有機el裝置的制造方法、有機el裝置、電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠使連接用端子高精度地且以較高的生產(chǎn)性暴露的有機EL裝置的制造方法、有機EL裝置以及具備該有機EL裝置的電子設(shè)備。本應(yīng)用例的有機EL裝置的制造方法具備：覆蓋多個有機EL元件以及連接用端子而形成密封層的工序（步驟S1）；形成作為覆蓋密封層的有機層的彩色濾光片的工序（步驟S2）；以在彩色濾光片中與連接用端子重疊的部分形成到達密封層的開口部的方式對彩色濾光片進行圖案化的工序（包括于步驟S2）；以及將圖案化形成的彩色濾光片作為掩模以連接用端子的至少一部分暴露的方式對密封層進行蝕刻的工序（步驟S3）。
【專利說明】有機EL裝置的制造方法、有機EL裝置、電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具備有機電致發(fā)光(EL)元件的有機EL裝置的制造方法、有機EL裝置、以及具備該有機EL裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]有機EL元件構(gòu)成為具有陽極、陰極、以及夾在這些電極間的包含有機發(fā)光層的功能層。對功能層來說，通過從陽極側(cè)注入的空穴、和從陰極側(cè)注入的電子在有機發(fā)光層再結(jié)合而產(chǎn)生的能量被轉(zhuǎn)換為熒光、磷光而發(fā)光。然而，若水分、氧等從外部經(jīng)由陽極、陰極浸入功能層，則對有機發(fā)光層的載流子(空穴、電子)的注入被阻礙而發(fā)光的亮度降低、或功能層變質(zhì)而失去發(fā)光功能本身，產(chǎn)生所謂暗斑的暗點。
[0003]在具備這樣的有機EL元件的有機EL裝置中，為了防止水分、氧等的浸入而形成有覆蓋多個有機EL元件的密封層。
[0004]另一方面，為了實現(xiàn)與外部驅(qū)動電路的連接，上述有機EL裝置設(shè)有多個連接用端子，所述多個連接用端子連接有機EL裝置的各種布線。連接用端子比密封層先形成，因此在形成密封層時需要使連接用端子暴露以便能夠進行電利用。
[0005]例如，專利文獻I公開了在形成層疊體之后，形成相當于上述密封層的保護膜之前，按電極連接部不被保護膜覆蓋的方式對電極連接部的表面進行改質(zhì)的有機EL元件的制造方法，其中，層疊體由陽極、包含發(fā)光層的有機層、陰極層疊而形成。
[0006]另外，例如，專利文獻2公開了一種有機EL裝置的制造方法，該方法具備:通過等離子體CVD法形成由無機材料構(gòu)成的第I氣體阻擋層的工序，其中，所述無機材料覆蓋元件基板上的包含多個有機EL元件的發(fā)光區(qū)域；以與第I氣體阻擋層平面重疊的方式，利用離子電鍍法形成第2氣體阻擋層的工序。在該有機EL裝置的制造方法中，使用具有與發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的開口的成膜用掩模，形成第I氣體阻擋層、第2氣體阻擋層。換句話說，上述連接用端子被成膜用掩模覆蓋，因此連接用端子未形成相當于上述密封層的第I氣體阻擋層以及第2氣體阻擋層。
[0007]專利文獻1:日本特開2002 - 151254號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2010 — 244696號公報
[0009]根據(jù)上述專利文獻I的有機EL元件的制造方法，需要預(yù)先對電極連接部的表面進行改質(zhì)的工序，因而存在制造工序變得復(fù)雜這樣的課題。
[0010]另外，根據(jù)上述專利文獻2的有機EL裝置的制造方法，若元件基板與成膜用掩模未被設(shè)置在規(guī)定位置，則存在連接用端子上附著無機材料的問題。因此，設(shè)置有連接用端子的部分越小，則元件基板與成膜用掩模的對準越困難。另外，在批量生產(chǎn)時，由于需要除去附著于成膜用掩模的無機材料，所以存在成膜用掩模被要求耐老化性等課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明是為了解決上述的課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例實現(xiàn)。
[0012]應(yīng)用例I
[0013]本應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，具備配置在基板上的多個有機EL元件和連接用端子的有機EL裝置的制造方法，該有機EL裝置的制造方法具備:形成覆蓋上述多個有機EL元件以及上述連接用端子的密封層的工序；形成覆蓋上述密封層的有機層的工序、以在上述有機層中的與上述連接用端子重疊的部分形成到達上述密封層的開口部的方式對上述有機層進行圖案化的工序；以及、將圖案化形成的上述有機層作為掩模，以上述連接用端子的至少一部分暴露的方式對上述密封層進行蝕刻的工序。
[0014]根據(jù)本應(yīng)用例，能夠不使用成膜用掩模而將密封層形成在基板的整個面。另外，通過將密封層上圖案化形成的有機層作為掩模進行蝕刻來除去密封層中的與連接用端子重疊的部分。因此，不需要為了除去密封層中的與連接用端子重疊的部分，而準備例如涂覆專用的光刻膠并進行圖案化的工序，能夠以簡單的制造工序使連接用端子以能夠利用的狀態(tài)暴露。即，能夠提供具有較高的生產(chǎn)性的有機EL裝置的制造方法。
[0015]應(yīng)用例2
[0016]上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法的特征在于，上述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，上述有機層至少形成為至少一種顏色的上述著色層。
[0017]根據(jù)該方法，能夠?qū)⒃谛纬芍辽偃N顏色的著色層的工序中所形成的至少一種顏色的著色層作為掩模，并對與連接用端子重疊的部分的密封層進行蝕刻來除去。
[0018]應(yīng)用例3
[0019]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，也可以在上述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，上述有機層作為按顏色劃分上述著色層的絕緣層而形成在上述密封層上。
[0020]根據(jù)該方法，能夠?qū)⒆鳛榘搭伾珓澐种珜拥慕^緣層的有機層作為掩模，并對與連接用端子重疊的部分的密封層進行蝕刻來除去。另外，著色層在俯視時被有機層按顏色劃分，因而與沒有有機層的情況相比，能夠制造改善了視角特性中的混色等的有機EL裝置。
[0021]應(yīng)用例4
[0022]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，具有:包括上述多個有機EL元件中的一個，至少與紅色、綠色、藍色的每一種顏色對應(yīng)設(shè)置的子像素；包括不同顏色的上述子像素的像素、以及上述密封層上至少包含紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，優(yōu)選上述有機層作為按顏色并且按上述子像素劃分上述著色層的絕緣層形成在上述密封層上。
[0023]根據(jù)該方法，有機層作為俯視時劃分子像素的絕緣層而發(fā)揮作用，因而與沒有有機層的情況相比，能夠制造進一步改善了視角特性中的混色等的有機EL裝置。
[0024]應(yīng)用例5
[0025]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選在對上述密封層進行蝕刻的工序中，在使保護部件與上述彩色濾光片對置地配置的狀態(tài)下，對上述密封層進行各向異性蝕刻。[0026]根據(jù)該方法，不會因各向異性蝕刻而使彩色濾光片受到損傷，能夠?qū)εc連接用端子重疊的部分的密封層進行高精度的蝕刻而除去。
[0027]應(yīng)用例6
[0028]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選具有經(jīng)由透明樹脂層對上述彩色濾光片配置對置基板的工序，在對上述密封層進行蝕刻的工序中，經(jīng)由上述對置基板對上述密封層進行蝕刻。
[0029]根據(jù)該方法，利用保護彩色濾光片的對置基板，不會因蝕刻而使彩色濾光片受到損傷，能夠?qū)εc連接用端子重疊的部分的密封層進行蝕刻而除去。
[0030]應(yīng)用例7
[0031]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，也可以在上述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，且上述有機層是覆蓋上述彩色濾光片的外敷層。
[0032]根據(jù)該方法，能夠?qū)⒏采w彩色濾光片的外敷層作為掩模，對與連接用端子重疊的部分的密封層進行蝕刻來除去。
[0033]應(yīng)用例8
