金屬層21繪示為17微米厚度的銅層，于施加壓力以及高溫下，通過施加于金屬層21向下的壓力或/及施加金屬層11向上的壓力，第一絕緣層211是被融熔且壓縮，據(jù)此，第一絕緣層211的固化提供了金屬層21與半導(dǎo)體元件31之間、以及金屬層21與核心層41之間安全穩(wěn)固的機械性連接。核心層41及第一絕緣層211可為環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、及其類似物。
[0040]圖4和圖4A分別為具有第一盲孔213、狹孔411及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖及俯視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21及第一絕緣層211，且對齊半導(dǎo)體元件31的接觸墊312。第一盲孔213可通過各種技術(shù)形成，其包括激光鉆孔、電漿蝕刻及光刻技術(shù)，且通常具有50微米的直徑。可使用脈沖激光提高激光鉆孔效能，或者，可使用金屬掩膜以及掃描式激光束。舉例來說，可先蝕刻銅板以制造一金屬窗口后再照射激光。狹孔411延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41，以顯露金屬層11的選定部位。如圖4A所示，狹孔411是經(jīng)由機械切割，沿著四條對準半導(dǎo)體元件31的四個側(cè)邊的切割線穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41而形成。穿孔511是于垂直方向延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211、核心層41及金屬層11。穿孔511可通過機械性鉆孔而形成，也可經(jīng)由其他技術(shù)如激光鉆孔以及濕式或非濕式的電漿蝕刻而形成。
[0041]請參照圖5，經(jīng)由在金屬層21上沉積第一被覆層21’并沉積進入第一盲孔213、接著圖案化金屬層21及其上的第一被覆層21’而于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215?；蛘撸谙惹暗牟襟E中沒有在第一絕緣層211上壓合金屬層21時，第一絕緣層211可被直接金屬化以形成第一導(dǎo)線215。第一導(dǎo)線215自第一絕緣層211于向上方向延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導(dǎo)電盲孔217，該第一導(dǎo)電盲孔217是直接接觸接觸墊312。因此，第一導(dǎo)線215可提供半導(dǎo)體元件31的信號路由及接地。
[0042]亦如圖5所示，沉積于狹孔411及穿孔511中的第一被覆層21’是提供屏蔽狹槽414及被覆穿孔515，且第一被覆層21’更沉積于金屬層11上。端子222及屏蔽蓋224是經(jīng)由于結(jié)構(gòu)底面圖案化金屬層11及第一被覆層21’所定義出來。屏蔽狹槽414白第一導(dǎo)線215于向上方向延伸至屏蔽蓋224，且側(cè)向覆蓋半導(dǎo)體元件31及作為半導(dǎo)體元件的水平EMI屏障。屏蔽蓋224于向下方向覆蓋半導(dǎo)體元件31、定位件123及屏蔽狹槽414，并作為半導(dǎo)體元件31的垂直EMI屏障。端子222與屏蔽蓋224間隔開來，并經(jīng)由被覆穿孔515而電性連接至第一導(dǎo)線215。
[0043]第一被覆層21’可通過各種技術(shù)沉積形成單層或多層結(jié)構(gòu)，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合。舉例來說，其結(jié)構(gòu)是首先通過將該結(jié)構(gòu)浸入活化劑溶液中，使絕緣層與無電鍍銅產(chǎn)生觸媒反應(yīng)，接著以無電電鍍方式被覆一薄銅層作為晶種層，然后以電鍍方式將所需厚度的第二銅層形成于晶種層上?；蛘?，于晶種層上沉積電鍍銅層前，該晶種層可通過濺鍍方式形成如鈦/銅的晶種層薄膜。一旦達到所需的厚度，即可使用各種技術(shù)圖案化被覆層以形成第一導(dǎo)線215、端子222及屏蔽蓋224，其包括濕蝕刻、電化學(xué)蝕刻、激光輔助蝕刻及其與蝕刻掩膜(圖未示)的組合，以定義出第一導(dǎo)線215、端子222及屏蔽蓋224。
[0044]為了便于說明，金屬層11、21及第一被覆層21’是以單一層表示，由于銅為同質(zhì)被覆，金屬層間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺，然而第一被覆層21’與第一絕緣層211之間、及第一被覆層21’與核心層41之間的界線則清楚可見。
[0045]據(jù)此，如圖5所示，完成的線路板100包含定位件123、半導(dǎo)體元件31、核心層41、屏蔽蓋224、屏蔽狹槽414、增層電路201、端子222及被覆穿孔515。在此實施例中，增層電路201包含第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215，且被覆穿孔515實質(zhì)上由核心層41、增層電路201及端子222共享。半導(dǎo)體元件31利用定位件123作為配置導(dǎo)件而設(shè)置于屏蔽蓋224上的預(yù)定位置，且半導(dǎo)體元件31由屏蔽狹槽414側(cè)向包圍；其中屏蔽狹槽414白第一導(dǎo)線215向下延伸至屏蔽蓋224，且向外延伸超過半導(dǎo)體元件31的外圍邊緣。屏蔽狹槽414具有一朝向向上方向的開放端，并通過第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊，且可作為半導(dǎo)體元件31的水平屏障。屏蔽蓋224是通過屏蔽狹槽414而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊，其中屏蔽狹槽414與屏蔽蓋224和第一導(dǎo)線215電性接觸且可作為半導(dǎo)體元件31的垂直屏障。被覆穿孔515提供增層電路201和端子222間的電性連接，其中端子222自核心層41于向下方向延伸。
[0046]實施例2
[0047]圖6至圖15是本發(fā)明另一較佳實施例的另一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽蓋、屏蔽狹槽、雙增層電路及被覆穿孔。
