半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供不會阻礙外部電極與鍵合線的電接觸、不對小型化以及量產(chǎn)化造成障礙的CoC連接的半導(dǎo)體裝置。具有：矩形形狀的下側(cè)半導(dǎo)體元件；沿著所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的邊而排列并形成在下側(cè)半導(dǎo)體元件上的多個外部電極；經(jīng)由多個布線圖案與多個外部電極分別電連接、且排列并形成在下側(cè)半導(dǎo)體元件上的多個內(nèi)部電極；形成為包圍多個外部電極中的每一個或每多個的隔墻圖案；以多個端子分別與多個內(nèi)部電極電連接的方式搭載在下側(cè)半導(dǎo)體元件上的上側(cè)半導(dǎo)體元件；以及以滴注并流入下側(cè)半導(dǎo)體元件與上側(cè)半導(dǎo)體元件之間的方式而形成的樹脂。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。特別地,涉及在CoC (chip on chip ;疊層芯片)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，不管上側(cè)半導(dǎo)體元件的大小如何都能夠不使底部填充(underfiling)樹脂流入下側(cè)半導(dǎo)體元件的外部電極(周邊部電極)的、可靠性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，對CoC (疊層芯片)連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行了研究，利用圖8對其具體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。即，在表面上形成了電極9的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6上，經(jīng)由凸塊8以倒裝芯片安裝的方式搭載有上側(cè)半導(dǎo)體芯片5。下側(cè)半導(dǎo)體芯片6與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5之間以及凸塊8被通過滴注(灌封)而流入的底部填充樹脂4所覆蓋。下側(cè)半導(dǎo)體芯片6借助于粘接劑7搭載在基底基板2上，下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的周邊部的外部電極9與基底基板2的電極通過鍵合線10而電連接。在基底基板2上以包圍上側(cè)半導(dǎo)體芯片5、下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的方式形成有樹脂I。在基底基板2的背面形成有在安裝于印刷電路基板等上所使用的焊料球3。
[0003]在如上述那樣的CoC連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，通過滴注而流入的底部填充樹脂4會流入到外部電極9表面，結(jié)果，存在阻礙外部電極9與鍵合線10的電接觸的可能性。
[0004]于是，在日本特開2003-234362號公報(專利文獻(xiàn)I)以及日本特開2005-276879號公報(專利文獻(xiàn)2)記載的半導(dǎo)體裝置中，公開了形成用于防止使通過滴注而流入的底部填充樹脂4到達(dá)外部電極9的表面的隔墻的例子。利用圖9、圖10以及圖11對將這種隔墻應(yīng)用于圖8的半導(dǎo)體裝置的例子進(jìn)行說明。
[0005]圖9是形成了用于防止使通過滴注而流入的底部填充樹脂4到達(dá)外部電極9的表面的隔墻11的例子的剖視圖。圖10是下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的俯視圖，圖11是剛進(jìn)行了 CoC連接后的上側(cè)半導(dǎo)體芯片5以及下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的剖視圖。若在該狀態(tài)下，將底部填充樹脂4滴注到隔墻11與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5之間的區(qū)域，則如圖9的剖面圖所示，底部填充樹脂會擴(kuò)散，但是即便滴注的底部填充樹脂4向外側(cè)方向流動，由于在一定程度上被隔墻11阻攔，因此底部填充樹脂4也不會覆蓋外部電極9的表面，結(jié)果，阻礙外部電極9與鍵合線10的電接觸的可能性被降低。
[0006](現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))
[0007](專利文獻(xiàn))
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-234362號公報
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開2005-276879號公報