[0034]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的制造方法中，也可以在對上述有機層進行圖案化的工序中，以遍及多個上述連接用端子進行開口的方式形成上述開口部。
[0035]根據(jù)該方法，能夠不要求較高的位置精度而形成開口部。另外，即使多個連接用端子的配置間距變小，也能夠容易地使多個連接用端子暴露。
[0036]應(yīng)用例9
[0037]本應(yīng)用例的有機EL裝置的特征在于，具備配置在基板上的多個有機EL元件、連接用端子、覆蓋上述多個有機EL元件以及多個上述連接用端子的密封層、覆蓋上述密封層的有機層、以及貫通上述有機層以及上述密封層，并使上述連接用端子的至少一部分暴露的開口部。
[0038]根據(jù)本應(yīng)用例，能夠提供不受密封層、有機層的影響，具有較高的連接可靠性的有機EL裝置。
[0039]應(yīng)用例10
[0040]上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的特征在于，在上述密封層上，具備與上述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，上述有機層是上述彩色濾光片中的至少一種顏色的上述著色層。
[0041]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供不用設(shè)置特別的構(gòu)成作為有機層而利用至少一種顏色的著色層，就具有較高的連接可靠性和優(yōu)異的顯示質(zhì)量的有機EL裝置。
[0042]應(yīng)用例11
[0043]上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置的特征在于，在上述密封層上，具備與上述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，上述有機層是按顏色劃分上述著色層的絕緣層。
[0044]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供具有較高的連接可靠性，并且在視角特性上改善了混色等的有機EL裝置。
[0045]應(yīng)用例12[0046]上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置也可以在上述密封層上，具備與上述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片，上述有機層是覆蓋上述彩色濾光片的外敷層。
[0047]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供具有較高的連接可靠性，并且具有優(yōu)異的耐用質(zhì)量的有機EL裝置。
[0048]應(yīng)用例13
[0049]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置中，上述開口部也可以按多個上述連接用端子而被設(shè)置。
[0050]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提高連接用端子間的絕緣性。
[0051]應(yīng)用例14
[0052]在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置中，上述開口部也可以以多個上述連接用端子暴露在上述開口部內(nèi)的方式被設(shè)置。
[0053]根據(jù)該構(gòu)成，能夠降低開口部所被要求的形成精度。
[0054]應(yīng)用例15
[0055]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備使用上述應(yīng)用例所記載的有機EL裝置的制造方法而形成的有機EL裝置。
[0056]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供實現(xiàn)了較高的連接可靠性和性價比的電子設(shè)備。
[0057]應(yīng)用例16
[0058]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例所記載的有機EL裝置。
[0059]根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供實現(xiàn)了較高的連接可靠性的電子設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0060]圖1是表示第I實施方式的有機EL裝置的電構(gòu)成的等效電路圖。
[0061]圖2是表示第I實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的示意俯視圖。
[0062]圖3是表示第I實施方式中的像素的配置的示意俯視圖。
[0063]圖4是表示沿著圖3的A— A’線的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0064]圖5是表示沿著圖2的H— H’線的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0065]圖6是表示第I實施方式的有機EL裝置的制造方法的流程圖。
[0066]圖7 (a)?(d)是表示第I實施方式的有機EL裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0067]圖8 (e)?(f)是表示第I實施方式的有機EL裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0068]圖9是表示端子部中的連接用端子與開口部的關(guān)系的示意俯視圖。
[0069]圖10 (a)是表不表面安裝有多個兀件基板的母基板的不意俯視圖，圖10 (b)是表示被進行了表面安裝的狀態(tài)下的元件基板的示意放大俯視圖。
[0070]圖11 (a)以及圖11 (b)是表示母基板的劃線后的端子部的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0071]圖12 Ca)以及圖12 (b)是表示第2實施方式的有機EL裝置的制造方法的示意首1J視圖。
[0072]圖13是表示第3實施方式中的有機EL裝置的像素的構(gòu)成的示意俯視圖。
[0073]圖14是表示在圖13的A — A’線切開的第3實施方式的有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。[0074]圖15是表示第3實施方式的有機EL裝置的端子部周邊的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0075]圖16是表示第4實施方式的有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0076]圖17是表示第4實施方式的有機EL裝置的端子部周邊的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0077]圖18是表示作為電子設(shè)備的頭戴式顯示器的示意圖。
[0078]圖19是表示變形例的開口部與連接用端子的配置的示意俯視圖。
[0079]圖20是表示變形例的絕緣層的示意圖，圖20 (a)是示意俯視圖，圖20 (b)是沿著圖20 Ca)的A — A’線的示意剖視圖，圖20 (c)是沿著圖20 Ca)的C 一 C’線的示意剖視圖。
【具體實施方式】
[0080]以下，根據(jù)附圖對將本發(fā)明具體化的實施方式進行說明。此外，使用的附圖適當?shù)胤糯蠡蛘呖s小地顯示，以使進行說明的部分成為能夠識別的狀態(tài)。
[0081]此外，在以下的方式中，例如被記載為“在基板上”的情況下，表示以與基板上接觸的方式進行配置的情況，或者在基板上經(jīng)由其他的構(gòu)件配置的情況，或者以一部分與基板上接觸的方式進行配置，一部分經(jīng)由其他的構(gòu)件而被配置的情況。
[0082]第I實施方式
[0083]有機EL裝置
[0084]首先，參照圖1?圖3對本實施方式的有機電致發(fā)光(EL)裝置進行說明。圖1是表示第I實施方式的有機EL裝置的電構(gòu)成的等效電路圖，圖2是表示第I實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的示意俯視圖，圖3是表示第I實施方式中的像素的配置的示意俯視圖。
[0085]如圖1所示，本實施方式的有機EL裝置100具有相互交叉的多個掃描線12以及多個數(shù)據(jù)線13、和與多個數(shù)據(jù)線13的每一個數(shù)據(jù)線并列的多個電源線14。具有連接有多個掃描線12的掃描線驅(qū)動電路16、和連接有多個數(shù)據(jù)線13的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路15。另外，具有與多個掃描線12和多個數(shù)據(jù)線13的各交叉部對應(yīng)地配置為矩陣狀的多個子像素18。
