一種mwt電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種MWT電池的制作方法，包括如下步驟：制絨、擴散、鍍減反膜、背鈍化、激光刻蝕、清洗、氧化、填充隔離槽、印刷、高溫燒結(jié)。其中激光刻蝕步驟：采用激光在硅片上穿通孔，在鈍化膜上刻電極隔離槽、鋁漿和硅片的接觸槽，其中隔離槽寬5-10μm，深20-80μm；接觸槽寬20-100μm；所述通孔的直徑為100-300μm；隔離槽把通孔包圍，隔離槽邊緣與背面正電極的邊緣距離大于100μm。氧化步驟：通過CVD在通孔的孔壁，以及隔離槽的底部和側(cè)壁分別氧化一層二氧化硅層，所述二氧化硅層厚度為5-20nm；本發(fā)明更進一步的提高了MWT電池的效率。
【專利說明】 —種MWT電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電池的制作方法，具體涉及一種MWT電池的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]MWT電池是一種新型太陽能電池結(jié)構(gòu)，它的特點是電池的發(fā)射區(qū)和基區(qū)電極均位于電池背面的一種電池。這種電池的優(yōu)點是:正面遮光面積的減小或消除，提高了電池的受光面積，提高電池的效率；組件封裝無需進行正面焊接，組件封裝密度提高，且更美觀。但是如何進一步提高MWT電池的種種優(yōu)點，使其成為現(xiàn)階段光伏行業(yè)研究的一個重點方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種MWT電池的制作方法，更進一步的提高了MWT電池的效率。
[0004]本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種MWT電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟:
(1)制絨:通過酸制絨，去除硅片表面的損傷層，控制其形貌，降低反射率；
(2)擴散:擴散三氯氧磷形成PN結(jié),方阻110ohm/sq；
(3)鍍減反膜:在硅片正面鍍一層氮化硅減反膜，其厚度為70-90nm；
(4)背鈍化:電池背面采用雙層鈍化膜鈍化，所述第一層鈍化膜帶負電性，第二層鈍化膜帶正電性，所述第一層鈍化膜的厚度為5-30nm，第二層鈍化膜的厚度為50_200nm ；
(5)激光刻蝕:采用激光在硅片上穿通孔，在鈍化膜上刻電極隔離槽、鋁漿和硅片的接觸槽，所述隔離槽寬5-10 u m,深20-80 u m ;所述接觸槽寬20-100 u m ;所述通孔的直徑為100-300 u m ;所述隔離槽把通孔包圍，隔離槽邊緣與背面正電極的邊緣距離大于100 y m ;
(6)清洗:激光刻蝕步驟后，在80°C，10%-20%濃度的氫氧化鈉溶液浸泡5-10分鐘去除激光過程中的損傷層；
(7)氧化:通過CVD在通孔的孔壁，以及隔離槽的底部和側(cè)壁分別氧化一層二氧化硅層，所述二氧化娃層厚度為5-20nm ；
(8)填充隔尚槽:在隔尚槽中填充絕緣材料，并烘干；
(9)印刷:進行背面正電極的堵孔漿料印刷、背場的鋁漿印刷和正面電極印刷，堵孔漿料印刷和背場鋁漿印刷時不能接觸隔離槽，且背場鋁漿印刷與隔離槽的距離大于lOOym;正面電極印刷時和通孔漿料充分接觸，以便把收集到的電流送到背面；
(10)高溫燒結(jié):在200V下烘干后，通過900V的高溫過程形成電極和硅片的良好歐姆接觸。
[0005]作為一種優(yōu)選，所述步驟(8)填充隔離槽中的絕緣材料為聚硅氮烷。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:電池的通孔孔壁上采用二氧化硅膜保護，改善電極與硅片接觸的界面態(tài)；電池背面正電極和背場之間刻隔離槽，且在隔離槽內(nèi)填充絕緣材料，減小電池片的漏電；電池背面采用雙層鈍化膜，提高了電池片的開壓?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明實施例MWT電池的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為本發(fā)明實施例MWT電池的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步說明。
