一種粗化表面的透明電容的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種粗化表面的透明電容的制造方法，包括：提供第一透明電極（1）和第二透明電極（3）；對第一透明電極（1）的上表面以及第二透明電極（3）的下表面進(jìn)行粗化以形成粗化表面（4）；提供透明絕緣介質(zhì)層（2）；順序?qū)雍系谝煌该麟姌O（1）、透明絕緣介質(zhì)層（2）以及第二透明電極（3），形成具有粗化表面（4）的透明電容。本發(fā)明的粗化表面的透明電容的各層都為透明材料，對光的透過性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。而且透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)接觸的表面是粗化表面，從而增強(qiáng)透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)之間的粘附性，從而提高透明電容的性能。
【專利說明】—種粗化表面的透明電容的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別涉及一種粗化表面的透明電容的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示領(lǐng)域，特別是有源矩陣顯示面板領(lǐng)域，有源矩陣顯示面板包括用于驅(qū)動像素單元的薄膜晶體管，位于薄膜晶體管上的像素電極以及電連接像素電極的存儲電容器。存儲電容器用于存儲電荷，通常包括電容下電極、電容上電極以及兩者之間的絕緣介質(zhì)。在有源矩陣顯示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶體管，例如ZnO等材料，這樣可以提高顯示面板的整體透明度，提高光取出效率，而用于存儲電荷的存儲電容器通常都采用常規(guī)材料進(jìn)行制造，常用的材料不透明，因此會遮光，從而影響顯示面板的透明度，進(jìn)而影響整個(gè)顯示面板的性能。且現(xiàn)有技術(shù)中的電容的各層之間的粘附性較差，容易導(dǎo)致剝離、脫落等現(xiàn)象發(fā)生，因此會劣化電容的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的問題，提出了一種粗化表面的透明電容的制造方法。其應(yīng)用于有源矩陣顯示面板中并用作存儲電容器，透明電容的下電極、上電極以及其間的絕緣介質(zhì)都為透明材料，對光的透過性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。而且透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)接觸的表面是粗化表面，從而增強(qiáng)透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)之間的粘附性，從而提高透明電容的性能。
[0004]本發(fā)明提出的粗化表面的透明電容的制造方法包括:
[0005]提供第一透明電極I和第二透明電極3 ；
[0006]對第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面進(jìn)行粗化以形成粗化表面；
[0007]提供透明絕緣介質(zhì)層2 ；
[0008]順序?qū)雍系谝煌该麟姌O1、透明絕緣介質(zhì)層2以及第二透明電極3，形成具有粗化表面4的透明電容。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]附圖1為本發(fā)明提出的粗化表面的透明電容的整體結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0010]以下參考圖1詳細(xì)說明本發(fā)明的粗化表面的透明電容的結(jié)構(gòu)及其制造方法。為清楚起見，附圖中所示的各個(gè)結(jié)構(gòu)均未按比例繪制，且本發(fā)明并不限于圖中所示結(jié)構(gòu)。
[0011]如圖1中所示，本發(fā)明的粗化的透明電容包括第一透明電極1，其用作透明電容的下電極；位于第一透明電極I上的透明絕緣介質(zhì)層2，其用作透明電容的電荷存儲部；以及位于透明絕緣介質(zhì)層2上的第二透明電極3，其用作透明電容的上電極，其中第一透明電極I和第二透明電極3與透明絕緣介質(zhì)層2接觸的表面是粗化表面4。
[0012]其中第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以是具有透明導(dǎo)電性的材料，例如TCO (透明導(dǎo)電氧化物)，具體可以是ITO (氧化銦錫)、ZnO (氧化鋅)、Sn02 (氧化錫)、FT0(氟摻雜銦氧化物)、ATO (銻摻雜銦氧化物)、AZO (鋁摻雜鋅氧化物)中的一種或多種或上述材料的復(fù)合薄膜。第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以相同或不同，且它們的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m_3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選1.45-1.75 μ m。
