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發(fā)光裝置及其制造方法

文檔序號:7008702閱讀:129來源:國知局
發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是抑制具有串聯(lián)元件的發(fā)光裝置的串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置,該發(fā)光裝置包括:形成于絕緣層上的下部電極;形成于所述下部電極彼此之間的部分之上,并具有分別位于所述下部電極的端部上的突出部的分隔壁;分別形成于所述下部電極和所述分隔壁上的第一發(fā)光單元;形成于所述第一發(fā)光單元上的中間層;形成于所述中間層上的第二發(fā)光單元;以及形成于所述第二發(fā)光單元上的上部電極,其中,所述突出部和所述下部電極的每一個的距離大于位于所述下部電極上的所述第一發(fā)光單元和所述中間層的總厚度。
【專利說明】發(fā)光裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有串聯(lián)元件的發(fā)光裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機EL顯示器的商品化日益加速。為了使顯示器能夠承受在室外的使用,對顯示器亮度的要求也逐年增高。另一方面,已知有機EL元件的發(fā)光亮度與電流成正比地變高且可以以聞売度發(fā)光。
[0003]但是,施加大量電流會加快有機EL元件的劣化。所以,如果能夠以少量電流實現(xiàn)高亮度,就可以延長發(fā)光元件的使用壽命。于是,作為能夠以少量電流實現(xiàn)高亮度的發(fā)光元件,已提出了層疊有多個發(fā)光單元的串聯(lián)元件(例如,參照專利文獻I)。
[0004]注意,在本說明書中,發(fā)光單元是指具有一個使從兩端注入的電子和空穴復(fù)合的區(qū)域的層或?qū)盈B體。
[0005]在電極之間層疊有η個一個結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元的串聯(lián)元件中,通過對發(fā)光單元施加一個發(fā)光元件(單元件)的I/η的密度的電流,可以得到同樣的發(fā)光。另外,該串聯(lián)元件能夠以相同的電流密度實現(xiàn)該單元件的η倍的亮度。
[0006]在其中相鄰地設(shè)置有串聯(lián)元件的發(fā)光面板中存在串?dāng)_現(xiàn)象的問題。串?dāng)_現(xiàn)象是指,當(dāng)在相鄰的串聯(lián)元件之間設(shè)置有一個導(dǎo)電性高的層時,電流泄漏到隔著該導(dǎo)電性高的層相鄰的串聯(lián)元件而導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。
[0007]在串聯(lián)元件中,隔著導(dǎo)電性高的中間層層疊有多個層,且結(jié)構(gòu)上具有導(dǎo)電性高的層和導(dǎo)電性低的層。此外,為了降低驅(qū)動電壓,在串聯(lián)元件中常采用含有有機化合物和金屬氧化物的混合材料或?qū)щ姼叻肿拥鹊膶?dǎo)電性高的載流子注入層。另外,與單元件相比串聯(lián)元件的陽極和陰極之間的電阻大,所以電流容易經(jīng)過導(dǎo)電性高的層擴散到相鄰的像素。
[0008]圖12是用來說明導(dǎo)電性高的中間層86導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的示意圖,并且是示出在發(fā)射呈現(xiàn)白色的光的串聯(lián)元件被設(shè)置為三個條狀的發(fā)光面板(白色面板)中,僅驅(qū)動第二串聯(lián)元件(B行、藍(lán)色行)時的狀況的截面圖。
[0009]發(fā)光面板具有被彼此相鄰地配置的第一至第三串聯(lián)元件。第一串聯(lián)元件(R行、紅色行)配置在上部電極81和第一下部電極82之間。第二串聯(lián)元件配置在上部電極81和第二下部電極83之間。第三串聯(lián)元件(G行、綠色行)配置在上部電極81和第三下部電極84之間。
[0010]在第一至第三串聯(lián)元件中分別依次層疊有第一發(fā)光單元85、中間層86和第二發(fā)光單元87。例如,在采用如下結(jié)構(gòu)時,可以從各個串聯(lián)元件獲得呈現(xiàn)白色的發(fā)光。該結(jié)構(gòu)為:第一發(fā)光單元85具有發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的發(fā)光層且第二發(fā)光單元87具有發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的發(fā)光層和發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的發(fā)光層。
[0011]在圖12中采用具有透光性的上部電極,在上部電極上配置有對置玻璃襯底88。對置玻璃襯底88具有未圖示的藍(lán)色濾光片、紅色濾光片和綠色濾光片。紅色濾光片重疊于第一下部電極82,藍(lán)色濾光片重疊于第二下部電極83,綠色濾光片重疊于第三下部電極84。[0012]在上述發(fā)光面板中對第二下部電極83和上部電極81施加電壓并僅驅(qū)動藍(lán)色行時,電流有時泄漏到隔著導(dǎo)電性高的中間層86相鄰的第一串聯(lián)元件或第三串聯(lián)元件,從而使紅色行或綠色行發(fā)光而發(fā)生串?dāng)_現(xiàn)象。
[0013]圖13是用來說明導(dǎo)電性高的載流子注入層(空穴注入層或電子注入層)89導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的示意圖,并且是示出在發(fā)光面板(白色面板)中僅驅(qū)動藍(lán)色行時的狀況的截面圖。
[0014]在第一至第三串聯(lián)元件中分別依次層疊有含有導(dǎo)電性高的載流子注入層89的第一發(fā)光單元85、中間層86和第二發(fā)光單元87。作為載流子注入層89例如可以舉出包含有機化合物和金屬氧化物的混合材料或?qū)щ姼叻肿拥鹊膶?dǎo)電性高的層。
[0015][專利文獻I]日本專利申請公開2008-234885號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明的一個方式的目的是抑制具有串聯(lián)元件的發(fā)光裝置的串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。另夕卜,本發(fā)明的一個方式的目的是以廣的制程范圍(工序條件的容許范圍)來制造即使具有串聯(lián)元件也可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的發(fā)光裝置。
[0017]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置,該發(fā)光裝置包括:形成于絕緣層上的第一電極和第二電極;形成于所述第一電極和所述第二電極之間的部分之上,并具有分別位于所述第一電極和所述第二電極的端部上的突出部的分隔壁;分別形成于所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上的第一發(fā)光單元;形成于所述第一發(fā)光單元上的中間層;形成于所述中間層上的第二發(fā)光單元;形成于所述第二發(fā)光單元上的第三電極,其中,所述第一電極和所述突出部的距離以及所述第二電極和所述突出部的距離都大于位于所述第一電極上的所述第一發(fā)光單元和所述中間層的總厚度。
[0018]根據(jù)上述本發(fā)明的一個方式,通過將第一電極和分隔壁的突出部的距離以及第二電極和分隔壁的突出部的距離設(shè)置為大于位于第一電極上的第一發(fā)光單元和中間層的總厚度,可以使中間層在突出部斷開。因此可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。
[0019]另外,所述第一電極和所述突出部的距離以及所述第二電極和所述突出部的距離優(yōu)選為位于所述第一電極上的所述第一發(fā)光單元、所述中間層、所述第二發(fā)光單元和所述第三電極的總厚度以下。
[0020]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置,該發(fā)光裝置包括:形成于絕緣層上的第一電極和第二電極;形成于所述第一電極和所述第二電極之間的部分之上,并具有分別位于所述第一電極和所述第二電極的端部上的突出部的分隔壁;分別形成于所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上的第一發(fā)光單元;形成于所述第一發(fā)光單元上的中間層;形成于所述中間層上的第二發(fā)光單元;形成于所述第二發(fā)光單元上的第三電極,其中,所述第一發(fā)光單元和所述中間層在所述突出部斷開。
[0021]另外,在本發(fā)明的一個方式中,優(yōu)選在所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部上與所述突出部之間形成有間隔物。
[0022]此外,在本發(fā)明的一個方式中,優(yōu)選所述分隔壁形成在所述第一電極和所述第二電極之間,并以與所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部接觸的方式形成,并且所述第一電極和所述第二電極被所述分隔壁電隔離。[0023]另外,在本發(fā)明的一個方式中,優(yōu)選所述間隔物形成在所述第一電極和所述第二電極之間,并以與所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部接觸的方式形成,并且所述第一電極和所述第二電極被所述間隔物電隔離。
[0024]此外,在本發(fā)明的一個方式中,優(yōu)選所述第一電極與所述突出部之間以及所述第二電極與所述突出部之間都形成有空間。
[0025]另外,在本發(fā)明的一個方式中,如果所述第一發(fā)光單元包括載流子注入層就可以降低驅(qū)動電壓,所以是優(yōu)選的。在本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置中,可以在突出部將載流子注入層斷開。因此即使設(shè)置有用來降低驅(qū)動電壓的載流子注入層,也可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。
[0026]此外,在本發(fā)明的一個方式中優(yōu)選包括配置于所述第一電極和所述第二電極上的濾色片,并且所述濾色片具有與所述第一電極重疊的第一顏色以及與所述第二電極重疊的
第二顏色。
