半導(dǎo)體裝置及其制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體裝置及其制法，該半導(dǎo)體裝置包括：具有多個導(dǎo)電穿孔的半導(dǎo)體基板、形成于該半導(dǎo)體基板上的緩沖材、以及分別形成于各該導(dǎo)電穿孔的端面上并覆蓋該緩沖材的多個電性接觸墊，以當(dāng)于該電性接觸墊上進行回焊制程時，可藉該緩沖材降低回焊時因熱所產(chǎn)生的殘留應(yīng)力，所以能避免該電性接觸墊上的接點出現(xiàn)破裂。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及其制法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤指一種能提高信賴性及產(chǎn)品良率的半導(dǎo)體裝置及其制法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域的技術(shù)，例如芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package, CSP)、芯片直接貼附封裝(Direct Chip Attached, DCA)或多芯片模塊封裝(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模塊、或?qū)⑿酒Ⅲw堆?；蠟槿S集成電路(3D IC)芯片堆棧技術(shù)等。
[0003]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的剖面示意圖，該半導(dǎo)體封裝件I通過于一封裝基板18與半導(dǎo)體芯片11之間設(shè)置一娃中介板(Through Silicon interposer, TSI) 10,該娃中介板10具有導(dǎo)電娃穿孔(Through-silicon via, TSV)100及形成于該導(dǎo)電娃穿孔100上的線路重布結(jié)構(gòu)(Redistribut1n layer, RDL) 15,令該線路重布結(jié)構(gòu)15藉由多個導(dǎo)電組件14電性結(jié)合間距較大的封裝基板18的焊墊180，并以粘著材12包覆該些導(dǎo)電組件14，而間距較小的半導(dǎo)體芯片11的電極墊110藉由多個焊錫凸塊13電性結(jié)合該導(dǎo)電硅穿孔100，再以粘著材12包覆該些焊錫凸塊13。
[0004]若該半導(dǎo)體芯片11直接結(jié)合至該封裝基板18上，因半導(dǎo)體芯片11與封裝基板18兩者的熱膨脹系數(shù)的差異甚大，所以半導(dǎo)體芯片11外圍的焊錫凸塊13不易與封裝基板18上對應(yīng)的焊墊180形成良好的接合，致使焊錫凸塊13自封裝基板18上剝離。另一方面，因半導(dǎo)體芯片11與封裝基板18之間的熱膨脹系數(shù)不匹配(mismatch),其所產(chǎn)生的熱應(yīng)力(thermal stress)與翅曲(warpage)的現(xiàn)象也日漸嚴重,致使半導(dǎo)體芯片11與封裝基板18之間的電性連接可靠度(reliability)下降，且將造成信賴性測試的失敗。
[0005]因此，藉由半導(dǎo)體基材制作的硅中介板10的設(shè)計，其與該半導(dǎo)體芯片11的材質(zhì)接近，所以可有效避免上述所產(chǎn)生的問題。
[0006]此外，藉由該硅中介板10的設(shè)計，半導(dǎo)體封裝件I除了避免前述問題外，相較于覆晶式封裝件，其長寬方向的面積可更加縮小。例如，一般覆晶式封裝基板最小的線寬/線距僅能制出12/12 μ m，而當(dāng)半導(dǎo)體芯片的電極墊(1/0)數(shù)量增加時，以現(xiàn)有覆晶式封裝基板的線寬/線距并無法再縮小，所以須加大覆晶式封裝基板的面積以提高布線密度，才能接置高1/0數(shù)的半導(dǎo)體芯片。反觀第I圖的半導(dǎo)體封裝件1，因該硅中介板10可采用半導(dǎo)體制程做出3/3 μ m以下的線寬/線距，所以當(dāng)該半導(dǎo)體芯片11具高1/0數(shù)時，該硅中介板10的長寬方向的面積足以連接高1/0數(shù)的半導(dǎo)體芯片11，所以不需增加該封裝基板18的面積，使該半導(dǎo)體芯片11經(jīng)由該硅中介板10作為一轉(zhuǎn)接板而電性連接至該封裝基板18上。
[0007]又，該硅中介板10的細線/寬線距特性而使電性傳輸距離短，所以相較于直接覆晶結(jié)合至封裝基板的半導(dǎo)體芯片的電性傳輸速度(效率)，形成于該硅中介板10上的半導(dǎo)體芯片11的電性傳輸速度(效率)更快(更高)。
[0008]然而，前述現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法中，該導(dǎo)電組件14經(jīng)由回焊以將該硅中介板10焊接至封裝基板18，此時因熱所產(chǎn)生的殘留應(yīng)力會集中在該些導(dǎo)電組件14與該些導(dǎo)電硅穿孔間的交界面，如第I圖所示的應(yīng)力集中處K，使得該些導(dǎo)電組件14與導(dǎo)電硅穿孔100 (或該線路重布結(jié)構(gòu)15)之間會出現(xiàn)破裂(crack)的情形，因而降低該半導(dǎo)體封裝件I的信賴性及產(chǎn)品的良率。
