一種GaN基白光發(fā)光二極管及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基白光發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。所述發(fā)光二極管包括襯底、在所述襯底正面依次生長(zhǎng)的第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層、第一量子阱發(fā)光層、p型GaN層、納米銦錫金屬氧化物層、n型電極、p型電極和鈍化層；在所述襯底反面依次生長(zhǎng)的第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層和第二量子阱發(fā)光層，所述第一量子阱發(fā)光層用于發(fā)出藍(lán)光，所述第二量子阱發(fā)光層用于在第一量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)出黃光。本發(fā)明通過(guò)在襯底正反兩面生長(zhǎng)不同的量子阱結(jié)構(gòu)分別發(fā)出藍(lán)光和黃光復(fù)合得到白光。由于不使用熒光粉，光衰影響小，因此GaN基白光LED具有良好的穩(wěn)定性和使用壽命，且工業(yè)化生產(chǎn)簡(jiǎn)單。
【專利說(shuō)明】一種GaN基白光發(fā)光二極管及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001 ] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電子器件制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種GaN基白光發(fā)光二極管及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED, Light Emitting Diode)，尤其是白光LED因其高效、節(jié)能、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為第四代綠色照明光源。隨著白光LED在照明、背光源等領(lǐng)域越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，因此對(duì)其進(jìn)行研究意義非凡。
[0003]現(xiàn)有的白光LED多采用LED發(fā)出的短波長(zhǎng)光去激發(fā)各色熒光粉，使各色熒光粉發(fā)出各色光，進(jìn)而將各色光進(jìn)行混合產(chǎn)生白光。例如，利用藍(lán)光LED激發(fā)YAG(釔鋁石榴石，化學(xué)式為Y3Al5O12)熒光粉，其中部分藍(lán)光被YAG熒光粉吸收后發(fā)出黃光，該黃光與未被吸收的藍(lán)光混合成為白光。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0005]由于熒光粉光衰快，且封裝工藝復(fù)雜，使得使用熒光粉發(fā)光的白光LED使用壽命短，穩(wěn)定性和可靠性均不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基白光發(fā)光二極管及其制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基白光發(fā)光二極管,所述發(fā)光二極管包括襯底、在所述襯底正面依次生長(zhǎng)的第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層、第一量子阱發(fā)光層、P型GaN層、納米銦錫金屬氧化物層和鈍化層，所述p型GaN層上生長(zhǎng)有p型電極，所述n型GaN層上生長(zhǎng)有n型電極，且所述p型電極和所述n型電極穿過(guò)所述鈍化層裸露在外，所述發(fā)光二極管還包括在所述襯底反面依次生長(zhǎng)的第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層和第二量子阱發(fā)光層，所述第一量子阱發(fā)光層用于發(fā)出藍(lán)光，所述第二量子阱發(fā)光層用于在所述第一量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)出黃光。
[0008]優(yōu)選地，所述第一量子阱發(fā)光層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述第一量子阱發(fā)光層由InyGai_yN層和AlaInbGa1IbN層堆疊而成，其中，y的取值范圍為0.1~0.3，a的取值范圍為0.1~0.4、b的取值范圍為0.1~0.3，所述第一量子阱發(fā)光層的周期數(shù)為6~12。
[0009]進(jìn)一步地，所述第一量子阱發(fā)光層的所述InyGai_yN層和所述AlaInbGa1^N層的厚度均為2~5nm。
[0010]優(yōu)選地，所述第二量子阱發(fā)光層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述第二量子阱發(fā)光層由InxGahN層和AlaInbGa1IbN層堆疊而成，其中，X的取值范圍為0.3~0.6，a的取值范圍為0.1~0.4、b的取值范圍為0.1~0.3，所述第二量子阱發(fā)光層的周期數(shù)為6~12。
[0011]進(jìn)一步地，所述第二量子阱發(fā)光層的所述InxGahN層和所述AlaInbGa1^N層的厚度均為2~5nm。[0012]優(yōu)選地，所述襯底的正面和/或反面均為圖形化表面。
[0013]優(yōu)選地，所述發(fā)光二極管還包括生長(zhǎng)在所述第二量子阱發(fā)光層上的反射層。