[0027]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟:在絕緣層上形成第一電極和第二電極;在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成犧牲層;通過加工所述犧牲層來去除位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層,并留下分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述絕緣層上以及所述犧牲層上形成分隔壁;通過蝕刻去除所述犧牲層;在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元;在所述第一發(fā)光單元上形成中間層;在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極,并且其中,分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的厚度高于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
[0028]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟:在絕緣層上形成電極層;在所述電極層上形成犧牲層;通過加工所述犧牲層和所述電極層來在所述絕緣層上形成由所述電極層構(gòu)成的第一電極和第二電極,并分別在所述第一電極和所述第二電極上留下所述犧牲層;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述絕緣層上以及所述犧牲層上形成分隔壁;通過蝕刻去除所述犧牲層;在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元;在所述第一發(fā)光單元上形成中間層;在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極,其中,分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的厚度高于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
[0029]另外,在本發(fā)明的一個方式中,優(yōu)選分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的厚度為從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的聞度以下。
[0030]此外,在本發(fā)明的一個方式中,在通過蝕刻去除所述犧牲層的工序中,可以通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層構(gòu)成的間隔物。
[0031]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟:在絕緣層上形成第一電極和第二電極;在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成絕緣性的犧牲層;通過加工所述犧牲層來去除位于所述第一電極和所述第二電極的每一個的頂面中央部的所述犧牲層,并留下位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層,并留下位于所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部上的所述犧牲層;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層上形成分隔壁;通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層構(gòu)成的間隔物;在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元;在所述第一發(fā)光單元上形成中間層;在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極,其中,所述間隔物的厚度高于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
[0032]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟:在絕緣層上形成第一電極和第二電極;在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成絕緣性的犧牲層;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層上形成分隔壁;通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層構(gòu)成的間隔物;在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元;在所述第一發(fā)光單元上形成中間層;在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極,其中,所述間隔物的厚度高于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
[0033]另外,在本發(fā)明的一個方式中,所述間隔物的厚度可以為所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的高度以下。
[0034]注意,本說明書中的發(fā)光裝置包括在像素(或子像素)中具備有發(fā)光元件的顯示裝置。另外,發(fā)光面板包括其中相鄰設(shè)置有具有發(fā)光元件的像素的顯示面板。此外,發(fā)光模塊具有包含發(fā)光元件的結(jié)構(gòu),發(fā)光元件具備含有發(fā)光層的發(fā)光單元。
[0035]通過應(yīng)用本發(fā)明的一個方式可以抑制串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。另外,通過應(yīng)用本發(fā)明的一個方式,可以以廣的制程范圍來制造即使具有串聯(lián)元件也能夠抑制串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的發(fā)光裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1A是可以用于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的顯示面板的結(jié)構(gòu)的俯視圖,圖1B是包括沿圖1A的切斷線A-B及C-D的截面的結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖;
圖2 (Al)和圖2 (A2)是像素的俯視圖,圖2B是圖2 (Al)的虛線Ml-Nl之間的截面圖,圖2C是圖2 (A2)的虛線M2-N2之間的截面圖,圖2D是示出圖2 (A2)的變形例子的像素的俯視圖,圖2E是示出圖2 (A2)的變形例子的像素的俯視圖;
圖3A是將圖2B所示的分隔壁、間隔物及發(fā)光元件放大的截面圖,圖3B是將圖2C所示的分隔壁、間隔物及發(fā)光元件放大的截面圖;
圖4A和圖4B是示出圖3A的變形例子的截面圖;
圖5A、圖5B、圖5E和圖5F是像素的俯視圖,圖5C是圖5A和圖5B的虛線M3-N3之間的截面圖,圖是圖5E和圖5F的虛線M4-N4之間的截面圖;
圖6A、圖6B、圖6C和圖6D是像素的俯視圖;
圖7A至圖7E是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖;
圖8A、圖8 (BI)、圖8 (B2)和圖8C至圖8E是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖;
圖9A至圖9E是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖;
圖1OA至圖1OC是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖;
圖1lA是用來說明層疊有兩個發(fā)光單元的串聯(lián)型發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖,圖1lB是示出發(fā)光單元的具體結(jié)構(gòu)的一個例子的圖,圖1lC是示出層疊有多個發(fā)光單元的串聯(lián)型發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖;
圖12是用來說明導(dǎo)電性高的中間層導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的示意圖;
圖13是用來說明導(dǎo)電性高的載流子注入層導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生的示意圖。
本發(fā)明的選擇圖為圖2 (Al)、圖2 (A2)及圖2B至圖2E。
【具體實施方式】
[0037]下面,參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)說明。但是,本發(fā)明不局限于以下說明,而所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此,本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅局限在以下所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。
[0038]實施方式I
<顯示面板的結(jié)構(gòu)>
圖1A和圖1B示出可以用于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的顯示面板的結(jié)構(gòu)。圖1A是可以用于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的顯示面板的結(jié)構(gòu)的俯視圖,圖1B是包括沿圖1A的切斷線A-B及C-D的截面的結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖。
[0039]在本實施方式中例示說明的顯示面板400在第一襯底410上具有顯示部401,在顯示部401設(shè)置有多個像素402。另外,像素402中設(shè)置有多個(例如,三個)子像素(參見圖1A)。此外,在第一襯底410上與顯示部401 —起設(shè)置有驅(qū)動該顯示部401的源極一側(cè)的驅(qū)動電路部403s、柵極一側(cè)的驅(qū)動電路部403g。注意,也可以將驅(qū)動電路部設(shè)置在外部,而不設(shè)置在第一襯底410上。
[0040]顯示面板400包括外部輸入端子,通過FPC (柔性印刷電路)409接收視頻信號、時
鐘信號、起始信號、復(fù)位信號等。
[0041]密封材料405將第一襯底410和第二襯底(以下,也稱為“對置襯底”)170貼合,在它們之間形成的空間431中密封有顯示部401 (參見圖1B)。
[0042]參照圖1B說明包括顯示面板400的截面的結(jié)構(gòu)。顯示面板400具備有源極一側(cè)的驅(qū)動電路部403s、像素402所包含的子像素402G以及引繞布線408。注意,本實施方式所例示的顯示面板400的顯示部401向在附圖中示出的箭頭的方向發(fā)射光而顯示圖像。
[0043]源極一側(cè)的驅(qū)動電路部403s包括組合η溝道型晶體管413和ρ溝道型晶體管414的CMOS電路。注意,驅(qū)動電路不局限于上述結(jié)構(gòu),也可以由各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路構(gòu)成。