[0086]子像素18具有作為發(fā)光元件的有機EL元件30、和控制有機EL元件30的驅(qū)動的像素電路20。
[0087]有機EL元件30具有作為陽極發(fā)揮作用的像素電極31、作為陰極發(fā)揮作用的對置電極33、以及設(shè)于像素電極31與對置電極33之間的包含有機發(fā)光層的功能層32。這樣的有機EL元件30在電學性上能夠標記為二極管。
[0088]像素電路20包括開關(guān)用晶體管21、儲能電容22、以及驅(qū)動用晶體管23。兩個晶體管21、23，例如能夠使用η溝道型或者P溝道型的薄膜晶體管(TFT =Thin Filmtransistor)、MOS晶體管來構(gòu)成。
[0089]開關(guān)用晶體管21的柵極與掃描線12連接，源極或者漏極中的一個與數(shù)據(jù)線13連接，源極或者漏極中的另一個與驅(qū)動用晶體管23的柵極連接。
[0090]驅(qū)動用晶體管23的源極或者漏極中的一個與有機EL元件30的像素電極31連接，源極或者漏極中的另一個與電源線14連接。
[0091]驅(qū)動用晶體管23的柵極與電源線14之間連接有儲能電容22。
[0092]若掃描線12被驅(qū)動而開關(guān)用晶體管21成為導通狀態(tài)，則此時基于從數(shù)據(jù)線13供給的圖像信號的電位經(jīng)由開關(guān)用晶體管21被保持于儲能電容22。根據(jù)該儲能電容22的電位即驅(qū)動用晶體管23的柵極電位，決定了驅(qū)動用晶體管23的導通、截止狀態(tài)。而且，若驅(qū)動用晶體管23成為導通狀態(tài)，則從電源線14經(jīng)由驅(qū)動用晶體管23向夾在像素電極31與對置電極33之間的功能層32流通與柵極電位對應(yīng)的量的電流。有機EL元件30根據(jù)在功能層32中流動的電流量進行發(fā)光。
[0093]此外，像素電路20的構(gòu)成并不限定于此。例如，也可以具備設(shè)在像素電極31與驅(qū)動用晶體管23之間、且對像素電極31與驅(qū)動用晶體管23之間的導通進行控制的發(fā)光控制
用晶體管。
[0094]如圖2所示，有機EL裝置100具有元件基板10、與元件基板10對置地配置的對置基板41。元件基板10設(shè)有顯示區(qū)域El (圖中，以虛線顯示)、和在顯示區(qū)域El的外側(cè)設(shè)置虛設(shè)區(qū)域E2 (圖中，以雙點劃線顯示)。虛設(shè)區(qū)域E2的外側(cè)是非顯示區(qū)域。
[0095]顯示區(qū)域El中矩陣狀地配置有子像素18。子像素18如上述那樣具備作為發(fā)光元件的有機EL元件30，構(gòu)成為隨著開關(guān)用晶體管21以及驅(qū)動用晶體管23的動作，獲得紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)中的任意一個顏色的發(fā)光。
[0096]在本實施方式中，成為獲得同種顏色的發(fā)光的子像素18排列在第I方向，獲得不同顏色的發(fā)光的子像素18排列在與第I方向交叉(正交)的第2方向的、所謂條紋方式的子像素18的配置。以下，將上述第I方向設(shè)為Y方向，將上述第2方向設(shè)為X方向來進行說明。此外，元件基板10中的子像素18的配置并不限定于條紋方式，也可以是馬賽克方式，三角洲方式。
[0097]虛設(shè)區(qū)域E2中設(shè)有主要用于使各子像素18的有機EL元件30發(fā)光的外圍電路。例如，如圖2所示，在X方向上夾著顯示區(qū)域El的位置設(shè)有在Y方向上延伸的一對掃描線驅(qū)動電路16。在一對掃描線驅(qū)動電路16之間在沿著顯示區(qū)域El的位置處設(shè)有檢查電路17。
[0098]元件基板10具有在沿著一對掃描線驅(qū)動電路16的Y方向和沿著檢查電路17的X方向上延伸，以包圍虛設(shè)區(qū)域E2的方式而被配置的布線層29。有機EL元件30的對置電極33遍及多個有機EL元件30即多個子像素18形成為共用陰極。另外，對置電極33以從顯示區(qū)域El到非顯示區(qū)域的方式被形成，在非顯示區(qū)域與上述布線層29電連接。
[0099]元件基板10在比對置基板41大，且從對置基板41沿Y方向暴露的一邊部(圖中的下方的基板10的端部與虛設(shè)區(qū)域E2之間的邊部；以下，稱為端子部lit)，在X方向上排列有用于實現(xiàn)與外部驅(qū)動電路的電連接的多個連接用端子101。多個連接用端子101連接有撓性電路基板(FPC)105。FPC105安裝有驅(qū)動用IC110。驅(qū)動用ICllO包含上述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路15。FPC105具有經(jīng)由布線與驅(qū)動用ICllO的輸入側(cè)連接的輸入端子102、和經(jīng)由布線與驅(qū)動用ICllO的輸出側(cè)連接的輸出端子(省略圖示)。元件基板10側(cè)的數(shù)據(jù)線13、電源線14經(jīng)由連接用端子101以及FPC105與驅(qū)動用ICllO電連接。與掃描線驅(qū)動電路16、檢查電路17連接的布線經(jīng)由連接用端子101和FPC105與驅(qū)動用ICllO電連接。作為共用陰極的對置電極33也經(jīng)由布線層29以及連接用端子101、和FPC105與驅(qū)動用ICllO電連接。因此，對排列于端子部Ilt的多個連接用端子101的任意一個供給來自驅(qū)動用ICllO的控制信號、驅(qū)動用電位(VDD)等。對于在將元件基板10側(cè)的多個連接用端子101與FPC105側(cè)的輸出端子電連接的方法，能夠使用已知的方法，例如能夠列舉使用熱塑性的各向異性導電膜的方法、使用熱固化型的各向異性粘合劑的方法。[0100]接下來，參照圖3對子像素18的構(gòu)成及其平面配置進行說明。本實施方式中的有機EL裝置100組合獲得白色發(fā)光的有機EL元件30、和包含紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的著色層的彩色濾光片36而構(gòu)成。
[0101]如圖3所示，獲得紅色(R)的發(fā)光的子像素18R、獲得綠色(G)的發(fā)光的子像素18G、獲得藍色(B)的發(fā)光的子像素18B在X方向上依次排列。獲得同種顏色的發(fā)光的子像素18在Y方向上排列。構(gòu)成為將排列在X方向的三個子像素18R、18G、18B作為一個像素19表示。
[0102]在本實施方式中，X方向上的子像素18R、18G、18B的配置間距不足5μπι。在X方向上隔著0.5μπι?Ι.Ομπι的間隔配置有像素18R、18G、18B。Y方向上的子像素18R、18G、18B的配置間距大致不足10 μ mo
[0103]子像素18中的像素電極31為大致矩形狀，且長邊方向沿Y方向并行而配置。也將像素電極31與發(fā)光顏色對應(yīng)地稱為像素電極31R、31G、31B。覆蓋各像素電極31R、31G、31B的外緣而形成有絕緣性的隔壁28。據(jù)此，各像素電極31R、31G、31B上形成有開口部28a，在設(shè)于隔壁28的開口部28a內(nèi)各像素電極31R、31G、31B分別與功能層32接觸。開口部28a的平面形狀也呈大致矩形狀。此外，所謂的大致矩形狀包括長方形、長方形的角部被倒角的形狀、長方形的短邊側(cè)成為圓弧的形狀等。
[0104]彩色濾光片36的紅色(R)的著色層36R以與在Y方向上排列的多個像素電極31R重疊的方式而形成。綠色(G)的著色層36G以與在Y方向上排列的多個像素電極31G重疊的方式而形成。藍色(B)的著色層36B以與在Y方向上排列的多個像素電極31B重疊的方式而形成。換句話說，不同顏色的著色層36R、36G、36B在Y方向上延伸且形成為條紋狀，并且在X方向上相互接觸而形成。
[0105]接下來，參照圖4以及圖5對有機EL裝置100的結(jié)構(gòu)進行說明。圖4是表示沿著圖3的A — A’線的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，圖5是表示沿著圖2的H — H’線的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖4表示顯示區(qū)域El中的子像素18的結(jié)構(gòu)，圖5表示端子部Ilt的結(jié)構(gòu)。
[0106]如圖4所示,有機EL裝置100具備元件基板10,該元件基板10包括基材11、在基材11上依次形成的像素電路20、有機EL元件30、密封多個有機EL元件30的密封層34、以及彩色濾光片36。另外，具備與元件基板10對置地配置的對置基板41。
