監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法及生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法及生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置。一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法包括：通過使用測量裝置分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置中的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光；基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生；基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝。
【專利說明】監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法及生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置
[0001]本申請要求于2013年I月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2013-0009698號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的內(nèi)容通過弓I用完全包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]實施例涉及一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法及一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]通常，在半導(dǎo)體和/或具有半導(dǎo)體的裝置(例如，顯示裝置)的生產(chǎn)工藝中，可以利用等離子體蝕刻工藝消除在硅基板上形成圖案的特定材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)一些示例實施例，一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法可以包括:通過使用測量裝置分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)的步驟，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置中的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光；基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值的步驟，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生；基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟。
[0005]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值的步驟。
[0006]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括將補償值確定為歸一化值的步驟，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0007]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括將補償值確定為歸一化值的步驟，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0008]在示例實施例中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟可以包括基于補償值執(zhí)行端點檢測操作的步驟。
[0009]在示例實施例中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟可以包括基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作。
[0010]根據(jù)一些示例實施例，一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法可以包括:通過將生產(chǎn)工藝裝置中的氣體注入使氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體氣體的產(chǎn)生裝置來產(chǎn)生等離子體氣體的步驟；通過使用測量裝置分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)的步驟，當(dāng)?shù)入x子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光；基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值的步驟，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生；基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟。
[0011]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值的步驟。
[0012]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括將補償值確定為歸一化值的步驟，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0013]在示例實施例中，產(chǎn)生補償值的步驟可以包括將補償值確定為歸一化值的步驟，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0014]在示例實施例中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟可以包括基于補償值執(zhí)行端點檢測操作的步驟。
[0015]在示例實施例中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝的步驟可以包括基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作。
[0016]根據(jù)一些示例實施例，一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置可以包括:測量單元，通過分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置中的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光；控制單元，基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值并基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生。