[0044]引繞布線408將從外部輸入端子輸入的信號傳送到源極一側(cè)的驅(qū)動電路部403s及柵極一側(cè)的驅(qū)動電路部403g。
[0045]子像素402G包括開關(guān)用晶體管411、電流控制用晶體管412和發(fā)光模塊450G。此夕卜,在晶體管411等上形成有絕緣層416和分隔壁150。發(fā)光模塊450G包括具有第一電極118a (以下,也稱為“下部電極118a”)、第三電極122 (以下,也稱為“上部電極122”)以及下部電極118a和上部電極122之間的有機層120的發(fā)光元件130a,并在射出發(fā)光元件130a所發(fā)射的光的上部電極122—側(cè)設(shè)置有濾色片171。另外,顯示部401顯示圖像的方向取決于取出發(fā)光兀件130a所發(fā)射的光的方向。
[0046]此外,在發(fā)光元件130a中,下部電極118a和上部電極122中的至少一個透過有機層120的發(fā)光即可。例如,圖1B示出上部電極122透過有機層120的發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
[0047]另外,以圍繞濾色片171的方式形成有具有遮光性的膜(以下,也稱為“黑矩陣”)172。黑矩陣172是防止顯示面板400反射外光的現(xiàn)象的膜,并有提高顯示部401所顯示的圖像的對比度的效果。另外,濾色片171和黑矩陣172形成在對置襯底170上。
[0048]絕緣層416是用來使起因于晶體管411等的結(jié)構(gòu)的臺階平坦化或抑制雜質(zhì)擴散到晶體管411等的具有絕緣性的層,并且既可以是單層又可以是多層的疊層體。分隔壁150是具有開口部的絕緣層,并且發(fā)光元件130a形成在分隔壁150的開口部。
[0049]<晶體管的結(jié)構(gòu)>
圖1A所例示的顯示面板400雖然應(yīng)用頂柵型晶體管,但不限于此,也可以應(yīng)用底柵型晶體管。源極一側(cè)的驅(qū)動電路部403s、柵極一側(cè)的驅(qū)動電路部403g以及子像素可以應(yīng)用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。此外,在形成這些晶體管的溝道的區(qū)域中,可以使用各種半導(dǎo)體。具體來說,除了可以使用非晶硅、多晶硅、單晶硅,還可以使用氧化物半導(dǎo)體等。作為氧化物半導(dǎo)體的一個例子,可以舉出至少含有銦(In)或鋅(Zn)的氧化物半導(dǎo)體,優(yōu)選含有In和Zn的氧化物半導(dǎo)體。另外,特別優(yōu)選包含選自鎵(Ga)或錫(Sn)中的一種或多種的氧化物半導(dǎo)體。
[0050]通過在形成有晶體管的溝道的區(qū)域中使用單晶半導(dǎo)體,可以實現(xiàn)晶體管尺寸的微型化,因此在顯示部中可以進一步實現(xiàn)像素的高清晰化。
[0051]作為構(gòu)成半導(dǎo)體層的單晶半導(dǎo)體,除了可以使用單晶硅襯底等的半導(dǎo)體襯底之夕卜,還可以使用在絕緣表面上設(shè)置有單晶半導(dǎo)體層的SOI (Silicon On Insulator:絕緣體上硅)襯底。
[0052]〈像素的結(jié)構(gòu)〉
參照圖2 (Al)、圖2B及圖3A說明設(shè)置在顯示部401中的像素402的結(jié)構(gòu)。
[0053]圖2 (Al)、圖2 (A2)及圖2B至圖2E示出分隔壁150、間隔物155、發(fā)光部160R、發(fā)光部160G、發(fā)光部160B的位置關(guān)系的一個例子。圖2 (Al)是像素402的俯視圖,圖2B是圖2 (Al)的虛線Ml-Nl之間的截面圖的一個例子。圖3A是將圖2B所示的分隔壁、間隔物及發(fā)光元件130b放大的截面圖的一個例子。注意,在圖2 (Al)中省略了有機層120、上部電極122、外敷層173、濾色片171、黑矩陣172和對置襯底170。
[0054]在本實施方式中例示的像素402包括發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光R的子像素402R、發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光G的子像素402G以及發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光B的子像素402B。子像素402R包括紅色發(fā)光部160R,子像素402G包括綠色發(fā)光部160G,子像素402B包括藍(lán)色發(fā)光部160B。紅色發(fā)光部160R、綠色發(fā)光部160G和藍(lán)色發(fā)光部160B都位于分隔壁150的開口部(參見圖2(Al))。
[0055]各顏色的發(fā)光部160R、發(fā)光部160G和發(fā)光部160B都包括由下部電極、有機層和上部電極構(gòu)成的發(fā)光元件。例如,綠色發(fā)光部160G包括由下部電極118a、有機層120和上部電極122構(gòu)成的發(fā)光元件130a,藍(lán)色發(fā)光部160B包括由第二電極118b (以下,也稱為“下部電極118b”)、有機層120和上部電極122構(gòu)成的發(fā)光元件130b (參見圖2B)。有機層120包括第一發(fā)光單元141、中間層142和第二發(fā)光單元143 (參見圖3A)。另外,對置襯底170上形成有:設(shè)置在與發(fā)光部重疊的位置的濾色片171、設(shè)置在與分隔壁重疊的位置的黑矩陣172以及覆蓋濾色片171和黑矩陣172的外敷層173 (參見圖2B)。如果不需要,也可以不設(shè)置外敷層173。
[0056]各顏色的發(fā)光部160R、發(fā)光部160G和發(fā)光部160B都包括具有下部電極、上部電極122以及含有第一發(fā)光單元141、中間層142和第二發(fā)光單元143的有機層120的發(fā)光元件。中間層142的導(dǎo)電性高于第一發(fā)光單元141。
[0057]此外,子像素402G包括驅(qū)動用晶體管和發(fā)光模塊450G。其他的子像素402R和子像素402B也是與子像素402G同樣的結(jié)構(gòu)。發(fā)光模塊分別包括具有下部電極、上部電極122以及位于下部電極與上部電極122之間的有機層120的發(fā)光元件(參見圖1B)。
[0058]作為發(fā)光元件的結(jié)構(gòu),在下部電極與上部電極122之間具備包括第一發(fā)光單元141、中間層142及第二發(fā)光單元143的有機層120。
[0059]此外,在發(fā)光元件中,下部電極和上部電極122中的至少一個透過有機層120的發(fā)光即可。例如,可以將反射膜用作下部電極118a和下部電極118b,并將半透射.半反射膜用作上部電極122。通過重疊反射膜和半透射?半反射膜構(gòu)成微諧振器,并在其間設(shè)置有機層120,可以從半透射?半反射膜(上部電極122)—側(cè)高效地取出具有特定的波長的光。取出的光的波長依賴于反射膜和半透射.半反射膜之間的距離,可以在反射膜和半透射.半反射膜之間形成光學(xué)調(diào)整層來調(diào)整該距離。
[0060]作為可以用于光學(xué)調(diào)整層的材料,除了對可見光具有透光性的導(dǎo)電膜之外,還可以應(yīng)用包含發(fā)光有機化合物的層。例如,也可以采用通過調(diào)整電荷產(chǎn)生區(qū)域的厚度來使電荷產(chǎn)生區(qū)域兼作光學(xué)調(diào)整層的結(jié)構(gòu)?;蛘?,也可以采用以下結(jié)構(gòu):通過調(diào)整包含空穴傳輸性高的物質(zhì)以及對該空穴傳輸性高的物質(zhì)呈現(xiàn)受主性的物質(zhì)的區(qū)域(混合材料層)的厚度,來使該混合材料層兼作光學(xué)調(diào)整層。通過采用該結(jié)構(gòu),即使使用厚的光學(xué)調(diào)整層也可以抑制驅(qū)動電壓的上升,所以是優(yōu)選的。
[0061]另外,在實施方式2中詳細(xì)地說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)例子。
[0062]在本實施方式所例示的發(fā)光模塊450G中,設(shè)置在每個發(fā)光模塊中的發(fā)光元件的上部電極122兼作半透射.半反射膜。詳細(xì)地說,在每個發(fā)光元件中共用的上部電極122兼作每個發(fā)光模塊的半透射.半反射膜。
[0063]另外,每個發(fā)光模塊中以電獨立的方式設(shè)置有發(fā)光元件的下部電極,下部電極兼作發(fā)光模塊的反射膜。
[0064]兼作每個發(fā)光模塊的反射膜的下部電極具有在反射膜上層疊有光學(xué)調(diào)整層的結(jié)構(gòu)。光學(xué)調(diào)整層由對可見光具有透光性的導(dǎo)電膜形成,反射膜優(yōu)選是對可見光的反射率高且具有導(dǎo)電性的金屬膜。
[0065]根據(jù)從發(fā)光模塊取出的光的波長的長度來調(diào)整光學(xué)調(diào)整層的厚度。以下進行詳細(xì)說明。
[0066]例如,發(fā)光模塊(藍(lán)色)包括透射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的濾色片、兼作反射膜的下部電極以及兼作半透射.半反射膜的上部電極,其中下部電極與上部電極之間的光程被調(diào)整為加強具有400nm以上且低于500nm的波長的光的距離。[0067]此外,發(fā)光模塊450G包括透射呈現(xiàn)綠色的光的濾色片、反射膜以及半透射.半反射膜,其中反射膜與半透射.半反射膜之間的光程被調(diào)整為加強具有500nm以上且低于600nm的波長的光的距離。
[0068]此外,發(fā)光模塊(紅色)包括透射呈現(xiàn)紅色的光的濾色片、反射膜以及半透射.半反射膜,其中反射膜與半透射.半反射膜之間的光程被調(diào)整為加強具有600nm以上且低于800nm的波長的光的距離。
[0069]在采用這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光模塊中,發(fā)光元件所發(fā)射的光在反射膜和半透射.半反射膜之間互相干涉,具有400nm以上且低于SOOnm的波長的光中的特定的光互相加強,且濾色片吸收不需要的光。
[0070]另外,每個發(fā)光模塊都包括具有第一發(fā)光單兀141、中間層142和第二發(fā)光單兀143的有機層120。此外,每個發(fā)光兀件的一對電極(下部電極和上部電極)都是其中一個兼作反射膜,另一個兼作半透射.半反射膜。
[0071]這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光模塊可以通過同一工序形成發(fā)光單元。
[0072]<分隔壁的結(jié)構(gòu)>
分隔壁150形成在像素402的周圍以及子像素402B、子像素402G、子像素402R的周圍以及發(fā)光部160R、發(fā)光部160G、發(fā)光部160B的周圍(參見圖2 (Al))。
