有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括：基底；第一電極，設(shè)置在基底上；像素限定層，設(shè)置在基底上，以劃分像素區(qū)域；第一公共層，設(shè)置在第一電極上；突起圖案，包括設(shè)置在第一公共層上并彼此隔開的多個(gè)突起；發(fā)光層，設(shè)置在像素區(qū)域中的第一公共層上；以及第二電極，設(shè)置在發(fā)光層上。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)參考于2013年2月6日在先提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局并適時(shí)地被分配的序號(hào)為 10-2013-0013572 的申請(qǐng)“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME”，將該申請(qǐng)包含于此并且要求該申請(qǐng)的所有權(quán)益。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。更具體地，本發(fā)明涉及顯示均勻的圖像的有機(jī)發(fā)光顯示器以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]平板顯示裝置被劃分成光發(fā)射型顯示裝置和光接收型顯示裝置。作為光發(fā)射型顯示裝置，使用扁平陰極射線管、等離子體顯示面板和電致發(fā)光顯示裝置。液晶顯示器用作光接收型顯示裝置。在它們之中，由于電致發(fā)光顯示裝置具有例如寬視角、優(yōu)異的對(duì)比度和快響應(yīng)速度等的各種性質(zhì)，所以電致發(fā)光顯示器已經(jīng)作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。根據(jù)用于形成發(fā)光層的材料，電致發(fā)光顯示裝置被劃分成無(wú)機(jī)電致發(fā)光顯示裝置和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
[0004]有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置是電激發(fā)熒光有機(jī)化合物以發(fā)射光的自發(fā)射顯示裝置，因此，由于與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有例如低驅(qū)動(dòng)電壓、薄厚度、寬視角、快響應(yīng)速度等的各種性質(zhì)，因此有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置已經(jīng)作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。
[0005]有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括陽(yáng)極、陰極和由有機(jī)材料形成的發(fā)光層。當(dāng)對(duì)陽(yáng)極和陰極施加正電壓和負(fù)電壓時(shí)，從陽(yáng)極注入的空穴通過(guò)空穴傳輸層被傳輸?shù)桨l(fā)光層，從陰極注入的電子通過(guò)電子傳輸層被傳輸?shù)桨l(fā)光層。然后，空穴與電子在發(fā)光層復(fù)合以產(chǎn)生激子。激子發(fā)射當(dāng)從激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時(shí)釋放的能量作為光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種能夠改善暗點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0007]本發(fā)明提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。
[0008]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括:基底；第一電極，設(shè)置在基底上；像素限定層，設(shè)置在基底上，以劃分像素區(qū)域；第一公共層，設(shè)置在第一電極上；突起圖案，包括設(shè)置在第一公共層上并彼此隔開的多個(gè)突起；發(fā)光層，設(shè)置在像素區(qū)域中的第一公共層上；以及第二電極，設(shè)置在發(fā)光層上。
[0009]有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在第一公共層和發(fā)光層之間的第二公共層。在這種情況下，第一公共層是空穴注入層，第二公共層是空穴傳輸層。
[0010]有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在第一電極和第一公共層之間的第二公共層。在這種情況下，第一公共層是空穴傳輸層，第二公共層是空穴注入層。
[0011]設(shè)置復(fù)數(shù)的像素區(qū)域，各個(gè)像素區(qū)域是紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域或者藍(lán)色像素區(qū)域，發(fā)光層在紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域中分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光。設(shè)置在紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域中的突起圖案具有不同的形狀或者不同的密度。另外，有機(jī)發(fā)光顯示器可以包括設(shè)置在發(fā)光層和第二電極之間的電子注入層或者電子傳輸層中的至少一個(gè)。
[0012]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。通過(guò)以下步驟來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示器:在基底上形成第一電極；在第一電極上形成像素限定層以限定像素區(qū)域；在第一電極上形成第一公共層；在第一公共層上形成包括彼此隔開的多個(gè)突起的突起圖案；在像素區(qū)域中的第一共電極上形成發(fā)光層；以及在發(fā)光層上形成第二電極。