【具體實施方式】
[0010]結(jié)合附圖1、2所示，一種MWT電池的制作方法，包括如下步驟:
(1)制絨:通過酸制絨，去除硅片表面的損傷層，控制其形貌，降低反射率；
(2)擴散:擴散三氯氧磷形成PN結(jié),方阻110ohm/sq；
(3)鍍減反膜:在硅片正面鍍一層氮化硅減反膜1，其厚度為75nm；
(4)背鈍化:電池背面采用雙層鈍化膜鈍化，所述第一層鈍化膜2帶負電性，第二層鈍化膜3帶正電性，所述第一層鈍化膜2的厚度為5nm，第二層鈍化膜3的厚度為60nm ；
(5)激光刻蝕:采用激光在硅片上穿通孔5，在鈍化膜上刻電極隔離槽7、鋁漿和硅片的接觸槽10，所述隔離槽寬5 ii m,深25 ii m ;所述接觸槽寬20 y m ;所述通孔的直徑為200 y m ;所述隔離槽7把通孔包圍，隔離槽邊緣與背面正電極的邊緣距離為110 y m ;
(6)清洗:激光刻蝕步驟后，在80°C，16%濃度的氫氧化鈉溶液浸泡8分鐘去除激光過程中的損傷層；
(7)氧化:通過CVD在通孔5的孔壁6，以及隔離槽7的底部和側(cè)壁分別氧化一層二氧化硅層，所述二氧化硅層厚度為IOnm;
(8)填充隔離槽:在隔離槽7中填充絕緣材料聚硅氮烷8，并烘干；
(9)印刷:進行背面正電極9的堵孔漿料印刷、背場4的鋁漿印刷和正面電極印刷，堵孔漿料印刷和背場鋁漿印刷時不能接觸隔離槽，且背場鋁漿印刷與隔離槽的距離為llOym ;正面電極印刷時和通孔漿料充分接觸，以便把收集到的電流送到背面；
(10)高溫燒結(jié):在200°C下烘干后，通過900°C的高溫過程形成電極和硅片的良好歐姆接觸。
【權(quán)利要求】
1.一種MWT電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)制絨:通過酸制絨，去除硅片表面的損傷層，控制其形貌，降低反射率； (2)擴散:擴散三氯氧磷形成PN結(jié),方阻110ohm/sq； (3)鍍減反膜:在硅片正面鍍一層氮化硅減反膜，其厚度為70-90nm； (4)背鈍化:電池背面采用雙層鈍化膜鈍化，所述第一層鈍化膜帶負電性，第二層鈍化膜帶正電性，所述第一層鈍化膜的厚度為5-30nm，第二層鈍化膜的厚度為50_200nm ； (5)激光刻蝕:采用激光在硅片上穿通孔，在鈍化膜上刻電極隔離槽、鋁漿和硅片的接觸槽，所述隔離槽寬5-10 u m,深20-80 u m ;所述接觸槽寬20-100 u m ;所述通孔的直徑為100-300 u m ;所述隔離槽把通孔包圍，隔離槽邊緣與背面正電極的邊緣距離大于100 y m ; (6)清洗:激光刻蝕步驟后，在80°C，10%-20%濃度的氫氧化鈉溶液浸泡5-10分鐘去除激光過程中的損傷層； (7)氧化:通過CVD在通孔的孔壁，以及隔離槽的底部和側(cè)壁分別氧化一層二氧化硅層，所述二氧化娃層厚度為5-20nm ； (8)填充隔尚槽:在隔尚槽中填充絕緣材料，并烘干； (9)印刷:進行背面正電極的堵孔漿料印刷、背場的鋁漿印刷和正面電極印刷，堵孔漿料印刷和背場鋁漿印刷時不能接觸隔離槽，且背場鋁漿印刷與隔離槽的距離大于lOOym;正面電極印刷時和通孔漿料充分接觸，以便把收集到的電流送到背面； (10)高溫燒結(jié):在200V下烘干后，通過900V的高溫過程形成電極和硅片的良好歐姆接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的一種MWT電池的制作方法，其特征在于，所述步驟(8)填充隔離槽中的絕緣材料為聚硅氮烷。
【文檔編號】H01L31/18GK103618021SQ201310489232
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月18日
【發(fā)明者】楊金波, 陳康平, 金浩, 黃琳 申請人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司