[0017]在示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置還可以包括顯示從控制單元輸出的監(jiān)控結(jié)果的輸出單兀。
[0018]在示例實施例中，控制單元可以將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0019]在示例實施例中，控制單元可以將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0020]根據(jù)一些示例實施例，一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置可以包括:產(chǎn)生單元，接收生產(chǎn)工藝裝置的氣體，并基于生產(chǎn)工藝裝置的氣體產(chǎn)生等離子體氣體；測量單元，通過分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)產(chǎn)生單元的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光；控制單元，基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值并基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生。
[0021 ] 在示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置還可以包括顯示從控制單元輸出的監(jiān)控結(jié)果的輸出單兀。
[0022]在示例實施例中，控制單元可以將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
[0023]在示例實施例中，控制單元可以將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0024]通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，說明性的非限定性示例實施例將會被更加清楚地理解。
[0025]圖1是示出根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法的流程圖。
[0026]圖2是示出根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法的流程圖。
[0027]圖3是示出根據(jù)示例實施例的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置的框圖。
[0028]圖4是示出根據(jù)示例實施例的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置的框圖。
[0029]圖5A和圖5B是示出通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法來防止錯誤泄漏檢測的效果的圖表。
[0030]圖6A和圖6B是示出通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法來防止泄漏檢測失敗的效果的圖表。
【具體實施方式】
[0031]在下文 中將參照示出了一些示例實施例的附圖更加充分地描述各種示例實施例。然而，實施例可以以多種不同的形式來實施并且不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的示例實施例。相反，提供這些示例實施例使得本公開將是徹底的和完整的并將把實施例的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為清晰起見，可能夸大層及區(qū)域的尺寸和相對尺寸。相同的標(biāo)號始終指代相同的元件。
[0032]將理解的是，盡管這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語用來區(qū)分一個元件與另一元件。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，可以將以下提及的第一元件稱為第二元件。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。
[0033]將理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接到”或“結(jié)合到”另一元件時，它可以直接連接到或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件時，不存在中間元件。應(yīng)當(dāng)以相同的方式解釋描述元件之間關(guān)系所使用的其他詞匯(例如，“在…之間”與“直接在…之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等。)。
[0034]這里使用的術(shù)語僅出于描述具體示例實施例的目的，而不意圖成為對本發(fā)明構(gòu)思的限制。如這里所使用的，除非上下文另外明確地指明，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進一步理解的是，當(dāng)在本發(fā)明書中使用術(shù)語“包括”時，說明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0035]除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進一步理解的是，除非這里明確這樣定義，否則諸如在通用字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思一致的意思，而不是將理想地或者過于正式地解釋它們。
[0036]特別是,這里使用的術(shù)語“歸一化(normalization)”表示通過根據(jù)特定規(guī)則轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)來產(chǎn)生特定數(shù)據(jù)(例如，用于特定目的的便利的數(shù)據(jù))。例如，在統(tǒng)計學(xué)中使用的術(shù)語“歸一化”可表示通過根據(jù)特定方程表達(dá)式(即，2(0 = [1(04(0]/0 (t))轉(zhuǎn)換變量來表示特定變量(即，在預(yù)定范圍內(nèi))的產(chǎn)生。這里，Z(t)表示歸一化的值，I(t)表示將要被歸一化的變量(例如，發(fā)射強度)，x(t)表示將要被歸一化的變量的平均值，σ (t)表示將要被歸一化的變量的標(biāo)準(zhǔn)偏差。如上所述，這里使用的術(shù)語“歸一化”可對應(yīng)于在統(tǒng)計學(xué)中使用的術(shù)語“歸一化”。然而，這里使用的術(shù)語“歸一化”并不限于統(tǒng)計學(xué)中使用的術(shù)語“歸一化”。例如，這里使用的術(shù)語“歸一化”可以包括抵消變量的變化的概念，其中，由于長時間在特定方向上的外部環(huán)境因素使得該變量被逐漸改變。
[0037]以下，將參考圖1至圖6B詳細(xì)描述示例實施例。
[0038]圖1是示出根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法的流程圖。