[0073]分隔壁150形成在下部電極118a與下部電極118b彼此之間以及下部電極118a和下部電極118b的端部上。分隔壁150具有位于下部電極118a和下部電極118b的端部上的突出部150a,并且下部電極118a以及下部電極118b的端部上與分隔壁150的突出部150a之間形成有間隔物155。間隔物155起到使分隔壁150的突出部150a的位置高于下部電極118a和下部電極118b的頂面的作用。分隔壁150的突出部150a為從間隔物155向外突出的形狀即可,突出部150a與下部電極118a以及下部電極118b之間優(yōu)選形成有空間156。作為分隔壁150的材料可以使用正型或負(fù)型的光敏樹脂(參見圖2B)。間隔物155既可以使用導(dǎo)電性材料也可以使用絕緣性材料。
[0074]如圖3A所示,間隔物155的高度LI (即,下部電極118b與分隔壁150的突出部150a之間的距離)高于第一發(fā)光單元141和中間層142的總膜厚度Al,且為有機層120和上部電極122的總膜厚度A2以下。由此,可以使第一發(fā)光單元141和導(dǎo)電性高的中間層142在分隔壁150的突出部150a斷開,并使上部電極122不斷開。注意,間隔物155的高度LI以及膜厚度Al、膜厚度A2分別相當(dāng)于從各個層的表面向下部電極的被形成面或襯底的表面畫的垂直線的長度。
[0075]在此,由于設(shè)置間隔物155而產(chǎn)生上部電極122的膜厚度薄的區(qū)域,于是起因于上部電極122的電阻的電位下降的發(fā)光不良有時導(dǎo)致顯示的亮度不均勻等的問題發(fā)生。因此,如圖4A所示,優(yōu)選通過使第二發(fā)光單元143不斷開,而不僅使上部電極122不斷開,還可以抑制上部電極122的薄膜化。
[0076]另外,在圖3A或圖4A中,雖然在下部電極118b與分隔壁150的突出部150a之間配置有間隔物155,但如圖4B所示,也可以去除間隔物155,而在下部電極118b與分隔壁150的突出部150a之間形成空間156。
[0077]此外,根據(jù)本發(fā)明的一個方式的有機EL元件的例子如下。
第一發(fā)光單元141的膜厚度:大約75nm (30nm至200nm) 中間層142的厚度:大約30nm (Inm至IOOnm)
第二發(fā)光單元143的膜厚度:大約90nm (30nm至200nm)
上部電極122的膜厚度:大約85nm (5nm至200nm)
[0078]為了防止上部電極122斷開,分隔壁150的突出部150a的形狀優(yōu)選為正錐形狀。另外,分隔壁150的厚度太厚會導(dǎo)致上部電極122的電阻增大,所以優(yōu)選為ΙΟμπι以下。
[0079]間隔物155的形狀不局限于圖2Β所示的形狀,也可以是圖2C所示的形狀。圖2(Α2)例示出這種情況的俯視圖。圖2C所示的間隔物155形成在下部電極118a與下部電極118b彼此之間以及下部電極118a、下部電極118b的端部上,并且間隔物155上形成有分隔壁150。分隔壁150具有位于下部電極118a、下部電極118b的端部上的突出部150a,并且下部電極118a、下部電極118b的端部上與分隔壁150的突出部150a之間配置有間隔物155。間隔物155的作用與圖2B所示的間隔物155是同樣的,并且分隔壁150的突出部150a優(yōu)選為從間隔物155向外突出的形狀。圖2C所示的間隔物155由絕緣性材料形成,其將相鄰的發(fā)光部的下部電極118a和下部電極118b電隔離。
[0080]如圖3B所示,間隔物155的高度LI (即,下部電極118b與分隔壁150的突出部150a之間的距離)、第一發(fā)光單元141和中間層142的總膜厚度Al、有機層120和上部電極122的總膜厚度A2的三者之間的關(guān)系與圖3A所示的相同,并有同樣效果。另外,圖3B所示的第一發(fā)光單元141的膜厚度、中間層142的厚度、第二發(fā)光單元143的膜厚度以及上部電極122的膜厚度可以與圖3A所示的相同。
[0081]間隔物155的位置不局限為圖2 (Al)和圖2 (A2)所不的位置,也可以設(shè)置為圖2D或圖2E所示的位置。圖2D和圖2E中的間隔物155雖然是圖2C所示的形狀,但也可以適當(dāng)采用圖2B的形狀。圖2 (Al)和圖2D所示的間隔物155設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間,而沒有設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光部之間。此外,圖2E所示的間隔物155設(shè)置在所有相鄰的發(fā)光部之間。也就是說,間隔物155至少設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間即可。由此,可以使第一發(fā)光單元141和中間層142在位于相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間的分隔壁150的突出部150a斷開。
[0082]圖2E所示的間隔物155的位置的優(yōu)點是可以以同一掩模來形成下部電極118a、下部電極118b和間隔物155,從而使制造發(fā)光裝置所需要的掩模的數(shù)量不增加。
[0083]另外,間隔物155并不需要設(shè)置在所有相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間,也可以只設(shè)置在一部分的相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間。圖5A示出間隔物155只設(shè)置在發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的子像素402B與發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的子像素402G之間的例子(參見圖2B的截面圖)。此外,圖5B示出間隔物155同時也設(shè)置在發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的子像素402B與發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的子像素402R之間的例子(也就是說,發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的子像素402R與發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的子像素402G之間沒有設(shè)置間隔物155)。另外,圖5C示出在圖5A和圖5B中沒有設(shè)置間隔物155的發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的子像素402R與發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的子像素402G之間的截面圖。
[0084]此外,如圖5E和圖5F所示,也可以只在相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間的一個的下部電極(在此指下部電極118b)的端部上設(shè)置間隔物155 (參見圖的截面圖)。
[0085]另外,間隔物155也可以設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光部之間。圖6A和圖6C示出間隔物155設(shè)置在相鄰且發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的子像素402B之間的例子。圖6B和圖6D示出間隔物155設(shè)置在相鄰且發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的子像素402G之間以及相鄰且發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的子像素402R之間的例子。此外,間隔物155也可以設(shè)置在所有相鄰且呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光部之間。
[0086]由于設(shè)置間隔物155而產(chǎn)生上部電極122的膜厚度薄的區(qū)域,于是該區(qū)域的電阻變高。于是,上部電極122整體的電阻變高,而可能導(dǎo)致亮度不均勻等的不良現(xiàn)象發(fā)生。所以,通過適當(dāng)選擇間隔物155的布置方法,可以同時成功地抑制串?dāng)_和上部電極的電阻上升。
[0087]例如,優(yōu)選將間隔物155只設(shè)置在最容易發(fā)生串?dāng)_的發(fā)光部之間。例如,當(dāng)串?dāng)_容易從藍(lán)色發(fā)光部160B向紅色發(fā)光部160R或綠色發(fā)光部160G發(fā)生時,將間隔物155設(shè)置在藍(lán)色發(fā)光部160B和紅色發(fā)光部160R之間或藍(lán)色發(fā)光部160B和綠色發(fā)光部160G之間即可。
[0088]另外,作為一個例子,圖2B、圖2C和圖5C示出相鄰的發(fā)光部之間的有機層120斷開且上部電極122沒有斷開的情況。另外,在圖2D和圖2E中省略了有機層120、上部電極122、外敷層173、濾色片171、黑矩陣172和對置襯底170。分隔壁150的開口部相當(dāng)于發(fā)光部(紅色發(fā)光部160R、綠色發(fā)光部160G或藍(lán)色發(fā)光部160B)。
[0089]根據(jù)本實施方式,通過使第一發(fā)光單元141在分隔壁150的突出部150a斷開,可以使第一發(fā)光單元141所包含的導(dǎo)電性高的層(例如載流子注入層)也斷開。因此,該導(dǎo)電性高的層的導(dǎo)電性受損且流過的電流被抑制,從而可以抑制相鄰的發(fā)光顏色不同的像素之間或子像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象。
[0090]此外,通過使中間層142在分隔壁150的突出部150a斷開,而使中間層142的導(dǎo)電性受損且流過的電流被抑制,從而可以抑制相鄰的發(fā)光顏色不同的像素之間或子像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象。
[0091]另外,通過使上部電極122不斷開,在相鄰的像素中上部電極122的電位變?yōu)橄嗟龋喜侩姌O122平面狀地變?yōu)榈入娢?,?yōu)選上部電極122整體變?yōu)榈入娢唬纱说玫侥軌蚪档碗妷旱鹊男Ч?br> [0092]此外,分隔壁150優(yōu)選應(yīng)用吸收可見光的材料。由此可以抑制因在發(fā)光元件中產(chǎn)生的光穿過分隔壁150從相鄰的像素被提取而導(dǎo)致的色度的視角依賴以及色度的惡化。
[0093]<密封結(jié)構(gòu)>
本實施方式所例不的顯不面板400具有在由第一襯底410、第二襯底170和密封材料405圍繞的空間431密封發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)(參見圖1A和圖1B)。
[0094]空間431除了填充有惰性氣體(氮或氬等)的情況以外,有時填充有樹脂。另外,也可以向空間431引入雜質(zhì)(典型的是,水及/或氧)的吸附材料(例如,干燥材料等)。
[0095]密封材料405和第二襯底170優(yōu)選為盡量不使大氣中的雜質(zhì)(典型的是,水及/或氧)透過的材料。作為密封材料405可以使用環(huán)氧類樹脂或玻璃粉等。