[0014]進(jìn)一步地，所述反射層為Ag層或者分布式布拉格反射鏡層中的一種。
[0015]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基白光發(fā)光二極管的制備方法,所述方法包括:
[0016]提供一襯底；
[0017]在所述襯底正面依次生長(zhǎng)第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層、第一量子阱發(fā)光層、P型GaN層；
[0018]在所述襯底反面依次生長(zhǎng)第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層和第二量子阱發(fā)光層；
[0019]在所述p型GaN層上生長(zhǎng)納米銦錫金屬氧化物電流擴(kuò)散層、p型電極和鈍化層，在所述n型GaN層上生長(zhǎng)n型電極，所述n型電極和所述p型電極穿過(guò)所述鈍化層裸露在外。
[0020]優(yōu)選地，所述方法還包括:在所述第二量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)反射層。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0022]通過(guò)在襯底正反兩面生長(zhǎng)不同波長(zhǎng)的量子阱結(jié)構(gòu)，由正面量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)反面量子阱發(fā)光層發(fā)出黃光，再通過(guò)反射層的反射作用使黃光在正面與藍(lán)光復(fù)合得到白光。由于不使用熒光粉，光衰影響小，因此GaN基白光LED具有良好的穩(wěn)定性和使用壽命，且工業(yè)化生產(chǎn)簡(jiǎn)單。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種GaN基白光發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種GaN基白光發(fā)光二極管制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0027]實(shí)施例一
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基白光發(fā)光二極管，參見(jiàn)圖1，該發(fā)光二極管包括:襯底1、在襯底I正面依次生長(zhǎng)的第一低溫緩沖層2、第一高溫緩沖層3、n型GaN層4、第一量子講發(fā)光層 5、p 型 GaN 層 6、ITO (Indium Tin Oxides Indium Tin Oxides,納米銦錫金屬氧化物)層7、n型電極8、p型電極9和鈍化層10 ;在襯底I反面依次生長(zhǎng)的第二低溫緩沖層U、第二高溫緩沖層12和第二量子阱發(fā)光層13。第一量子阱發(fā)光層5用于發(fā)出藍(lán)光，第二量子阱發(fā)光層13用于在第一量子阱發(fā)光層5發(fā)出的藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)出黃光。
[0029]進(jìn)一步地，第一量子講發(fā)光層5電致發(fā)出藍(lán)光,第二量子講發(fā)光層13在該藍(lán)光的作用下光致發(fā)出黃光，該黃光在反射層14的反射下與藍(lán)光在第一量子阱發(fā)光層5中復(fù)合產(chǎn)生白光，其中，第一量子講發(fā)光層5發(fā)出的藍(lán)光的波長(zhǎng)范圍為430~480nm,第二量子講發(fā)光層13受第一量子講發(fā)光層5發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)而發(fā)出的黃光的波長(zhǎng)范圍為560~590nm。這種結(jié)構(gòu)不采用熒光粉即可得到白光，光衰影響小，制作的發(fā)光二極管壽命更長(zhǎng)，并且襯底反面采用第二量子阱發(fā)光層，可以針對(duì)正面藍(lán)光波長(zhǎng)范圍進(jìn)行生長(zhǎng)調(diào)整，使反面第二量子阱發(fā)光層更有針對(duì)性地、更加高效地吸收正面第一量子阱發(fā)光層產(chǎn)生的藍(lán)光，并準(zhǔn)確地產(chǎn)生所需要的黃光波長(zhǎng)，使黃光與藍(lán)光混合成所需要的白光?？偠灾梢酝ㄟ^(guò)調(diào)整第一量子阱發(fā)光層和第二量子阱發(fā)光層來(lái)調(diào)節(jié)藍(lán)光和黃光的波長(zhǎng)及比例，從而進(jìn)一步調(diào)節(jié)白光的色溫及光強(qiáng)，最終產(chǎn)生更優(yōu)質(zhì)的白光。
[0030]進(jìn)一步地，第一量子阱發(fā)光層5 (即襯底I正面的量子阱發(fā)光層)采用超晶格結(jié)構(gòu)，由InyGai_yN層51和AlaInbGa1IbN層52堆疊而成，其中，InyGai_yN層51中InN的含量y值為0.1~0.3，AlaInbGa1IbN層52中AlN的含量a值為0.1~0.4、InN的含量b值為0.1~0.3。InyGa1J層51和AlaInbGa1IbN層52的厚度均為2~5nm。第一量子阱發(fā)光層5的周期數(shù)可以為6~12。
[0031]第二量子阱發(fā)光層13 (即襯底I反面的量子阱發(fā)光層)也采用超晶格結(jié)構(gòu)，由InxGahN層131和AlaInbGa1IbN層132堆疊而成，其中，InxGa^N層131中InN的含量x值為
0.3~0.6，AlaInbGa1J層132中AlN的含量a值為0.1~0.4、InN的含量b值為0.1~