[0010]然而，在以往的CoC連接的半導(dǎo)體裝置中，若向外側(cè)方向流動的底部填充樹脂4 一旦越過了隔墻11，則底部填充樹脂4會覆蓋大部分的外部電極9的表面，結(jié)果，會阻礙外部電極9與鍵合線10的電接觸。為了避免發(fā)生這樣的問題，必須充分地設(shè)置隔墻11與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5的距離，并且嚴(yán)格地控制底部填充樹脂4的量，從而會對半導(dǎo)體裝置的小型化以及量產(chǎn)化造成障礙。另外，在以往的CoC連接的半導(dǎo)體裝置中，由于隔墻11以一條線的方式包圍內(nèi)部電極，因此存在在熱處理工序中以及因樹脂的滴注而脫落的擔(dān)憂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明鑒于上述課題而完成，其目的在于提供不阻礙外部電極與鍵合線的電接觸、不會對小型化以及量產(chǎn)化造成障礙的CoC連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0012]為了解決上述課題，本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有:矩形形狀的下側(cè)半導(dǎo)體元件；多個外部電極，所述多個外部電極沿著所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的邊而排列并形成在下側(cè)半導(dǎo)體元件上；多個內(nèi)部電極，所述多個內(nèi)部電極經(jīng)由多個布線圖案與多個外部電極分別電連接，并且排列而形成在下側(cè)半導(dǎo)體元件上；隔墻圖案，其形成為包圍多個外部電極中的每一個或每多個；上側(cè)半導(dǎo)體元件，其以多個端子分別與多個內(nèi)部電極電連接的方式搭載在下側(cè)半導(dǎo)體元件上；以及樹脂，其輸出為滴注并流入下側(cè)半導(dǎo)體元件與上側(cè)半導(dǎo)體元件之間的方式。
[0013]優(yōu)選地，隔墻圖案由焊料形成，且與形成在內(nèi)部電極上的焊料凸塊同時地形成。
[0014]在下側(cè)半導(dǎo)體元件表面上形成有絕緣膜，多個布線圖案形成在絕緣膜上。優(yōu)選地，在布線圖案上還形成有高分子絕緣薄膜，所述高分子絕緣薄膜的、多個內(nèi)部電極以及多個外部電極的區(qū)域是開口了的。
[0015]優(yōu)選地，隔墻圖案是在維持從滴注樹脂的區(qū)域通向下側(cè)半導(dǎo)體元件的外周的空隙的同時形成的。
[0016]優(yōu)選地，隔墻圖案形成為將多個外部電極按每多個進(jìn)行包圍的方式，并且隔墻圖案也形成在外部電極的各個之間。
[0017]為了解決上述課題，本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具有:在矩形形狀的下側(cè)半導(dǎo)體元件上形成沿著所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的邊而排列的多個外部電極、排列了的多個內(nèi)部電極以及將多個外部電極與多個內(nèi)部電極分別電連接的布線圖案的工序；以將多個外部電極中的每一個或每多個進(jìn)行包圍的方式形成隔墻圖案的工序；以將上側(cè)半導(dǎo)體元件的多個端子分別與多個內(nèi)部電極電連接的方式在下側(cè)半導(dǎo)體元件上搭載上側(cè)半導(dǎo)體元件的工序；以及以流入下側(cè)半導(dǎo)體元件與上側(cè)半導(dǎo)體元件之間的方式滴注形成樹脂的工序。
[0018]優(yōu)選地，隔墻由焊料形成，并且與形成在內(nèi)部電極上的焊料凸塊同時地形成。
[0019]在下側(cè)半導(dǎo)體元件表面上形成絕緣膜，在絕緣膜上形成多個布線圖案。優(yōu)選地，在布線圖案上還形成有高分子絕緣薄膜，所述高分子絕緣薄膜的、多個內(nèi)部電極以及多個外部電極的區(qū)域是開口了的。
[0020]優(yōu)選地，一邊維持從滴注樹脂的區(qū)域通向下側(cè)半導(dǎo)體元件的外周的空隙，一邊形成隔墻圖案。
[0021]優(yōu)選地，以將多個外部電極按每多個進(jìn)行包圍的方式形成隔墻圖案，并且在外部電極的各個之間也形成隔墻圖案。
[0022](發(fā)明的效果)
[0023]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供不阻礙外部電極與鍵合線的電接觸、不對小型化以及量產(chǎn)化造成障礙的CoC連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。關(guān)于其他的效果，會在下文中詳述?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0025]圖2是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的下側(cè)半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
[0026]圖3是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的下側(cè)半導(dǎo)體芯片以及上側(cè)半導(dǎo)體芯片在CoC連接之前的狀態(tài)下的剖視圖。
[0027]圖4是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的下側(cè)半導(dǎo)體芯片以及上側(cè)半導(dǎo)體芯片在CoC連接之后的狀態(tài)下的剖視圖。
[0028]圖5是本發(fā)明的第一變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