[0039]參見圖1，示出了在生產(chǎn)工藝裝置中使用等離子體的情況。圖1中的方法可以通過使用測量裝置(或測量單元)分析等離子體發(fā)射光關(guān)于波長的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)(操作S120)。當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變化成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時，可以產(chǎn)生(即，發(fā)出)等離子體發(fā)射光。隨后，圖1中的方法可以基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值(操作S140)?？赏ㄟ^抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染和/或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的改變來產(chǎn)生補償值。接下來，圖1中的方法可以基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝(操作S160)。
[0040]可基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。例如，補償值可以被確定為通過基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將測量數(shù)據(jù)歸一化而產(chǎn)生的歸一化值。在示例實施例中，這里使用的術(shù)語“歸一化”可表示通過根據(jù)特定方程表達(dá)式(即，Z (t) = [I (t) -X⑴]/σ (t))轉(zhuǎn)換變量產(chǎn)生特定變量(B卩，在預(yù)定范圍內(nèi))。這里，Z(t)表示歸一化值，I(t)表示將要被歸一化的變量(例如，發(fā)射強度)，x(t)表示將要被歸一化的變量的平均值，σ (t)表示將要被歸一化的變量的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0041]在示例實施例中，補償值可以被確定為通過將等離子體發(fā)射光關(guān)于特定波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，Kt)表示等離子體發(fā)射光關(guān)于特定波段或一組波長的發(fā)射強度。在另一示例實施例中，補償值可以被確定為通過將等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/0 (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，Kt)表示等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度。
[0042]可以通過基于補償值進行端點檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控。端點表示完成特定蝕刻工藝時的時刻或在特定蝕刻工藝中蝕刻的正面(front-side)達(dá)到蝕刻停止層時的時刻。這樣，當(dāng)檢測的端點不準(zhǔn)確時，會發(fā)生過度蝕刻或蝕刻不足。因此，圖1中的方法通過基于因生產(chǎn)工藝裝置的特定氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍檢測端點，可以有助于防止過度蝕刻和/或蝕刻不足的發(fā)生。例如，當(dāng)由于生產(chǎn)工藝裝置的特定氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，圖1中的方法可檢測端點。
[0043]在示例實施例中，可基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控。當(dāng)在生產(chǎn)工藝裝置中發(fā)生泄漏時，在生產(chǎn)工藝裝置中會發(fā)生非有意的外部氣體的干擾，或在生產(chǎn)工藝裝置中會發(fā)生內(nèi)部氣體的濃度改變。因此，圖1中的方法通過基于因生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測生產(chǎn)工藝裝置的泄漏，可以有助于防止發(fā)生非有意的外部氣體的干擾和/或內(nèi)部氣體的濃度改變。例如，當(dāng)由于生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，圖1中的方法可檢測泄漏發(fā)生。
[0044]圖2是示出根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法的流程圖。
[0045]參見圖2，示出了在生產(chǎn)工藝裝置中不使用等離子體的情況。圖2中的方法可通過將生產(chǎn)工藝裝置的氣體注入到產(chǎn)生裝置(或產(chǎn)生單元)中來產(chǎn)生等離子體氣體(操作S220)。產(chǎn)生裝置可以將該氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體氣體。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員從說明書和附圖中將清楚的是，在生產(chǎn)工藝裝置中可以不使用等離子體，但生產(chǎn)工藝裝置中的氣體可以被輸送到可將該氣體轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诒O(jiān)控生產(chǎn)工藝的等離子體氣體的產(chǎn)生裝置。隨后，圖2中的方法可以通過使用測量裝置(或測量單元)分析等離子體發(fā)射光關(guān)于波長的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)(操作S240)。當(dāng)?shù)入x子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時，可以產(chǎn)生(即，發(fā)出)等離子體發(fā)射光。接著，圖2中的方法可以基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值(操作S260)?？赏ㄟ^抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染和/或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的改變來產(chǎn)生補償值。最后，圖2中的方法可基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝(操作S280)。
[0046]產(chǎn)生裝置可以接收生產(chǎn)工藝裝置的氣體，并可以通過將接收的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體氣體來產(chǎn)生等離子體氣體。為了不影響生產(chǎn)工藝，可以將產(chǎn)生裝置附于發(fā)射線路(emission line)。這樣，產(chǎn)生裝置可以接收發(fā)射線路的發(fā)射氣體作為生產(chǎn)工藝裝置的氣體。
