一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，該激光器包括襯底、緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層、上波導(dǎo)層、第二上限制層、刻蝕停止層、第一上限制層、歐姆接觸層、電絕緣介質(zhì)層、正面電極和背面電極。本發(fā)明提高了激光器COD閾值，從而使其在大功率輸出時(shí)具有高可靠性；同時(shí)抑制半導(dǎo)體激光器光束的水平發(fā)散角，改善光束質(zhì)量；使電流注入更集中，轉(zhuǎn)化效率更高；此外，這種半導(dǎo)體激光器制作簡(jiǎn)單，便于生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型進(jìn)腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體激光器及制造方法領(lǐng)域，尤其涉及一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]大功率半導(dǎo)體激光器在泵浦固體激光器、打印、材料加工、通信等方面都有著廣泛的應(yīng)用，這主要是由于其高的轉(zhuǎn)化效率、高的可靠性以及較長(zhǎng)的壽命。隨著實(shí)際應(yīng)用的不斷拓展，對(duì)大功率半導(dǎo)體激光器的性能提出了更高的要求，盡可能提高半導(dǎo)體激光器的輸出功率、延長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的使用壽命，改善半導(dǎo)體激光器光束質(zhì)量一直是半導(dǎo)體激光器研究的重要方向。
[0003]半導(dǎo)體激光器基本工作原理是通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體激光器加正向偏壓，使半導(dǎo)體物質(zhì)(即電子)在能帶間躍遷發(fā)光，光子在F-P諧振腔中來(lái)回諧振，進(jìn)行縱模選擇，選擇出非常少數(shù)的模式，這些模式在腔中震蕩的同時(shí)，與處于激發(fā)態(tài)的電子空穴相互作用，產(chǎn)生受激發(fā)射，實(shí)現(xiàn)這些被選擇模式的放大，從腔面輸出激光。但對(duì)于大多數(shù)大功率半導(dǎo)體激光器而言，高光功率密度工作時(shí)產(chǎn)生的腔面光學(xué)災(zāi)變損傷(COD)使得器件最大功率受到限制，腔面COD現(xiàn)象也是影響激光器壽命的最主要的因素之一。引起腔面COD的主要因素是由于半導(dǎo)體激光器腔面處存在表面態(tài)和界面態(tài)，這些都是非輻射復(fù)合中心，它們的存在同樣會(huì)導(dǎo)致光吸收，產(chǎn)生的電子空穴對(duì)通過(guò)這些非輻射復(fù)合中心產(chǎn)生非輻射復(fù)合，增加腔面處的溫升，導(dǎo)致腔面附近帶隙收縮，進(jìn)一步加劇了腔面光吸收，不斷的進(jìn)行循環(huán)，當(dāng)熱量的積累促使腔面溫度升高到有源區(qū)材料的熔點(diǎn)時(shí)，就會(huì)突然燒壞腔面，出現(xiàn)COD現(xiàn)象導(dǎo)致器件失效。
[0004]提高大功率半導(dǎo)體激光器COD閾值，就需要減小腔面附近處的電流密度、光吸收和表面復(fù)合速率，在制作工藝中通常是采用應(yīng)變補(bǔ)償量子阱有源區(qū)、大光腔結(jié)構(gòu)有源區(qū)、非對(duì)稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、優(yōu)化腔面鍍膜材料以及在腔面處制作各種類型的非吸收窗口等方法來(lái)提高器件壽命。腔面非注入?yún)^(qū)技術(shù)主要是通過(guò)在前后腔面附近各引入一段電流非注入?yún)^(qū)，限制載流子注入腔面、減小腔面處的載流子濃度，從而減少腔面處載流子的非輻射復(fù)合、提高COD閾值。腔面非注入?yún)^(qū)采用與腔面附近介質(zhì)鈍化相結(jié)合的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，這種方法不僅可以提高大功率半導(dǎo)體激光器的抗COD能力，并且與常規(guī)工藝基本相同，沒有增加繁瑣的工藝步驟，但是這種方法使非注入窗口區(qū)在側(cè)向上缺少對(duì)光束的限制，光束在水平方向上的發(fā)散比較嚴(yán)重。