[0107]對置基板41例如由玻璃等透明基板構(gòu)成，為了保護在元件基板10中形成在密封層34上的彩色濾光片36經(jīng)由透明樹脂層42與元件基板10對置地配置。
[0108]來自子像素18R、18G、18B的功能層32的發(fā)光被后述的反射層25反射，并透過彩色濾光片36從對置基板41側(cè)被取出。即，有機EL裝置100是頂部發(fā)光型發(fā)光裝置。
[0109]由于有機EL裝置100為頂部發(fā)光型，所以基材11能夠使用玻璃等透明基板、硅或者陶瓷等不透明的基板。以下，以像素電路20使用了薄膜晶體管的情況為例進行說明。
[0110]覆蓋基材11的表面而形成有第I絕緣膜11a。像素電路20中的例如驅(qū)動用晶體管23的半導體層23a形成在第I絕緣膜Ila上。覆蓋半導體層23a而形成有作為柵極絕緣膜發(fā)揮作用的第2絕緣膜lib。在經(jīng)由第2絕緣膜Ilb與半導體層23a的溝道區(qū)域?qū)χ玫奈恢蒙闲纬捎袞烹姌O23g。以300nm?2 μ m的膜厚覆蓋柵電極23g而形成有第I層間絕緣膜24。對第I層間絕緣膜24實施平整化處理以除去因覆蓋像素電路20的驅(qū)動用晶體管23等而產(chǎn)生的表面凹凸。分別與半導體層23a的源極區(qū)域23s和漏極區(qū)域23d對應(yīng)地形成貫通第2絕緣膜Ilb與第I層間絕緣膜24的接觸孔。以填充這些接觸孔的方式形成導電膜，并進行圖案化來形成與驅(qū)動用晶體管23連接的電極、布線。另外，上述導電膜使用光反射性的例如鋁、或者鋁和Ag (銀)、Cu (銅)的合金等形成，通過將其圖案化，形成有按每一子像素18獨立的反射層25。在圖4中省略了圖示，但像素電路20中的開關(guān)用晶體管21、儲能電容22也形成在基材11上。
[0111]以IOnm?2 μ m的膜厚覆蓋反射層25與第I層間絕緣膜24而形成有第2層間絕緣膜26。另外，此后貫通第2層間絕緣膜26地形成有用于使像素電極31和驅(qū)動用晶體管23電連接的接觸孔。作為構(gòu)成第I絕緣膜11a、第2絕緣膜lib、第I層間絕緣膜24、以及第2層間絕緣膜26的材料，例如能夠使用硅的氧化物、氮化物，或者硅的氮氧化物。
[0112]以填充形成于第2層間絕緣膜26的接觸孔的方式，覆蓋第2層間絕緣膜26而使導電膜成膜，并對該導電膜進行圖案化從而形成像素電極31 (31R、31G、31B)。像素電極31(31R、31G、31B)使用ITO (Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)等透明導電膜而被形成。此外，在不按每一子像素18設(shè)置反射層25的情況下，也可以使用具有光反射性的鋁或其合金形成像素電極 31 (31R、31G、31B)。
[0113]覆蓋各像素電極31R、31G、31B的外緣部而形成有隔壁28。據(jù)此在像素電極31R、31G、31B上形成有開口部28a。隔壁28使用例如丙烯酸基的感光性樹脂，以Iym左右的高度并以分別劃分各像素電極31R、31G、31B的方式而形成。
[0114]此外，在本實施方式中，為了使各像素電極31R、31G、31B成為相互絕緣狀態(tài)而形成了由感光性樹脂構(gòu)成的隔壁28，但也可以使用氧化硅等無機絕緣材料來劃分各像素電極31R、31G、31B。
[0115]功能層32以與各像素電極31R、31G、31B接觸的方式使用真空蒸鍍法、離子電鍍法等氣相法而形成，隔壁28的表面也覆蓋有功能層32。此外，功能層32不需要覆蓋隔壁28的整個表面，在由隔壁28劃分的區(qū)域中形成功能層32即可，因此隔壁28的頭頂部不需要被功能層32覆蓋。
[0116]功能層32例如具有空穴注入層、空穴輸送層、有機發(fā)光層、以及電子輸送層。在本實施方式中，通過針對像素電極31分別使用氣相法使空穴注入層、空穴輸送層、有機發(fā)光層、以及電子輸送層而成膜，并依次層疊而形成功能層32。此外，功能層32的層構(gòu)成并不限定于此，也可以包括控制作為載流子的空穴或電子的移動的中間層。
[0117]有機發(fā)光層只要是能夠獲得白色發(fā)光的構(gòu)成即可，例如，能夠采用組合了能夠獲得紅色的發(fā)光的有機發(fā)光層、能夠獲得綠色的發(fā)光的有機發(fā)光層、以及能夠獲得藍色的發(fā)光的有機發(fā)光層的構(gòu)成。
[0118]覆蓋功能層32而形成作為共用陰極的對置電極33。對置電極33通過將例如Mg與Ag的合金以能夠獲得透光性與光反射性的程度的膜厚(例如IOnm?30nm)進行成膜來形成。由此，完成多個有機EL元件30。
[0119]也可以通過將對置電極33形成為具有透光性和光反射性的狀態(tài)，在每個子像素18R、18G、18B的反射層25與對置電極33之間構(gòu)成光諧振器。光諧振器通過按每一子像素18R、18G、18B來使反射層25與對置電極33之間的光學距離不同，從而取出特定的諧振波長的光。由此，能夠提高來自各子像素18R、18G、18B的發(fā)光的顏色純度。上述光學距離作為構(gòu)成光諧振器的夾在反射層25與對置電極33之間的各種功能膜的折射率與膜厚的積的總合被求出。因此，作為使上述光學距離按每一子像素18R、18G、18B而不同的方法，有使像素電極31R、31G、31B的膜厚不同的方法、使反射層25與像素電極31R、31G、31B之間的第2層間絕緣膜26的膜厚不同的方法。
[0120]接下來，以不被水、氧等浸入的方式形成有覆蓋多個有機EL元件30的密封層34。本實施方式的密封層34從對置電極33側(cè)依次層疊第I密封層34a、緩沖層34b、以及第2密封層34c。
[0121]作為第I密封層34a以及第2密封層34c，優(yōu)選使用具有透光性且具有優(yōu)良的氣體阻隔性的無機材料的例如氮氧化硅(SiON)等。
[0122]作為第I密封層34a以及第2密封層34c的形成方法，能夠列舉真空蒸鍍法、濺射法。通過使第I密封層34a、第2密封層34c的膜厚增厚，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的氣體阻隔性，但另一方面容易因膨脹、收縮產(chǎn)生裂縫。因此，優(yōu)選控制為200nm?400nm左右的膜厚，在本實施方式中通過將第I密封層34a與第2密封層34c隔著緩沖層34b重疊，實現(xiàn)了較高的氣體阻隔性。
[0123]緩沖層34b能夠使用熱穩(wěn)定性優(yōu)良的例如環(huán)氧類樹脂、涂覆型的無機材料(氧化硅等)來形成。另外，若通過絲網(wǎng)等印刷法、定量排出法等涂覆形成緩沖層34b，則能夠使緩沖層34b的表面平整化。換句話說，還能夠使緩沖層34b作為緩和第I密封層34a的表面的凹凸的平整化層發(fā)揮作用。緩沖層34b的厚度為I μ m?5 μ m。
[0124]密封層34上形成有與各色的子像素18R、18G、18B對應(yīng)的著色層36R、36G、36B。作為包括著色層36R、36G、36B的彩色濾光片36的形成方法，列舉了涂覆包含著色劑的感光性樹脂材料形成感光性樹脂層，并將其以光刻法進行曝光、顯影來形成的方法。著色層36R、36G、36B的膜厚可以為各個顏色均相同，也可以使至少一種顏色與其他顏色不同。
[0125]元件基板10與對置基板41隔開間隔而被對置配置，該間隔被填充透明樹脂材料而構(gòu)成透明樹脂層42。作為透明樹脂材料，例如能夠列舉氨基甲酸乙酯基、丙烯酸基、環(huán)氧類、聚烯烴基等樹脂材料。透明樹脂層42的厚度為10 μ m?100 μ m。
[0126]接下來，參照圖5對元件基板10的端子部Ilt與其周邊的結(jié)構(gòu)進行說明。如圖5所示，連接用端子101在元件基板10的端子部lit，與像素電極31相同地形成在第2層間絕緣膜26上。另外，經(jīng)由形成于第2層間絕緣膜26的接觸孔26a內(nèi)的導電膜，與形成在第I層間絕緣膜24上的布線層103連接。圖5省略了對基材11上的像素電路20、與像素電路20連接的信號布線、掃描線驅(qū)動電路16等外圍電路的構(gòu)成的圖示，但多個連接用端子101的每一個通過布線層103與這些電路、信號布線電連接。
[0127]布線層103優(yōu)選利用形成在第I層間絕緣膜24上的導電膜，與反射層25 —起被圖案化，但也可以由與反射層25不同的構(gòu)成材料形成。
[0128]另外，連接用端子101優(yōu)選利用形成在第2層間絕緣膜26上的導電膜，與像素電極31 —起被圖案化，但也可以由與像素電極31不同的構(gòu)成材料形成。
[0129]在元件基板10的端子部Ilt依次層疊形成有第I密封層34a、第2密封層34c、著色層36G、著色層36B、以及著色層36R，在連接用端子101上，形成有貫通這些層的開口部45。連接用端子101上的至少一部分不形成這些層，在開口部45內(nèi)連接用端子101暴露。