[0047]可基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。例如，補償值可以被確定為通過基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將測量數(shù)據(jù)歸一化而產(chǎn)生的歸一化值。在示例實施例中，這里使用的術(shù)語“歸一化”可以表示通過根據(jù)特定方程表達(dá)式(即，Z (t) = [I (t) -X (t) ] /σ (t))轉(zhuǎn)化變量來產(chǎn)生特定變量(B卩，在預(yù)定范圍內(nèi))。這里，Z(t)表示歸一化值，I(t)表示將要被歸一化的變量(例如，發(fā)射強度)，X(t)表示將要被歸一化的變量的平均值，σ (t)表示將要被歸一化的變量的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0048]在示例實施例中，補償值可以被確定為通過將等離子體發(fā)射光關(guān)于特定波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，Kt)表示等離子體發(fā)射光關(guān)于特定波段的發(fā)射強度。在另一示例實施例中，補償值可以被確定為通過將等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/0 (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，I(t)表示等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度。
[0049]可以通過基于補償值進行端點檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控。端點表示完成特定蝕刻工藝時的時刻或在特定蝕刻工藝中蝕刻的正面達(dá)到蝕刻停止層時的時刻。這樣，當(dāng)檢測的端點不準(zhǔn)確時，會發(fā)生過度蝕刻或蝕刻不足。因此，圖2中的方法通過基于因生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測端點，可以有助于防止過度蝕刻和/或蝕刻不足的發(fā)生。例如，當(dāng)由于生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，圖2中的方法可檢測端點。
[0050]可基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控。當(dāng)在生產(chǎn)工藝裝置中發(fā)生泄漏時，在生產(chǎn)工藝裝置中會發(fā)生非有意的外部氣體的干擾，或在生產(chǎn)工藝裝置中會發(fā)生內(nèi)部氣體的濃度改變。因此，圖2中的方法可通過基于因在生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測生產(chǎn)工藝裝置的泄漏，有助于防止發(fā)生非有意的外部氣體的干擾和/或內(nèi)部氣體的濃度改變。例如，當(dāng)由于在生產(chǎn)工藝裝置中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，圖2中的方法可檢測泄漏發(fā)生。
[0051]圖3是示出根據(jù)示例實施例的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置的框圖。
[0052]參見圖3，示出了在生產(chǎn)工藝裝置(或工藝設(shè)備)180中使用等離子體的情況。另夕卜，可以通過生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100來監(jiān)控生產(chǎn)工藝裝置180。為此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100可包括測量單元120和控制單元140。在一些示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100還可包括輸出單元160。
[0053]測量單元120可以接收來自生產(chǎn)工藝裝置180的等離子體發(fā)射光Ρ0Ε，其中，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置180的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時，產(chǎn)生(即，發(fā)出)等離子體發(fā)射光Ρ0Ε。另外，測量單元120可以通過分析等離子體發(fā)射光POE關(guān)于波長的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)MSD，然后可以將測量數(shù)據(jù)MSD輸出到控制單元140。例如，測量單元120可以是光學(xué)發(fā)射光譜儀(0ES)。在一些示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100可以包括諸如將等離子體發(fā)射光POE引導(dǎo)至測量單元120 (例如，光學(xué)發(fā)射光譜儀)的觀測口、光導(dǎo)纖維電纜等。
[0054]控制單元140可以接收來自測量單元120的測量數(shù)據(jù)MSD，可基于測量數(shù)據(jù)MSD產(chǎn)生補償值，并可以基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝?？赏ㄟ^抵消由于生產(chǎn)工藝裝置180和測量單元120的污染和/或測量單元120的測量位置導(dǎo)致的靈敏度變化來產(chǎn)生補償值。在一些示例實施例中，控制單元140可以將監(jiān)控結(jié)果MRS輸出到向用戶顯示監(jiān)控結(jié)果MRS的輸出單元 160。
[0055]可基于測量數(shù)據(jù)MSD的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。例如，補償值可以被確定為通過基于測量數(shù)據(jù)MSD的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將測量數(shù)據(jù)MSD歸一化而產(chǎn)生的歸一化值。在示例實施例中，這里使用的術(shù)語“歸一化”可以表示通過根據(jù)特定方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))轉(zhuǎn)化變量來產(chǎn)生特定變量(B卩，在預(yù)定范圍內(nèi))。這里，Z(t)表示歸一化值，I (t)表不要被歸一化的變量(例如，發(fā)射強度)，X (t)表不將要被歸一化的變量的平均值，σ (t)表示將要被歸一化的變量的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0056]在示例實施例中，控制單元140可以將補償值確定為通過將等離子體發(fā)射光POE關(guān)于特定波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，I(t)表示等離子體發(fā)射光POE關(guān)于特定波段的發(fā)射強度。在另一示例實施例中，控制單元140可以將補償值確定為通過將等離子體發(fā)射光POE關(guān)于整個波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，I(t)表示等離子體發(fā)射光POE關(guān)于整個波段的發(fā)射強度。