0.3。InxGahN層131和AlaInbGa1IbN層132的厚度均為2~5nm。第二量子阱發(fā)光層13周期數(shù)可以為6~12。
[0032]優(yōu)選地，p型GaN層6空穴濃度為IO16~102°cm_3。容易知道，p型GaN層6不限于Mg摻雜，且P型GaN層6可以為單層也可以為多層。
[0033]優(yōu)選地，襯底I可以采用藍(lán) 寶石襯底，容易知道，襯底I還可以采用Si襯底、SiC襯底、GaN襯底。
[0034]優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，襯底I的正面和/或反面均為圖形化表面。圖形化表面上的圖形可以是周期性圖形陣列，陣列中的圖形單元可以為圓形、方形三角形或不規(guī)則圖形中的一種或幾種的組合。圖形化表面可以增加材料分界處的透射率，使光更高效的通過(guò)襯底，從而避免光在襯底內(nèi)多次反射而降低出光效率。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，襯底I的正面和反面也可以是平坦的表面。
[0035]在本實(shí)施例中，鈍化層10為SiO2層或者SiC層中的一種。ITO層7和鈍化層10生長(zhǎng)在P型GaN層6上，n型電極8和p型電極9穿過(guò)鈍化層10裸露在外。
[0036]優(yōu)選地，本實(shí)施例中，發(fā)光二極管還包括生長(zhǎng)在第二量子阱發(fā)光層13上的反射層14。利用反射層14的反射作用以提高正面出光量。容易知道，在其他實(shí)施例中可以不采用反射層。
[0037]可選地，反射層14為Ag層或者DBR (Distributed Bragg Ref lection,分布式布拉格反射鏡)層中的一種。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0039]通過(guò)在襯底正反兩面生長(zhǎng)不同波長(zhǎng)的量子阱結(jié)構(gòu)，由正面量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)反面量子阱發(fā)光層發(fā)出黃光，再通過(guò)反射層的反射作用使黃光在正面與藍(lán)光復(fù)合得到白光。由于不使用熒光粉，光衰影響小，因此GaN基白光LED具有良好的穩(wěn)定性和使用壽命，并且由于采用了正反雙面的量子阱結(jié)構(gòu)，故外延結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，產(chǎn)生的白光光質(zhì)量更好。另外，這種白光LED不再采用熒光粉，避免了熒光粉的特殊封裝工藝，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，提高了生產(chǎn)效率，降低了制作成本。并且，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，可以通過(guò)調(diào)節(jié)量子阱結(jié)構(gòu)中In和Al的含量，來(lái)調(diào)節(jié)其發(fā)出的光的波長(zhǎng)和比例，從而進(jìn)一步調(diào)節(jié)LED發(fā)出的白光的色溫及光強(qiáng)，易于實(shí)現(xiàn)。
[0040]實(shí)施例二
[0041 ] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基白光發(fā)光二極管的制備方法，參見(jiàn)圖2，該方法包括:
[0042]步驟201:提供一襯底；
[0043]優(yōu)選地，襯底采用藍(lán)寶石襯底，容易知道，襯底還可以采用Si襯底、SiC襯底、GaN襯底。
[0044]在本實(shí)施例中，襯底的正面和/或反面均為圖形化表面。圖形化表面上的圖形可以是周期性圖形陣列，陣列中的圖形單元可以為圓形、方形三角形或不規(guī)則圖形中的一種或幾種的組合。圖形化表面可以增加材料分界處的透射率，使光更高效的通過(guò)襯底，從而避免光在襯底內(nèi)多次反射而降低出光效率。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，襯底的正面和反面也可以是平坦的表面。
[0045]具體地，將藍(lán)寶石襯底在MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition 金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)反應(yīng)腔中加熱至1060°C，在氫氣氣氛里對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行退火處理以及氮化處理10分鐘，以清潔襯底表面。
[0046]步驟202:在襯底正面依次生長(zhǎng)的第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層；
[0047]具體地，在溫度為500°C~650°C，壓力為300Torr~760Torr，V/III摩爾比為500~3000的條件下，生長(zhǎng)一層厚度為15~30nm摻雜的氮化鎵層，此為第一低溫緩沖層；在溫度為1000°C~1200°C，壓力為50Torr~760Torr，V/III摩爾比為300~3000的條件下，生長(zhǎng)一層厚度為0.8 y m~2 y m的非摻雜的氮化鎵層，此為第一高溫緩沖層。
[0048]在第一高溫緩沖層上生長(zhǎng)n型GaN層，其厚度為3iim~4iim，生長(zhǎng)溫度為10000C- 1200°C，生長(zhǎng)壓力為 50Torr ~760Torr, V/III 摩爾比為 300 ~3000。