[0096]作為可以用于第二襯底170的材料的例子,除了玻璃襯底或石英襯底之外還可以舉出由PVF (聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸類樹脂等構(gòu)成的塑料襯底或FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics:玻璃纖維增強塑料)等。
[0097]<分隔壁的制造方法>
[第一制造方法:利用與下部電極不同的光掩模形成犧牲層]
圖7A至圖7E是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖。[0098]首先,如圖7A所示,在玻璃襯底101上形成絕緣膜(未圖示),在該絕緣膜上形成布線102和TFT (未圖示)。接著,在布線102和TFT上形成用作平坦化膜的絕緣層103。然后,通過蝕刻加工絕緣層103,在絕緣層103中形成位于布線102上的連接孔103a。接下來,在連接孔103a內(nèi)以及絕緣層103上形成電極層,通過蝕刻加工該電極層,在連接孔103a內(nèi)以及絕緣層103上形成下部電極118a和下部電極118b。
[0099]然后,如圖7B所示,在下部電極118a、下部電極118b和絕緣層103上形成犧牲層,在該犧牲層上形成光掩模膜(未圖示)。在第一制造方法中形成的犧牲層可以是導(dǎo)電體,也可以是絕緣體或半導(dǎo)體。接著,通過以該光掩模膜作為掩模蝕刻加工犧牲層來去除位于下部電極118a和下部電極118b彼此之間的犧牲層,并留下位于下部電極118a和下部電極118b上的犧牲層155a。留下的該犧牲層155a具有與下部電極118a和下部電極118b的平面形狀大致相同的平面形狀。接下來,剝離上述光掩模膜。注意,光掩模膜是通過光刻技術(shù)來制造的掩模膜。
[0100]此外,當(dāng)使用光敏樹脂來形成犧牲層時,可以通過光刻技術(shù)來形成圖7B所示的犧牲層155a (被圖案化的犧牲層)。由此,不需要在犧牲層上另行形成光掩模膜,從而可以減少制造工序,所以是優(yōu)選的。
[0101]接著,如圖7C所示,在位于下部電極118a和下部電極118b彼此之間的絕緣層103上以及犧牲層155a上形成分隔壁150。該分隔壁150分別覆蓋下部電極118a、下部電極118b和犧牲層155a的端部,并具有向下部電極118a和下部電極118b上突出的突起形狀。相鄰的下部電極118a和下部電極118b由分隔壁150電隔離。
[0102]接下來,如圖7D所示,以分隔壁150作為掩模來蝕刻去除犧牲層155a。由此,在分隔壁150的突起形狀的部分下面形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。此時,可以通過以蝕刻時間控制蝕刻量來縮小犧牲層155a,從而使分隔壁150的突起形狀的部分成為從間隔物155突出的形狀(參見圖7E),也可以完全去除犧牲層155a。
[0103]在制造間隔物155時,通過以分隔壁150作為掩模進行蝕刻而能夠?qū)崿F(xiàn)自動調(diào)準(zhǔn),從而可以將本制造方法應(yīng)用于高清晰面板。
[0104]此外,以下示出分別可以用于下部電極118a、下部電極118b、導(dǎo)電性的犧牲層155a、蝕刻劑和分隔壁150的材料的組合的例子。
[0105]〈例1>
下部電極:銀、銀鎂合金、ITO (銦錫氧化物:Indium Tin Oxide)或在銦中混入氧化鋅的金屬氧化物
導(dǎo)電性的犧牲層:A1或Al合金
蝕刻劑:光致抗蝕劑的顯影液(TMAH:Tetramethyl ammonium hydroxide等的堿金屬) 分隔壁:丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、酚醛類樹脂或酚醛清漆樹脂

[0106]〈例2>
下部電極=ITO或Ti氧化物等 導(dǎo)電性的犧牲層:銦鋅氧化物 蝕刻劑:草酸蝕刻劑
分隔壁:丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、酚醛類樹脂或酚醛清漆樹脂等
[0107]〈例3>
下部電極=ITO或Ti氧化物等
絕緣性的犧牲層:聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、酚醛類樹脂等 蝕刻:02灰化
分隔壁:娃氧燒類樹脂或SiO2等
[0108]此后,利用蒸鍍法在下部電極118b和分隔壁150上形成第一發(fā)光單元141,再利用蒸鍍法在第一發(fā)光單元141上形成中間層142。接著,利用蒸鍍法在中間層142上形成第二發(fā)光單元143,再在第二發(fā)光單元143上形成上部電極122。在此,分別位于下部電極118b上的間隔物155的厚度高于從下部電極118b的每一個的表面到中間層142的表面的高度,并在從下部電極118b的每一個的表面到上部電極122的表面的高度以下(參見圖3A)。
[0109]接下來,配置與分隔壁150上的上部電極122接近或接觸的濾色片171,使用密封材料(未圖示)以惰性氣體或樹脂等來密封發(fā)光元件。濾色片171例如具有與一個下部電極118b重疊的藍(lán)色濾光片以及與另一個下部電極118a重疊的綠色濾光片,并且藍(lán)色濾光片與綠色濾光片之間形成有黑矩陣172 (參見圖2B)。
[0110]在圖7A至圖7E所示的第一制造方法中,由于在形成分隔壁150之前通過蝕刻將犧牲層155a圖案化,所以可以在任意位置形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。因此,例如如圖2 (Al)和圖2D所示,可以將間隔物155設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間,而不設(shè)置在相鄰且呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光部之間。由此,通過采用在顏色不同的方向上切斷中間層142且在顏色相同的方向上不切斷中間層142的條狀結(jié)構(gòu),可以降低上部電極122斷開所導(dǎo)致的發(fā)光不良的發(fā)生概率。
[0111]另外,作為將間隔物155形成在任意位置的其他例子,例如只在發(fā)光部的端角部不形成間隔物155等,可以按照對防止串?dāng)_的重視度來任意選擇中間層的切斷位置。
[0112][第二制造方法:利用與下部電極相同的光掩模形成犧牲層]
圖8A、圖8 (BI)、圖8 (B2)和圖8C至圖8E是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖。
[0113]到圖8A所示的在絕緣層103中形成位于布線102上的連接孔103a為止的工序與圖7A至圖7E所示的制造方法是同樣的。接下來,在連接孔103a內(nèi)及絕緣層103上形成電極層118,在該電極層118上形成犧牲層155a。在第二制造方法中形成的犧牲層155a可以是導(dǎo)電體,也可以是絕緣體或半導(dǎo)體。
[0114]接著,如圖8 (BI)所示,在該犧牲層155a上形成光掩模膜145,再以該光掩模膜145作為掩模蝕刻加工犧牲層155a和電極層118。由此,如圖8C所示,在連接孔103a內(nèi)及絕緣層103上形成下部電極(反射電極)118a和下部電極(反射電極)118b,在下部電極118a和下部電極118b上留下犧牲層155a。然后,剝離上述光掩模膜。
[0115]此外,當(dāng)使用光敏樹脂來形成犧牲層時,可以通過光刻技術(shù)來形成圖8 (B2)所示的犧牲層155a (被圖案化的犧牲層),并以犧牲層155a作為掩模蝕刻加工電極層118。由此,不需要在犧牲層上另行形成光掩模膜,從而可以減少制造工序,所以是優(yōu)選的。
[0116]接著,如圖8D所示,在位于下部電極118a和下部電極118b彼此之間的絕緣層103上以及犧牲層155a上形成分隔壁150。該分隔壁150分別覆蓋下部電極118a、下部電極118b和犧牲層155a的端部,并具有向下部電極118a和下部電極118b上突出的突起形狀。相鄰的下部電極118a和下部電極118b由分隔壁150電隔離。
[0117]接下來,如圖8E所示,以分隔壁150作為掩模來蝕刻去除犧牲層155a。由此,在分隔壁150的突起形狀的部分下面形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。此時,可以通過以蝕刻時間控制蝕刻量,來縮小犧牲層155a,從而使分隔壁150的突起形狀的部分成為從間隔物155突出的形狀,也可以完全去除犧牲層155a。
[0118]另外,在第二制造方法中,可以分別用于下部電極118a、下部電極118b、犧牲層155a、蝕刻劑及分隔壁150的材料的組合與圖7A至圖7E所示的第一制造方法的〈例1>和〈例2>是同樣的。
[0119]此外,以下示出其他材料的組合的例子。
[0120]〈例4>
下部電極:ιτο或銦鋅氧化物
絕緣性的犧牲層:光致抗蝕劑或丙烯酸類樹脂等對氧等離子體的抗性較弱的樹脂 分隔壁:聚酰亞胺類樹脂或硅氧烷類樹脂等對氧等離子體的抗性較強的樹脂 蝕刻:利用氧等離子體的干蝕刻
[0121]如〈例4>所示,當(dāng)將光敏樹脂用于分隔壁和犧牲層時,優(yōu)選對分隔壁和犧牲層一同進行曝光,并對分隔壁和犧牲層進行顯影,再以分隔壁作為掩模利用氧等離子體使?fàn)奚鼘颖确指舯诟涌s小。
[0122]〈例5>
下部電極:ιτο或銦鋅氧化物 絕緣性的犧牲層=SiNx或SiO2等 蝕刻:利用氟等離子體的干蝕刻
分隔壁::丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、酚醛類樹脂或酚醛清漆樹脂

[0123]如〈例5>所示,即使將無機材料(利用CVD法的SiNx)等用作犧牲層,也可以通過氣體的種類的選擇(例如減少蝕刻氣體中的氧且增加蝕刻氣體中的氟類氣體等的比例)相對于分隔壁來選擇性地縮小犧牲層。
[0124]此后的工序與上述圖7Ε的工序之后的工序相同,所以省略其說明。
[0125]另外,在圖8Α、圖8 (BI)、圖8 (Β2)和圖8C至圖8Ε所示的第二制造方法中,由于犧牲層是以與下部電極相同的光掩模而形成的,所以像素的俯視圖是圖2Ε所示的結(jié)構(gòu)。因此,不僅在相鄰且呈現(xiàn)不同顏色的發(fā)光部之間可以抑制串?dāng)_,在相鄰且呈現(xiàn)相同顏色的發(fā)光部之間也可以抑制串?dāng)_。此外,還可以減少掩模的數(shù)量。
[0126][第三制造方法:利用與下部電極不同的光掩模形成絕緣性的犧牲層]
圖9Α至圖9Ε是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖。
[0127]圖9Α的工序與圖7Α的工序是同樣的,所以省略其說明。
[0128]然后,如圖9Β所示,在下部電極118a、下部電極118b和絕緣層103上形成絕緣性的犧牲層,在該犧牲層上形成光掩模膜(未圖示)。接著,通過以該光掩模膜作為掩模干蝕刻犧牲層來去除位于下部電極118a和下部電極118b表面的中央部的犧牲層,并留下位于下部電極118a和下部電極118b彼此之間以及端部上的犧牲層155a。接著,剝離上述光掩模膜。另外,在圖9B中雖然以跨越彼此相鄰的下部電極118a和下部電極118b的方式留有犧牲層155a,但也可以以切開彼此相鄰的下部電極118a和下部電極118b的方式留下犧牲層155a。
[0129]接下來,如圖9C所示,在犧牲層155a上形成分隔壁150。該分隔壁150具有向下部電極118a和下部電極118b上突出的突起形狀。相鄰的下部電極118a和下部電極118b由犧牲層155a電隔尚。