[0005]為此，本發(fā)明提出一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，由于激光器的COD主要發(fā)生在有光輸出的前腔面，因?yàn)槠湎鄬?duì)于后腔面有更高的光功率密度，本發(fā)明所述的新型腔面非注入?yún)^(qū)窗口結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用在前腔面，然而本發(fā)明所公開的相同考慮事項(xiàng)可同樣應(yīng)用在后腔面。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)中，歐姆接觸層四周的部分被去掉，從而使腔面附近沒有電流注入，降低腔面附近電流密度，減少腔面產(chǎn)生的熱量。因此本發(fā)明有效地抑制了由于腔面處載流子的非輻射復(fù)合產(chǎn)生熱量過(guò)大導(dǎo)致的腔面損壞，從而保證了半導(dǎo)體激光器在功率輸出時(shí)具有的高可靠性；腔面附近通過(guò)刻蝕形成的脊型臺(tái)使非注入?yún)^(qū)在側(cè)向上形成弱折射率波導(dǎo)，從而抑制了激光器光束在水平方向的發(fā)散現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提出一種具有電流非注入?yún)^(qū)窗口結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，該激光器包括襯底、緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層、上波導(dǎo)層、第二上限制層、刻蝕停止層、第一上限制層、歐姆接觸層、電絕緣介質(zhì)層、正面電極和背面電極。本發(fā)明提高了激光器COD閾值，從而使其在大功率輸出時(shí)具有高可靠性；同時(shí)抑制半導(dǎo)體激光器光束的水平發(fā)散角，改善光束質(zhì)量；使電流注入更集中，轉(zhuǎn)化效率更高；此夕卜，這種半導(dǎo)體激光器制作簡(jiǎn)單，便于生產(chǎn)。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案為一種電流非注入?yún)^(qū)靠近腔面的半導(dǎo)體激光器及制造方法，其由下到上排列順序?yàn)橐r底、緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層、上波導(dǎo)層、第二上限制層、刻蝕停止層、第一上限制層、歐姆接觸層、電絕緣介質(zhì)層；四個(gè)分別與激光器兩側(cè)腔面相鄰的被暴露出來(lái)的凹槽；位于四個(gè)凹槽中間的位置并含有一個(gè)電流注入?yún)^(qū)的條形脊型臺(tái)；電絕緣介質(zhì)層覆蓋于除電流注入?yún)^(qū)之外的歐姆接觸層及凹槽上；歐姆接觸層位于第一上限制層的上方，第一上限制層在刻蝕停止層上方；從半導(dǎo)體激光器腔面附近的歐姆接觸層開始刻蝕凹槽，由于刻蝕停止層的存在，使脊型臺(tái)能夠被精確地刻蝕出來(lái)；刻蝕后部分第一上限制層側(cè)壁和部分刻蝕停止層被暴露出來(lái)；正面電極覆蓋于電絕緣介質(zhì)層和作為電流注入?yún)^(qū)的歐姆接觸層之上，背面電極覆蓋在襯底上。
[0008]本發(fā)明具體制作方法包括以下步驟:
[0009]步驟一，在襯底上可以采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)依次生長(zhǎng)緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層、上波導(dǎo)層、第二上限制層、刻蝕停止層、第一上限制層和歐姆接觸層；
[0010]步驟二，腐蝕去掉歐姆接觸層和第一上限制層的四邊，在第一上限制層上表面的中心位置形成包含歐姆接觸層和部分第一上限制層的第一脊型臺(tái)，歐姆接觸層上下貫通，第一上限制層上下不貫通；
[0011]步驟三，腐蝕去除掉位于脊型臺(tái)兩側(cè)的前端與腔面相連的第一上限制層部分區(qū)域，使第一上限制層在接近前后腔面的區(qū)域分別出現(xiàn)大小一致的兩個(gè)凹槽，下面相連的一部分刻蝕停止層被暴露出來(lái)，第一上限制層在接近前后腔面的區(qū)域形成第二、三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面；
[0012]步驟四，在第一上限制層、近腔面的四個(gè)凹槽和第一脊型臺(tái)的上表面上淀積電絕緣介質(zhì)；
[0013]步驟五，腐蝕去掉第一脊型臺(tái)表面上的電絕緣介質(zhì)，其余部分形成電絕緣介質(zhì)層；
[0014]步驟六，在電絕緣介質(zhì)層和第一脊型臺(tái)的上表面制備正面電極；
[0015]步驟七，對(duì)襯底進(jìn)行減薄拋光后在其上制備背面電極；[0016]步驟二中，采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法刻蝕第一脊型臺(tái)。