[0029]圖6是本發(fā)明的第二變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
[0030]圖7是本發(fā)明的第三變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
[0031]圖8是以往例的半導(dǎo)體裝置(沒有隔墻)的剖視圖。
[0032]圖9是以往例的半導(dǎo)體裝置(有隔墻)的剖視圖。
[0033]圖10是以往例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
[0034]圖11是以往例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片以及上側(cè)半導(dǎo)體芯片在CoC連接之后的狀態(tài)下的剖視圖。
[0035](附圖標(biāo)記的說明)
[0036]I樹脂；2基底基板；3焊料球；4底部填充樹脂；5上側(cè)半導(dǎo)體芯片；6下側(cè)半導(dǎo)體芯片；7粘接劑；8凸塊；9外部電極；10鍵合線；12隔墻。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下，參照圖1?圖7對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，在實(shí)施方式中，對同一結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，并省略了實(shí)施方式之間的重復(fù)說明。
[0038]圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。該半導(dǎo)體裝置以搭載在基底基板2上的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6和搭載在所述下側(cè)半導(dǎo)體芯片6上的上側(cè)半導(dǎo)體芯片5為主要的構(gòu)成元件。
[0039]圖2是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的俯視圖。下側(cè)半導(dǎo)體芯片6為矩形形狀，沿著它的四邊在表面上配置有外部電極9。雖然在圖中多個外部電極9沿著邊配置成一列，但也可以配置成兩列或交錯地排列。另外，在與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5電連接之處配置有矩陣狀的內(nèi)部電極80。
[0040]以下，結(jié)合制造工序?qū)Ω鞑考右哉f明。
[0041]下側(cè)半導(dǎo)體芯片6用硅基板形成，在其表面上既可以形成集成電路，也可以不形成集成電路。但無論哪種情況，最上層都形成例如氮化硅膜，其上例如利用銅薄膜形成外部電極9、內(nèi)部電極80、以及連接它們的布線(未圖示)。在本實(shí)施例中，在銅布線等上形成有厚5 μ m的聚酰亞胺絕緣膜，在該聚酰亞胺絕緣膜上形成有露出外部電極9、內(nèi)部電極80、由銅薄膜形成的虛設(shè)布線(其上形成隔墻12)的開口。由銅薄膜形成的虛設(shè)布線也可以與外部電極9、內(nèi)部電極80、以及連接它們的布線同時地形成。聚酰亞胺絕緣膜例如用旋涂法進(jìn)行涂覆，而開口利用蝕刻而形成。通過形成聚酰亞胺絕緣膜，能夠防止連接外部電極9與內(nèi)部電極80的、由銅薄膜等形成的布線等的損傷,能夠阻隔引起所謂的軟錯誤(soft error)的α射線。
[0042]在下側(cè)半導(dǎo)體芯片6上形成的內(nèi)部電極80具有例如直徑20 μ m的八邊形等任意形狀的鋁焊盤，它們排列成例如30X30的矩陣狀。排列的間距例如為40μπι。
[0043]下側(cè)半導(dǎo)體芯片6表面的外部電極9按每邊進(jìn)行分組，以包圍分組后的每個外部電極9的方式，在從聚酰亞胺絕緣膜的開口部露出的銅薄膜的虛設(shè)布線上形成隔墻12。隔墻12不僅包圍組的周圍，也以梯子狀形成在相鄰的外部電極9之間。在下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的四個角附近有隔墻圖案的間斷，此處形成使底部填充樹脂4流向芯片外周的空隙13。隔墻由焊料形成，其粗細(xì)為45?55 μ m,高度為15 μ m?25 μ m。更優(yōu)選地，隔墻的粗細(xì)為50 μ m，高度為20 μ m。在內(nèi)部電極80的表面上，焊料層經(jīng)也是由例如由鎳形成的金屬阻擋層而與隔墻同時地例如通過電鍍來形成。另外，上述說明是基于下側(cè)半導(dǎo)體芯片6來進(jìn)行的，但內(nèi)部電極80表面的焊料層與隔墻是在形成有多個下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的晶片狀態(tài)下形成的，之后對多個下側(cè)半導(dǎo)體芯片6進(jìn)行單片化，而在對下側(cè)半導(dǎo)體芯片6進(jìn)行單片化后，進(jìn)行后述的與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5的接合、底部填充樹脂的填充工序。
