用于制造顯示器件的方法
【專利摘要】根據(jù)一個實施例，公開了一種制造顯示器件的方法。所述方法可以包括在載體基板的金屬層上形成基底基板。所述方法可以包括在基底基板上形成顯示元件層。此外，所述方法可以包括通過從載體基板中與金屬層相反的一側(cè)照射激光，從金屬層剝離基底基板。
【專利說明】用于制造顯示器件的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請基于并要求2012年9月28日提交的在先日本專利申請N0.2012-216451的優(yōu)先權(quán)；該日本專利申請的全部內(nèi)容通過引用而被并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本文所描述的實施例大體涉及一種用于制造顯示器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]包括在由聚合物材料(例如塑料等)制成的基膜上形成的顯示元件層的顯示器件是撓性的并可以以曲面配置來制造。在這樣的顯示器件中，為了處理由易變形塑料等形成的基底基板，在載體基板上形成基底基板；并且在工藝的最后階段從載體基板上剝離基底基板。相應(yīng)地，使用廉價并對基底基板損傷小的裝置來執(zhí)行剝離的技術(shù)是所期望的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一個實施例，公開了一種用于制造顯示器件的方法。所述方法可包括在載體基板的金屬層上形成基底基板。所述方法可包括在基底基板上形成顯示元件層。此外，所述方法可包括通過從載體基板中與金屬層相反的一側(cè)照射激光來從金屬層上剝離所述基底基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1A-1D和圖2A-2D是示出用于根據(jù)第一實施例的制造顯示器件的方法的工藝的首丨J視圖;
[0007]圖3A和圖3B是描述剝離基底基板的示意圖，圖3A是剖視圖，以及圖3B是以圖3A中虛線A包圍的部分的放大視圖；
[0008]圖4是示出其中基底基板已被剝離的狀態(tài)的示意圖；
[0009]圖5A-5C是示出根據(jù)第二實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖；
[0010]圖6是示出了第三實施例的金屬層的平面圖；
[0011]圖7是示出在分割(singulating)顯示器件時出現(xiàn)問題的工藝的剖視圖；
[0012]圖8是示出了第四實施例的金屬層的平面圖；
[0013]圖9是示出根據(jù)第五實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖；以及
[0014]圖1OA和圖1OB是示出根據(jù)第六實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖。
【具體實施方式】
[0015]在下文中將參考附圖詳細(xì)地描述各種實施例。所述附圖是示意性的或概念性的；其中部分的配置之間的關(guān)系和縱向及橫向尺寸，各部分之間的大小比例等等，并不一定與其實際值相同。此外，即使對于相同的部分，也可以在附圖之間不同地示出尺寸和/或比例。在附圖和應(yīng)用的描述中，與關(guān)于附圖中描述的那些部件類似的部件被標(biāo)記有相同的附圖標(biāo)記，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤嗽敿?xì)描述。
[0016]第一實施例
[0017]圖1A-1D和圖2A-2D是示出根據(jù)第一實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖。
[0018]用于制造所述實施例的顯示器件的方法是制造包括在基底基板上形成的顯示元件層的顯示器件(例如薄板器件)的方法。
[0019]如圖1A所示，制備了載體基板1，在載體基板I上面設(shè)置了金屬層2。
[0020]載體基板I例如是玻璃并用作臨時支撐基板以形成顯示器件。載體基板I具有適度強(qiáng)度并且對于后續(xù)工藝中使用的激光波長是可透射的就足夠了 ；并且載體基板I的厚度沒有特別的限制。