[0048]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0049]圖6為一層壓基板的剖視圖,其包含金屬層11、介電層13、和支撐板15。介電層13通常為環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、及其類似物所制成，且具有50微米的厚度。在此實施態(tài)樣中，介電層13介于金屬層11以及支撐板15之間。然而，支撐板15在某些態(tài)樣下可被省略。支撐板15通常由銅所制成，但銅合金或其他材料皆可被使用，支撐板15的厚度可于25至1000微米的范圍內(nèi)，而以制程及成本作為考慮，其較佳為35至100微米的范圍內(nèi)。在此實施態(tài)樣中，支撐板15為厚度35微米的銅板。
[0050]圖7為具有形成于金屬層11上的定位件123的結(jié)構(gòu)剖視圖。定位件123可被各種技術(shù)如電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合結(jié)合光刻技術(shù)而沉積于金屬層11上及被圖案化。
[0051]圖8為于介電層13上定義出屏蔽蓋224的結(jié)構(gòu)剖視圖。屏蔽蓋224可通過光刻技術(shù)以及濕式蝕刻法移除金屬層11的選定部位而形成，屏蔽蓋224對應(yīng)至用于放置半導(dǎo)體元件的預(yù)定位置，并可作為垂直EMI屏障。
[0052]圖9為利用黏著劑16將半導(dǎo)體元件31設(shè)置于屏蔽蓋224上的結(jié)構(gòu)剖視圖，其中黏著劑16位于屏蔽蓋224和半導(dǎo)體元件31之間，并接觸屏蔽蓋224和半導(dǎo)體元件31。半導(dǎo)體元件31以其非主動面313面朝屏蔽蓋224而貼附于屏蔽蓋224上，定位件123白屏蔽蓋224于向上方向延伸并延伸超過半導(dǎo)體元件31的非主動面313，且定位件123告進半導(dǎo)體元件31的外圍邊緣以作為半導(dǎo)體元件31的配置導(dǎo)件。
[0053]圖10為疊合有核心層41、第一絕緣層211及金屬層21的結(jié)構(gòu)剖視圖。核心層41接觸半導(dǎo)體元件31、定位件123、屏蔽蓋224及介電層13，并與半導(dǎo)體元件31、定位件123、屏蔽蓋224及介電層13壓合。第一絕緣層211接觸金屬層21、半導(dǎo)體元件31及核心層41，并提供金屬層21和半導(dǎo)體元件31之間、金屬層21和核心層41之間穩(wěn)固地機械性連結(jié)。第一絕緣層211較佳為和介電層13具有相同材料，其中介電層13作為第二絕緣層221。[0054]圖11為具有第一盲孔213的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21和第一絕緣層211，以顯露半導(dǎo)體元件31的接觸墊312。
[0055]請參照圖12，經(jīng)由在金屬層21上沉積第一被覆層21’及沉積進入第一盲孔213、然后圖案化金屬層21及其上第一被覆層21’，以于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。第一導(dǎo)線215白第一絕緣層211于向上方向延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導(dǎo)電盲孔217，其是與接觸墊312直接接觸。
[0056]圖13為疊合有第三絕緣層231的結(jié)構(gòu)剖視圖。第三絕緣層231接觸第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215,并于向上方向覆蓋第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215。
[0057]圖14為具有第二盲孔223、第三盲孔233、狹孔411及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。第二盲孔223延伸穿過支撐板15及第二絕緣層221，以顯露屏蔽蓋224的選定部位。第三盲孔233延伸穿過第三絕緣層231，以顯露第一導(dǎo)線215的選定部位。狹孔411延伸穿過第三絕緣層231、第一絕緣層211及核心層41，以顯露屏蔽蓋224的選定部位。穿孔511于垂直方向延伸穿過第三絕緣層231、第一絕緣層211、核心層41、第二絕緣層221及支撐板15。
[0058]請參照圖15，第二導(dǎo)線225及第三導(dǎo)線235是分別形成在第二及第三絕緣層221、231上，其是經(jīng)由在支撐板15及第三絕緣層231上沉積第二被覆層22’，并沉積進入第二及第三盲孔223、233，接著圖案化第二被覆層22’及支撐板15所形成。第二導(dǎo)線225白第二絕緣層221于向下方向延伸，于第二絕緣層221上側(cè)向延伸，并于向上方向延伸進入第二盲孔223以形成第二導(dǎo)電盲孔227，其是電性接觸屏蔽蓋224。第三導(dǎo)線235自第三絕緣層231于向上方向延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第三盲孔233以形成第三導(dǎo)電盲孔237，其是電性接觸第一導(dǎo)線215。并且，第二被覆層22’更沉積于狹孔411及穿孔511中，以提供屏蔽狹槽414及被覆穿孔515。
[0059]據(jù)此，如圖15所示，完成的線路板200包含定位件123、半導(dǎo)體元件31、核心層41、屏蔽蓋224、屏蔽狹槽414、雙增層電路202、203及被覆穿孔515。第一增層電路202于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件31及核心層41，且包含第一絕緣層211、第一導(dǎo)線215、第三絕緣層231及第三導(dǎo)線235。第二增層電路203于向下方向覆蓋屏蔽蓋224及核心層41，且包含第二絕緣層221及第二導(dǎo)線225。屏蔽狹槽414接觸第三導(dǎo)線235并白第三導(dǎo)線235于向下方向延伸至屏蔽蓋224，且通過第一及第三導(dǎo)線215、235而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224于向下方向覆蓋半導(dǎo)體元件31，并通過屏蔽狹槽414、第一及第三導(dǎo)線215、235而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。被覆穿孔515實質(zhì)上由核心層41、第一增層電路202及第二增層電路203共享，并提供第二導(dǎo)線225和第三導(dǎo)線235間的電性連接。
[0060]實施例3