[0044]圖3是本發(fā)明的一個實(shí)施方式的下側(cè)半導(dǎo)體芯片以及上側(cè)半導(dǎo)體芯片在CoC連接之前的狀態(tài)下的剖視圖。在下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的表面上，均由焊料形成的隔墻12與內(nèi)部電極80表面的焊料層81突出出來。另一方面，在已經(jīng)形成了集成電路的上側(cè)半導(dǎo)體芯片5的表面電極上形成有焊料層82。使焊料層81與焊料層82對位并將上側(cè)半導(dǎo)體芯片5與下側(cè)半導(dǎo)體芯片6進(jìn)行CoC連接。此時的加熱溫度為比焊料的熔點(diǎn)高的260°C左右，焊料層81與焊料層82熔化而結(jié)合,如圖4所示,成為鼓狀(drum stick)的凸塊8。
[0045]針對CoC連接后的半導(dǎo)體裝置，在將溫度維持在100°C左右的狀態(tài)下向上側(cè)半導(dǎo)體芯片5與隔墻12之間滴注底部填充樹脂4。底部填充樹脂4采用環(huán)氧樹脂。結(jié)果，下側(cè)半導(dǎo)體芯片6與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5之間以及凸塊8會因底部填充樹脂4的表面張力而被底部填充樹脂4覆蓋(圖1)。此時，即使由于底部填充樹脂4的量多、或者隔墻12與上側(cè)半導(dǎo)體芯片5的距離小的原因，底部填充樹脂4看上去要從隔墻12的上面溢出，底部填充樹脂4也會通過間隙13向下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的外周側(cè)逃逸。結(jié)果，底部填充樹脂4不會流出到外部電極9上。另外，由于隔墻12覆蓋外部電極9的周圍，因此逃逸到下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的外周側(cè)的底部填充樹脂4也不會迂回而流到外部電極9上。由于底部填充樹脂通常具有熱固化性，因此若溫度升高到150°C則底部填充樹脂4會固化。此處，雖然也存在由于底部填充樹脂4的流動，向隔墻12施加變形壓力的情況，但是由于隔墻12形成為梯子狀，因此銅薄膜的虛設(shè)布線與焊料的接觸面積增大，緊貼性提高，因此不必?fù)?dān)心隔墻12的形狀走樣。
[0046]接下來，下側(cè)半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由粘接劑7而搭載在基底基板2上。下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的周邊部的外部電極9與基底基板2的電極通過鍵合線10而電連接。另外，在基底基板2上以包圍上側(cè)半導(dǎo)體芯片5、下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的方式形成樹脂I。樹脂I是環(huán)氧樹脂。最后，在基底基板2的背面形成在向電路印刷基板安裝時所使用的焊料球3。
[0047]圖5是本發(fā)明的第一變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片61的俯視圖。與圖2的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的區(qū)別在于隔墻121的圖案。在第一變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片61上，沿著四個邊的各邊的外部電極9分別被分組，分組后的外部電極9被隔墻121包圍，在各個外部電極9之間未插入隔墻圖案。在下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的四個角附近有隔墻121的圖案的間斷，在此形成使底部填充樹脂4向芯片外周流動的間隙13。據(jù)此也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。
[0048]圖6是本發(fā)明的第二變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片62的俯視圖。與圖2的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的區(qū)別在于隔墻122的圖案。在第二變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片62上，沿著四個邊的各邊的外部電極9的圖案上有空缺而形成了空隙132。被空隙132分離的外部電極9的組被各自不同的隔墻122的圖案包圍。由于在該結(jié)構(gòu)中形成了大的空隙132，因此與上述實(shí)施方式相比較，能夠使大量的底部填充樹脂4向下側(cè)半導(dǎo)體芯片62的外周逃逸，能夠防止底部填充樹脂4流出到外部電極9上。
[0049]圖7是本發(fā)明的第三變形例的下側(cè)半導(dǎo)體芯片63的俯視圖。與圖2的下側(cè)半導(dǎo)體芯片6的區(qū)別在于外部電極9的排列以及隔墻123的圖案。在第三變形例中，外部電極9交錯狀地排列成兩列，各個外部電極9被隔墻123的圖案單獨(dú)地包圍。由于在該結(jié)構(gòu)中，朝向下側(cè)半導(dǎo)體芯片的外周形成多個空隙133，因此與上述實(shí)施方式相比較，能夠使大量的底部填充樹脂4向下側(cè)半導(dǎo)體芯片63的外周逃逸，能夠防止底部填充樹脂4流出到外部電極9上。
[0050]以上，對本發(fā)明的實(shí)施方式以及各種變形例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述方式，只要不脫離本發(fā)明的宗旨，還可以有更多的變形。例如，隔墻由焊料形成，且與焊料凸塊同時地形成，但也可以取代焊料地，用聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂的樹脂片材形成。外部電極以及內(nèi)部電極的圖案能夠進(jìn)行各種各樣的變形。