[0057]控制單元140可以通過基于補償值執(zhí)行端點檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置180的監(jiān)控。端點表示完成特定蝕刻工藝時的時刻或在特定蝕刻工藝中蝕刻的正面達(dá)到蝕刻停止層時的時刻。這樣，當(dāng)檢測的端點不準(zhǔn)確時，會發(fā)生過度蝕刻或蝕刻不足。因此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100通過基于因生產(chǎn)工藝裝置180中的特定氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測端點，可以有助于防止過度蝕刻和/或蝕刻不足的發(fā)生。例如，當(dāng)由于生產(chǎn)工藝裝置180中的特定氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100可檢測端點。
[0058]控制單元140可通過基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置180執(zhí)行泄漏檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置180的監(jiān)控。當(dāng)在生產(chǎn)工藝裝置180中發(fā)生泄漏時，在生產(chǎn)工藝裝置180中會發(fā)生非有意的外部氣體的干擾，或在生產(chǎn)工藝裝置180中會發(fā)生內(nèi)部氣體的濃度改變。因此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100通過基于因在生產(chǎn)工藝裝置180中的特定外部氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測生產(chǎn)工藝裝置180的泄漏，可以有助于防止發(fā)生非有意的外部氣體的干擾及/或內(nèi)部氣體的濃度改變。例如，當(dāng)由于在生產(chǎn)工藝裝置180中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置100可檢測泄漏發(fā)生。
[0059]輸出單元160可以接收來自控制單元140的監(jiān)控結(jié)果MRS，并可以向用戶顯示監(jiān)控結(jié)果MRS。輸出單元160可以包括諸如揚聲器、打印機、監(jiān)控器等的裝置。在一些示例實施例中，輸出單元160可以包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置和/或存儲裝置。例如，存儲器裝置可以包括和/或至少一個易失性存儲器裝置，其中，所述至少一個非易失性存儲器裝置諸如可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)裝置、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)裝置、閃存裝置、相變隨機存取存儲器(PRAM)裝置、電阻隨機存儲器(RRAM)裝置、納米浮柵存儲器(NFGM )裝置、聚合物隨機存取存儲器(PoRAM)裝置、磁性隨機存取存儲器(MRAM )裝置、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)裝置等，所述至少一個易失性存儲器裝置諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)裝置、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)裝置、移動動態(tài)隨機存取存儲器(移動DRAM)裝置等。存儲裝置可以是固態(tài)驅(qū)動(SSD)裝置、硬盤驅(qū)動(HDD)裝置、⑶-ROM裝置等。
[0060]圖4是示出根據(jù)示例實施例的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置的框圖。
[0061]參見圖4，示出了在生產(chǎn)工藝裝置(或工藝設(shè)備)280中不使用等離子體的情況。另外，可以通過生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200來監(jiān)控生產(chǎn)工藝裝置280。為此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200可以包括產(chǎn)生單元210、測量單元220和控制單元240。在一些示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200還可以包括輸出單元260。
[0062]產(chǎn)生單元210可以接收生產(chǎn)工藝裝置280的氣體GAS’并可以通過將接收的氣體GAS轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體氣體來產(chǎn)生等離子體氣體。在一些示例實施例中,可通過對氣體GAS執(zhí)行高頻感應(yīng)加熱操作或通過對氣體GAS執(zhí)行激光照射操作來產(chǎn)生等離子體氣體。為了不影響生產(chǎn)工藝，可以將產(chǎn)生單元210附于發(fā)射線路或排出線路(exhaust line)。這樣,產(chǎn)生單元210可以接收發(fā)射線路的發(fā)射氣體作為生產(chǎn)工藝裝置280的氣體GAS。
[0063]測量單元220可以接收來自產(chǎn)生單元210的等離子體發(fā)射光Ρ0Ε，其中，當(dāng)產(chǎn)生單元210的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時，產(chǎn)生(B卩，發(fā)出)等離子體發(fā)射光Ρ0Ε。另外，測量單元220可以通過分析等離子體發(fā)射光POE關(guān)于波長的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)MSD，然后可以將測量數(shù)據(jù)MSD輸出到控制單元240。例如，測量單元220可以是光學(xué)發(fā)射光譜儀(OES)。在一些示例實施例中，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200可以包括諸如將等離子體發(fā)射光POE引導(dǎo)到測量單元220 (例如，光學(xué)發(fā)射光譜儀)的觀測口、光導(dǎo)纖維電纜等。
[0064]控制單元240可以接收來自測量單元220的測量數(shù)據(jù)MSD，可以基于測量數(shù)據(jù)MSD產(chǎn)生補償值，并可以基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝。可通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置280和測量單元220的污染和/或測量單元220的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的改變來產(chǎn)生補償值。在一些示例實施例中，控制單元240可以將監(jiān)控結(jié)果MRS輸出到向用戶顯示監(jiān)控結(jié)果MRS的輸出單元260。