[0130]接著,如圖9D所示,以分隔壁150作為掩模來干蝕刻并去除犧牲層155a。由此,在分隔壁150的突起形狀的部分下面形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。此時,可以通過以蝕刻時間控制濕蝕刻量來縮小犧牲層155a,從而使分隔壁150的突起形狀的部分成為從間隔物155突出的形狀(參見圖9E)。
[0131]另外,可以分別使用于下部電極118a、下部電極118b、絕緣性的犧牲層155a、蝕刻及分隔壁150的材料的組合與圖7A至圖7E所示的第一制造方法的〈例3>以及圖8A、圖8(BI)、圖8 (B2)和圖8C至圖8E所示的第二制造方法的〈例4>和〈例5>是同樣的。
[0132]此后的工序與上述圖7E的工序之后的工序相同,所以省略其說明。
[0133]另外,在圖9A至圖9E所示的第三制造方法中,由于在形成分隔壁150之前通過蝕刻將犧牲層155a圖案化,所以可以在任意位置形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。由此,可以得到與圖7A至圖7E所示的第一制造方法同樣的作用和效果。
[0134][第四制造方法:利用與下部電極不同的光掩模形成絕緣性的犧牲層]
圖1OA至圖1OC是用來說明根據(jù)本發(fā)明的一個方式的分隔壁的制造方法的截面圖。
[0135]在進行與圖7A同樣的工程之后,在下部電極118a、下部電極118b和絕緣層103上形成絕緣性的犧牲層155a (參見圖10A)。
[0136]接著,如圖1OB所示,在犧牲層155a上形成分隔壁150。該分隔壁150具有向下部電極118a和下部電極118b上突出的突起形狀。相鄰的下部電極118a和下部電極118b由犧牲層155a電隔尚。
[0137]然后,如圖1OC所示,以分隔壁150作為掩模來干蝕刻并去除犧牲層155a。由此,在分隔壁150的突起形狀的部分下面形成由犧牲層155a構(gòu)成的間隔物155。此時,可以通過以蝕刻時間控制蝕刻量來縮小犧牲層155a,從而使分隔壁150的突起形狀的部分成為從間隔物155突出的形狀。
[0138]另外,可以分別使用于下部電極118a、下部電極118b、絕緣性的犧牲層155a、蝕刻及分隔壁150的材料的組合與圖9A至圖9E所示的第三制造方法是同樣的。
[0139]此后的工序與上述圖7E的工序之后的工序相同,所以省略其說明。
[0140]實施方式2
參照圖1lA至圖1lC對可以用于本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)進行說明。
[0141 ] 本實施方式所例示的發(fā)光元件具備下部電極、上部電極及下部電極與上部電極之間的有機層。上部電極和下部電極的任一個用作陽極,而另一個用作陰極。有機層設(shè)置在下部電極和上部電極之間,該有機層的結(jié)構(gòu)根據(jù)下部電極和上部電極的材料適當(dāng)?shù)剡x擇,即可。
[0142]〈發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)例子〉 圖1lA示出發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的一個例子。圖1lA所例示的發(fā)光元件在陽極1101和陰極1102之間設(shè)置有包括發(fā)光單元1103a和發(fā)光單元1103b的有機層。再者,發(fā)光單元1103a與發(fā)光單元1103b之間設(shè)置有中間層1104。
[0143]當(dāng)對陽極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓時,來自陽極1101 —側(cè)的空穴以及來自陰極1102—側(cè)的電子注入到有機層。被注入的電子和空穴在有機層中復(fù)合,于是包含在有機層的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。
[0144]設(shè)置在陽極1101和陰極1102之間的發(fā)光單元的數(shù)量不局限于兩個。圖1lC所例示的發(fā)光元件具有層疊有多個發(fā)光單元1103的所謂串聯(lián)型發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。但是,當(dāng)在陽極和陰極之間設(shè)置η (η是2以上的自然數(shù))層的發(fā)光單元1103時,在第m發(fā)光單元和第(m+1)發(fā)光單元之間的每一個都設(shè)置中間層1104。
[0145]發(fā)光單元1103具有至少一個以上的包含發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層,即可。發(fā)光單元1103也可以采用發(fā)光層與發(fā)光層以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。作為發(fā)光層以外的層,例如可以舉出包含高空穴注入性物質(zhì)、高空穴傳輸性物質(zhì)、低空穴傳輸性(阻擋)物質(zhì)、高電子傳輸性物質(zhì)、高電子注入性物質(zhì)以及雙極性(電子及空穴的傳輸性高)的物質(zhì)等的層。尤其是,與陽極接觸地設(shè)置的包含高空穴注入性物質(zhì)的層以及與陰極接觸地設(shè)置的包含高電子注入性物質(zhì)的層可以減少從電極到發(fā)光單元的載流子的注入勢壘。可以將這些層稱為載流子注入層。
[0146]圖1lB示出發(fā)光單元1103的具體結(jié)構(gòu)的一個例子。圖1lB所示的發(fā)光單元1103從陽極1101 —側(cè)按順序?qū)盈B有空穴注入層1113、空穴傳輸層1114、發(fā)光層1115、電子傳輸層1116以及電子注入層1117。
[0147]圖1lA示出中間層1104的具體結(jié)構(gòu)的一個例子。中間層1104至少包括電荷產(chǎn)生區(qū)域而形成,即可,也可以是層疊電荷產(chǎn)生區(qū)域與電荷產(chǎn)生區(qū)域以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。例如,可以采用如下結(jié)構(gòu):從陰極1102—側(cè)按順序?qū)盈B第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩沖層1104a。
[0148]對中間層1104中的電子和空穴的舉動進行說明。當(dāng)對陽極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光兀件的閾值電壓的電壓時,在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中產(chǎn)生空穴和電子,空穴移動到設(shè)置在陰極1102 —側(cè)的發(fā)光單元1103b,電子移動到電子中繼層1104b。
[0149]電子中繼層1104b的電子傳輸性高,因此可將在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中產(chǎn)生的電子快速傳送到電子注入緩沖層1104a。電子注入緩沖層1104a緩和將電子注入到發(fā)光單元1103a的勢壘,而提高對發(fā)光單元1103a的電子注入效率。因此,在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子中繼層1104b和電子注入緩沖層1104a注入到發(fā)光單元1103a的最低空分子軌道能級(以下稱為“LUM0能級”)。
[0150]另外,電子中繼層1104b可以防止構(gòu)成第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c的物質(zhì)和構(gòu)成電子注入緩沖層1104a的物質(zhì)在界面起反應(yīng)而損壞彼此功能等的相互作用。
[0151]注入到設(shè)置在陰極一側(cè)的發(fā)光單元1103b的空穴與從陰極1102注入的電子復(fù)合,由此包含在該發(fā)光單元1103b中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。注入到設(shè)置在陽極一側(cè)的發(fā)光單元1103a的電子與從陽極一側(cè)注入的空穴復(fù)合,而包含在該發(fā)光單元1103a中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。因此,在中間層1104中產(chǎn)生的空穴和電子分別在彼此不同的發(fā)光單元中發(fā)光。
[0152]另外,當(dāng)通過將發(fā)光單元設(shè)置為彼此接觸,并在兩者之間形成與中間層同樣的結(jié)構(gòu)時,可以將發(fā)光單元設(shè)置為彼此接觸。具體而言,當(dāng)在發(fā)光單元的一個面形成有電荷產(chǎn)生區(qū)域時,因為該電荷產(chǎn)生區(qū)域用作中間層的第一電荷產(chǎn)生區(qū)域,所以可以將發(fā)光單元設(shè)置為彼此接觸。
[0153]另外,也可以在陰極和第η發(fā)光單元之間設(shè)置中間層。
[0154]<可以用于發(fā)光元件的材料>
接著,關(guān)于可以用于具備上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的具體材料,依次說明陽極、陰極、有機層、電荷產(chǎn)生區(qū)域、電子中繼層以及電子注入緩沖層。
[0155]〈可以用于陽極的材料〉
陽極1101優(yōu)選使用功函數(shù)大(具體而言,優(yōu)選為4.0eV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物以及它們的混合物等。具體而言,例如可以舉出銦錫氧化物(ΙΤ0 =Indium Tin Oxide)、含有娃或氧化娃的銦錫氧化物、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鶴及氧化鋅的氧化鋼等。
[0156]此外,可以舉出下述物質(zhì):金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、|fi(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦等)、鑰氧化物、鑰;氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。
[0157]但是,當(dāng)以與陽極1101接觸的方式設(shè)置第二電荷產(chǎn)生區(qū)域時,可以不考慮功函數(shù)地將各種導(dǎo)電材料用于陽極1101。具體而言,不僅可以使用功函數(shù)大的材料,還可以使用功函數(shù)小的材料。在后面描述構(gòu)成第一電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料及構(gòu)成第二電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料。
[0158]〈可以用于陰極的材料〉
雖然陰極1102優(yōu)選使用功函數(shù)小(具體地低于4.0eV)的材料,但是通過將第一電荷產(chǎn)生區(qū)域與陰極1102接觸地設(shè)置在陰極1102和發(fā)光單元1103之間,陰極1102可以與功函數(shù)的大小無關(guān)地使用各種導(dǎo)電材料。