[0009]此外，相同問題也可能發(fā)生于該半導(dǎo)體芯片11與該硅中介板10之間的焊錫凸塊13上，致使焊錫凸塊13與導(dǎo)電硅穿孔100之間會出現(xiàn)破裂(crack)的情形，如圖1所示的應(yīng)力集中處K’。
[0010]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的為提供一種半導(dǎo)體裝置及其制法，能避免該電性接觸墊上的接點出現(xiàn)破裂。
[0012]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括:半導(dǎo)體基板，其具有多個導(dǎo)電穿孔，且該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板；緩沖材，其形成于該半導(dǎo)體基板上并外露出該導(dǎo)電穿孔的端面；以及多個電性接觸墊，其分別形成于各該導(dǎo)電穿孔的端面上且電性連接該導(dǎo)電穿孔，并覆蓋該緩沖材。
[0013]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制法，其包括:提供一具有多個導(dǎo)電穿孔的半導(dǎo)體基板，且該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板；形成緩沖材于該半導(dǎo)體基板上并外露出該導(dǎo)電穿孔的端面；以及形成多個電性接觸墊于各該導(dǎo)電穿孔的端面上，使該電性接觸墊電性連接該導(dǎo)電穿孔，且該電性接觸墊覆蓋該緩沖材。
[0014]前述的半導(dǎo)體裝置及其制法中，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該緩沖材形成于該絕緣層上。例如，該絕緣層的表面與該導(dǎo)電穿孔的端面齊平，且形成該絕緣層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
[0015]前述的半導(dǎo)體裝置及其制法中，該緩沖材位于該導(dǎo)電穿孔的端面周圍，例如，該緩沖材與該導(dǎo)電穿孔的端面邊緣對齊。
[0016]前述的半導(dǎo)體裝置及其制法中，該緩沖材還形成于該導(dǎo)電穿孔的端面的局部表面上。
[0017]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置，包括:半導(dǎo)體基板，具有多個導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板；線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該半導(dǎo)體基板與該導(dǎo)電穿孔的端面上并電性連接各該導(dǎo)電穿孔，且該線路重布結(jié)構(gòu)具有多個墊部；緩沖材，其形成于各該墊部的局部表面上；以及多個電性接觸墊，其分別形成于各該墊部上且電性連接該墊部，并覆蓋該緩沖材。
[0018]本發(fā)明又提供一種半導(dǎo)體裝置的制法，其包括:提供一具有多個導(dǎo)電穿孔的半導(dǎo)體基板，該些導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板；形成線路重布結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基板與各該導(dǎo)電穿孔的端面上，且該線路重布結(jié)構(gòu)具有多個墊部；形成緩沖材于該墊部的局部表面上；以及形成多個電性接觸墊于各該墊部上，使該電性接觸墊電性連接該墊部，且該電性接觸墊覆蓋該緩沖材。
[0019]前述的半導(dǎo)體裝置及其制法中，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該線路重布結(jié)構(gòu)形成于該絕緣層上。例如，該絕緣層的表面與該導(dǎo)電穿孔的端面齊平，且形成該絕緣層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
[0020]前述的半導(dǎo)體裝置及其制法中，該線路重布結(jié)構(gòu)具有相疊的至少一線路層與介電層，該線路層具有該墊部，且該線路層電性連接該導(dǎo)電穿孔，又該介電層形成于該線路層上并具有開孔，以令該墊部外露于該開孔。例如，該緩沖材對應(yīng)該開孔的孔壁而位于該墊部的邊緣，且形成該介電層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
[0021]前述的兩種半導(dǎo)體裝置及其制法中，該半導(dǎo)體基板為含硅的板體。
[0022]前述的兩種半導(dǎo)體裝置及其制法中，該緩沖材呈環(huán)狀。
[0023]前述的兩種半導(dǎo)體裝置及其制法中，該緩沖材為聚酰亞胺、聚對二唑苯或苯環(huán)丁烯。
[0024]另外，前述的兩種半導(dǎo)體裝置及其制法中，還包括形成凸塊底下金屬層于該電性接觸墊上。
[0025]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法，藉由緩沖材的設(shè)計，以于該電性接觸墊上回焊導(dǎo)電組件時，藉該緩沖材降低回焊時因熱所產(chǎn)生的殘留應(yīng)力，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能避免該些導(dǎo)電組件與導(dǎo)電穿孔之間出現(xiàn)破裂，因而能提高該半導(dǎo)體裝置的信賴性及廣品的良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖；