[0065]可基于測量數(shù)據(jù)MSD的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。例如，補償值可以被確定為通過基于測量數(shù)據(jù)MSD的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將測量數(shù)據(jù)MSD歸一化而產(chǎn)生的歸一化值。在示例實施例中，這里使用的術(shù)語“歸一化”可以表示通過根據(jù)特定方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))轉(zhuǎn)化變量來產(chǎn)生特定變量(B卩，在預(yù)定范圍內(nèi))。這里，Z(t)表示歸一化值，I (t)表不要被歸一化的變量(例如，發(fā)射強度)，X (t)表不將要被歸一化的變量的平均值，σ (t)表示將要被歸一化的變量的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
[0066]在示例實施例中，控制單元240可以將補償值確定為通過將等離子體發(fā)射光POE關(guān)于特定波段或一組波長的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(即，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，I(t)表示等離子體發(fā)射光POE關(guān)于特定波段的發(fā)射強度。在另一示例實施例中，控制單元240可以將補償值確定為通過將等離子體發(fā)射光POE關(guān)于整個波段的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生的歸一化值(即，Z(t))。在這種情況下，可以使用方程表達(dá)式(SP，Z(t) = [I(t)-X(t)]/o (t))，其中，該方程表達(dá)式包括發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。這里，I (t)表示等離子體發(fā)射光POE關(guān)于整個波段的發(fā)射強度。
[0067]控制單元240可以通過基于補償值執(zhí)行端點檢測操作來進行生產(chǎn)工藝裝置280的監(jiān)控。端點表示完成特定蝕刻工藝時的時刻或在特定蝕刻工藝中蝕刻的正面達(dá)到蝕刻停止層時的時刻。這樣，當(dāng)檢測的端點不準(zhǔn)確時，會發(fā)生過度蝕刻或蝕刻不足。因此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200通過基于因生產(chǎn)工藝裝置280的特定氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測端點，可以有助于防止過度蝕刻和/或蝕刻不足的發(fā)生。例如，當(dāng)由于生產(chǎn)工藝裝置280的特定氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200可檢測端點。
[0068]控制單元240可通過基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置280執(zhí)行泄漏檢測操作來執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置280的監(jiān)控。當(dāng)在生產(chǎn)工藝裝置280中發(fā)生泄漏時，在生產(chǎn)工藝裝置280中會發(fā)生非有意的外部氣體的干擾，或在生產(chǎn)工藝裝置280中會發(fā)生內(nèi)部氣體的濃度改變。因此，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200通過基于因在生產(chǎn)工藝裝置280中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度是否超過了預(yù)定容差范圍來檢測生產(chǎn)工藝裝置280的泄漏，可以有助于防止發(fā)生非有意的外部氣體的干擾和/或內(nèi)部氣體的濃度改變。例如，當(dāng)由于在生產(chǎn)工藝裝置280中的特定氣體或組成大氣的氣體使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍時，生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置200可檢測泄漏發(fā)生。
[0069]圖5A和圖5B是示出通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法來防止錯誤泄漏檢測的效果的圖表。
[0070]參見圖5A和圖5B，示出了通過監(jiān)控生產(chǎn)工藝的比較方法而產(chǎn)生的泄漏檢測結(jié)果和通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法而產(chǎn)生的泄漏檢測結(jié)果。圖5A和圖5B示出了在生產(chǎn)工藝裝置中不使用等離子體的情況。在此，X軸表示時間，Y軸表示由構(gòu)成工藝大氣的氣體產(chǎn)生的等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度。另外，第一虛線(上限線)表示預(yù)定容差范圍的上限的線，第二虛線(下限線)表示預(yù)定容差范圍的下限的線。也就是說，預(yù)定容差范圍是一種用于檢測泄漏發(fā)生的標(biāo)準(zhǔn)。
[0071]如在圖5A中所示，當(dāng)基于非歸一化值執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控時，雖然實際上在生產(chǎn)工藝裝置中無泄漏發(fā)生，但由于變量改變使得等離子體發(fā)射光的非歸一化的發(fā)射強度會大于上限的線(上限線)。如上所述，由于外部環(huán)境因素(例如，生產(chǎn)工藝裝置的污染)使得變量會長時間在特定方向上逐漸改變。結(jié)果，雖然實際上在生產(chǎn)工藝裝置中沒有泄漏發(fā)生，但會發(fā)生錯誤泄漏檢測(即，會被確定在生產(chǎn)工藝裝置中發(fā)生泄漏)。
[0072]另一方面，如在圖5B中所示，當(dāng)基于歸一化值執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控時，在生產(chǎn)工藝裝置中實際上無泄漏發(fā)生時等離子體發(fā)射光的歸一化的發(fā)射強度可以被維持在上限的線(上限線)和下限的線(下限線)之間。也就是說，根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法可以抵消變量變化來防止錯誤泄漏檢測的發(fā)生。
[0073]圖6A和圖6B是示出通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法來防止泄漏檢測失敗的效果的圖表。