[0021]金屬層2例如由包括選自鈦(Ti)、鎢(W)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鐵(Fe)和鉭(Ta)的至少一種金屬制成，并例如具有50nm到200nm的厚度。金屬層2由在后續(xù)工藝中使用的激光波長處具有高吸收率、具有較高的熔點(diǎn)并具有高熱容量的材料制成就足夠了。金屬層2的激光吸收量大于載體基板I的激光吸收量就足夠了。金屬層2由具有薄膜厚度的材料制成使得激光不穿到相對側(cè)以破壞在后續(xù)工藝中形成的顯示元件就足夠了 ；并且金屬層2不限于所示出的金屬。
[0022]然后，如圖1B所不,在金屬層2上形成基底基板3?；谆?例如由諸如塑料等聚合物材料制成，以及用作顯示器件的基板。例如，被形成為具有?ο μ m到70 μ m厚度的基底基板3是易彎曲的，并且可以被制成曲面構(gòu)造。因為基底基板3容易變形，所以在金屬層2上形成基底基板3，所述金屬層被設(shè)置在載體基板I上。
[0023]基底基板3被形成為使得金屬層2和基底基板3之間粘著強(qiáng)度(粘合力)小于載體基板I和金屬層2之間的粘著強(qiáng)度。同時，所述基底基板3被形成為使得在形成顯示元件層4的后續(xù)工藝中的溫度范圍內(nèi)，金屬層2和基底基板3之間的粘著強(qiáng)度大于在載體基板I和金屬層2之間的界面處以及金屬層2和基底基板3之間的界面處產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
[0024]然后，如圖1C所示，所述顯示元件層4在所述基底基板3上形成。所述顯示元件層4是包括發(fā)光元件的層，例如所述發(fā)光層包括有機(jī)EL(有機(jī)發(fā)光二極管(OLED))和驅(qū)動元件。所述顯示元件層4能夠較薄地形成就足夠了 ；同時所述顯示元件層4可以是例如液晶顯示器(LCD)，所述液晶顯示器包括液晶分子和偏振器作為光學(xué)層。盡管顯示元件層4通過一般工藝形成，例如，在所述顯示元件層4包括有機(jī)EL元件的情況下，由于有機(jī)EL元件易受潮而不能使用濕法蝕刻；而是通過干法蝕刻來形成有機(jī)EL元件。
[0025]繼續(xù)如圖1D所示，通過從載體基板I中與金屬層2相反的一側(cè)照射激光IL，來從金屬層2上剝離所述基底基板3。
[0026]激光IL的波長是使得載體基板I對于激光IL具有高透射率的波長，同時是使得激光IL在金屬層2中與在載體基板I中相比被吸收得更多的波長。換句話說，所述激光IL的波長是使得在金屬層2中的激光IL的吸收量大于在載體基板I中的激光IL的吸收量的波長。所述激光IL的波長例如是350nm到1064nm，并且有利地可以是由在800nm到I μ m的近紅外激光器或在700nm到900nm附近區(qū)域的半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的波長。
[0027]在金屬層2中將要發(fā)生剝離的區(qū)域上持續(xù)短時間段照射激光IL。所述激光IL例如是來自Q開關(guān)激光器的脈沖激光等等。例如，所述激光IL可以以脈沖形式照射來自光纖激光器、半導(dǎo)體激光器等等的持續(xù)的光；或可以通過在金屬層2上掃描來看起來持續(xù)短時間段地照射激光IL。
[0028]在激光IL被照射長時間段的情況下，不僅金屬層2和基底基板3而且顯示元件層4也被加熱；并且可能不利地影響顯示性能。因此，在實施例中，在基底基板3將被剝離的區(qū)域上持續(xù)短時間段地照射激光IL。
[0029]雖然激光IL的光束構(gòu)造例如是圓斑，但是光束構(gòu)造沒有特別的限制；并且可以通過為線構(gòu)造或矩形構(gòu)造的光束構(gòu)造來增加處理的均勻性，。
[0030]穿過載體基板I的激光IL被金屬層2吸收；包括在金屬層2中的金屬被加熱。在這個時候，由于金屬層2的突然熱膨脹或僅僅是隨著溫度升高引起的金屬層2和基底基板3之間的界面的粘著強(qiáng)度的下降，出現(xiàn)諸如沖擊熱應(yīng)力或沖擊彈性波之類的機(jī)制，從而在金屬層2和基底基板3之間的界面發(fā)生剝離。
