一種提高陶瓷電容器q值的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及陶瓷電容器領(lǐng)域，提供一種提高陶瓷電容器Q值的方法，包括：（1）在陶瓷粉體中添加重量比為1%～5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉；（2）將上述陶瓷粉體和玻璃粉進(jìn)行混合后流延成膜片；（3）將上述膜片進(jìn)行疊層，并在每一層膜片之間印刷雙層內(nèi)電極；（4）將上述印刷有內(nèi)電極的膜片進(jìn)行切割得到生坯芯片，然后排膠和燒結(jié)，得到電容器瓷體；（5）將上述電容器瓷體進(jìn)行倒角，使內(nèi)電極暴露出來；（6）再進(jìn)行封端、燒端，以及電鍍端電極得到陶瓷電容器；通過在陶瓷粉體為MgO-ZnO-TiO2體系中添加質(zhì)量比為1%～5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉，使陶瓷粉體在低溫?zé)Y(jié)時的收縮與內(nèi)電極的收縮相接近，提高了陶瓷電容器的Q值；同時印刷雙層內(nèi)電極，減少單一電極電流通過率，增加了RF-HQ-MLCC的功率。
【專利說明】—種提高陶瓷電容器Q值的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電容器領(lǐng)域，尤其是涉及一種提高陶瓷電容器Q值的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著第三代移動通信系統(tǒng)(3G)、無線局域網(wǎng)、新一代交換機(jī)、全球衛(wèi)星系統(tǒng)等行業(yè)的快速發(fā)展，市場對在射頻、微波頻段下高可靠性、高Q值、性能指標(biāo)穩(wěn)定、使用頻率范圍寬、在射頻微波頻率下能通過較大的射頻電流的射頻高Q多層陶瓷電容器(以下簡稱RF-HQ-MLCC)的需求量正逐步上升。
[0003]射頻高Q多層瓷介電容器是在傳統(tǒng)的多層瓷介電容器(MLCC)工藝上發(fā)展起來，由于傳統(tǒng)的MLCC在高頻下的Q值較低，高頻信號的有效傳輸能力不足，甚至?xí)a(chǎn)生較大的熱量而導(dǎo)致產(chǎn)品失效，這限制了其在高頻下的使用范圍。因而，尋找制作高Q值多層瓷介電容器的方法是非常必要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種提高陶瓷電容器Q值的方法，克服現(xiàn)有技術(shù)中的陶瓷電容器Q值低，高頻信號的傳輸能力不足，且陶瓷電容器產(chǎn)生較大熱量導(dǎo)致產(chǎn)品失效的缺陷。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種提高陶瓷電容器Q值的方法，其包括以下步驟:
[0006](I)陶瓷粉體采用MgO-ZnO-TiO2,在其中添加重量比為1%?5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉；
[0007](2)將上述陶瓷粉體和玻璃粉進(jìn)行混合后流延成膜片；
[0008](3)將上述膜片進(jìn)行疊層，并在每一層膜片之間印刷雙層內(nèi)電極；
[0009](4)將上述印刷有內(nèi)電極的膜片進(jìn)行切割得到生坯芯片，然后排膠和燒結(jié)，得到電容器瓷體；
[0010](5)將上述電容器瓷體進(jìn)行倒角，使內(nèi)電極暴露出來；
[0011](6)再進(jìn)行封端、燒端，以及電鍍端電極得到陶瓷電容器。
[0012]上述方法中，所述的雙層內(nèi)電極的厚度為:1.5?3μπι。
[0013]上述的步驟(3)中，內(nèi)電極通過銀鈀電子漿料按質(zhì)量比為9:1的配比制得，該電子漿料中加入質(zhì)量比為0.3?0.5%的MgO-ZnO-TiO2陶瓷粉。
[0014]上述方法中，還包括將制得的陶瓷電容器通過螯合劑和表面活性在進(jìn)行清洗，并在瓷體表面形成保護(hù)膜的步驟。
[0015]上述方法中，所述的生坯芯片是在700?975°C溫度下燒結(jié)，并保溫2.5?4h，得到致密的共燒電容器瓷體。
[0016]上述方法中，所述的MgO-ZnO-TiO2其摩爾比為Mg: Zn: Ti=2:1: 3。