[0049]步驟203:在n型GaN層上生長(zhǎng)第一量子阱發(fā)光層；
[0050]第一量子阱發(fā)光層(即襯底正面的量子阱發(fā)光層)用于發(fā)出藍(lán)光，其結(jié)構(gòu)采用超晶格結(jié)構(gòu)，由InyGa^N層和AlaInbGa1IbN層組成，其中，InyGahyN層中InN的含量y值為0.1~
0.3,AlaInbGa1IbN 層中 AlN 的含量 a 值為 0.1 ~0.4、InN 的含量 b 值為 0.1 ~0.3。InyGa1^yN層和AlaInbGamN層的厚度均為2~5nm。第一量子阱發(fā)光層的周期數(shù)可以為6~12。
[0051]進(jìn)一步地,第一量子講發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光波長(zhǎng)范圍為430~480nm。
[0052]具體地，第一量子阱發(fā)光層生長(zhǎng)的溫度為720°C~820°C，生長(zhǎng)壓力為200Torr~400Tor r, V/III 摩爾比為 300 ~5000。
[0053]步驟204:在第一量子阱發(fā)光層上，生長(zhǎng)P型GaN層；
[0054]優(yōu)選地，p型GaN層空穴濃度為IO16~102°cm_3。容易知道，p型GaN層包括但不限于Mg摻雜，且P型層GaN可以為單層也可以為多層。
[0055]具體地，p型GaN層成分為AlInGaN,生長(zhǎng)溫度為850°C~1050°C，生長(zhǎng)壓力為IOOTorr~760Torr, V/III摩爾比為1000~20000，該層Mg摻雜濃度Mg/Ga摩爾比為1/100~1/4,生長(zhǎng)厚度為5 nm~20nm。[0056]步驟205:在襯底反面依次生長(zhǎng)的第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層；
[0057]該步驟中第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層分別與步驟202中的第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層的生長(zhǎng)的方法相同，在此不再贅述。
[0058]步驟206:在第二高溫緩沖層上生長(zhǎng)第二量子阱發(fā)光層；
[0059]第二量子阱發(fā)光層(即襯底反面的量子阱發(fā)光層)用于在第一量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)出黃光，其結(jié)構(gòu)采用超晶格結(jié)構(gòu)，由InxGahN層和Al JnbGa^N層組成，其中，InxGahN層中InN的含量x值為0.3~0.6，AlaInbGa1IbN層中AlN的含量a值為
0.1~0.4、InN的含量b值為0.1~0.3。InxGa1^xN層和AlaInbGa1IbN層的厚度均為2~5nm。第二量子阱發(fā)光層的周期數(shù)可以為6~12。襯底反面采用量子阱發(fā)光層，可以針對(duì)正面藍(lán)光波長(zhǎng)范圍進(jìn)行生長(zhǎng)調(diào)整，使反面的量子阱發(fā)光層更有針對(duì)性地、更加高效地吸收正面量子阱發(fā)光層產(chǎn)生的藍(lán)光，準(zhǔn)確地產(chǎn)生所需的黃光，使黃光與藍(lán)光混合成所需的白光?？偠灾?，可以通過(guò)調(diào)整第一量子阱發(fā)光層和第二量子阱發(fā)光層來(lái)調(diào)節(jié)藍(lán)光和黃光的波長(zhǎng)及比例，從而調(diào)節(jié)白光的色溫及光強(qiáng)，最終產(chǎn)生更優(yōu)質(zhì)的白光。
[0060]進(jìn)一步地，第二量子阱發(fā)光層受第一量子阱發(fā)光層激發(fā)發(fā)出的黃光的波長(zhǎng)范圍為560 ~590nm。
[0061]具體地，第二量子阱發(fā)光層的生長(zhǎng)溫度為720°C~820°C，生長(zhǎng)壓力為200Torr~400Tor r, V/III 摩爾比為300 ~5000。
[0062]需要說(shuō)明的是，步驟202~204與步驟205~206的順序可以互換，也就是說(shuō)，可以先執(zhí)行步驟205~206，然后再執(zhí)行步驟202~204。容易知道，在其他實(shí)施例中，還可以是第一低溫緩沖層和第二低溫緩沖層一起制作，第一高溫緩沖層和第二高溫緩沖層一起制作。
[0063]步驟207:在p型GaN層上生長(zhǎng)ITO層、p型電極和鈍化層，在n型GaN層上生長(zhǎng)n型電極。
[0064]優(yōu)選地，鈍化層為SiO2層或者SiC層中的一種，ITO層和鈍化層生長(zhǎng)在p型GaN層上，n型電極和p型電極穿過(guò)鈍化層裸露在外。
[0065]具體地，可以采用清洗、鍍膜、光刻和刻蝕等半導(dǎo)體加工工藝依次在正面制作ITO層、n型電極、p型電極以及鈍化層。此為本領(lǐng)域熟知技術(shù)，再次不在詳述。
[0066]在本實(shí)施例中，該方法還包括步驟208:在第二量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)反射層。利用反射層的反射作用以提高正面出光量。容易知道，在其他實(shí)施例中可以不采用反射層。
[0067]可選地,反射層為Ag層或者DBR層中的一種。