[0031]本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，盡管在激光IL的峰值功率或能量密度過高的情況下，在金屬層2中出現(xiàn)裂縫或金屬層2融化或接合，但通過采用適當(dāng)?shù)臈l件，基底基板3可以在不破壞金屬層2的情況下從金屬層2剝離。
[0032]圖3A和3B是描述基底基板的剝離的示意圖。圖3A是剖視圖；以及圖3B是被圖3A中虛線A包圍的部分的放大視圖。
[0033]在圖3B中，通過單點(diǎn)劃線示意性地示出了激光IL的強(qiáng)度分布；通過P來示出在金屬層2和基底基板3之間的界面的中央部分，在所述中央部分照射了最大的能量密度OP ；并且通過Q和R來示出邊界部分，在所述邊界部分激光IL的能量密度驟然變化。
[0034]當(dāng)從載體基板I中與金屬層2相反的一側(cè)在所述基底基板3將被剝離的區(qū)域照射激光IL時，在金屬層2和基底基板3之間出現(xiàn)溫度梯度。例如，如圖3B所示，在激光IL的能量密度驟然變化所在的邊緣部分Q和R處的在金屬層2和基底基板3之間的溫度梯度大于靠近激光IL的中央部分P的溫度梯度。作為結(jié)果，基底基板3在靠近邊界部分Q和R處從金屬層2剝尚。
[0035]因此，可以通過在基底基板3將被剝離的區(qū)域中掃描激光IL，來造成基底基板3在任何區(qū)域從金屬層2剝離。
[0036]圖4是示出了已經(jīng)剝離基底基板的狀態(tài)的示意圖。
[0037]圖4是示出了聚酰亞胺薄膜作為基底基板的情況的放大20倍的照片。基底基板3的一部分已經(jīng)從金屬層2剝離；并且已經(jīng)剝離的基底基板3通過金屬層2來反射，并顯示為圖像(虛像)13?；谆?已經(jīng)以基本上正方形構(gòu)造剝離，并在一側(cè)連接到金屬層2。所述激光IL是波長為1.06 μ m的YAG激光。
[0038]因此，通過采用適當(dāng)?shù)臈l件，可以在不破壞金屬層2的情況下引起從金屬層2剝離基底基板3。因此，由于不存在對金屬層2的損壞，載體基板I在剝離后可以被再利用(圖2A)。
[0039]然后，如圖2B所示，如果必要的話，執(zhí)行對基底基板3和顯示元件層4的后端處理。例如，在顯示元件層4是IXD的情況下，在基底基板3的下表面上設(shè)置偏振器5。例如，提供諸如相差膜等的光學(xué)補(bǔ)償板(未示出)。
[0040]繼續(xù)如圖2C所示，如果必要的話，通過沿著切割線(劃切線)CT切割基底基板3和顯示元件層4以通過分割獲得顯示器件6 (圖2D)。在載體基板I上沒有形成多個顯示器件的情況下，沒有必要沿著切割線CT進(jìn)行分割。
[0041]一般來說，存在通過激光加熱引起的犧牲層或塑料基板表面處的溫度升高所導(dǎo)致的燒蝕發(fā)生來剝離塑料基板的方法。但是，在這樣的方法中，由于在犧牲層和玻璃之間的界面發(fā)生剝離，因此處理的數(shù)量增加，同時必須例如通過蝕刻來移除在被剝離的塑料基板和顯示元件層上剩余的殘余物。
[0042]另一方面，如果能夠例如，在塑料基板和玻璃基板相接觸的結(jié)構(gòu)中不使用燒蝕的情況下，歸因于熱應(yīng)力在界面引起剝離，則沒必要增加如上面記載的移除殘余物的工藝。但是，根據(jù)發(fā)明人的實驗，發(fā)現(xiàn)例如在聚酰亞胺被用為基底基板的情況下，即使積分通量(能量密度)小于燒蝕發(fā)生時的閾值，仍觀察到被假定為從聚酰亞胺優(yōu)先吸收氣體成分的現(xiàn)象；并且在剝離時發(fā)生聚酰亞胺表面的移除或熱蝕變。
[0043]此外，假定在上面描述的通過激光加熱引起燒蝕的方法或不使用燒蝕的情況下通過熱應(yīng)力剝離塑料基板和玻璃基板的方法中使用準(zhǔn)分子激光。因此，玻璃對于該激光的透射率低了 30%左右；能量利用效率低；并且器件成本增加。
[0044]相反，在實施例中，基底基板3被形成為使得金屬層2和基底基板3之間粘著強(qiáng)度(粘合力)小于載體基板I和金屬層2之間的粘著強(qiáng)度。作為結(jié)果，可以通過照射激光引起基底基板從金屬層剝離。在這樣的情況下，由于金屬層的殘余物沒有剩余在基底基板側(cè)，所以移除殘余物的工藝是沒有必要的。由于在基底基板側(cè)沒有發(fā)生諸如熱蝕變等的損壞，所以顯示器件的顯示性能沒有受到不利影響。而且，由于沒有破壞金屬層，所以載體基板可以再利用。