[0061]圖16至圖21是本發(fā)明再一較佳實施例的再一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含與定位件電性接觸的屏蔽狹槽。
[0062]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0063]圖16為由圖1至圖3所示相同步驟所制造的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0064]圖17為具有第一盲孔213及狹孔411的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21及第一絕緣層211，以顯露半導(dǎo)體元件31的接觸墊312。狹孔411延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41，以顯露定位件123的選定部位。
[0065]請參照圖18，經(jīng)由在金屬層21上沉積第一被覆層21’，并沉積進入第一盲孔213，接著圖案化金屬層21及其上的第一被覆層21’，以在第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。第一被覆層21’亦沉積進入狹孔411，以提供屏蔽狹槽414。第一導(dǎo)線215通過第一導(dǎo)線215提供半導(dǎo)體元件31的信號路由、及半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊與屏蔽狹槽414間的接地。并且，開口 111形成穿過金屬層11的用于后續(xù)形成被覆穿孔的預(yù)定位置。在此實施例中，金屬層11作為屏蔽蓋224，以提供半導(dǎo)體元件31的垂直EMI屏障效果。
[0066]圖19為具有第二絕緣層221及第三絕緣層231的結(jié)構(gòu)剖視圖。第二絕緣層221于向下方向覆蓋屏蔽蓋224并填充開口 111。第三絕緣層231于向上方向覆蓋第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215，并自狹孔414的開方端延伸進入狹孔414。
[0067]圖20為具有第二盲孔223、第三盲孔233及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。第二盲孔223延伸穿過第二絕緣層221，并對準屏蔽蓋224的選定部位。第三盲孔233延伸穿過第三絕緣層231，并對準第一導(dǎo)線215的選定部位。穿孔511對應(yīng)開口 111，軸向?qū)书_口 111，并位于開口 111的中心，且于垂直方向延伸穿過第三絕緣層231、第一絕緣層211、核心層41及第二絕緣層221。
[0068]請參照圖21，第二導(dǎo)線225及第三導(dǎo)線235分別經(jīng)由金屬沉積及圖案化而形成在第二及第三絕緣層221，231上。第二導(dǎo)線225白第二絕緣層221于向下方向延伸，于第二絕緣層221上側(cè)向延伸，并于向上方向延伸進入第二盲孔223以形成第二導(dǎo)電盲孔227，其是電性接觸屏蔽蓋224。第三導(dǎo)線235自第三絕緣層231于向上方向延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延伸，并于向下方向延伸進入第三盲孔233以形成第三導(dǎo)電盲孔237，其是電性接觸第一導(dǎo)線215。并且，被覆穿孔515是經(jīng)由在穿孔511中沉積金屬而形成。
[0069]據(jù)此，如圖21所示，完成的線路板300中，定位件123和屏蔽狹槽414的組合可作為半導(dǎo)體元件31的水平屏障，且屏蔽蓋224可作為半導(dǎo)體元件31的垂直屏障。屏蔽狹槽414接觸第一導(dǎo)線215，并自第一導(dǎo)線215朝向下方向延伸至定位件122，且通過第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224于向下方向覆蓋半導(dǎo)體元件31，并通過定位件123、屏蔽狹槽414及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。被覆穿孔515實質(zhì)上由核心層41、第一增層電路202及第二增層電路203共享，且提供第二導(dǎo)線225及第三導(dǎo)線235間的電性連接。
[0070]實施例4
[0071]圖22至圖27是本發(fā)明一較佳實施例的線路板的另一制造方法剖視圖，該線路板包含定位件、半導(dǎo)體元件、核心層、屏蔽狹槽及雙增層電路。
[0072]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0073]圖22及圖23為在介電層上形成定位件的流程剖視圖。
[0074]圖22為一層壓基板的剖視圖，其包含金屬層12、介電層13、和支撐板15。在此實施例中，介電層13位于金屬層12和支撐板15之間。然而，支撐板15在某些態(tài)樣下可被省略。金屬層12繪示為35微米的銅層，但其他材料皆可被使用而不限于銅層。此外，金屬層12可通過各種技術(shù)于介電層13上沉積形成單層或多層結(jié)構(gòu)，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合，且較佳為10至200微米間的厚度。[0075]圖23為具有于介電層13上形成定位件123的結(jié)構(gòu)剖視圖。定位件123可通過光影技術(shù)和濕式蝕刻移除金屬層12的選定部位而形成。
[0076]圖22’至23’是于介電層上形成定位件的另一實施態(tài)樣的剖視圖。
[0077]圖22’為具有一組凹穴121的層壓基板剖視圖。如上所述，層壓基板包含金屬層
12、介電層13及支撐板15，且凹穴121是通過移除金屬層12的選定部位而形成。
[0078]圖23’為具有于介電層13上形成定位件122的結(jié)構(gòu)剖視圖。定位件122可經(jīng)由于凹穴121中分散或印刷一光敏性塑料材料(如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等)或非光敏性材料，接著移除整體金屬層12而形成。
[0079]圖24為使用黏著劑16將半導(dǎo)體元件31設(shè)置在介電層13上的結(jié)構(gòu)剖視圖和俯視圖，其中黏著劑16位于介電層13和半導(dǎo)體元件31之間，且黏著劑16接觸介電層13和半導(dǎo)體元件31。半導(dǎo)體元件31以其主動面311面朝介電層13而貼附于介電層13上，其中介電層13是作為第一絕緣層211。定位件123自介電層13于向上方向延伸并延伸超過半導(dǎo)體元件31的主動面311，且靠近半導(dǎo)體元件31的外圍邊緣以作為半導(dǎo)體元件31的配置導(dǎo)件。