[0013]通過(guò)噴墨法形成發(fā)光層。
[0014]通過(guò)在第一公共層上形成光敏有機(jī)層并使用掩模將光選擇性地照射到光敏有機(jī)層上來(lái)形成突起圖案。
[0015]根據(jù)以上的描述，由于發(fā)光層形成為在像素區(qū)域的整個(gè)區(qū)域中具有均勻的厚度，所以防止或者減少暗點(diǎn)。因 此，改善了在各個(gè)像素中顯示的圖像的均一性，使得延長(zhǎng)了各個(gè)像素的壽命。另外，可以防止顏色在彼此相鄰的像素之間混合。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]通過(guò)參考當(dāng)結(jié)合 附圖時(shí)考慮的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中:
[0017]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的電路圖；
[0018]圖2是示出了圖1中示出的像素的平面圖；
[0019]圖3是沿著圖2的1-線截取的剖視圖；
[0020]圖4是示出了圖3中示出的基底、像素限定層和像素的剖視圖；
[0021]圖5A至5E是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法的首丨J視圖;
[0022]圖6至圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí),該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接連接或結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和所有組合。
[0024]將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來(lái)。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0025]為了便于描述，在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上”等，來(lái)描述如在圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并對(duì)在這里使用的空間相對(duì)描述符做出相應(yīng)的解釋。
[0026]這里使用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述特定實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，說(shuō)明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0027]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過(guò)于正式的含義來(lái)解釋它們。
[0028]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地解釋本發(fā)明。
[0029]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的電路圖，圖2是示出了圖1中示出的像素的平面圖，圖3是沿著圖2的1-I'線截取的剖視圖，圖4是示出了圖3中示出的基底、像素限定層和像素的剖視圖。 [0030]根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素PXL以顯示圖像。像素PXL設(shè)置為復(fù)數(shù)，并且像素PXL以矩陣的形式布置。這里，像素PXL均具有矩形形狀，但是像素PXL不限于矩形形狀。另外，像素PXL可以具有不同的面積。例如，根據(jù)像素PXL的顏色，它們可以具有不同的面積或不同的形狀。
[0031]像素PXL包括線部件、連接到線部件的薄膜晶體管、連接到薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光裝置EL和電容器Cst，線部件構(gòu)造為包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL，。
[0032]柵極線GL沿著預(yù)定的方向延伸，數(shù)據(jù)線DL沿著與柵極線GL延伸的方向不同的方向延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線DVL沿著與數(shù)據(jù)線DL相同的方向延伸。柵極線GL向薄膜晶體管施加掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線DL向薄膜晶體管施加數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電壓線DVL向薄膜晶體管施加驅(qū)動(dòng)電壓。
[0033]薄膜晶體管包括:驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2，控制有機(jī)發(fā)光器件EL ;開關(guān)薄膜晶體管TR1，切換驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2。在本示例性實(shí)施例中，一個(gè)像素PXL包括兩個(gè)薄膜晶體管TRl和TR2，但是它不應(yīng)該限制于此。即，一個(gè)像素PXL包括薄膜晶體管和電容器，或者至少三個(gè)薄膜晶體管和至少兩個(gè)電容器。
[0034]開關(guān)薄膜晶體管TRl包括第一柵電極GE1、第一源電極SEl和第一漏電極DE1。第一柵電極GEl連接到柵極線GL，第一源電極SEl連接到數(shù)據(jù)線DL。第一漏極DEl連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的柵電極，例如，第二柵電極GE2。開關(guān)薄膜晶體管TRl響應(yīng)于通過(guò)柵極線GL提供的掃描信號(hào)將通過(guò)數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)信號(hào)施加給驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2。