[0045]在實施例中，所述基底基板被形成為使得在形成顯示元件層的后續(xù)工藝的溫度范圍內(nèi)，金屬層和基底基板之間的粘著強(qiáng)度大于載體基板和金屬層之間的界面處以及金屬層和基底基板之間的界面處產(chǎn)生的熱應(yīng)力。結(jié)果，可以在工藝中沒有剝離基底基板的情況下制造顯示器件。
[0046]在實施例中，因為所述激光是通過穿過載體基板來加熱金屬層的熱源就足夠了，所以可以使用波長基本在350nm到1064nm范圍內(nèi)的激光源。例如，可以使用在大約800nm到I μ m(包括1.064 μ m)的近紅外激光器或在大約700nm到900nm的半導(dǎo)體激光器。結(jié)果，所述器件成本可以低于準(zhǔn)分子激光器的成本。
[0047]第二實施例
[0048]圖5A到5C是示出根據(jù)第二實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖。
[0049]制造所述實施例的顯示器件的方法是用于制造包括在基底基板上形成的顯示元件層的顯示器件的方法，并且與制造第一實施例方法不同在于顯示器件被分割。
[0050]制造所述實施例的方法工藝，其一直到形成如圖1C所示的顯示元件層4的工藝都與第一實施例類似，因此省略相應(yīng)描述。
[0051]現(xiàn)在將描述接下來的工藝。
[0052]如圖5A所示，通過沿著切割線CT切割載體基板1、金屬層2、基底基板3和顯示元件層4來執(zhí)彳了分表I]。
[0053]然后，如圖5B所示，通過從載體基板I與金屬層2相反的一側(cè)照射激光IL來從金屬層2剝離所述基底基板3。結(jié)果，獲得分割后的顯示器件7。[0054]接著，雖然沒有示出，如果必要的話，執(zhí)行對基底基板3和顯示元件層4的后端處理。例如，在顯示元件層4是IXD的情況下，在基底基板3的下表面上設(shè)置偏振器5。例如，提供諸如相位差薄膜等的光學(xué)補(bǔ)償板。
[0055]除了由于切割了載體基板I從而載體基板I不能被再利用這一點(diǎn)之外，在該實施例中可以獲得與第一實施例的那些效果類似的效果。
[0056]但是，有這樣一種可能性:由于在第一實施例和第二實施例中在載體基板I上設(shè)置金屬層2，可能出現(xiàn)例如下面記載的⑴到(3)的新問題。
[0057](I)當(dāng)形成顯示元件層4(圖1B)時在顯示元件層4內(nèi)形成的用來執(zhí)行光刻工藝(照相凸版工藝(PEP))的對準(zhǔn)標(biāo)記不能通過透射率檢測來讀取。
[0058](2)在分割期間從載體基板I側(cè)不能看見切割線CT (圖5A)。
[0059](3)在通過紫外(UV)固化來粘接基底基板3的顯示元件層4側(cè)的情況下，由于金屬層2具有光屏蔽效果，所以來自載體基板I外側(cè)的紫外光不能到達(dá)UV固化材料。
[0060]現(xiàn)在將描述解決問題⑴到(3)的實施例。
[0061]第三實施例
[0062]圖6是示出了第三實施例的金屬層的平面圖。
[0063]所述實施例解決上面記載的問題(I)，并且與第一實施例不同在于在設(shè)置在載體基板I上的金屬層2的規(guī)定位置處形成用于對準(zhǔn)的透射標(biāo)記。載體基板I和金屬層2與第一實施例的那些類似。
[0064]制造所述實施例的顯示器件的方法包括:在如圖1A-1D和圖2A-2D所述的制造第一實施例的顯示器件的方法中，在制備其上設(shè)置有金屬層2的載體基板I時，在載體基板I上的規(guī)定位置處制作由金屬層2的移除部分所限定的透射標(biāo)記8。或者，可以制備包括由金屬層2的移除部分限定的透射標(biāo)記8的載體基板I。透射標(biāo)記8可以用作對準(zhǔn)標(biāo)記，其用來在形成顯示元件層4的光刻工藝中的對準(zhǔn)。
[0065]例如在元件形成區(qū)域以外的區(qū)域中在切割線CT上或接近切割線CT形成透射標(biāo)記8的情況下，透射標(biāo)記8不會影響基底基板3從金屬層2的剝離，在所述元件形成區(qū)域中的顯示元件層4中形成所述元件。雖然在這個特定例子中，透射標(biāo)記8具有十字標(biāo)記配置，但是透射標(biāo)記8可以具有可用作用于對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記的任何形狀或配置。