[0130]換句話說，密封層34中的由無機材料構(gòu)成的第I密封層34a以及第2密封層34c不僅以在顯示區(qū)域El (參照圖2)覆蓋多個有機EL元件30的方式而形成，還以覆蓋端子部Ilt的方式而形成。彩色濾光片36與子像素18R、18G、18B對應(yīng)地，按綠色(G)、藍色(B)、紅色(R)的順序形成有著色層36R、36G、36B，任意的著色層36R、36G、36B也以不僅覆蓋顯示區(qū)域El還覆蓋端子部Ilt的方式而形成。而且，以貫通第I密封層34a、第2密封層34c、著色層36G、著色層36B、以及著色層36R的方式形成有開口部45。換句話說，相當于本發(fā)明的有機層的一個例子是彩色濾光片36。
[0131]三個著色層36R、36G、36B形成為從端子部Ilt的元件基板10的周緣側(cè)的外緣到虛設(shè)區(qū)域E2 (參照圖2)與顯示區(qū)域El的邊界部分的隔壁28，與該隔壁28重疊的著色層36R、36G、36B經(jīng)由透明樹脂層42被對置基板41保護。
[0132]通過成為這樣的端子部Ilt和其周邊的結(jié)構(gòu)，連接用端子101能夠在開口部45內(nèi)暴露，并與FPC105電連接。另外，在元件基板10側(cè)，若僅將彩色濾光片36形成在顯示區(qū)域El的范圍內(nèi)，則在形成有彩色濾光片36的部分與未形成色濾光片36的部分，對構(gòu)成透明樹脂層42的透明樹脂材料的浸潤性變化。這樣的話，在將元件基板10與對置基板41經(jīng)由透明樹脂層42對置配置時產(chǎn)生透明樹脂材料的涂覆不均，存在產(chǎn)生透明樹脂材料從對置基板41過度地露出，在元件基板10與對置基板41之間產(chǎn)生空隙的問題的不良情況。在本實施方式中，彩色濾光片36從顯示區(qū)域El到端子部Ilt的外緣為止連續(xù)地形成。而且配置有彩色濾光片36的面積比彩色濾光片36與透明樹脂層42接觸的面積寬廣。換句話說彩色濾光片36的端部位于透明樹脂層42的端部與基材11的外緣之間，所以不容易產(chǎn)生上述的問題。
[0133]若透明樹脂材料不從對置基板41過度地露出，則不需要在端子部Ilt的設(shè)計上考慮考慮透明樹脂材料的露出的尺寸公差，因此能夠不改變顯示區(qū)域El的大小地提供或者制造更小型的有機EL裝置100。
[0134]有機EL裝置的制造方法
[0135]接下來，針對本實施方式的有機EL裝置的制造方法，參照圖6?圖9對本發(fā)明的特征部分即使連接用端子101暴露的開口部45的形成方法詳細地進行說明。圖6是表示有機EL裝置的制造方法的流程圖，圖7 (a)?(d)以及圖8 (e)?(f)是表示有機EL裝置的制造方法的示意剖視圖，圖9是表示端子部中的連接用端子與開口部的關(guān)系的示意俯視圖。此外，圖7以及圖8是與圖5對應(yīng)的剖視圖。
[0136]如圖6所示，本實施方式的有機EL裝置100的制造方法包括密封層形成工序(步驟SI)、彩色濾光片形成工序(步驟S2)、密封層蝕刻工序(步驟S3)、以及基板貼合工序(步驟 S4)。
[0137]此外，在基材11上形成像素電路20、外圍電路、信號布線、反射層25、有機EL元件30等的方法能夠采用已知的方法。
[0138]在圖6的密封層形成工序(步驟SI)中，如圖7 (a)所示，首先，形成覆蓋對置電極33和端子部Ilt的第I密封層34a。作為形成第I密封層34a的方法，例如列舉了對硅的氮氧化物(SiON)進行真空蒸鍍的方法。第I密封層34a的膜厚大致為200nm?400nm。接下來，形成覆蓋第I密封層34a的緩沖層34b。作為緩沖層34b的形成方法，例如，使用包含具有透明性的環(huán)氧樹脂、和環(huán)氧樹脂的溶劑的溶液，用印刷法、定量排出法涂覆該溶液并進行干燥，從而形成由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的緩沖層34b。緩沖層34b的膜厚優(yōu)選為Iym?5μπι，該情況下，設(shè)為3 μ m。
[0139]此外，緩沖層34b并不限定于使用環(huán)氧樹脂等有機材料來形成，如上述那樣，也可以通過印刷法涂覆涂覆型無機材料，并對其進行干燥、燒制，從而形成膜厚大致為3 μ m的氧化硅膜作為緩沖層34b。
[0140]接著，形成覆蓋緩沖層34b的第2密封層34c。第2密封層34c的形成方法與第I密封層34a相同，例如列舉了對硅的氮氧化物(SiON)進行真空蒸鍍的方法。第2密封層34c的膜厚也大致為200nm?400nm。然后，移向步驟S2。
[0141]在圖6的彩色濾光片形成工序(步驟S2)中，首先，如圖7 (b)所示，通過將包含綠色的著色劑的感光性樹脂以旋涂法涂覆并進行干燥來形成感光性樹脂層，并對感光性樹脂層進行曝光、顯影，從而形成綠色(G)的著色層36G。感光性樹脂層形成為覆蓋端子部lit，并在進行形成著色層36G的圖案化(曝光、顯影)的同時，以在端子部Ilt中的與連接用端子101重疊的部分形成開口的方式進行圖案化(曝光、顯影)。
[0142]接著，如圖7 (C)所示，形成藍色(B)的著色層36B。著色層36B與著色層36G同樣地形成，以在端子部Ilt中的與連接用端子101重疊的部分形成開口的方式進行圖案化(曝光、顯影)。另外在包括基材11的端子部Ilt和顯示區(qū)域El的一部分的剖面，以著色層36B的與端子部Ilt側(cè)相反側(cè)的端部(顯示區(qū)域El側(cè)的端部)與位于顯示區(qū)域El和虛設(shè)區(qū)域E2的邊界部分的隔壁28重疊的方式進行圖案化(曝光、顯影)。
[0143]而且，如圖7 (d)所示，形成紅色(R)的著色層36R。著色層36R與著色層36B相同地形成，以在端子部Ilt中的與連接用端子101重疊的部分具有開口、并且著色層36R的與端子部Ilt側(cè)相反側(cè)的端部(顯示區(qū)域El側(cè)的端部)與位于顯示區(qū)域El和虛設(shè)區(qū)域E2的邊界部分的隔壁28重疊的方式進行圖案化(曝光、顯影)。由此，在覆蓋連接用端子101的第I密封層34a以及第2密封層34c的部分形成有通過對著色層36R、36G、36B進行圖案化而得到的開口部45。
[0144]如圖9所示，開口部45以排列于端子部Ilt的多個連接用端子101包含在開口部45內(nèi)的方式被形成。然后，移向步驟S3。
[0145]在圖6的密封層蝕刻工序(步驟S3)中，如圖8 (e)所示，將具有開口部45的著色層36R、36G、36B (彩色濾光片36)作為掩模，對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻，使連接用端子101暴露。作為對由氮氧化硅(SiON)等無機膜構(gòu)成的第I密封層34a以及第2密封層34c在開口部45內(nèi)選擇性地進行蝕刻的方法，列舉出使用了CHF3 (三氟化甲烷)、CF4 (四氟化碳)等氟類處理氣體的干式蝕刻。在端子部Ilt中，三個著色層36R、36G、36B重疊，但在顯示區(qū)域El中，著色層36R、36G、36B分別為單層。因此，優(yōu)選以與顯示區(qū)域El重疊的方式配置作為保護部件的金屬掩模51并進行干式蝕刻。由此，通過干式蝕刻能夠防止顯示區(qū)域El的著色層36R、36G、36B損傷。
[0146]此外，在作為氟類處理氣體使用了 CHF3的情況下，與CF4相比，SiON膜與彩色濾光片36的干式蝕刻中的選擇比良好，所以能夠不需要金屬掩模51。另外，作為能夠確保無機膜與有機層(在本實施方式中為彩色濾光片36)的干式蝕刻中的選擇比的氟類處理氣體，也可以采用C4F8 (八氟環(huán)丁烷)、O2 (氧)、C0 (—氧化碳)、Ar (氬)的混合氣體。
[0147]作為對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻的方法，并不限定于干式蝕刻等各向異性蝕刻，也可以使用各向同性蝕刻即濕式蝕刻。作為蝕刻液，列舉了包含NH4F (氟化銨)、和HF (氟化氫)的水溶液。若使用這樣的水溶液，則能夠確保無機膜與有機層的蝕刻中的選擇比。然后，移向步驟S4。
[0148]在圖6的基板貼合工序(步驟S4)中，如圖8 (f)所示，以覆蓋彩色濾光片36的方式涂覆具有粘合性的透明樹脂材料。而且，針對涂覆了透明樹脂材料的基材11將對置基板41在規(guī)定位置處對置地配置，例如將對置基板41向基材11側(cè)按壓。由此，經(jīng)由由透明樹脂材料構(gòu)成的透明樹脂層42將元件基板10與對置基板41貼合。透明樹脂材料例如是熱固化型的環(huán)氧樹脂。透明樹脂層42的厚度大致為10 μ m?100 μ m。
[0149]然后，如圖2所示，將FPC105安裝在元件基板10的端子部lit，完成有機EL裝置100。
[0150]上述有機EL裝置100的制造方法以一個有機EL裝置100為單位進行了說明，但實際上，可以考慮同時形成多個有機EL裝置100中的有機EL面板(安裝FPC105之前的狀態(tài))。以下，對使用了母基板的例子進行說明。