[0080]圖25為疊合有核心層41、第二絕緣層221及金屬層22的結(jié)構(gòu)剖視圖。核心層41接觸半導(dǎo)體元件31、定位件123及第一絕緣層211，并與半導(dǎo)體元件31、定位件123及第一絕緣層211壓合。第二絕緣層221接觸金屬層22、半導(dǎo)體元件31、核心層41，并提供金屬層22與半導(dǎo)體元件31之間、金屬層22與核心層41之間穩(wěn)固的機械式連結(jié)。第一絕緣層211及第二絕緣層221較佳為使用相同材料。
[0081]圖26為具有第一盲孔213及狹孔411的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過支撐板15、第一絕緣層211及黏著劑16，以顯露半導(dǎo)體元件的接觸墊312。狹孔411延伸穿過的支撐板15、第一絕緣層211、核心層41及第二絕緣層221，以顯露金屬層22的選定部位。
[0082]請參照圖27，經(jīng)由于支撐板15上沉積第一被覆層21’并沉積進入第一盲孔213，然后圖案化支撐板15及其上的第一被覆層21’，以于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。第一導(dǎo)線215自第一絕緣層211于向下方向延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向上方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導(dǎo)電盲孔217，其是與接觸墊312直接接觸。并且，第一被覆層21’更沉積于狹孔411中以提供屏蔽狹孔414，且沉積于金屬層22上，然后圖案化金屬層22及其上的第一被覆層21’，以定義出屏蔽蓋224及第二導(dǎo)線225。屏蔽狹槽414可作為半導(dǎo)體元件31的水平屏障，并通過第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224可作為半導(dǎo)體元件31的垂直屏障，且通過屏蔽狹槽414和第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。
[0083]據(jù)此，如圖27所示，完成的線路板400包含定位件123、半導(dǎo)體元件31、核心層41、屏蔽狹槽414及雙增層電路202，203。第一增層電路202于向下方向覆蓋半導(dǎo)體元件31、定位件123、及核心層41，且第一增層電路202包含第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215。第二增層電路203于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件31及核心層41，且第二增層電路203包含第二絕緣層221和屏蔽蓋224。屏蔽狹槽414接觸第一導(dǎo)線215，并自第一導(dǎo)線215于向上方向延伸至屏蔽蓋224，及側(cè)向覆蓋半導(dǎo)體元件31，以及具有朝向向下方向的開放端。屏蔽蓋224于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件31并向外側(cè)向延伸至線路板400的外圍邊緣。
[0084]圖26’至27’是形成與屏蔽蓋224及第一導(dǎo)線215電性接觸的屏蔽狹槽414的另一實施態(tài)樣的剖視圖。
[0085]圖26’為具有第一盲孔213及狹孔411的結(jié)構(gòu)剖視圖。該結(jié)構(gòu)相似于圖26所示的結(jié)構(gòu)，除了狹孔411延伸穿過金屬層22、第二絕緣層221、核心層41及第一絕緣層211，以顯露支撐板15的選定部位。
[0086]圖27’為完成的線路板500的剖視圖，其中經(jīng)由金屬沉積及圖案化以提供第一導(dǎo)線215、屏蔽狹槽414及屏蔽蓋224。線路板500與圖27所示結(jié)構(gòu)相似，除了屏蔽狹槽414具有朝向向上方向的開放端，且屏蔽蓋側(cè)向延伸至線路板500的外圍邊緣。
[0087]實施例5
[0088]圖28至圖30是本發(fā)明另一較佳實施例的另一線路板的制造方法剖視圖，該線路板包含與定位件電性連接的屏蔽狹槽和屏蔽蓋。
[0089]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0090]圖28為由圖22至圖25所示相同步驟所制造的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0091]圖29為具有第一盲孔213、狹孔411及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過支撐板15、第一絕緣層211及黏著劑16，以于向下方向顯露半導(dǎo)體元件31的接觸墊312及定位件123的選定部位。狹孔411延伸穿過金屬層22、第二絕緣層221及核心層41，以于向上方向顯露定位件123的選定部位。穿孔511于垂直方向延伸穿過金屬層22、第二絕緣層221、核心層41、第一絕緣層211及支撐板15。
[0092]請參照圖30，完成的電路板600，其是經(jīng)由金屬沉積及圖案化以提供第一導(dǎo)線215、屏蔽狹槽414、屏蔽蓋224及被覆穿孔515。經(jīng)由在支撐板15上沉積第一被覆層21’及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化支撐板15及其上的第一被覆層21’，以于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。第一導(dǎo)線215自第一絕緣層211于向下方向延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并于向上方向延伸進入第一盲孔213以形成第一導(dǎo)電盲孔217,其是與接觸墊312和定位件123電性接觸。