[0066]與第一實施例(圖1B-1D和圖2A-2D)的那些類似地執(zhí)行執(zhí)行在金屬層2上形成基底基板3的下一工藝和后續(xù)工藝。所述顯示器件分割的配置可以是第二實施例的配置。
[0067]因此，除了第一和第二實施例的效果之外，由于在載體基板I上制造了通過金屬層2的移除部分限定的透射標(biāo)記8，在實施例中，在形成顯示元件層4時執(zhí)行的所有光刻工藝的工藝中，位置對準(zhǔn)是更容易的。
[0068]圖7是示出在分割顯示器件時的問題的工藝剖視圖。
[0069]如圖7所示，由于金屬層2的存在，當(dāng)在分割期間從載體基板I側(cè)不能看見切割線CT時，出現(xiàn)上面記載的問題(2)。例如，在如第二實施例(圖5C)從金屬層2剝離基底基板3之前執(zhí)行分割的情況下，在分割時從載體基板I不能看見切割線CT。
[0070]在如第一實施例(圖2C)從金屬層2剝離基底基板3之后執(zhí)行分割的情況下，金屬層2的存在是不成問題的。
[0071]第四實施例[0072]圖8是示出了第四實施例的金屬層的平面圖。
[0073]所述實施例解決上面記載的問題(2)，并且與第二實施例不同在于在載體基板I中設(shè)置的金屬層2中制成切割部分9。
[0074]制造所述實施例的顯示器件的方法包括:在制造如圖1A-1D和圖2A-2D所述的第一實施例的顯示器件的方法中，在制備其上設(shè)置了金屬層2的載體基板I時，制作由在載體基板I上的金屬層2的移除部分限定的切割部分9。另外，可以制備在其上制作了切割部分9的載體基板I。
[0075]當(dāng)后端工藝中分割顯示器件時，在以平面觀察下，所述切割部分9與切割線CT重合，所述切割部分9被制成以使得從載體基板I側(cè)能看見切割線CT，并且所述切割部分9在分割時是切割線CT的指示。
[0076]與第二實施例(圖1B-1C和圖5A-5C)的那些類似地執(zhí)行在金屬層2上形成基底基板3的下一工藝和后續(xù)工藝。
[0077]除了第一和第二實施例的效果之外，由于由在載體基板I上設(shè)置的金屬層2的移除部分限定的切割部分9被用作虛擬切割線CT的指示，所以在實施例中從載體基板I側(cè)的分割是更容易的。
[0078]第五實施例
[0079]圖9是示出根據(jù)第五實施例的制造顯示器件的方法的工藝的剖視圖。
[0080]所述實施例解決上面記載的問題(2)，并且與第二實施例不同在于分割的配置是不同的。
[0081]在如圖9所示的實施例中，在分割時，通過從顯示元件層4的切割線CT照射激光IUV,以移除金屬層2的一部分和基底基板3的一部分，來制成切割部分10。通過在切割線CT處完全切割基底基板3和金屬層2，使得形成的切割部分10到達(dá)載體基板1，并且切割部分10在分割時被用作虛擬切割線CT的指示。激光IUV例如是紫外脈沖激光。
[0082]然后沿著切割部分10執(zhí)行分割。與第二實施例(圖5B到5C)類似地執(zhí)行后續(xù)工藝。
[0083]同樣在所述實施例中，除了第一和第二實施例的效果之外，由于通過金屬層2的移除部分和基底基板3的移除部分限定的切割部分10被設(shè)置為用于切割線CT的虛擬指示，從載體基板I側(cè)的分割是更容易的。
[0084]第六實施例
[0085]圖1OA和圖1OB是示出根據(jù)第六實施例的制造顯示器件的方法的工藝剖視圖。
[0086]在如下情況下會出現(xiàn)上面描述的問題(3):例如在制造LCD等時，陣列基板(第一層疊體)與彩色濾光片基板(第二層疊體)粘結(jié)，在所述陣列基板中的基底基板上的像素處形成驅(qū)動元件，在所述彩色濾光片基板中的基底基板上的像素處形成彩色濾光片。
[0087]所述實施例解決了問題(3)，并且與第一實施例不同在于由設(shè)置在載體基板I上的金屬層2的移除部分限定的透射部分12，同時在通過從載體基板I側(cè)照射激光IL (圖1D)而從金屬層2剝尚基底基板3之如，執(zhí)行基底基板3的粘結(jié)。