[0035]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2包括第二柵電極GE2、第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第二柵電極GE2連接到開關(guān)薄膜晶體管TR1，第二源電極SE2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線DVL，第二漏電極DE2連接到有機(jī)發(fā)光器件EL。
[0036]有機(jī)發(fā)光裝置EL包括發(fā)光層EML、第一電極ELl和面對(duì)第一電極ELl的第二電極EL2，發(fā)光層EML插入在第一電極ELl和第二電極EL2之間。第一電極ELl連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的第二漏電極DE2。第二電極EL2施加以共電壓，發(fā)光層EML根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的輸出信號(hào)而發(fā)射光，由此顯示期望的圖像。
[0037]電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的第二柵電極GE2和第二源電極SE2之間，并利用輸入到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的第二柵電極GE2的數(shù)據(jù)信號(hào)充電。
[0038]在下文中，將根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示器的元件的堆疊順序來(lái)描述有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0039]有機(jī)發(fā)光顯示器包括由玻璃、塑料或者晶體形成的絕緣基底SUB，薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光裝置設(shè)置在絕緣基底SUB上。
[0040]緩沖層BFL設(shè)置在基底SUB上。緩沖層BFL防止雜質(zhì)擴(kuò)散到開關(guān)薄膜晶體管TRl和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2。緩沖層BFL可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy),并且可以根據(jù)基底SUB的材料和工藝條件省略緩沖層BFL。
[0041]第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2設(shè)置在緩沖層BFL上。第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2由半導(dǎo)體材料形成，并分別用作開關(guān)薄膜晶體管TRl和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的有源層。第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2均包括源極區(qū)域SA、漏極區(qū)域DA和設(shè)置在源極區(qū)域SA和漏極區(qū)域DA之間的溝道區(qū)域DA。第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料或者有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。源極區(qū)域SA和漏極區(qū)域DA用η型或P型雜質(zhì)摻雜。
[0042]柵極絕緣層GI設(shè)置在第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2上。
[0043]第一柵電極GEl和第二柵電極GE2設(shè)置在柵極絕緣層GI上。第一柵電極GEl和第二柵電極GE2形成為覆蓋分別與第一半導(dǎo)體層SMl和第二半導(dǎo)體層SM2的溝道區(qū)域CA相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0044]中間絕緣層IL設(shè)置在第一柵電極GEl和第二柵電極GE2上，以覆蓋第一柵電極GEl和第二柵電極GE2。
[0045]第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2設(shè)置在中間絕緣層IL上。第一源電極SEl和第一漏電極DEl分別通過(guò)穿過(guò)柵極絕緣層GI和中間絕緣層IL形成的接觸孔與第一半導(dǎo)體層SMl的源極區(qū)域SA和漏極區(qū)域DA接觸。第二源電極SE2和第二漏電極DE2分別通過(guò)穿過(guò)柵極絕緣層GI和中間絕緣層IL形成的接觸孔與第二半導(dǎo)體層SM2的源極區(qū)域SA和漏極區(qū)域DA接觸。
[0046]同時(shí)，第二柵電極GE2的一部分和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL的一部分分別對(duì)應(yīng)于第一電容器電極CEl和第二電容器電極CE2，以與設(shè)置在第二柵電極GE2的一部分和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL的一部分之間的中間絕緣層IL合作形成電容器Cst。
[0047]鈍化層PL設(shè)置在第一源電極SEl、第一漏電極DEl、第二源電極SE2和第二漏電極DE2上。鈍化層PL保護(hù)開關(guān)薄膜晶體管TRl和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2，鈍化層PL用作平坦化層以將開關(guān)薄膜晶體管TRl和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2平坦化。
[0048]第一電極ELl設(shè)置在鈍化層PL上作為有機(jī)發(fā)光裝置EL的陽(yáng)極。第一電極ELl通過(guò)穿過(guò)鈍化層PL形成的接觸孔IH2連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的第二漏電極DE2。第一電極ELl可以用作陰極，然而，在本示例性實(shí)施例中，第一電極ELl將被描述為陽(yáng)極。[0049]第一電極ELl可以由具有較高的逸出功的材料形成。在向基底SUB的向下的方向提供圖像的情況下，第一電極ELl可以由諸如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)等的透明導(dǎo)電層形成。在向基底SUB的向上的方向提供圖像的情況下，第一電極ELl可以由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr等的金屬反射層和諸如ΙΤΟ、IZO、ZnO、ITZO等的透明導(dǎo)電層形成。