[0068]實(shí)現(xiàn)時(shí)，該步驟208需要在步驟207之前執(zhí)行。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0070]通過(guò)在襯底正反兩面生長(zhǎng)不同波長(zhǎng)的量子阱結(jié)構(gòu)，由正面量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)反面量子阱發(fā)光層發(fā)出黃光，再通過(guò)反射層的反射作用使黃光在正面與藍(lán)光復(fù)合得到白光。由于不使用熒光粉，光衰影響小，因此GaN基白光LED具有良好的穩(wěn)定性和使用壽命，并且由于采用了正反雙面的量子阱結(jié)構(gòu)，故外延結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，產(chǎn)生的白光光質(zhì)量更好。另外，這種白光LED不再采用熒光粉，避免了熒光粉的特殊封裝工藝，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，提高了生產(chǎn)效率，降低了制作成本。并且，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，可以通過(guò)調(diào)節(jié)量子阱結(jié)構(gòu)中In和Al的含量，來(lái)調(diào)節(jié)其發(fā)出的光的波長(zhǎng)和比例，從而進(jìn)一步調(diào)節(jié)LED發(fā)出的白光的色溫及光強(qiáng)，易于實(shí)現(xiàn)。
[0071 ] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基白光發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括襯底、在所述襯底正面依次生長(zhǎng)的第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層、第一量子阱發(fā)光層、p型GaN層、納米銦錫金屬氧化物層和鈍化層，所述P型GaN層上生長(zhǎng)有p型電極，所述n型GaN層上生長(zhǎng)有n型電極，且所述P型電極和所述n型電極穿過(guò)所述鈍化層裸露在外，其特征在于， 所述發(fā)光二極管還包括在所述襯底反面依次生長(zhǎng)的第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層和第二量子阱發(fā)光層，所述第一量子阱發(fā)光層用于發(fā)出藍(lán)光，所述第二量子阱發(fā)光層用于在所述第一量子阱發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)出黃光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一量子阱發(fā)光層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述第一量子阱發(fā)光層由InyGa1J層和AlaInbGa1IbN層堆疊而成，其中，y的取值范圍為0.1~0.3，a的取值范圍為0.1~0.4、b的取值范圍為0.1~0.3，所述第一量子阱發(fā)光層的周期數(shù)為6~12。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一量子阱發(fā)光層的所述InyGa1^yN層和所述AlaInbGa卜a_bN層的厚度均為2~5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二量子阱發(fā)光層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述第二量子阱發(fā)光層由InxGahN層和AlaInbGa1IbN層堆疊而成，其中，x的取值范圍為0.3~0.6，a的取值范圍為0.1~0.4、b的取值范圍為0.1~0.3，所述第二量子阱發(fā)光層的周期數(shù)為6~12。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二量子阱發(fā)光層的所述InxGa1^xN層和所述AlaInbGa1IbN層的厚度均為2~5nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底的正面和/或反面均為圖形化表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括生長(zhǎng)在所述第二量子阱發(fā)光層上的反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述反射層為Ag層或者分布式布拉格反射鏡層中的一種。
9.一種如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的GaN基白光發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底正面依次生長(zhǎng)第一低溫緩沖層、第一高溫緩沖層、n型GaN層、第一量子阱發(fā)光層、P型GaN層； 在所述襯底反面依次生長(zhǎng)第二低溫緩沖層、第二高溫緩沖層和第二量子阱發(fā)光層； 在所述P型GaN層上生長(zhǎng)納米銦錫金屬氧化物層、p型電極和鈍化層，在所述n型GaN層上生長(zhǎng)n型電極，所述n型電極和所述p型電極穿過(guò)所述鈍化層裸露在外。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述第二量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)反射層。
【文檔編號(hào)】H01L33/08GK103531681SQ201310552311
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】桂宇暢 申請(qǐng)人:華燦光電(蘇州）有限公司