[0088]通過第一實施例的在載體基板1、金屬層2、和基底基板3上形成顯示元件層4的工藝獲得第一層疊體14,在第一層疊體14中堆疊了載體基板1、金屬層2、基底基板3和顯示元件層4。所述顯示元件層4包括,例如在像素處形成的驅(qū)動元件。[0089]以類似的工藝，通過形成彩色濾光片4a而不是顯示元件層4，而獲得第二層疊體14a,在第二層疊體14a中堆疊了載體基板la、金屬層2a、基底基板3a和彩色濾光片4a。彩色濾光片4a包括與像素的子像素對應(yīng)的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的顏色層中的每一個。
[0090]如上面記載的，由金屬層2的移除部分限定的透射部分12被設(shè)置在載體基板I上；并且由金屬層2a的移除部分限定的透射部分12a被設(shè)置在載體基板Ia上。通過與第四實施例的金屬層2類似的工藝，透射部分12和透射部分12a被形成為與連接部分15重疊，所述連接部分15是在基底基板3上沒有設(shè)置顯示元件層4的部分。透射部分12a被形成為與連接部分15a重疊，所述連接部分15a是在基底基板3a上沒有設(shè)置彩色濾光片4a的部分。
[0091]然后，如圖1OA所示，通過連接層11，將第一層疊體14的顯示元件層4側(cè)與第二層疊體14a的彩色濾光片4a側(cè)粘結(jié)。所述連接層11例如是將連接層15粘結(jié)到連接部分15a的UV固化樹脂。
[0092]例如通過從透射部分12和透射部分12a中選擇的至少一個照射紫外激光IUV來固化連接層11，從而執(zhí)行基底基板3的粘結(jié)，也就是第一層疊體14和第二層疊體14a的粘結(jié)。在液晶顯示器的情況下，例如，在顯示元件層4和彩色濾光片4a之間形成用來注入液晶的空間。
[0093]然后，雖然沒有示出，在顯示元件層4是有機(jī)EL的情況下，例如，在顯示元件層4和彩色濾光片4a之間密封惰性氣體等，以避免有機(jī)EL的退化。
[0094]接著，通過從載體基板I側(cè)照射激光IL，從金屬層2剝離基底基板3 ;并且同時通過從載體基板Ia側(cè)照射激光IL，從金屬層2a剝離基底基板3a。
[0095]然后，如圖1OB所示，在穿過連接層11的切割線CT處執(zhí)行分割。
[0096]因此，除了第一和第二實施例的效果之外，因為在載體基板I和載體基板Ia上設(shè)置了由金屬層2和金屬層2a的移除部分限定的透射部分12和透射部分12a，所以在實施例中能夠通過例如連接層11 (其是紫外固化樹脂等)的紫外固化，將第一層疊體14與第二層疊體14a粘結(jié)。
[0097]雖然在這個特定的例子中描述了制造LCD的方法的例子，但是實施例適用于通過紫外(UV)固化將基底基板3的顯示元件層4側(cè)粘結(jié)的情況。
[0098]雖然沒有示出，但可以在基底基板3的下表面(也就是基底基板與顯示元件層4相反的一側(cè))上設(shè)置偏振器5。此外，可以如第二實施例中那樣在剝離金屬層2和2a之前執(zhí)行分割?？梢赃m當(dāng)?shù)亟M合第三到第六實施例。
[0099]雖然已經(jīng)描述了某些實施例，但是這些實施例僅僅是以示例的方式提出，并且不打算限制發(fā)明的范圍，事實上，這里描述的新穎實施例可以通過各種其他形式來體現(xiàn)；此夕卜，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下可以做出以這里描述的實施例的形式的各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求及其等同形式旨在覆蓋將落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這樣的形式或修改。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造顯示器件的方法，包括: 在載體基板的金屬層上形成基底基板； 在所述基底基板上形成顯示元件層；以及 