[0074]參見圖6A和圖6B，示出了通過監(jiān)控生產(chǎn)工藝的比較方法而產(chǎn)生的泄漏檢測結(jié)果和通過根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法而產(chǎn)生的泄漏檢測結(jié)果。圖6A和圖6B示出了在生產(chǎn)工藝裝置中使用等離子體的情況。這里，X軸表示時間，Y軸表示由構(gòu)成大氣的氣體產(chǎn)生的等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度。另外，第一虛線(上限線)表示預(yù)定容差范圍的上限的線，第二虛線(下限線)表示預(yù)定容差范圍的下限的線。也就是說，預(yù)定容差范圍是一種用于檢測泄漏發(fā)生的標(biāo)準(zhǔn)。
[0075]如在圖6A中所示，當(dāng)基于非歸一化值執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控時，由于在生產(chǎn)工藝裝置中實際上發(fā)生泄漏時的變量改變使得等離子體發(fā)射光的非歸一化的發(fā)射強度不會大于上限的線(上限線)。如上所述，由于外部環(huán)境因素(例如，生產(chǎn)工藝裝置的污染)使得變量會長時間在特定方向上逐漸改變。結(jié)果，雖然在生產(chǎn)工藝裝置中實際上發(fā)生泄漏，但會發(fā)生泄漏檢測失敗(即，會被確定在生產(chǎn)工藝裝置中沒有泄漏發(fā)生)。
[0076]另一方面，如在圖6B中所示，當(dāng)基于歸一化值執(zhí)行生產(chǎn)工藝裝置的監(jiān)控時，在生產(chǎn)工藝裝置中實際發(fā)生泄漏時等離子體發(fā)射光的歸一化的發(fā)射強度會大于上限的線(上限線)。即，根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法可抵消變量變化，從而防止發(fā)生泄漏檢測失敗。
[0077]另外，由于在長時間內(nèi)歸一化值具有相同的含義，因此歸一化值可以作為管理參數(shù)使用。進一步地，歸一化值可以使不同的設(shè)備之間進行直接比較。這樣，歸一化值可以允許對不同的設(shè)備設(shè)定相同的容差范圍(即，上限的線(上限線)和下限的線(下限線))。
[0078]實施例可以被應(yīng)用于半導(dǎo)體和/或具有半導(dǎo)體的裝置的生產(chǎn)工藝。例如，實施例可以被應(yīng)用在電視機、電腦顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機、蜂窩式電話、智能電話、智能平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、MP3播放器、視訊電話、游戲機、導(dǎo)航系統(tǒng)等中包括的半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝。
[0079]如上所述，實施例通常涉及生產(chǎn)工藝技術(shù)。實施例可以被應(yīng)用于監(jiān)控半導(dǎo)體和/或具有半導(dǎo)體的裝置的生產(chǎn)工藝的方法以及采用該方法的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置。[0080]通過總結(jié)和回顧，由于特定材料具有小尺寸以及等離子蝕刻工藝復(fù)雜，因此對等離子蝕刻工藝來說重要的是維持最佳條件。因此，可以在生產(chǎn)工藝中使用實時監(jiān)控及實時工藝控制。端點檢測操作可以被執(zhí)行為實時監(jiān)控的示例。端點表示完成特定蝕刻工藝時的時刻或在特定蝕刻工藝中蝕刻的正面達(dá)到蝕刻停止層時的時刻。在生產(chǎn)工藝中，如果不適當(dāng)執(zhí)行端點檢測操作，那么不能準(zhǔn)確地完成蝕刻工藝。因此，當(dāng)不適當(dāng)?shù)貓?zhí)行端點檢測操作時，會制造出低質(zhì)量的產(chǎn)品(例如，半導(dǎo)體和/或具有半導(dǎo)體的裝置)。
[0081]另外，泄漏檢測操作可被執(zhí)行為實時監(jiān)控的另一示例。當(dāng)在生產(chǎn)工藝裝置中發(fā)生泄漏時，在生產(chǎn)工藝裝置中會發(fā)生意外的外部氣體的干擾，或者在生產(chǎn)工藝裝置中可能會發(fā)生內(nèi)部氣體的濃度改變。因此，重要的是在生產(chǎn)工藝中對生產(chǎn)工藝裝置正確地執(zhí)行泄漏檢測操作。
[0082]對于端點檢測操作和/或泄漏檢測操作可使用光學(xué)發(fā)射光譜，其中，光學(xué)發(fā)射光譜使用光學(xué)發(fā)射光譜儀(OES)監(jiān)控預(yù)定的波長的發(fā)射強度。光學(xué)發(fā)射光譜是一種光學(xué)發(fā)射分析方法。因此，使用非侵入性(non-1nvasive)的光譜探針，光學(xué)發(fā)射光譜可以獲得關(guān)于等離子體內(nèi)的原子或離子分子的信息。因此，光學(xué)發(fā)射光譜可以被使用于檢測等離子體內(nèi)的原子或離子分子的特性。例如，光學(xué)發(fā)射光譜可以通過確定是否由于在生產(chǎn)工藝裝置中構(gòu)成大氣的氮氣、氧氣等使得發(fā)射強度超過了預(yù)定容差范圍來檢測生產(chǎn)工藝裝置的泄漏。然而，由于生產(chǎn)工藝裝置的污染會使得穿過光學(xué)發(fā)射光譜儀的光減少。另外，由于光學(xué)發(fā)射光譜儀的測量位置會產(chǎn)生靈敏度的差異。結(jié)果，當(dāng)檢測生產(chǎn)工藝裝置的泄漏時，會導(dǎo)致泄漏檢測失敗及錯誤泄漏檢測。
[0083]如上所述，一些示例實施例提供了這樣的一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法，即，即使由于污染和/或測量位置導(dǎo)致靈敏度改變也可以正常地監(jiān)控生產(chǎn)工藝。一些示例實施例提供了這樣一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置，即，即使由于污染和/或測量位置導(dǎo)致靈敏度改變也可以正常地監(jiān)控生產(chǎn)工藝。
[0084]即使由于污染和/或測量位置導(dǎo)致靈敏度改變，根據(jù)示例實施例的監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法也可以正常地監(jiān)控生產(chǎn)工藝。該方法可以包括:產(chǎn)生與等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度對應(yīng)的測量數(shù)據(jù)；基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值，該補償值通過抵消靈敏度的變化而產(chǎn)生；基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝。
[0085]另外，即使由于污染和/或測量位置導(dǎo)致靈敏度改變，根據(jù)示例實施例的生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置也可以正常地監(jiān)控生產(chǎn)工藝。該裝置可以包括:測量單元，產(chǎn)生與等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度對應(yīng)的測量數(shù)據(jù)；和輸出單元，基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值并基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝，該補償值通過抵消靈敏度的變化而產(chǎn)生。