[0093]并且，第一被覆層21’更沉積于狹孔411及穿孔511中，以提供屏蔽狹孔411和被覆穿孔515，并沉積于金屬層22上。在此實施例中，金屬層22及第一被覆層21’的組合作為屏蔽蓋224，以提供半導(dǎo)體元件31的垂直屏障效果。屏蔽狹槽414自屏蔽蓋224于向下方向延伸至定位件123，且通過定位件123及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224自第二絕緣層221于向上方向延伸，且向外側(cè)向延伸至線路板600的外圍邊緣，即通過屏蔽狹槽414、定位件123及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。并且，被覆穿孔515提供屏蔽蓋224和第一增層電路202間、屏蔽狹槽414及第一增層電路202間的另一電性連接路徑。
[0094]實施例6
[0095]圖31至圖33是本發(fā)明再一較佳實施例的再一線路板的制造方法剖視圖，其中屏蔽蓋通過與定位件接觸的導(dǎo)電溝而電性連接至第一增層電路。
[0096]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0097]圖31為由圖22至圖25所示相同步驟所制造的結(jié)構(gòu)剖視圖，除了半導(dǎo)體元件31以其非主動面313面朝介電層13而設(shè)置于介電層13上，且第一絕緣層211及金屬層21是提供以于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件31及核心層41。在此實施例中，定位件123白介電層13于向上方向延伸并延伸超過半導(dǎo)體元件31的非主動面313。核心層41接觸半導(dǎo)體元件31、定位件123及介電層13，并與半導(dǎo)體元件31、定位件123及介電層13壓合，其中介電層13作為第二絕緣層221。第一絕緣層211接觸金屬層21、半導(dǎo)體元件31、及核心層41，并提供金屬層21與半導(dǎo)體元件31之間、金屬層21與核心層41之間穩(wěn)固的機械性連結(jié)。
[0098]圖32及圖32A分別為具有第一盲孔213、溝孔226、及狹孔411的結(jié)構(gòu)剖視圖及仰視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21及第一絕緣層211，以顯露半導(dǎo)體元件31的接觸墊312。溝孔226延伸穿過支撐板15及第二絕緣層221，以于向下方向顯露定位件123的選定部位。狹孔411延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41，以于向上方向顯露定位件123的選定部位。如圖32A所示，溝孔226是經(jīng)由機械切割，沿著四條對準定位件123的四個側(cè)邊的切割線穿過支撐板15及第二絕緣層221而形成。
[0099]圖33為完成的線路板700的剖視圖，其經(jīng)由金屬沉積及圖案化，以提供第一導(dǎo)線215、屏蔽狹槽414、屏蔽蓋224及導(dǎo)電溝228。經(jīng)由在金屬層21上沉積第一被覆層21’并沉積進入第一盲孔213，然后圖案化金屬層21及其上的第一被覆層21’，以于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。并且，第一被覆層21’更沉積進入狹孔411及溝孔226以提供屏蔽狹槽414及導(dǎo)電溝228，及沉積于支撐板15上。在此實施例中，支撐板15和第一被覆層21’的組合視為屏蔽蓋224。屏蔽狹槽414和定位件123的組合可作為半導(dǎo)體元件31的水平屏障，且通過第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224可作為半導(dǎo)體元件31的垂直屏障，且通過導(dǎo)電溝228、定位件123、屏蔽狹槽414及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。
[0100]另一實施態(tài)樣如圖33’所示，屏蔽蓋224可通過第二導(dǎo)電盲孔227而電性連接至定位件123。據(jù)此，線路板800中，屏蔽蓋224通過第二導(dǎo)電盲孔227、定位件123、屏蔽狹槽414及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。
[0101]實施例7
[0102]圖34至圖36是本發(fā)明又一較佳實施例的又一線路板的制造方法剖視圖，其中屏蔽蓋通過被覆穿孔而電性連接至第一增層電路。
[0103]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0104]圖34為如圖31所示相同結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0105]圖35為具有第一盲孔213、狹孔411及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21及第一絕緣層211，以顯露半導(dǎo)體元件31的接觸墊212。溝孔411延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41，已于向上方向顯露定位件123的選定部位。穿孔511于垂直方向延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211、核心層41、第二絕緣層211及支撐板15。
[0106]圖36為完成的電路板900的剖視圖，其是經(jīng)由金屬沉積及圖案化以提供第一導(dǎo)線215、屏蔽狹槽414、屏蔽蓋224及被覆穿孔515。經(jīng)由在金屬層21上沉積第一被覆層211及沉積進入第一盲孔213，接著圖案化金屬層21及其上的第一被覆層21’，以于第一絕緣層211上形成第一導(dǎo)線215。并且，第一被覆層21’更沉積于狹孔411及穿孔511中以提供屏蔽狹槽414及被覆穿孔515，且沉積于支撐板15上。在此實施例中，支撐板15和第一被覆層21’的組合作為屏蔽蓋224。屏蔽狹槽414和定位件123的組合可作為半導(dǎo)體元件31的水平屏障，且通過第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。屏蔽蓋224可作為半導(dǎo)體元件31的垂直屏障，且通過被覆穿孔515及第一導(dǎo)線215而電性連接至半導(dǎo)體元件31的接地接觸墊。
[0107]實施例8
[0108]圖37至圖39是本發(fā)明一較佳實施例的三維堆疊組體的制造方法剖視圖，該三維堆疊組體包含多個線路板，其是以面對背的方式堆疊。