[0017]上述方法中，所述的排膠溫度為150?450°C，排膠時間為15?35h。[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于，通過在陶瓷粉體為MgO-ZnO-TiO2體系中添加質(zhì)量比為1%~5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉，使陶瓷粉體在低溫?zé)Y(jié)時的收縮與內(nèi)電極的收縮相接近，提高了陶瓷電容器的Q值；同時印刷雙層內(nèi)電極，減少單一電極電流通過率，增加了 RF-HQ-MLCC的功率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0020]圖1是本實施例陶瓷電容器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本實施例陶瓷電容器的制作工藝流程示意圖。
【具體實施方式】
[0022]現(xiàn)結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作詳細(xì)說明。
[0023]參見圖1所示，本發(fā)明實施例所述的陶瓷電容器包括若干內(nèi)電極1，每一內(nèi)電極之間的介質(zhì)層2，端電極3，該端電極上電鍍有鎳層4和錫層5。
[0024]本發(fā)明實施例提供一種提高陶瓷電容器Q值的方法，其包括:將質(zhì)量比為1%~5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉添加至預(yù)燒后的陶瓷粉中，該陶瓷粉MgO-ZnO-TiO2其摩爾比為Mg: Zn: Ti=2:1: 3，然后用有機(jī)溶劑將其球磨分散為懸濁液，添加粘合劑制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料進(jìn)行流延獲得所需厚度的膜片，所述的有機(jī)溶劑和粘合劑均為本領(lǐng)域常用的試劑。
[0025]本發(fā)明實施例所述的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉的配方組成可以是下表1中:
[0026]
【權(quán)利要求】
1.一種提高陶瓷電容器Q值的方法，其特征在于:包括以下步驟: Cl)陶瓷粉體采用MgO-ZnO-TiO2，在其中添加重量比為1%?5%的ZnO-B2O3-TiO2玻璃粉； (2)將上述陶瓷粉體和玻璃粉進(jìn)行混合后流延成膜片； (3)將上述膜片進(jìn)行疊層，并在每一層膜片之間印刷雙層內(nèi)電極； (4)將上述印刷有內(nèi)電極的膜片進(jìn)行切割得到生坯芯片，然后排膠和燒結(jié)，得到電容器瓷體； (5)將上述電容器瓷體進(jìn)行倒角，使內(nèi)電極暴露出來； (6)再進(jìn)行封端、燒端，以及電鍍端電極得到陶瓷電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的雙層內(nèi)電極的厚度為:1.5?3 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的步驟(3)中，內(nèi)電極通過銀鈀電子漿料按質(zhì)量比為9:1的配比制得，該電子漿料中加入質(zhì)量比為0.3?0.5%的(Mg，Zn) TiO3陶瓷粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1一 3任一所述的方法，其特征在于:還包括將制得的陶瓷電容器通過螯合劑和表面活性在進(jìn)行清洗，并在瓷體表面形成保護(hù)膜的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于:所述的生坯芯片是在700?975°C溫度下燒結(jié)，并保溫2.5?4h，得到致密的共燒電容器瓷體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述的MgO-ZnO-TiO2其摩爾比為Mg:Zn:Ti=2:1:3。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述的排膠溫度為150?450°C，排膠時間為15?35h。
【文檔編號】H01G4/30GK103578764SQ201310535708
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
【發(fā)明者】王敏, 吳浩, 鄺國威, 鄒宇飛, 曹金南, 梁傳勇, 何大強(qiáng), 彭高東, 王小燕 申請人:吳浩