[0027]圖2A至圖2E為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制法的第一實施例的剖面示意圖；其中，圖2C’及圖2C”為圖2C的不同實施例的上視圖，圖2D’及圖2D”為圖2D的其它實施例；以及
[0028]圖3A至圖3E為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制法的第二實施例的剖面示意圖；其中，圖3D’為圖3D的其它實施例，圖3E’為圖3E的其它實施例。
[0029]符號說明
[0030]I半導(dǎo)體封裝件
[0031]10硅中介板
[0032]100導(dǎo)電硅穿孔
[0033]11半導(dǎo)體芯片
[0034]110電極墊
[0035]12粘著材
[0036]13焊錫凸塊
[0037]14,24導(dǎo)電組件
[0038]15，35，35’線路重布結(jié)構(gòu)
[0039]18封裝基板
[0040]180焊墊
[0041]2,3半導(dǎo)體裝置
[0042]20半導(dǎo)體基板
[0043]200導(dǎo)電穿孔
[0044]200a端面
[0045]200b銅材
[0046]200c絕緣材
[0047]201絕緣層
[0048]201a表面
[0049]21，21，，21”，21a, 21b 緩沖材
[0050]22，22’電性接觸墊
[0051]23凸塊底下金屬層
[0052]350,350’介電層
[0053]350a開孔
[0054]351,351’線路層
[0055]352墊部
[0056]d間距。

【具體實施方式】
[0057]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0058]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0059]圖2A至圖2E為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2的制法的第一實施例的剖面示意圖。
[0060]如圖2A所示，提供一具有多個導(dǎo)電穿孔200的半導(dǎo)體基板20，該導(dǎo)電穿孔200的端面200a外露于該半導(dǎo)體基板20的表面。
[0061 ] 于本實施例中，該半導(dǎo)體基板20為含娃的板體,例如,娃中介板(Through SiliconInterposer, TSI)或玻璃基板，且該導(dǎo)電穿孔200為導(dǎo)電娃穿孔(Through-siliconvia, TSV)。
[0062]此外，該導(dǎo)電穿孔200為銅柱200b及環(huán)繞該銅柱200b的絕緣材200c所構(gòu)成，但不以此為限。
[0063]又，該半導(dǎo)體基板20的表面為一絕緣層201，并使該絕緣層201的表面201a與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a齊平，且形成該絕緣層201的材質(zhì)為氧化硅(Si02)、氮化硅(SixNy)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)。
[0064]另外，因各該導(dǎo)電穿孔200處的制程均相同，所以以下圖式僅以單一導(dǎo)電穿孔200處的制程做說明。
[0065]如圖2B所示,形成一層緩沖材(Buffer Layer) 21’于該半導(dǎo)體基板20的絕緣層201與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a上。
[0066]于本實施例中，該緩沖材21’為聚酰亞胺(Polyimide，PI )、聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclclobutene, BCB)。
[0067]如圖2C所示，圖案化移除部分該緩沖材21’，使該緩沖材21位于該導(dǎo)電穿孔200的端面200a周圍并外露出該導(dǎo)電穿孔200的端面200a。
[0068]于本實施例中，圖案化后的緩沖材21為圓形環(huán)(Ring)，以環(huán)繞該導(dǎo)電穿孔200的端面200a，如圖2C’所示；也可為矩形環(huán)(如圖2C”所示的緩沖材21”)或其它幾何形狀的環(huán)。所述的環(huán)狀可為連續(xù)(如圖2C’所示)或斷續(xù)(如圖2C”所示)的形狀。
[0069]如圖2D所示，以電鍍金屬(如銅)方式形成一電性接觸墊22于該導(dǎo)電穿孔200的端面200a上，使該電性接觸墊22電性連接該導(dǎo)電穿孔200，且該電性接觸墊22覆蓋該緩沖材21。
[0070]于本實施例中，該緩沖材21與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a之間具有間距d，而于其它實施例中，可使該緩沖材21a與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a邊緣對齊，如圖2D’所示；或者，該緩沖材21b還形成于該導(dǎo)電穿孔200的端面200a的局部表面上，如圖2D”所示。
[0071]如圖2E所示，形成如焊球的導(dǎo)電組件24于該電性接觸墊22上，以供接至半導(dǎo)體組件或封裝基板上。
[0072]于本實施例中，可選擇性地先形成一凸塊底下金屬層(Under BumpMetallurgy, UBM) 23于該電性接觸墊22上，以結(jié)合如焊球的導(dǎo)電組件24。