[0109]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0110]圖37為具有位于兩相鄰電路板110、120間的內(nèi)介電層261的結(jié)構(gòu)剖視圖。線路板110，120與圖27所示相同，除了線路板110、120更分別包括第三絕緣層231及第四絕緣層241。線路板110、120為垂直堆疊并利用內(nèi)介電層261而互相結(jié)合，其中內(nèi)介電層261接觸并位于線路板110的第二絕緣層221/屏蔽蓋224/第二導(dǎo)線225及線路板120的第一絕緣層211/第一導(dǎo)線215之間。第三絕緣層231于向下方向覆蓋及接觸線路板110的第一絕緣層211及第一導(dǎo)線215，且包含對準第一導(dǎo)線215的選定部位的第三盲孔233。第四絕緣層241于向上方向覆蓋及接觸線路板120的第二絕緣層221、屏蔽蓋224及第二導(dǎo)線225。
[0111]圖38為具有穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。穿孔511于垂直方向延伸穿過線路板110，120及內(nèi)介電層261。
[0112]請參照圖39，線路板110，120分別具有第三導(dǎo)線225及第四導(dǎo)線245。第三導(dǎo)線235字第三絕緣層231朝向下方向延伸，于第三絕緣層231上側(cè)向延伸，并延伸進入第三盲孔233以形成第三導(dǎo)電盲孔237，其是與第一導(dǎo)線215電性接觸。第四導(dǎo)線245白第四絕緣層241于向上方向延伸，并于第四絕緣層241上側(cè)向延伸。亦如圖39所示,被覆穿孔515是經(jīng)由在穿孔511中沉積金屬所形成。據(jù)此，完成的堆疊組體101包含多個線路板110、120、內(nèi)介電層261及被覆穿孔515。線路板110、120各自包含定位件123、半導(dǎo)體元件31、核心層41、屏蔽狹槽414、第一增層電路202及第二增層電路203。被覆穿孔515實質(zhì)上由線路板110、120共享，且延伸穿過內(nèi)介電層261及線路板110、120，以提供線路板110、120間的電性連接。
[0113]實施例9
[0114]圖40至圖42是本發(fā)明另一較佳實施例的另一三維堆疊組體的制造方法剖視圖，該三維堆疊組體包含多個線路板，其是以背對背的方式堆疊。
[0115]為了簡要說明的目的，于實施例1中的任何敘述可合并至此處的相同應(yīng)用部分，且不再重復(fù)相同敘述。
[0116]圖40為具有設(shè)于多個線路板130，140間的內(nèi)介電層261的結(jié)構(gòu)剖視圖。線路板130、140為與圖3所示相同，并以背對背的方式垂直堆疊，且利用內(nèi)介電層261而互相結(jié)合，其中內(nèi)介電層261設(shè)于線路板130、140之間，并接觸各線路板130、140的屏蔽蓋224。
[0117]圖41為具有第一盲孔213、狹孔411及穿孔511的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔213延伸穿過金屬層21及第一絕緣層211，以顯露各線路板130、140中半導(dǎo)體元件31的接觸墊312。狹孔411延伸穿過金屬層21、第一絕緣層211及核心層41，以顯露各線路板130、140中屏蔽蓋224的選定部位。穿孔511于垂直方向延伸穿過線路板130、140及內(nèi)介電層261。[0118]請參照圖42，各線路板130，140通過金屬沉積及圖案化以形成第一導(dǎo)線215。第一導(dǎo)線215自第一絕緣層211垂直延伸，于第一絕緣層211上側(cè)向延伸，并延伸進入第一盲孔213以形成第一導(dǎo)電盲孔217，其是與半導(dǎo)體元件31的接觸墊312電性連接。亦如圖42所示，通過在狹孔411及穿孔511中沉積金屬，以形成屏蔽狹槽414和被覆穿孔515。據(jù)此，完成的堆疊組體102包含線路板130、140、內(nèi)介電層261及被覆穿孔515。各線路板130、140包含定位件123、屏蔽蓋224、屏蔽狹槽414、半導(dǎo)體元件31、核心層41及增層電路201。被覆穿孔515實質(zhì)上由線路板130、140共享，并延伸穿過內(nèi)介電層261及線路板130、140，以提供線路板130、140間的電性連接。
[0119]上述的線路板以及三維堆疊組體僅為說明范例，本發(fā)明尚可通過其他多種實施例實現(xiàn)。此外，上述實施例可基于設(shè)計及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實施例混合搭配使用。線路板可包括多個陣列排序的屏蔽狹槽及屏蔽蓋，用于多個并排的半導(dǎo)體元件；且增層電路可包括額外導(dǎo)線，以容納額外的半導(dǎo)體元件、屏蔽狹槽及屏蔽蓋。同理，線路板可包含復(fù)陣列定位件以容納額外的半導(dǎo)體元件。
[0120]半導(dǎo)體元件可為已封裝或未封裝芯片。此外，該半導(dǎo)體元件可為裸芯片或晶圓級封裝芯片(wafer level packaged die)等。定位件、屏蔽蓋以及由屏蔽狹槽定義區(qū)域可客制化以容納單一半導(dǎo)體元件，舉例來說，定位件的圖案可為正方形或矩形，俾與單一半導(dǎo)體元件的形狀相同或相似。四個屏蔽狹槽的各組可定義為正方形或矩形，俾與單一半導(dǎo)體元件的形狀相同或相似。同理，屏蔽蓋亦可客制化以與單一半導(dǎo)體元件的形狀相同或相似。
[0121]在本文中，“鄰接”一詞意指元件是一體成型(形成單一個體)或相互接觸(彼此無間隔或未隔開)。例如，接觸墊鄰接于第一導(dǎo)線，但并未鄰接于第二導(dǎo)線。
[0122]“重疊”一詞意指位于上方并延伸于一下方元件的周緣內(nèi)。[重疊]包含延伸于該周緣的內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，在第一增層電路面朝向上方向時，第一增層電路是重疊于半導(dǎo)體元件，此乃因一假想垂直線可同時貫穿第一增層電路與半導(dǎo)體元件，不論第一增層電路與半導(dǎo)體元件之間是否存有另一同樣被該假想垂直線貫穿的元件(如:黏著劑)，且亦不論是否有另一假想垂直線僅貫穿第一增層電路而未貫穿半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件的周緣外)。同樣地，第一增層電路是重疊于核心層，且核心層是被第一增層電路重疊。此外，“重疊”與“位于上方”同義，“被重疊”則與“位于下方”同義。
[0123]“接觸”一詞意指直接接觸。例如，第一導(dǎo)電盲孔接觸半導(dǎo)體元件的接觸墊，但第二導(dǎo)電盲孔并未接觸半導(dǎo)體元件的接觸墊。