[0151]圖10 (a)是表不表面安裝了多個兀件基板的母基板的不意俯視圖，圖10 (b)是表不被表面安裝的狀態(tài)下的兀件基板的不意放大俯視圖，圖11 (a)以及(b)是表不母基板的劃線后的端子部的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0152]本實施方式的有機EL裝置100為頂部發(fā)光型，所以如上述那樣，元件基板10的基材11能夠使用透明的石英基板、不透明的例如硅基板。如圖10 (a)所示，母基板IlW是晶圓狀的例如石英基板，具有外周的一部分被切去的定向平面，以定向平面作為基準，在X方向與Y方向表面安裝了多個基材11的狀態(tài)下形成多個元件基板10。對完成了多個有機EL元件30、密封層34、彩色濾光片36的狀態(tài)下的元件基板10的每一個，在上述基板貼合工序(步驟S4)中，涂覆透明樹脂材料并貼合對置基板41。其后，沿著元件基板10間的假想的刻痕線SL，切斷母基板11W，從而取出各有機EL面板。作為切斷方法，能夠列舉使用了硬質(zhì)合金刀片、金剛石片的切口劃線法、使用了金剛石刀片的切割法。
[0153]若將密封層34中的第I密封層34a以及第2密封層34c、和彩色濾光片36形成為遍及母基板Iiw的整個面，則在母基板IlW的切斷后，存在沿著刻痕線SL的部分的第I密封層34a、第2密封層34c、彩色濾光片36 (著色層36R、36G、36B)產(chǎn)生裂縫、剝離的問題。這樣一來，存在水分、氧從產(chǎn)生了裂縫、剝離的部分浸入功能層32，產(chǎn)生暗斑的可能性。
[0154]于是，在上述彩色濾光片形成工序(步驟S2)中，如圖10 (b)所示，在與多個連接用端子101重疊的部分的彩色濾光片36 (著色層36R、36G、36B)形成開口部45的同時，除去沿著刻痕線SL的部分而形成狹縫部46。在上述密封層蝕刻工序(步驟S3)中，對開口部45內(nèi)和狹縫部46內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻而除去。根據(jù)這樣的方法，即使對母基板IlW進行劃線(切斷、分割)，如圖11 (a)所示，彩色濾光片36 (著色層36R、36G、36B)以不到達元件基板10 (基材11)的外緣也就是截面的方式進行圖案化，所以能夠減少在第I密封層34a以及第2密封層34c、以及彩色濾光片36(著色層36R、36G、36B)上產(chǎn)生裂縫、剝離的情況。
[0155]另外，并不限定于上述那樣的彩色濾光片36的圖案化方法，例如也可以以使狹縫部46與開口部45合為一體，開口部45包含于狹縫部46的方式對彩色濾光片36進行圖案化，并對第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻。這樣做的話，如圖11 (b)所示，能夠使端子部Ilt中的第I密封層34a以及第2密封層34c以及彩色濾光片36的端部(相當于開口部45 (狹縫部46)的內(nèi)壁)遠離基材11的截面。換句話說，作為有機層的彩色濾光片36只要能夠使連接用端子101暴露即可，可以不以包圍連接用端子101的方式進行圖案化。
[0156]此外，使用了母基板的有機EL面板的制造方法并不限定于元件基板10側(cè)。S卩，也能夠應(yīng)用于使表面安裝了元件基板10的母基板IlW與表面安裝了對置基板41的母基板貼合并進行切斷的方法。
[0157]根據(jù)上述第I實施方式，獲得以下的效果。
[0158](I)根據(jù)有機EL裝置100及其制造方法，作為密封層34上的本發(fā)明中的有機層彩色濾光片36，以覆蓋端子部Ilt的方式形成，并且在在與多個連接用端子101重疊的部分形成貫通著色層36R、36G、36B的開口部45。以彩色濾光片36作為掩模進行干式蝕刻，除去開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c，在開口部45內(nèi)多個連接用端子101暴露。因此，不需要僅為了使多個連接用端子101暴露的目的而形成專用的抗蝕劑圖案并在干式蝕刻后除去該抗蝕劑圖案等特別的工序。換句話說，能夠提供具有較高的生產(chǎn)率的有機EL裝置100及其制造方法。
[0159]另外，能夠?qū)εc多個連接用端子101重疊的部分的第I密封層34a以及第2密封層34c進行干式蝕刻，并在開口部45內(nèi)使多個連接用端子101可靠地暴露，所以在多個連接用端子101與FPC105的電連接中能夠?qū)崿F(xiàn)較高的可靠性。
[0160](2)在密封層蝕刻工序(步驟S3)中，干式蝕刻時使用作為覆蓋顯示區(qū)域El的保護部件的金屬掩模51，所以能夠防止顯示區(qū)域El的彩色濾光片36因干式蝕刻而損傷。
[0161](3)在使用母基板IlW形成構(gòu)成有機EL裝置100的有機EL面板時，在彩色濾光片形成工序(步驟S2)中，不僅形成與多個連接用端子101重疊的開口部45，還形成沿著刻痕線SL的狹縫部46。因此，切斷母基板IlW之前，沿著刻痕線SL的部分的第I密封層34a以及第2密封層34c被除去，所以在母基板IlW的切斷中，能夠減少元件基板10的外緣側(cè)的第I密封層34a以及第2密封層34c產(chǎn)生裂縫、剝離。
[0162]第2實施方式
[0163]有機EL裝置的制造方法
[0164]接下來，參照圖12對第2實施方式的有機EL裝置100的制造方法進行說明。圖12 (a)以及(b)是表示第2實施方式的有機EL裝置的制造方法的示意剖視圖。第2實施方式的有機EL裝置100的制造方法基本具有與上述第I實施方式的有機EL裝置100的制造方法相同的工序，其特征在于在基板貼合工序后，進行密封層蝕刻工序。因此，圖12 (a)以及(b)表示與圖5相當?shù)钠室晥D。
[0165]具體而言，如圖12 (a)所示，在形成了具有開口部45的彩色濾光片36的元件基板10上經(jīng)由透明樹脂層42貼合對置基板41。而且，如圖12 (b)所示，將彩色濾光片36作為掩模對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻，來使多個連接用端子101暴露。蝕刻方法可以是干式蝕刻也可以是濕式蝕刻。
[0166]根據(jù)第2實施方式的有機EL裝置100的制造方法，在密封層蝕刻工序中，不需要作為保護部件的金屬掩模51。另外，即使進行干式蝕刻、濕式蝕刻，與沒有對置基板41的情況相比，也能夠更可靠地保護多個有機EL元件30以及彩色濾光片36。
[0167]第3實施方式[0168]有機EL裝置及其制造方法
[0169]接下來，參照圖13?圖15對第3實施方式的有機EL裝置及其制造方法進行說明。圖13是表示第3實施方式中的有機EL裝置的像素的構(gòu)成的示意俯視圖，圖14是表示在圖13的A — A’線切開的第3實施方式的有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，圖15是表示第3實施方式的有機EL裝置的端子部周邊的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。此外，圖15是相當于第I實施方式中的圖5的示意剖視圖。
[0170]第3實施方式的有機EL裝置是針對第I實施方式的有機EL裝置100，使在密封層34上形成的有機層的構(gòu)成不同的裝置。因此，對于與第I實施方式相同的構(gòu)成賦予相同的附圖標記并省略詳細的說明。
[0171]如圖13所示，在本實施方式的有機EL裝置200中，子像素18R、18G、18B的配置為:獲得不同顏色的發(fā)光的子像素18R、18G、18B在X方向上依次排列，獲得同種顏色的發(fā)光的子像素18在Y方向上排列。將在X方向上排列的三個子像素18R、18G、18B作為一個像素19表示。
[0172]構(gòu)成彩色濾光片36的紅色(R)的著色層36R與在Y方向上排列的像素電極31R重疊形成條紋狀。綠色(G)的著色層36G與在Y方向上排列的像素電極31G重疊形成為條紋狀。藍色(B)的著色層36B與在Y方向上排列的像素電極31B重疊形成為條紋狀。在X方向著色層36R、36G、36B相互接觸而形成。此外，本實施方式中的彩色濾光片36包括在不同顏色的著色層間沿Y方向延伸且劃分不同顏色的著色層的條紋狀的絕緣層35。
[0173]詳細來說，如圖14所示，在覆蓋多個有機EL元件30的密封層34上，條紋狀地形成有絕緣層35。絕緣層35的剖面形狀為與密封層34接觸的底面比頭頂部大的梯形形狀。絕緣層35由不包含著色劑的感光性樹脂材料構(gòu)成。換句話說，絕緣層35的形成方法是使用旋涂法等將不包含著色劑的感光性樹脂材料涂覆到基材11的整個面來形成感光性樹脂層，并對該感光性樹脂層進行曝光、顯影從而形成絕緣層35。
[0174]在彩色濾光片形成工序中，以覆蓋絕緣層35的方式使用旋涂法等將包含著色劑的感光性樹脂材料涂覆到基材11的整個面而形成感光性樹脂層，并對該感光性樹脂層進行曝光、顯影，從而在絕緣層35間形成各著色層36R、36G、36B。因此，密封層34上的絕緣層35的高度比各著色層36R、36G、36B的膜厚小(低)。
[0175]以旋涂法涂覆包含著色劑的感光性樹脂材料形成各著色層36R、36G、36B時，在沒有絕緣層35的情況下，感光性樹脂材料難以停留于涂覆面，感光性樹脂材料的使用效率低。因此，難以以規(guī)定的膜厚形成著色層36R、36G、36B。與此相對，通過設(shè)置條紋狀的絕緣層35，以埋入絕緣層35間的方式形成著色層36R、36G、36B，所以容易將著色層36R、36G、36B的膜厚厚膜化。換句話說，能夠改善旋涂法中的感光性樹脂材料的使用效率。