[0017]步驟三中，刻蝕出第二、三脊型臺(tái)，因?yàn)榭涛g停止層的存在，脊型臺(tái)可以被精確地刻蝕出來(lái)。
[0018]步驟六、七中，正面電極和背面電極可以通過(guò)濺射技術(shù)、熱蒸發(fā)技術(shù)、電子束蒸發(fā)技術(shù)或離子輔助電子束蒸發(fā)技術(shù)制備。
[0019]在步驟七之后還可以增加工藝:將制作完成的激光器芯片解尚成Bar條，在激光器的前后腔面分別鍍上增透膜和高反膜，這樣不僅提高半導(dǎo)體激光器的輸出功率，也起到保護(hù)腔面的作用；最后將Bar條解離成單管，完成封裝。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果。
[0021]1、采用去除腔面附近的高摻雜歐姆接觸層與腔面附近電絕緣介質(zhì)層鈍化相結(jié)合的方法形成腔面非注入?yún)^(qū)，有效地提高了半導(dǎo)體激光器COD閾值。
[0022]2、通過(guò)在腔面非注入窗口區(qū)刻蝕凹槽形成脊型結(jié)構(gòu)，因?yàn)閭?cè)向弱折射率波導(dǎo)的作用使光束在水平方向上的發(fā)散現(xiàn)象得到抑制，改善了光束質(zhì)量。
[0023]3、由于只有靠近前后腔面的少部分第一上限制層被刻蝕掉形成脊型臺(tái)，大部分第一上限制層，尤其是第一上限制層四端的部分均保留，使腔面能夠與熱沉有更大的接觸面積，有效地提高了器件的散熱性能；同時(shí)激光器芯片的單管結(jié)構(gòu)與熱沉也有了更大的接觸面積，有效地增加了單管與熱沉接觸的平整度；本發(fā)明可以通過(guò)只增加一步光刻工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)上述效益，并且制備工藝簡(jiǎn)單、成本較低且易于實(shí)現(xiàn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖2a_f為具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器工藝步驟示意圖。
[0026]圖中:1、襯底2、緩沖層3、下限制層4、下波導(dǎo)層5、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層6、上波導(dǎo)層7、第二上限制層8、刻蝕停止層9、第一上限制層10、歐姆接觸層11、電絕緣介質(zhì)層12、正面電極13、背面電極。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0028]如圖1所示為具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖，該具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器包括襯底1、緩沖層2、下限制層3、下波導(dǎo)層4、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層5、上波導(dǎo)層6、第二上限制層7、刻蝕停止層8、第一上限制層9、歐姆接觸層10、電絕緣介質(zhì)層U、正面電極12和背面電極13 ;其中襯底1、緩沖層2、下限制層3、下波導(dǎo)層4、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層5、上波導(dǎo)層6、第二上限制層7、刻蝕停止層8、第一上限制層9、歐姆接觸層10由下到上依次相鄰，腐蝕去掉歐姆接觸層10和第一上限制層9的四邊，在第一上限制層9的中心位置形成第一脊型臺(tái)，歐姆接觸層10上下貫通，第一上限制層9上下不貫通；腐蝕去除掉位于脊型臺(tái)兩側(cè)的前端與腔面相連的第一上限制層9部分區(qū)域，使第一上限制層9在接近前后腔面的區(qū)域分別出現(xiàn)大小一致的兩個(gè)凹槽，下面相連的一部分刻蝕停止層8被暴露出來(lái)，第一上限制層9在接近前后腔面的區(qū)域形成第二、三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面；電絕緣介質(zhì)層11覆蓋于第一上限制層9的上表面、第一脊型臺(tái)側(cè)面以及凹槽內(nèi)被暴露出來(lái)的區(qū)域包括第一上限制層9側(cè)面的部分區(qū)域與刻蝕停止層8上表面的部分區(qū)域，正面電極12覆蓋于電絕緣介質(zhì)層11和第一脊型臺(tái)上表面,背面電極13覆蓋于襯底I上；電絕緣介質(zhì)層11由氮化娃、氧化娃、氧化招或氧化鈦組成。
[0029]如圖2a_f為具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器的工藝步驟示意圖。以下以980nm銦鎵砷系量子阱半導(dǎo)體激光器為例，說(shuō)明本實(shí)施例的具體實(shí)施過(guò)程，即制作上述激光器方法具體包括:
[0030]步驟一，襯底I為N型GaAs材料，在襯底I上采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)依次沉積N型緩沖層2、N型下限制層3、N型下波導(dǎo)層4、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層5、P型上波導(dǎo)層6、P型第二上限制層7、P型刻蝕停止層8、P型第一上限制層9、P型歐姆接觸層10 ；
[0031]步驟二，在歐姆接觸層10上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法除去歐姆接觸層10和第一上限制層9的四邊，去膠后在第一上限制層9上表面的中心位置形成包含歐姆接觸層10和部分第一上限制層9的第一脊型臺(tái)，歐姆接觸層10上下貫通，第一上限制層9上下不貫通；
[0032]步驟三，在第一上限制層9上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，采用濕法腐蝕的方法去除位于脊型臺(tái)兩側(cè)的前端與腔面相連的第一上限制層9部分區(qū)域，使部分刻蝕停止層8暴露出來(lái)，去膠后第一上限制層9的前腔面形成第二脊型臺(tái)，第一上限制層9的后腔面形成第三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面；
[0033]步驟四，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法，在第一上限制層9的上表面、凹槽內(nèi)被暴露出來(lái)的區(qū)域包括第一上限制層9側(cè)面的部分區(qū)域與部分刻蝕停止層8上表面，以及第一脊型臺(tái)淀積電絕緣介質(zhì)；
[0034]步驟五，在電絕緣介質(zhì)層11上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，腐蝕去除第一脊型臺(tái)上表面的電絕緣介質(zhì)，使電絕緣介質(zhì)層11僅覆蓋于第一上限制層9的上表面、第一脊型臺(tái)側(cè)面、以及凹槽內(nèi)被暴露出來(lái)的區(qū)域包括第一上限制層9側(cè)面的部分區(qū)域與刻蝕停止層8上表面的部分區(qū)域；
[0035]步驟六，采用濺射的方法使正面電極12覆蓋于電絕緣介質(zhì)層11和第一脊型臺(tái)的上表面；
[0036]步驟七，對(duì)襯底I進(jìn)行減薄拋光后采用蒸發(fā)的方法制備背面電極13。
[0037]步驟八，將制作完成的激光器芯片解離成Bar條，應(yīng)用鍍膜設(shè)備在排列的激光器前后腔面分別鍍上增透膜和高反膜，達(dá)到提高半導(dǎo)體激光器的輸出功率以及保護(hù)腔面作用。
[0038]本實(shí)施例所述的新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)也適用于GaN基、InP基半導(dǎo)體激光器。
[0039]以上所述僅為本發(fā)明可采用的實(shí)施例之一，并不用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所提出的新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)也可以同樣應(yīng)用到其它半導(dǎo)體激光器:單模激光器、多模激光器、光纖稱合激光器、分布反饋式(DFB)激光器和分布布拉格反射式(DBR)激光器。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，其特征在于:該具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器包括襯底(I)、緩沖層(2)、下限制層(3)、下波導(dǎo)層(4)、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層(5)、上波導(dǎo)層(6)、第二上限制層(7)、刻蝕停止層(8)、第一上限制層(9)、歐姆接觸層(10)、電絕緣介質(zhì)層(11)、正面電極(12)和背面電極(13);其中襯底(I)、緩沖層(2)、下限制層(3)、下波導(dǎo)層(4)、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層(5)、上波導(dǎo)層(6)、第二上限制層(7)、刻蝕停止層(8)、第一上限制層(9)、歐姆接觸層(10)由下到上依次相鄰；腐蝕去掉歐姆接觸層(10)和第一上限制層(9)的四邊，在第一上限制層(9)上表面的中心位置形成包含歐姆接觸層(10)和部分第一上限制層的第一脊型臺(tái)；腐蝕去除掉位于脊型臺(tái)兩側(cè)的前端與腔面相連的第一上限制層(9)部分區(qū)域，使第一上限制層(9)在接近前后腔面的區(qū)域分別出現(xiàn)大小一致的兩個(gè)凹槽，下面相連的一部分刻蝕停止層(8)被暴露出來(lái)，第一上限制層(9)在接近前后腔面的區(qū)域形成第二、三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面；電絕緣介質(zhì)層(11)覆蓋于第一上限制層(9)的上表面、 