通過從所述載體基板的與所述金屬層相反的一側(cè)照射激光，來從所述金屬層剝離所述基底基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，與所述載體基板相比，所述金屬層更多地吸收了所述激光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬層和所述載體基板之間的粘著強(qiáng)度大于所述金屬層和所述基底基板之間的粘著強(qiáng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在從所述金屬層剝離所述基底基板之后，分割所述基底基板和所述顯示元件層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述剝離之后，所述載體基板是能被再利用的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述基底基板被從所述金屬層剝離之前，分割包括所述基底基板和所述顯示元件層的所述顯示器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置切割部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在分割所述顯示器件之前，通過從所述顯示元件層一側(cè)照射激光來移除所述基底基板和所述金屬層，從而將切割部分制成為到達(dá)所述載體基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中 通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置透射部分，并且通過從所述載體基板的與所述金屬層相反的一側(cè)經(jīng)由所述透射部分照射激光，來固化所述載體基板上設(shè)置的連接層，從而粘結(jié)所述基底基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置用來對準(zhǔn)的透射標(biāo)記。
11.一種用于制造顯示器件的方法，包括: 在層疊體的基底基板上形成顯示元件層，所述層疊體包括載體基板、在所述載體基板上設(shè)置的金屬層以及在所述金屬層上設(shè)置的所述基底基板；以及 通過從所述載體基板的與所述金屬層相反的一側(cè)照射激光，將所述載體基板和所述金屬層的層疊體與所述基底基板和所述顯示元件層的層疊體分離開。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，與所述載體基板相比，所述金屬層更多得吸收了所述激光。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述金屬層和所述載體基板之間的粘著強(qiáng)度大于所述金屬層和所述基底基板之間的粘著強(qiáng)度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述分離之后，分割所述基底基板和所述顯示元件層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，分離后的所述載體基板和所述金屬層的層疊體是能被再利用的。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述分離之前，分割包括所述基底基板和所述顯示元件層的所述顯示器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置切割部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在分割所述顯示器件之前，通過從所述顯示元件層的一側(cè)照射激光來移除所述基底基板的一部分和所述金屬層的一部分，從而將切割部分制成為到達(dá)所述載體基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中 通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置透射部分，并且 通過從所述載體基板的與所述金屬層相反的一側(cè)經(jīng)由所述透射部分照射激光，來固化設(shè)置在所述載體基板上的連接層，從而粘結(jié)所述基底基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，通過移除所述金屬層的一部分，在所述載體基板上設(shè)置用來對準(zhǔn)的透射標(biāo)·記。
【文檔編號】H01L21/78GK103715139SQ201310537397
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】伊藤弘, 佐佐木光夫 申請人:株式會社東芝