[0176]絕緣層35的剖面形狀并不限定于梯形，但優(yōu)選與密封層34接觸的底面的X方向的長度為與像素電極31間的尺寸相同程度的0.5μπι?Ιμπι。另外，若考慮上述的感光性樹脂材料的使用效率，則優(yōu)選密封層34上的絕緣層35的高度比著色層36R、36G、36B的膜厚小，并在該膜厚的I / 2以上。在本實施方式中，將著色層36R、36G、36B的膜厚形成在
1.5μπι?2.0ym的范圍，所以將絕緣層35的高度大致設(shè)為Ιμπι。
[0177]這樣，若在不同顏色的子像素18的著色層間形成絕緣層35，則來自不同顏色的子像素18的有機EL元件30的發(fā)光透過與本來應(yīng)該透過的著色層不同顏色的著色層的比例減少，所以能夠減少視角特性上的紅色光與綠色光、綠色光與藍色光、藍色光與紅色光的混色、以及色彩平衡的變化。
[0178]另外，如圖15所示，絕緣層35以在顯示區(qū)域El的外側(cè)的區(qū)域覆蓋端子部Ilt的方式而形成。換句話說，絕緣層35形成為在顯示區(qū)域El在子像素18間沿Y方向延伸的條紋狀，但在顯示區(qū)域El的外側(cè)以覆蓋包括端子部Ilt的非顯示區(qū)域的整體的方式而形成。而且，在不包含著色劑的感光性樹脂層的曝光、顯影中，以在與連接用端子101重疊的部分具有開口部45的方式進行圖案化。
[0179]在密封層蝕刻工序中，將絕緣層35作為掩模，對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻，使連接用端子101暴露。即，在本實施方式中，遍及顯示區(qū)域El的外側(cè)的非顯示區(qū)域地延伸配置、且在顯示區(qū)域El形成為條紋狀的絕緣層35相當于本發(fā)明的有機層。
[0180]根據(jù)第3實施方式的有機EL裝置200及其制造方法，與第I實施方式相比，能夠提供或者制造減少了視角特性上混色、色彩平衡變化的有機EL裝置200。此外，與形成貫通三種顏色的著色層36R、36G、36B的開口部45的第I實施方式相比，在透明的絕緣層35的形成工序中形成開口部45，所以不容易受感光性樹脂層的曝光、顯影中的對準的偏差的影響。即，能夠形成位置精度良好的開口部45。
[0181]此外，在本實施方式中當然也可以以絕緣層35不接觸元件基板10 (基材11)的截面的方式進行圖案化、以狹縫部46與開口部45成為一體的方式對絕緣層35進行圖案化。
[0182]第4實施方式
[0183]有機EL裝置及其制造方法
[0184]接下來，參照圖16以及圖17對第4實施方式的有機EL裝置及其制造方法進行說明。圖16是表示第4實施方式的有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，圖17是表示第4實施方式的有機EL裝置的端子部周邊的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖16是相當于第I實施方式的圖4的示意剖視圖，圖17是相當于第I實施方式的圖5的示意剖視圖。第4實施方式的有機EL裝置是使第I實施方式的有機EL裝置100的元件基板10的構(gòu)成不同的裝置。因此，對與第I實施方式相同的構(gòu)成賦予相同的附圖標記并省略詳細的說明。
[0185]如圖16所示，本實施方式的有機EL裝置300具有元件基板10、和經(jīng)由透明樹脂層42與元件基板10對置配置的對置基板41。元件基板10構(gòu)成為包括在基材11上依次形成的像素電路20、有機EL元件30、密封層34、彩色濾光片36以及外敷層37。
[0186]外敷層37以緩和形成在密封層34上的著色層36R、36G、36B的表面的凹凸，并且保護彩色濾光片36為目的而形成。以下，將外敷層37標記為OC層37。OC層37例如使用丙烯酸基、聚酰亞胺基的感光性樹脂材料，以覆蓋彩色濾光片36的方式而形成。OC層37的厚度大致為0.5 μ m?I μ m。
[0187]如圖17所示，OC層37以覆蓋端子部Ilt的方式而形成。換句話說，OC層37以覆蓋顯示區(qū)域El以及虛設(shè)區(qū)域E2、和包括端子部Ilt的非顯示區(qū)域的方式形成。而且，在由上述感光性樹脂材料構(gòu)成的感光性樹脂層的曝光、顯影中，以在與連接用端子101重疊的部分被圖案化具有開口部45。
[0188]在密封層蝕刻工序中，將OC層37作為掩模，對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c進行蝕刻，使連接用端子101暴露。即，在本實施方式中，OC層37相當于本發(fā)明的有機層。
[0189]根據(jù)第4實施方式的有機EL裝置300及其制造方法，與形成貫通三種顏色的著色層36R、36G、36B的開口部45的第I實施方式相比，在透明的OC層37的形成工序中形成開口部45，所以不容易受感光性樹脂層的曝光、顯影中的對準的偏差的影響。即，能夠高位置精度地形成開口部45。此外，即使在形成了 OC層37后實施密封層蝕刻工序，彩色濾光片36也被OC層37覆蓋，所以不必使用作為保護部件的金屬掩模51，能夠通過干式蝕刻防止彩色濾光片36的損傷。
[0190]第5實施方式
[0191]電子設(shè)備
[0192]接下來，參照圖18對本實施方式的電子設(shè)備進行說明。圖18是表示作為電子設(shè)備的頭戴式顯示器的示意圖。
[0193]如圖18所示，作為本實施方式的電子設(shè)備的頭戴式顯示器(HMD)IOOO具有與左右眼對應(yīng)設(shè)置的兩個顯示部1001。觀察者M將頭戴式顯示器1000像眼鏡那樣佩戴于頭部，從而能夠看見顯示于顯示部1001的文字、圖像等。例如，若在左右的顯示部1001顯示考慮了視差的圖像，則也能夠欣賞立體的影像。
[0194]顯示部1001安裝有上述第I實施方式的有機EL裝置100 (或者上述第3實施方式的有機EL裝置200，或者上述第4實施方式的有機EL裝置300)。因此，具有優(yōu)越的顯示質(zhì)量，并具有較高的生產(chǎn)性所以能夠提供性價比優(yōu)異且小型、輕型的頭戴式顯示器1000。
[0195]頭戴式顯示器1000并不限定于具有兩個顯示部1001，也可以構(gòu)成為具備與左右的任意一個對應(yīng)的一個顯示部1001。
[0196]此外，安裝有上述有機EL裝置100或者上述有機EL裝置200或者上述有機EL裝置300的電子設(shè)備并不限定于頭戴式顯示器1000。例如，能夠列舉個人計算機、便攜式信息終端、導航儀、觀測儀器、平視顯示器等具有顯示部的電子設(shè)備。
[0197]本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，能夠在不違背從權(quán)利要求書以及說明書全體理解的發(fā)明的要旨或者思想的范圍適當?shù)刈兏?，那樣的變更所伴隨的有機EL裝置以及該有機EL裝置的制造方法以及應(yīng)用該有機EL裝置的電子設(shè)備也包含于本發(fā)明的技術(shù)的范圍。上述實施方式以外也能夠考慮各種變形例。以下，列舉變形例進行說明。
[0198]變形例I
[0199]元件基板10的端子部Ilt中的連接用端子101的構(gòu)成并不限定于此。例如，連接用端子101并不限定于與像素電極31相同地形成在第2層間絕緣膜26上，也可以將第I層間絕緣膜24上的布線層103作為連接用端子。因此，在密封層蝕刻工序中，可以分別將作為有機層形成的彩色濾光片36、絕緣層35、OC層37作為掩模，對開口部45內(nèi)的第I密封層34a以及第2密封層34c以及第2層間絕緣膜26進行蝕刻，使作為連接用端子的布線層103暴露。
[0200]另外，例如，使連接用端子101與下層的布線層103電連接的接觸孔26a的配置并不限定于形成在連接用端子101的正下方，也可以形成于不與開口部45重疊的位置。
[0201]變形例2
[0202]在上述各實施方式中，開口部45并不限定于以使多個連接用端子101暴露的方式形成。圖19是表示變形例的開口部與連接用端子的配置的示意俯視圖。例如，如圖19所示，也可以以使連接用端子101—個個地暴露的方式形成開口部45。這樣做的話，在例如使用各向異性導電膜使FPC105與多個連接用端子101電連接時，能夠提高連接用端子101間的絕緣性。
[0203]另外，即使不以使多個連接用端子101的全部暴露的方式形成開口部45，也可以以多個連接用端子101中的以多根為單位并使其暴露的方式形成多個開口部45。
[0204]并且，若能夠?qū)崿F(xiàn)與FPC105的電連接，則以連接用端子101的至少一部分暴露的方式形成開口部45即可。
[0205]變形例3
[0206]在上述第I實施方式中，開口部45并不限定于以貫通層疊的三種顏色的著色層36R、36G、36B的方式而形成。例如，在端子部Ilt形成的彩色濾光片36也可以是僅層疊了一種顏色的著色層，或者兩種顏色的著色層的狀態(tài)?？紤]干式蝕刻所使用的氟類處理氣體中的無機膜與有機層也就是著色層的選擇比，決定著色層的層疊數(shù)即可。在僅三種顏色的著色層36R、36G、36B層疊數(shù)不足的情況下，也可以組合絕緣層35、OC層37。