[0051 ] 在本發(fā)明的一個實(shí)施方式或者各種變形例中，能夠?qū)崿F(xiàn)以下的任一效果。
[0052]( I)根據(jù)本發(fā)明，能夠提供不阻礙外部電極與鍵合線的電接觸、不對小型化以及量產(chǎn)化造成障礙的CoC連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0053](2)在本發(fā)明中，在將焊料用作隔墻的情況下，由于能夠同時地形成內(nèi)部電極上的焊料凸塊與隔墻，因此能夠使制造工序簡化。
[0054](3)在本發(fā)明中，將焊料用作隔墻，在隔墻的圖案上進(jìn)行創(chuàng)新，據(jù)此能夠提高其與下層的緊貼性，防止隔墻的脫落。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 矩形形狀的下側(cè)半導(dǎo)體元件； 多個外部電極，所述多個外部電極沿著所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的邊而排列并形成在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件上； 多個內(nèi)部電極，所述多個內(nèi)部電極經(jīng)由多個布線圖案與所述多個外部電極分別電連接，并且排列而形成在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件上； 隔墻圖案，所述隔墻圖案形成為包圍所述多個外部電極中的每一個或每多個； 上側(cè)半導(dǎo)體元件，所述上側(cè)半導(dǎo)體元件以多個端子分別與所述多個內(nèi)部電極電連接的方式搭載在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件上；以及 樹脂，所述樹脂形成為滴注并流入所述下側(cè)半導(dǎo)體元件與所述上側(cè)半導(dǎo)體元件之間的方式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述隔墻圖案由焊料形成，且與形成在所述內(nèi)部電極上的焊料凸塊同時地形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件表面上形成有絕緣膜，所述多個布線圖案形成在所述絕緣膜上，在所述布線圖案上形成有絕緣薄膜，所述絕緣薄膜的、所述多個內(nèi)部電極以及所述多個外部電極的區(qū)域是開口了的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述隔墻圖案是在維持從滴注所述樹脂的區(qū)域通向所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的外周的空隙的同時而形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述隔墻圖案形成為以將所述多個外部電極按每多個進(jìn)行包圍的方式，并且所述隔墻圖案也形成在所述多個外部電極的各個之間。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有: 在矩形形狀的下側(cè)半導(dǎo)體元件上形成沿著所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的邊而排列的多個外部電極、排列了的多個內(nèi)部電極以及將所述多個外部電極與所述多個內(nèi)部電極分別電連接的布線圖案的工序； 以將所述多個外部電極中的每一個或每多個進(jìn)行包圍的方式形成隔墻圖案的工序； 以將上側(cè)半導(dǎo)體元件的多個端子分別與所述多個內(nèi)部電極電連接的方式在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件上搭載所述上側(cè)半導(dǎo)體元件的工序；以及 以流入所述下側(cè)半導(dǎo)體元件與所述上側(cè)半導(dǎo)體元件之間的方式滴注而形成樹脂的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述隔墻圖案由焊料形成，并且與形成在所述內(nèi)部電極上的焊料凸塊同時地形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述下側(cè)半導(dǎo)體元件表面上形成絕緣膜，在所述絕緣膜上形成所述多個布線圖案，在所述布線圖案上形成絕緣薄膜，所述絕緣薄膜的、所述多個內(nèi)部電極以及所述多個外部電極的區(qū)域是開口了的。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，一邊維持從滴注所述樹脂的區(qū)域通向所述下側(cè)半導(dǎo)體元件的外周的空隙，一邊形成所述隔墻圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，以將所述多個外部電極按每多個進(jìn)行包圍的方式形 成所述隔墻圖案，并且在所述多個外部電極的各個之間也形成所述隔墻圖 案。
【文檔編號】H01L21/56GK103824819SQ201310539882
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月19日
【發(fā)明者】須田亨 申請人:株式會社吉帝偉士