[0073]此外，該凸塊底下金屬層23的構(gòu)造與材質(zhì)因種類繁多而無特別限制。
[0074]圖3A至圖3E為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置3的制法的第二實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例的差異在于形成線路重布結(jié)構(gòu)，其它步驟的制程大致相同，所以不再贅述相同處。
[0075]如圖3A及圖3B所示，接續(xù)圖2A的制程，進行線路重布層(Redistribut1nlayer, RDL)制程，即形成一線路重布結(jié)構(gòu)35于該半導(dǎo)體基板20的絕緣層201與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a上，令該線路重布結(jié)構(gòu)35電性連接該導(dǎo)電穿孔200。
[0076]于本實施例中，該線路重布結(jié)構(gòu)35包含相疊的一線路層351與一介電層350,該線路層351形成于該半導(dǎo)體基板20的絕緣層201上并電性連接該導(dǎo)電穿孔200，而該介電層350形成于該線路層351與該絕緣層201上，且該線路層351具有多個墊部352，又該介電層350形成有對應(yīng)該墊部352的開孔350a，令該墊部352外露于該開孔350a。
[0077]此外，形成該介電層350的材質(zhì)為氧化硅(Si02)、氮化硅(SixNy)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)ο
[0078]如圖3C所示，形成緩沖材21于該墊部352的局部表面上。
[0079]于本實施例中，該緩沖材21對應(yīng)該開孔350a的孔壁而環(huán)繞于該墊部352的邊緣，以呈連續(xù)環(huán)狀或斷續(xù)環(huán)狀。
[0080]如圖3D所示，形成一電性接觸墊22于該墊部352上，使該電性接觸墊22電性連接該線路層351，且該電性接觸墊22覆蓋該緩沖材21。
[0081 ] 于本實施例中，該電性接觸墊22僅位于該開孔350a中，而于其它實施例中，如圖3D’所示，該電性接觸墊22’也可延伸至該介電層350表面。
[0082]如圖3E所示，形成一凸塊底下金屬層(UBM)23于該電性接觸墊22上，以供結(jié)合如焊球的導(dǎo)電組件24。
[0083]另外，如圖3E’所示，于進行線路重布層(RDL)制程時，該線路重布結(jié)構(gòu)35’可具有多個相疊的線路層351,351’與介電層350，350’，且該墊部352為最外層的線路層351’的一部分。
[0084]本發(fā)明的制法中，主要藉由該電性接觸墊22包覆該緩沖材21的設(shè)計，當(dāng)該些導(dǎo)電組件24經(jīng)由回焊以焊接至半導(dǎo)體芯片或封裝基板時，該緩沖材21可大幅減少因熱所產(chǎn)生的殘留應(yīng)力，且經(jīng)實務(wù)驗證的結(jié)果，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相較下，約可減少24%的應(yīng)力，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2，3能避免該些導(dǎo)電組件24出現(xiàn)破裂的情形，進而提高該半導(dǎo)體裝置2，3的信賴性及產(chǎn)品的良率。
[0085]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置2，包括:具有多個導(dǎo)電穿孔200的一半導(dǎo)體基板20、形成于該半導(dǎo)體基板20上的緩沖材21、以及分別形成于各該導(dǎo)電穿孔200的端面200a上的多個電性接觸墊22。
[0086]所述的半導(dǎo)體基板20為含硅的板體并具有一絕緣層201，且該絕緣層201的表面201a與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a齊平，使該導(dǎo)電穿孔200的端面200a外露于該絕緣層201的表面201a。又，形成該絕緣層201的材質(zhì)為氧化硅(Si02)、氮化硅(SixNy)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)。
[0087]所述的緩沖材21形成于該絕緣層201的表面201a上并外露出該導(dǎo)電穿孔200的端面200a，且形成該緩沖材21的材質(zhì)為聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclclobutene, BCB)。
[0088]所述的電性接觸墊22電性連接該導(dǎo)電穿孔200并覆蓋該緩沖材21。
[0089]于一實施例中，該緩沖材21，21”呈環(huán)狀。
[0090]于一實施例中，該緩沖材21，21a位于該導(dǎo)電穿孔200的端面200a周圍，例如，該緩沖材21a與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a邊緣對齊。
[0091]于一實施例中，該緩沖材21b還形成于該導(dǎo)電穿孔200的端面200a的局部表面上。