[0159]另外,使用使可見光透過的導(dǎo)電膜形成陰極1102和陽極1101中的至少一方。作為使可見光透過的導(dǎo)電膜,例如可以舉出含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等。此外,也可以使用能夠透過光的厚度(優(yōu)選為5nm以上且30nm以下左右)的金屬薄膜。
[0160]<可以用于有機層的材料>
以下示出可以用于構(gòu)成上述發(fā)光單元1103的各層的材料的具體例子。
[0161]〈空穴注入層〉
空穴注入層是包含具有高空穴注入性物質(zhì)的層。作為高空穴注入性物質(zhì),例如可以使用鑰氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。此外,還可以使用酞菁類化合物如酞菁(簡稱=H2Pc)或酞菁銅(簡稱:(:迎(3)、高分子如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)等形成空穴注入層。
[0162]另外,可以使用第二電荷產(chǎn)生區(qū)域來代替空穴注入層。當(dāng)使用第二電荷產(chǎn)生區(qū)域時,如上所述,可以不考慮功函數(shù)地使用各種導(dǎo)電材料作為陽極1101。在后面描述構(gòu)成第一電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料及構(gòu)成第二電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料。
[0163]〈空穴傳輸層〉
空穴傳輸層是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。空穴傳輸層不限于單層,也可以層疊兩層以上的包含高空穴傳輸性物質(zhì)的層。作為空穴傳輸層使用空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)即可。因為可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓,所以尤其優(yōu)選使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。
[0164]〈發(fā)光層〉
發(fā)光層是包含發(fā)光物質(zhì)的層。發(fā)光層不限于單層,也可以為層疊有兩層以上的包含發(fā)光物質(zhì)的層的疊層。作為發(fā)光物質(zhì),可以使用熒光化合物或磷光化合物。將磷光化合物用于發(fā)光物質(zhì)可以提高發(fā)光元件的發(fā)光效率,所以是優(yōu)選的。
[0165]優(yōu)選將發(fā)光物質(zhì)分散在施主材料中使用。作為施主材料,優(yōu)選使用其激發(fā)能量大于發(fā)光物質(zhì)的激發(fā)能量的材料。
[0166]<電子傳輸層>
電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。電子傳輸層不局限于單層結(jié)構(gòu),也可以是層疊兩層以上的包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層的結(jié)構(gòu)。作為電子傳輸層使用電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)即可。因為可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓,所以特別優(yōu)選使用具有10_6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。
[0167]〈電子注入層〉
電子注入層是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。電子注入層不限于單層,也可以是層疊兩層以上的包含電子注入性高的物質(zhì)的層的疊層。通過采用設(shè)置電子注入層的結(jié)構(gòu),可以提高來自陰極1102的電子注入效率而降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓,所以是優(yōu)選的。
[0168]作為電子注入性高的物質(zhì),例如可以舉出鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。另外,還可以使用其中含有堿金屬、堿土金屬、鎂(Mg)或它們的化合物的具有電子傳輸性的物質(zhì),例如,其中含有鎂(Mg)的Alq等。
[0169]〈可以用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的材料〉
第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c和第二電荷產(chǎn)生區(qū)域是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)的區(qū)域。另外,電荷產(chǎn)生區(qū)域既可以在同一個膜中含有空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì),又可以層疊有包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層和包含受主物質(zhì)的層。但是,在與陰極接觸地設(shè)置的第一電荷產(chǎn)生區(qū)域采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下,含有空穴傳輸性高的物質(zhì)的層與陰極1102接觸。在與陽極接觸地設(shè)置的第二電荷產(chǎn)生區(qū)域采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下,含有受主物質(zhì)的層與陽極1101接觸。
[0170]另外,優(yōu)選的是,在電荷產(chǎn)生區(qū)域中,以受主物質(zhì)與空穴傳輸性高的物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1以上且4.0以下的比率添加受主物質(zhì)。
[0171]作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的受主物質(zhì),優(yōu)選使用過渡金屬氧化物,尤其是屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。具體而言,氧化鑰是特別優(yōu)選的。另外,氧化鑰具有吸濕性低的特征。
[0172]此外,作為用于電荷產(chǎn)生區(qū)域的高空穴傳輸性物質(zhì),可以使用各種有機化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(包括低聚物、樹狀聚合物、聚合體)等。具體而言,優(yōu)選使用具有10_6cm2/Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是,只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì),就可以使用上述以外的物質(zhì)。
[0173]<可以用于電子中繼層的材料> 電子中繼層1104b是能夠快速接收由受主物質(zhì)在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中抽出的電子的層。因此,電子中繼層1104b是包含高電子傳輸性物質(zhì)的層,并且其LUMO能級位于第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c中的受主物質(zhì)的受主能級與發(fā)光單元1103的LUMO能級之間。具體而言,優(yōu)選設(shè)定為-5.0eV以上且-3.0eV以下。
[0174]作為用于電子中繼層1104b的物質(zhì),例如,可以舉出二萘嵌苯衍生物和含氮稠環(huán)芳香化合物。另外,因為含氮稠環(huán)芳香化合物是穩(wěn)定的化合物,所以作為用于電子中繼層1104b的物質(zhì)是優(yōu)選的。再者,通過使用含氮稠環(huán)芳香化合物中的具有氰基或氟等電子吸引基的化合物,能夠使電子中繼層1104b中的電子接受變得更容易,所以是優(yōu)選的。
[0175]〈可以用于電子注入緩沖層的材料>
電子注入緩沖層1104a是使電子容易從第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c注入到發(fā)光單元1103a的層。通過在第一電荷產(chǎn)生區(qū)域1104c和發(fā)光單元1103a之間設(shè)置電子注入緩沖層1104a,可以緩和兩者的注入勢壘。
[0176]電子注入緩沖層1104a可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質(zhì)。
[0177]另外,在電子注入緩沖層1104a包含高電子傳輸性物質(zhì)和施主物質(zhì)而形成的情況下,優(yōu)選以施主物質(zhì)與高電子傳輸性物質(zhì)的質(zhì)量比為0.001以上且0.1以下的比率添加施主物質(zhì)。另外,作為施主物質(zhì),除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽))以外,還可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(簡稱:TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外,作為高電子傳輸性物質(zhì),可以使用與以上說明的可以形成在發(fā)光單元1103中的一部分的電子傳輸層的材料同樣的材料來形成。
[0178]<發(fā)光元件的制造方法>
對發(fā)光元件的制造方法的一個方式進行說明。通過在下部電極上適當(dāng)?shù)亟M合上述層來形成有機層。根據(jù)用于有機層的材料可以采用各種方法(例如干式法或濕式法等)。例如,可以選擇使用真空蒸鍍法、噴墨法、旋涂法等。此外,也可以分別采用不同的方法形成每個層。在有機層上形成上部電極,來制造發(fā)光元件。
[0179]通過組合上述材料可以制造本實施方式所示的發(fā)光元件。從該發(fā)光元件能夠獲得來自上述發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光,并可以通過改變發(fā)光物質(zhì)的種類來選擇發(fā)光顏色。
[0180]另外,通過使用發(fā)光顏色不同的多個發(fā)光物質(zhì),可以擴大發(fā)光光譜的幅度,例如能夠得到白色發(fā)光。在要得到白色發(fā)光的情況下,例如采用具備至少兩個包含發(fā)光物質(zhì)的層的結(jié)構(gòu),并構(gòu)成為使每個層分別發(fā)射呈現(xiàn)互補色的關(guān)系的顏色的光,即可。作為具體的互補色的關(guān)系,例如可以舉出藍(lán)色與黃色、藍(lán)綠色與紅色等。