[0124]“覆蓋”一詞意指于垂直及/或側(cè)面方向上不完全以及完全覆蓋。例如，在第一增層電路面朝向上方向的狀態(tài)下，第一增層電路于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件，不論是否有另一元件(如:黏著劑)位于半導(dǎo)體元件與第一增層電路之間。
[0125]“層”字包含圖案化及未圖案化的層體。例如，當金屬層設(shè)置于介電層上時，金屬層可為一空白未經(jīng)光刻及濕式蝕刻的平板。此外，“層”可包含多個疊合層。
[0126]“對準”、“對齊’’ 一詞意指元件間的相對位置，不論元件之間是否彼此保持距離或鄰接，或一元件插入且延伸進入另一元件中。例如，當假想的水平線貫穿定位件及半導(dǎo)體元件時，定位件側(cè)向?qū)视诎雽?dǎo)體元件，不論定位件與半導(dǎo)體元件之間是否具有其他被假想線貫穿的元件，且不論是否具有另一貫穿半導(dǎo)體元件但不貫穿定位件的假想垂直線、或另一貫穿定位件但不貫穿半導(dǎo)體元件的假想垂直線。同樣地，屏蔽狹槽是側(cè)向?qū)拾雽?dǎo)體元件，第一盲孔對準半導(dǎo)體元件的接觸墊、且屏蔽蓋對準半導(dǎo)體元件。
[0127]“靠近” 一詞意指元件間的間隙的寬度不超過最大可接受范圍。如本領(lǐng)域習(xí)知通識，當半導(dǎo)體元件以及定位件間的間隙不夠窄時，由于半導(dǎo)體元件于間隙中的橫向位移而導(dǎo)致半導(dǎo)體元件的位置誤差可能會超過可接受的最大誤差限制，一旦半導(dǎo)體元件的位置誤差超過最大極限時，則不可能使用激光束對準接觸墊，而導(dǎo)致半導(dǎo)體元件以及增層電路間的電性連接錯誤。因此，根據(jù)半導(dǎo)體元件的接觸墊的尺寸，于本領(lǐng)域的技術(shù)人員可經(jīng)由試誤法以確認半導(dǎo)體元件以及定位件間的間隙的最大可接受范圍，從而避免半導(dǎo)體元件以及增層電路間的電性連接錯誤。由此，“定位件靠近半導(dǎo)體元件的外圍邊緣”的用語是指半導(dǎo)體元件的外圍邊緣以及定位件間的間隙是窄到足以防止半導(dǎo)體元件的位置誤差超過可接受的最大誤差限制。
[0128]“設(shè)置”、“層疊”、“附著”、及“貼附”一語包含接觸與非接觸單一或多個支撐元件。例如，半導(dǎo)體元件是設(shè)置于屏蔽蓋上，不論此半導(dǎo)體元件是實際接觸屏蔽蓋或與屏蔽蓋以一黏著劑相隔。
[0129]“電性連接”一詞意指直接或間接電性連接。例如，被覆穿孔提供了第一導(dǎo)線的電性連接，其不論被覆穿孔是否鄰接第一導(dǎo)線、或經(jīng)由第三導(dǎo)線電性連接至第一導(dǎo)線。
[0130]“上方”一詞意指向上延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，當?shù)谝辉鰧与娐访娉蛳路较驎r，定位件于其上方延伸，鄰接第一絕緣層并自第一絕緣層突伸而出。
[0131]“下方”一詞意指向下延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，在第一增層電路面朝向下方向時，第一增層電路于向下方向延伸于半導(dǎo)體元件下方，不論第一增層電路是否鄰接該半導(dǎo)體元件。
[0132]“第一垂直方向”及“第二垂直方向”并非取決于線路板的定向，凡熟悉此項技術(shù)的人士即可輕易了解其實際所指的方向。例如，半導(dǎo)體元件的主動面面朝第一垂直方向，且半導(dǎo)體元件的非主動面面朝第二垂直方向，此與線路板是否倒置無關(guān)。屏蔽狹槽或被覆穿孔的第一端面朝第一垂直方向，且屏蔽狹槽或被覆穿孔的第二端面朝第二垂直方向。同樣地，定位件是沿一側(cè)向平面[側(cè)向]對準半導(dǎo)體元件，此與線路板是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無關(guān)。因此，該第一及第二垂直方向是彼此相反且垂直于側(cè)面方向，且側(cè)向?qū)实脑窃诖怪庇诘谝慌c第二垂直方向的側(cè)向平面相交。再者，當半導(dǎo)體元件的主動面面朝向下方向時，第一垂直方向為向下方向，第二垂直方向為向上方向；當半導(dǎo)體兀件的非主動面面朝向上方向時，第一垂直方向為向上方向，第二垂直方向為向下方向。
[0133]本發(fā)明的線路板以及使用其的三維堆疊組體具有多項優(yōu)點。屏蔽狹槽及屏蔽蓋可分別作為半導(dǎo)體元件的水平及垂直EMI屏障，以減少電磁干擾。由于增層電路的高路由選擇能力，由增層電路提供的信號路由利于高I/O值以及高性能的應(yīng)用?？梢缹嶋H需求選擇性地于線路板中提供定位件。例如，定位件可作為被屏蔽的半導(dǎo)體元件的精準的配置導(dǎo)件。由于半導(dǎo)體元件由黏著劑結(jié)合至增層電路或屏蔽蓋，在固化期間可避免因配置錯誤或黏著劑回流造成的任何位移。因此，線路板及三維堆疊組體的可靠度高、價格平實且極適合量產(chǎn)。
[0134]本案的制作方法具有高度適用性，且是以獨特、進步的方式結(jié)合運用各種成熟的電性連結(jié)及機械性連結(jié)技術(shù)。此外，本案的制作方法不需昂貴工具即可實施。因此，相較于傳統(tǒng)封裝技術(shù)，此制作方法可大幅提升產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。
[0135]在此所述的實施例是為例示的用，其中所述實施例可能會簡化或省略本【技術(shù)領(lǐng)域】已熟知的元件或步驟，以免模糊本發(fā)明的特點。同樣地，為使附圖清晰，附圖亦可能省略重復(fù)或非必要的元件及元件符號。
[0136]精于此項技術(shù)的人士針對本文所述的實施例當可輕易思及各種變化及修改的方式。例如，前述的材料、尺寸、形狀、大小、步驟的內(nèi)容與步驟的順序皆僅為范例。本領(lǐng)域人士可于不悖離如隨附的權(quán)利要求范圍所定義的本發(fā)明精神與范疇的條件下，進行變化、調(diào)整與均等技術(shù)。
[0137]雖然本發(fā)明已于較佳實施態(tài)樣中說明，然而應(yīng)當了解的是，在不悖離本發(fā)明權(quán)利要求范圍的精神以及范圍的條件下，可對于本發(fā)明進行可能的修改以及變化。
【權(quán)利要求】