[0086]這里已公開了示例實施例，并且盡管采用了特定的術(shù)語，但是僅在普通和描述性的含義上使用和解釋它們，而不是出于限制的目的。在某些情況下，正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在提交本申請時所清楚的，除非另外特別說明，結(jié)合具體實施例描述的特征、特性和/或元件可以被單獨地使用、或與結(jié)合其它實施例描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上做出各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法，所述方法包括: 通過使用測量裝置分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置中的等離子體氣體由對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光； 基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生； 基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝包括: 基于補償值執(zhí)行端點檢測操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝包括: 基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作。
7.—種監(jiān)控生產(chǎn)工藝的方法，所述方法包括: 通過將生產(chǎn)工藝裝置中的氣體注入將所述氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體氣體的產(chǎn)生裝置來產(chǎn)生等離子體氣體； 通過使用測量裝置分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)?shù)入x子體氣體由對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光； 基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生； 基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 基于測量數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差產(chǎn)生補償值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，產(chǎn)生補償值包括: 將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝包括: 基于補償值執(zhí)行端點檢測操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，監(jiān)控生產(chǎn)工藝包括: 基于補償值對生產(chǎn)工藝裝置執(zhí)行泄漏檢測操作。
13.一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置，所述生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置包括: 測量單元，被配置為通過分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)生產(chǎn)工藝裝置中的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光； 控制單元，被配置為基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值并基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，所述生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置還包括: 輸出單元，被配置為顯示從控制單元輸出的監(jiān)控結(jié)果。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中，控制單元將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中，控制單元將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
17.一種生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置，包括: 產(chǎn)生單元，被配置為接收生產(chǎn)工藝裝置的氣體，并基于生產(chǎn)工藝裝置的氣體產(chǎn)生等離子體氣體； 測量單元，被配置為通過分析等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度來產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)，當(dāng)產(chǎn)生單元的等離子體氣體從對應(yīng)于高能態(tài)的能級變成對應(yīng)于低能態(tài)的能級時產(chǎn)生所述等離子體發(fā)射光； 控制單元，被配置為基于測量數(shù)據(jù)產(chǎn)生補償值并基于補償值監(jiān)控生產(chǎn)工藝，所述補償值通過抵消由于生產(chǎn)工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導(dǎo)致的靈敏度的變化而產(chǎn)生。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，所述生產(chǎn)工藝監(jiān)控裝置還包括: 輸出單元，被配置為顯示從控制單元輸出的監(jiān)控結(jié)果。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，控制單元將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于預(yù)設(shè)波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，控制單元將補償值確定為歸一化值，所述歸一化值通過基于等離子體發(fā)射光關(guān)于整個波段的發(fā)射強度的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差將等離子體發(fā)射光的發(fā)射強度歸一化而產(chǎn)生。
【文檔編號】H01L21/66GK103972123SQ201310537592
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月29日
【發(fā)明者】丁榮載 申請人:三星顯示有限公司