[0181]再者,在要得到演色性良好的白色發(fā)光的情況下,優(yōu)選使用發(fā)光光譜擴大到可見光全區(qū)域的結(jié)構(gòu),例如,采用一個發(fā)光元件具備發(fā)射呈現(xiàn)藍(lán)色的光的層、發(fā)射呈現(xiàn)綠色的光的層及發(fā)射呈現(xiàn)紅色的光的層的結(jié)構(gòu),即可。
[0182]注意,本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實施。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置,包括: 絕緣層上的第一電極和第二電極; 形成于所述第一電極和所述第二電極之間的部分之上,并具有分別位于所述第一電極和所述第二電極的端部上的突出部的分隔壁; 所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上的第一發(fā)光單元; 所述第一發(fā)光單元上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光單元;以及 所述第二發(fā)光單元上的第三電極, 其中,所述第一電極和所述突出部的距離以及所述第二電極和所述突出部的距離都大于位于所述第一電極上的所述第一發(fā)光單元和所述中間層的總厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其中所述第一電極和所述突出部的距離以及所述第二電極和所述突出部的距離都為位于所述第一電極上的所述第一發(fā)光單元、所述中間層、所述第二發(fā)光單元和所述第三電極的總厚度以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其中所述突出部的形狀為正錐形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,還包括位于所述突出部與所述第一電極及所述第二電極的每一個的端部之間的間隔物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置, 其中所述分隔壁以與所`述第一電極和所述第二電極的每一個的端部接觸的方式形成在所述第一電極和所述第二電極之間, 并且所述第一電極和所述第二電極被所述分隔壁彼此電隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,還包括以與所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部接觸的方式形成在所述第一電極和所述第二電極之間的間隔物, 并且所述第一電極和所述第二電極被所述間隔物彼此電隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其中所述突出部與所述第一電極及所述第二電極的每一個之間都形成有間隔物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其中所述第一發(fā)光單元包括載流子注入層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置, 還包括所述第一電極和所述第二電極上的濾色片, 其中所述濾色片包括與所述第一電極重疊的第一顏色以及與所述第二電極重疊的第二顏色。
10.一種發(fā)光裝置,包括: 絕緣層上的第一電極和第二電極; 形成于所述第一電極和所述第二電極之間的部分之上,并具有分別位于所述第一電極和所述第二電極的端部上的突出部的分隔壁; 所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上的第一發(fā)光單元; 所述第一發(fā)光單元上的中間層; 所述中間層上的第二發(fā)光單元;以及 所述第二發(fā)光單元上的第三電極, 其中,所述中間層在所述突出部和所述第一電極之間斷開。
11.一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟: 在絕緣層上形成第一電極和第二電極; 在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成犧牲層; 通過加工所述犧牲層來去除位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層的第一部分,并留下分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的第二部分;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述絕緣層上以及所述犧牲層的第二部分上形成分隔壁; 通過蝕刻去除所述犧牲層的第三部分; 在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元; 在所述第一發(fā)光單元上形成中間層; 在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;以及 在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極, 其中,分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的第二部分的厚度大于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的第二部分的厚度為從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的高度以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中在通過蝕刻去除所述犧牲層的第三部分的工序中,通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層的第三部分,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層的第二部分構(gòu)成的間隔物。`
14.一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟: 在絕緣層上形成電極層; 在所述電極層上形成犧牲層; 通過加工所述犧牲層和所述電極層來在所述絕緣層上形成由所述電極層構(gòu)成的第一電極和第二電極,并分別在所述第一電極和所述第二電極上留下所述犧牲層的第一部分;在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述絕緣層上以及所述犧牲層的第一部分上形成分隔壁; 通過蝕刻去除所述犧牲層的第二部分; 在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元; 在所述第一發(fā)光單元上形成中間層; 在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;以及 在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極, 其中,分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的的第一部分的厚度大于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中分別位于所述第一電極和所述第二電極上的所述犧牲層的第一部分的厚度為從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的高度以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中在通過蝕刻去除所述犧牲層的第二部分的工序中,通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層的第二部分,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層的第一部分構(gòu)成的間隔物。
17.一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟: 在絕緣層上形成第一電極和第二電極; 在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成絕緣性的犧牲層; 通過加工所述犧牲層來去除位于所述第一電極和所述第二電極的每一個的頂面中央部的所述犧牲層的第一部分,并留下位于所述第一電極和所述第二電極之間以及所述第一電極和所述第二電極的每一個的端部上的所述犧牲層的第二部分; 在所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層的第二部分上形成分隔壁; 通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層的第三部分,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層的第二部分構(gòu)成的間隔物; 在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元; 在所述第一發(fā)光單元上形成中間層; 在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;以及 在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極, 其中,所述間隔物的厚度大于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中所述間隔物的厚度為所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的高度以下。
19.一種發(fā)光裝置的制造方法,包括如下步驟: 在絕緣層上形成第一電極和第二電極; 在所述絕緣層、所述第一電極和所述第二電極上形成絕緣性的犧牲層; 在位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述犧牲層上形成分隔壁; 通過以所述分隔壁作為掩模蝕刻去除所述犧牲層,來形成由分別位于所述分隔壁和所述第一電極之間以及所述分隔壁和所述第二電極之間的所述犧牲層構(gòu)成的間隔物; 在所述第一電極、所述分隔壁和所述第二電極上形成第一發(fā)光單元; 在所述第一發(fā)光單元上形成中間層; 在所述中間層上形成第二發(fā)光單元;以及 在所述第二發(fā)光單元上形成第三電極, 其中,所述間隔物的厚度大于從所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述中間層的表面的高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置的制造方法,其中所述間隔物的厚度為所述第一電極和所述第二電極的每一個的表面到所述第三電極的表面的高度以下。
【文檔編號】H01L33/36GK103779470SQ201310487566
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】波多野薰, 浜田崇, 宮田樹久夫, 勝井宏充, 岡崎莊治 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所, 夏普株式會社
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