第一脊型臺(tái)側(cè)面、以及被暴露的區(qū)域包括第一上限制層(9)側(cè)面的部分區(qū)域與刻蝕停止層(8)上表面的部分區(qū)域，正面電極(12)覆蓋于電絕緣介質(zhì)層(11)和第一脊型臺(tái)上表面，背面電極(13)覆蓋于襯底(I)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，其技術(shù)特征在于:激光器制作方法具體包括以下步驟。 步驟一，在襯底(I)上采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)依次沉積緩沖層(2)、下限制層(3)、下波導(dǎo)層(4)、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層(5)、上波導(dǎo)層(6)、第二上限制層(7)、刻蝕停止層(8)、第一上限制層(9)、歐姆接觸層(10); 步驟二，在歐姆接觸層(10)上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法除去歐姆接觸層(10)和第一上限制層(9)的四邊，去膠后在第一上限制層(9)上表面的中心位置形成包含歐姆接觸層(10)和部分第一上限制層的第一脊型臺(tái)； 步驟三，在第一上限制層(9)上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，采用濕法腐蝕的方法去除位于脊型臺(tái)兩側(cè)的前端與腔面相連的第一上限制層(9)部分區(qū)域，使部分刻蝕停止層(8)暴露出來(lái)，去膠后第一上限制層(9)的前腔面形成第二脊型臺(tái)，第一上限制層(9)的后腔面形成第三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面； 步驟四，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法，在第一上限制層(9)的上表面，因?yàn)榭涛g凹槽被暴露區(qū)域包括的部分第一上限制層(9)側(cè)面與部分刻蝕停止層(8)上表面以及第一脊型臺(tái)淀積電絕緣介質(zhì)； 步驟五，在電絕緣介質(zhì)層(11)上通過(guò)光刻形成光刻膠圖形，腐蝕去除第一脊型臺(tái)上表面的電絕緣介質(zhì)，使電絕緣介質(zhì)層(11)僅覆蓋于第一上限制層(9)的上表面、第一脊型臺(tái)側(cè)面、以及因?yàn)榭涛g凹槽被暴露的區(qū)域包括第一上限制層(9)側(cè)面的部分區(qū)域與刻蝕停止層(8)上表面的部分區(qū)域； 步驟六，采用濺射的方法使正面電極(12)覆蓋于電絕緣介質(zhì)層(11)和第一脊型臺(tái)的上表面； 步驟七，對(duì)襯底(I)進(jìn)行減薄拋光后采用蒸發(fā)的方法制備背面電極(13); 步驟八，將制作完成的激光器芯片解離成Bar條，應(yīng)用鍍膜設(shè)備在排列的激光器前后腔面分別鍍上增透膜和高反膜，達(dá)到提高半導(dǎo)體激光器的輸出功率以及保護(hù)腔面作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種具有新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及制造方法，其技術(shù)特征在于:電絕緣介質(zhì)層(11)由氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鈦組成；所述新型近腔面電流非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到不同半導(dǎo)體激光器:單模激光器、多模激光器、光纖稱合激光器 、分布反饋式(DFB)激光器和分布布拉格反射式(DBR)激光器。
【文檔編號(hào)】H01S5/10GK103545714SQ201310493175
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月20日
【發(fā)明者】崔碧峰, 王曉玲, 張松, 凌小涵 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)