[0050]像素限定層PDL設(shè)置在其上形成有第一電極ELl的基底SUB上，以將像素區(qū)域PA劃分成分別對(duì)應(yīng)于像素PXL的多個(gè)區(qū)域。像素限定層PDL從基底SUB沿著像素的外周突起以暴露第一電極ELl的上表面。
[0051]發(fā)光層EML設(shè)置在由像素限定層PDL圍繞的像素區(qū)域PA中，第二電極EL2設(shè)置在發(fā)光層EML上。
[0052]這里，下公共層設(shè)置在第一電極ELl和發(fā)光層EML之間，上公共層設(shè)置在發(fā)光層EML和第二電極EL2之間。下公共層和上公共層用作載體傳輸層并應(yīng)用于各個(gè)像素。下公共層包括空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL,上公共層包括電子注入層EIL和電子傳輸層ETL0在第一電極ELl是陽(yáng)極的情況下，下公共層、上公共層和發(fā)光層EML按照空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL、電子注入層EIL和第二電極EL2的順序堆疊在第一電極ELl上。
[0053]在本示例性實(shí)施例中，空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、電子傳輸層ETL或者電子注入層EIL中的至少一 個(gè)層取決于發(fā)光層EML的材料和發(fā)光性質(zhì)。這里，將描述制備下公共層的空穴注入層HIL的情況作為代表性示例。
[0054]空穴注入層HIL包括具有金屬?gòu)?fù)合物的導(dǎo)電聚合物?？昭ㄗ⑷雽親IL可以包括銅酞菁的酞菁化合物、m-MTDATA[4, 4’，4’ ’ -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、NPB(N，N’-二(1-萘基)州州’-二苯基聯(lián)苯胺)、了04了4、21嫩了4、？&11丨/1?34 (聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PED0T/PSS (聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽))、Pani/CSA (聚苯胺/樟腦磺酸)或PANI/PSS (聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽))，但空穴注入層HIL不限于此。
[0055]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括: 基底； 第一電極，設(shè)置在基底上； 像素限定層，設(shè)置在基底上，包含至少一個(gè)像素區(qū)域，； 第一公共層，設(shè)置在第一電極上； 突起圖案，包括多個(gè)突起，設(shè)置在第一公共層上并彼此隔開； 發(fā)光層，設(shè)置在像素區(qū)域中的第一公共層上；以及 第二電極，設(shè)置在發(fā)光層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在第一公共層和發(fā)光層之間的第二公共層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一公共層是空穴注入層，第二公共層是空穴傳輸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在第一電極和第一公共層之間的第二公共層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯不器,其中,第一公共層是空穴傳輸層,第二公共層是空穴注入層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，像素限定層被劃分成多個(gè)所述像素區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，各個(gè)像素區(qū)域是紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域或者藍(lán)色像素區(qū)域，發(fā)光層在紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域中分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，設(shè)置在紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍(lán)色像素區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域中的突起圖案分別具有不同的形狀或者不同的密度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器還包括設(shè)置在發(fā)光層和第二電極之間的電子注入層或電子傳輸層中的至少一個(gè)。
10.一種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，所述方法包括: 在基底上形成第一電極； 在第一電極上形成像素限定層，像素限定層包含至少一個(gè)像素區(qū)域； 在第一電極上形成第一公共層； 在第一公共層上形成包括彼此隔開的多個(gè)突起的突起圖案； 在像素區(qū)域中的第一共電極上形成發(fā)光層；以及 在發(fā)光層上形成第二電極。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103972261SQ201310503340
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月6日
【發(fā)明者】沈佑燮, 金載勛, 車裕敏 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司