[0092]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置3，包括:具有多個導(dǎo)電穿孔200的一半導(dǎo)體基板20、形成于該半導(dǎo)體基板20與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a上的一線路重布結(jié)構(gòu)35，35’、形成于該線路重布結(jié)構(gòu)35，35’上的緩沖材21、以及形成于該線路重布結(jié)構(gòu)35，35’上的多個電性接觸墊22。
[0093]所述的半導(dǎo)體基板20為含硅的板體并具有一絕緣層201，且該絕緣層201的表面201a與該導(dǎo)電穿孔200的端面200a齊平，使該導(dǎo)電穿孔200的端面200a外露于該絕緣層201的表面201a。又，形成該絕緣層201的材質(zhì)為氧化硅(Si02)、氮化硅(SixNy)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)。
[0094]所述的線路重布結(jié)構(gòu)35，35’形成于該絕緣層201上并電性連接該導(dǎo)電穿孔200，且該線路重布結(jié)構(gòu)35，35’具有至少一墊部352。
[0095]所述的緩沖材21形成于該墊部352的局部表面上，且該緩沖材21為聚酰亞胺(Polyimide, PI )、聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclclobutene, BCB)。
[0096]所述的電性接觸墊22分別形成于各該墊部352上且電性連接該墊部352，并覆蓋該緩沖材21。
[0097]于一實施例中，該緩沖材21，21”呈環(huán)狀。
[0098]于一實施例中，該線路重布結(jié)構(gòu)35，35’具有相疊的至少一線路層351，351’與至少一介電層350，350’，該線路層351，351’具有該墊部352，且該線路層351，351’電性連接該導(dǎo)電穿孔200，又該介電層350，350’形成于該線路層351，351’上并具有開孔350a，以令該墊部352外露于該開孔350a，使該緩沖材21對應(yīng)該開孔350a的孔壁而位于該墊部352的邊緣。另外，形成該介電層350,350’的材質(zhì)為氧化硅(Si02)、氮化硅(SixNy)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, PB0)。
[0099]另外，所述的半導(dǎo)體裝置2，3還包括凸塊底下金屬層23，其形成于該電性接觸墊22上。
[0100]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法，藉由該電性接觸墊覆蓋該緩沖材的設(shè)計，以于該電性接觸墊上進行回焊制程時，該緩沖材能大幅減少因熱所產(chǎn)生的殘留應(yīng)力，以避免該電性接觸墊上的接點出現(xiàn)破裂的情形。
[0101]上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括: 半導(dǎo)體基板，其具有多個導(dǎo)電穿孔，且該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板； 緩沖材，其形成于該半導(dǎo)體基板上并外露出該導(dǎo)電穿孔的端面；以及 多個電性接觸墊，其分別形成于各該導(dǎo)電穿孔的端面上且電性連接該導(dǎo)電穿孔，并覆蓋該緩沖材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該緩沖材形成于該絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材位于該導(dǎo)電穿孔的端面周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材與該導(dǎo)電穿孔的端面邊緣對齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材還形成于該導(dǎo)電穿孔的端面的局部表面上。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 半導(dǎo)體基板，其具有多個導(dǎo)電穿孔，該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板； 線路重布結(jié)構(gòu)，其形成于該半導(dǎo)體基板與該導(dǎo)電穿孔的端面上并電性連接各該導(dǎo)電穿孔，且該線路重布結(jié)構(gòu)具有多個墊部； 緩沖材，其形成于各該墊部的局部表面上；以及 多個電性接觸墊，其分別形成于各該墊部上且電性連接該墊部，并覆蓋該緩沖材。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該線路重布結(jié)構(gòu)形成于該絕緣層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該線路重布結(jié)構(gòu)具有相疊的至少一線路層與介電層，該線路層具有該墊部，且該線路層電性連接該導(dǎo)電穿孔，又該介電層形成于該線路層上并具有開孔，以令該墊部外露于該開孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成該介電層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材對應(yīng)該開孔的孔壁而位于該墊部的邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體基板為含硅的板體。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材呈環(huán)狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該緩沖材為聚酰亞胺、聚對二唑苯或苯環(huán)丁烯。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該裝置還包括凸塊底下金屬層，其形成于該電性接觸墊上。