[0207]變形例4
[0208]在開口部45內(nèi)暴露的連接用端子101并不限定于實現(xiàn)與FPC105的電連接。例如，對于為了經(jīng)由設(shè)置于元件基板10的檢查電路17來檢查各像素電路20的驅(qū)動狀態(tài)、電氣特性而設(shè)置的檢查用的連接用端子也能夠應(yīng)用本發(fā)明。
[0209]另外，例如，在FPC105的輸出端子與元件基板10的連接用端子101的定位所使用的對準標記設(shè)置于元件基板10的端子部Ilt的情況下，若對準標記被不透明的無機膜、有機層(著色層)覆蓋，則在使用了 CCD (電荷耦合元件)等拍攝元件的圖像識別的定位方法中，對準標記難以識別。于是，也可以將用于使對準標記暴露的開口部形成為有機層(著色層)。換句話說，優(yōu)選以有機層不覆蓋對準標記的方式進行圖案化。
[0210]變形例5
[0211]覆蓋端子部Ilt的密封層的構(gòu)成并不限定于第I密封層34a與第2密封層34c。也可以構(gòu)成為通過包含緩沖層34b的密封層34來覆蓋端子部lit。因此，密封層蝕刻工序?qū)﹂_口部45內(nèi)的第I密封層34a、緩沖層34b、第2密封層34c進行蝕刻而除去。考慮到與對第I密封層34a與第2密封層34c進行蝕刻的情況相比，蝕刻時間延遲，但能夠在蝕刻時充分確保選擇比，例如選擇作為掩模的有機層(彩色濾光片36的著色層、絕緣層35、OC層37)、選擇蝕刻所使用的氟類處理氣體、氟類水溶液的種類即可。
[0212]變形例6
[0213]在上述第3實施方式的有機EL裝置200中，形成在不同顏色的著色層間的絕緣層35并不限定于在顯示區(qū)域El沿Y方向延伸并形成為條紋狀。圖20是表示變形例的絕緣層的示意圖，該圖(a)是示意俯視圖，該圖(b)是沿著該圖(a)的A — A’線的示意剖視圖，該圖(C)是沿著該圖(a)的C 一 C’線的示意剖視圖。例如，如圖20 (a)以及(b)所示，絕緣層35也可以形成為沿著子像素18的像素電極31的長邊與短邊，以包圍開口部28a的方式在X方向與Y方向上延伸。即，也可以以在顯示區(qū)域El劃分各子像素18R、18G、18B的方式形成為格子狀。如圖20 (c)所示，覆蓋設(shè)置于同種顏色的子像素18B間的絕緣層35而形成著色層36B。該絕緣層35的頭頂部35a也被著色層36B覆蓋。在其他著色層36R、36G中也同樣。[0214]著色層36R、36G、36B分別是將包含著色劑的感光性樹脂材料以旋涂法進行涂覆而形成的，所以通過如本變形例那樣設(shè)置格子狀的絕緣層35，形成填充絕緣層35間的著色層36R、36G、36B，所以容易將著色層36R、36G、36B的膜厚厚膜化。換句話說，能夠進一步改善旋涂法中的感光性樹脂材料的使用效率。
[0215]變形例7
[0216]在上述實施方式的有機EL裝置100、200、300中，設(shè)置于顯示區(qū)域El的發(fā)光像素并不限定于與紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的發(fā)光對應(yīng)的子像素18R、18G、18B。例如，也可以具備獲得上述三種顏色以外的黃色(Y)的發(fā)光的子像素18Y。由此，能夠進一步提高顏色再現(xiàn)性。
[0217]附圖標記說明
[0218]10…元件基板，11...作為基板的基材，Ilt…端子部，18、18R、18G、18B...子像素，19…像素，30…有機EL元件，34…密封層，35…作為有機層的絕緣層，36...彩色濾光片，36R、36G、36B…著色層，37…外敷(OC)層，41…對置基板，42...透明樹脂層，45…開口部，51…作為保護部件的金屬掩模，100、200、300…有機EL裝置，101…連接用端子，1000…作為電子設(shè)備 的頭戴式顯示器(HMD)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機EL裝置的制造方法，其特征在于，所述有機EL裝置的制造方法是具備配置在基板上的多個有機EL元件和連接用端子的有機EL裝置的制造方法，該有機EL裝置的制造方法具備: 覆蓋所述多個有機EL元件以及所述連接用端子而形成密封層的工序； 形成覆蓋所述密封層的有機層的工序； 以在所述有機層中的與所述連接用端子重疊的部分形成到達所述密封層的開口部的方式對所述有機層進行圖案化的工序；以及 將圖案化形成的所述有機層作為掩模，并以所述連接用端子的至少一部分暴露的方式對所述密封層進行蝕刻的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層被形成為至少一種顏色的所述著色層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層作為按顏色劃分所述著色層的絕緣層而形成在所述密封層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 具有:包括所述多個有`機EL元件中的一個，至少與紅色、綠色、藍色的每一種顏色對應(yīng)地設(shè)置的子像素； 包括不同顏色的所述子像素的像素；以及 所述密封層上至少包含紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層作為按顏色并且按所述子像素劃分所述著色層的絕緣層形成在所述密封層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 在對所述密封層進行蝕刻的工序中，在使保護部件相對于所述彩色濾光片對置地配置的狀態(tài)下，對所述密封層進行各向異性蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 具有經(jīng)由透明樹脂層對所述彩色濾光片配置對置基板的工序， 在對所述密封層進行蝕刻的工序中，經(jīng)由所述對置基板對所述密封層進行蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封層上具有至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層是覆蓋所述彩色濾光片的外敷層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于， 在對所述有機層進行圖案化的工序中，以遍及多個所述連接用端子進行開口的方式形成所述開口部。
9.一種有機EL裝置，其特征在于，具備: 配置在基板上的多個有機EL元件； 連接用端子； 覆蓋所述多個有機EL元件以及多個所述連接用端子的密封層； 覆蓋所述密封層的有機層；以及貫通所述有機層以及所述密封層，并使所述連接用端子的至少一部分暴露的開口部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機EL裝置，其特征在于， 在所述密封層上，具備與所述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層是所述彩色濾光片中至少一種顏色的所述著色層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機EL裝置，其特征在于， 在所述密封層上，具備與所述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層是按顏色劃分所述著色層的絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機EL裝置，其特征在于， 在所述密封層上，具備與所述多個有機EL元件對應(yīng)地配置的、至少包括紅色、綠色、藍色的著色層的彩色濾光片， 所述有機層是覆蓋所述彩色濾光片的外敷層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9~12中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述開口部按多個所述連接用端子而被設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求9~12中任意一項所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述開口部以多個所述連接用端子暴露在所述開口部內(nèi)的方式被設(shè)置。`
15.—種電子設(shè)備,其特征在于， 該電子設(shè)備具備使用權(quán)利要求1~8中任意一項所述的有機EL裝置的制造方法而形成的有機EL裝置。
16.—種電子設(shè)備,其特征在于， 該電子設(shè)備具備權(quán)利要求9~14中任意一項所述的有機EL裝置。
【文檔編號】H01L51/56GK103794739SQ201310511555
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】中村久壽, 巖田信一, 渥美誠志, 花村雄基, 赤川卓 申請人:精工愛普生株式會社