1.一種具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，包括: 一屏蔽蓋； 一半導(dǎo)體元件，其利用一黏著劑設(shè)置于該屏蔽蓋上，且該半導(dǎo)體元件包含一主動面及與該主動面相反的一非主動面，該主動面上具有多個接觸墊，其中該主動面面朝一第一垂直方向并背向該屏蔽蓋，及該非主動面面朝與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向并朝向該屏蔽蓋； 一核心層，其于垂直于該第一垂直方向以及該第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向覆蓋該半導(dǎo)體元件； 一第一增層電路，其自該第一垂直方向覆蓋該半導(dǎo)體兀件及該核心層，且該第一增層電路通過多個第一導(dǎo)電盲孔而電性連接至該半導(dǎo)體元件的所述接觸墊；以及 多個屏蔽狹槽，其延伸穿過該核心層并側(cè)向覆蓋該半導(dǎo)體元件，且向外側(cè)向延伸超過該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，其中所述屏蔽狹槽及該屏蔽蓋通過該第一增層電路而與所述接觸墊的至少一者電性連接以接地。
2.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，還包括: 一第二增層電路，其自該第二垂直方向覆蓋該屏蔽蓋及該核心層；以及 一被覆穿孔，其延伸穿過該核心層，以電性連接該第一增層電路與該第二增層電路。
3.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，還包括: 一定位件，其作為該半導(dǎo)體元件的一配置導(dǎo)件，且該定位件自該屏蔽蓋朝該第一垂直方向延伸，靠近該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，并側(cè)向?qū)试摪雽?dǎo)體元件的外圍邊緣。
4.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，所述屏蔽狹槽自該第一增層電路朝該第二垂直方向延伸至該屏蔽蓋。
5.如權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，所述屏蔽狹槽自該第一增層電路朝該第二垂直方向延伸至該定位件。
6.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，所述屏蔽狹槽各自為一連續(xù)的金屬化狹槽，并向外側(cè)向延伸至該線路板的外圍邊緣。
7.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該屏蔽蓋是一連續(xù)金屬層，并向外側(cè)向延伸超過該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣。
8.如權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該定位件包括一連續(xù)或不連續(xù)的條板或突柱陣列。
9.如權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該半導(dǎo)體元件與該定位件間的間隙是于0.0Ol至Imm的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該定位件的高度是于10至200微米的范圍內(nèi)。
11.一種具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，包括: 一半導(dǎo)體元件，其包含一主動面及與該主動面相反的一非主動面，該主動面上具有多個接觸墊，其中該主動面面朝一第一垂直方向，及該非主動面面朝與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向； 一核心層，其于垂直于該第一垂直方向以及該第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向覆蓋該半導(dǎo)體元件；一第一增層電路，其自該第一垂直方向覆蓋該半導(dǎo)體兀件及該核心層，且該第一增層電路通過多個第一導(dǎo)電盲孔而電性連接至該半導(dǎo)體元件的所述接觸墊； 一第二增層電路，其自該第二垂直方向覆蓋該半導(dǎo)體元件及該核心層，且該第二增層電路包含一屏蔽蓋，該屏蔽蓋對準該半導(dǎo)體元件；以及 多個屏蔽狹槽，其延伸穿過該核心層并側(cè)向覆蓋該半導(dǎo)體元件，且向外側(cè)向延伸超過該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，其中該屏蔽蓋及所述屏蔽狹槽通過該第一增層電路而與所述接觸墊的至少一者電性連接以接地。
12.如權(quán)利要求11所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，還包括: 一定位件，其作為該半導(dǎo)體元件的一配置導(dǎo)件，且該定位件自該屏蔽蓋朝該第一垂直方向延伸，靠近該半導(dǎo)體元件的外圍邊緣，并側(cè)向?qū)试摪雽?dǎo)體元件的外圍邊緣。
13.如權(quán)利要求11所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該屏蔽蓋通過所述屏蔽狹槽而電性連接至該第一增層電路，所述屏蔽狹槽自該第一增層電路朝該第一垂直方向延伸至該屏蔽蓋。
14.如權(quán)利要求12所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，所述屏蔽狹槽白該第一增層電路朝該第二垂直方向延伸至該定位件。
15.如權(quán)利要求14所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該屏蔽蓋通過所述屏蔽狹槽、該定位件及該第二增層電路的一第二導(dǎo)電盲孔而電性連接至該第一增層電路。
16.如權(quán)利要求14所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該屏蔽蓋通過所述屏蔽狹槽、該定位件及該第二增層電路的一導(dǎo)電溝而電性連接至該第一增層電路。
17.如權(quán)利要求14所述的具有內(nèi)嵌元件、及電磁屏障的線路板，其中，該屏蔽蓋通過一被覆穿孔而電性連接至該第一增層電路，該被覆穿孔延伸穿過該核心層。
【文檔編號】H01L23/552GK103779333SQ201310485264
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】林文強, 王家忠 申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司