15.根據(jù)權(quán)利要求2或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該絕緣層的表面與該導(dǎo)電穿孔的端面齊平。
16.根據(jù)權(quán)利要求2或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成該絕緣層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制法，其包括: 提供一具有多個導(dǎo)電穿孔的半導(dǎo)體基板，且該導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板； 形成緩沖材于該半導(dǎo)體基板上并外露出該導(dǎo)電穿孔的端面；以及 形成多個電性接觸墊于各該導(dǎo)電穿孔的端面上，使該電性接觸墊電性連接該導(dǎo)電穿孔，且該電性接觸墊覆蓋該緩沖材。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該緩沖材形成于該絕緣層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材位于該導(dǎo)電穿孔的端面周圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材與該導(dǎo)電穿孔的端面邊緣對齊。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材還形成于該導(dǎo)電穿孔的端面的局部表面上。
22.—種半導(dǎo)體裝置的制法，包括: 提供一具有多個導(dǎo)電穿孔的半導(dǎo)體基板，該些導(dǎo)電穿孔的端面外露于該半導(dǎo)體基板； 形成線路重布結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基板與各該導(dǎo)電穿孔的端面上，且該線路重布結(jié)構(gòu)具有多個墊部； 形成緩沖材于該墊部的局部表面上；以及 形成多個電性接觸墊于各該墊部上，使該電性接觸墊電性連接該墊部，且該電性接觸墊覆蓋該緩沖材。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板表面還具有絕緣層，使該線路重布結(jié)構(gòu)形成于該絕緣層上。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該線路重布結(jié)構(gòu)具有相疊的至少一線路層與介電層，該線路層具有該墊部，且該線路層電性連接該導(dǎo)電穿孔，又該介電層形成于該線路層上并具有開孔，以令該墊部外露于該開孔。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，形成該介電層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材對應(yīng)該開孔的孔壁而位于該墊部的邊緣。
27.根據(jù)權(quán)利要求17或22所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板為含硅的板體。
28.根據(jù)權(quán)利要求17或22所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材呈環(huán)狀。
29.根據(jù)權(quán)利要求17或22所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材為聚酰亞胺、聚對二唑苯或苯環(huán)丁烯。
30.根據(jù)權(quán)利要求17或22所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括形成凸塊底下金屬層于該電性接觸墊上。
31.根據(jù)權(quán)利要求18或23所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該絕緣層的表面與該導(dǎo)電穿孔的端面齊平。
32.根據(jù)權(quán)利要求18或23所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，形成該絕緣層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。
【文檔編號】H01L21/60GK104425414SQ201310498675
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】曾文聰, 賴顗喆, 邱世冠, 葉懋華 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司