[0013]透明絕緣介質(zhì)層2的材料可以是透明無機(jī)材料或透明有機(jī)材料，優(yōu)選透明有機(jī)材料，具體包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亞甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)等等，或上述材料的復(fù)合膜，且透明絕緣介質(zhì)層2的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m_3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選 1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0014]以下說明圖1中的透明電容的制造方法。
[0015]實(shí)施例1:
[0016]步驟一:提供第一透明電極I和第二透明電極3 ；
[0017]步驟二:將含鎳納米粒子分散液旋涂在第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面，從而形成單層鎳納米粒子薄膜；
[0018]步驟三:對單層鎳納米粒子薄膜進(jìn)行烘干，形成ICP刻蝕所需的單層鎳納米粒子的掩模層；
[0019]步驟四:利用單層鎳納米粒子的掩模層對第一透明電極I和第二透明電極3進(jìn)行ICP刻蝕，從而在第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面形成粗化表面4 ；
[0020]步驟五:去除單層鎳納米粒子的掩模層；
[0021]步驟六:提供透明絕緣介質(zhì)層2 ；
[0022]步驟七:順序?qū)雍系谝煌该麟姌O1、透明絕緣介質(zhì)層2以及第二透明電極3，形成具有粗化表面的透明電容。
[0023]其中第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以是具有透明導(dǎo)電性的材料，例如TCO (透明導(dǎo)電氧化物)，具體可以是ITO (氧化銦錫)、ZnO (氧化鋅)、Sn02 (氧化錫)、FT0(氟摻雜銦氧化物)、ATO (鋪摻雜銦氧化物)、AZO (招摻雜鋅氧化物)。第一透明電極I和第二透明電極3的材料可以相同或不同，且它們的厚度小于等于3 μ m，優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m，更優(yōu)選 I μ m-2.6 μ m，更優(yōu)選 1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0024]透明絕緣介質(zhì)層2的材料可以是透明無機(jī)材料或透明有機(jī)材料，優(yōu)選透明有機(jī)材料，具體包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亞甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)等等，且透明絕緣介質(zhì)層2的厚度小于等于3 μ m,優(yōu)選0.3 μ m-3 μ m,更優(yōu)選I μ m-2.6 μ m,更優(yōu)選
1.2 μ m-2.2 μ m,更優(yōu)選 1.45-1.75 μ m。
[0025]實(shí)施例2:
[0026]實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處在于第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面的粗化方法不同，即與實(shí)施例1中的步驟一、六和七相同，因此省略相同步驟的說明。
[0027]步驟二:在第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面分別排列單層自組裝聚苯乙烯顆粒，并在單層自組裝聚苯乙烯顆粒的間隙之間填充二氧化硅凝膠；
[0028]步驟三:對單層自組裝聚苯乙烯顆粒進(jìn)行加熱，從而使單層自組裝聚苯乙烯顆粒氣化，形成二氧化硅凹凸圖案；
[0029]步驟四:利用二氧化硅凹凸圖案對第一透明電極I和第二透明電極3進(jìn)行ICP刻蝕，從而將凹凸圖案轉(zhuǎn)移到在第一透明電極I的上表面以及第二透明電極3的下表面，從而形成粗化表面4 ；
[0030]至此，上文已經(jīng)詳細(xì)的說明了本發(fā)明的粗化表面的透明電容及其制造方法，相對于現(xiàn)有方法制得的電容，本發(fā)明的粗化表面的透明電容由于其下電極、上電極以及其間的絕緣介質(zhì)都為透明材料，因此對光的透過性良好，不遮光，從而可提高整個(gè)顯示面板的光分布性以及透光性，進(jìn)而提高顯示面板的性能。而且透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)接觸的表面是粗化表面，從而增強(qiáng)透明電容的下電極和上電極與絕緣介質(zhì)之間的粘附性，從而提高透明電容的性能。上文所述實(shí)施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其旨在對本發(fā)明進(jìn)行說明而非對其進(jìn)行限定。在不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可對本發(fā)明做出任何改變和改進(jìn)，且本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求進(jìn)行限定。
【權(quán)利要求】
1.一種粗化表面的透明電容的制造方法,包括: 提供第一透明電極和第二透明電極； 對第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面進(jìn)行粗化以形成粗化表面； 提供透明絕緣介質(zhì)層； 順序?qū)雍系谝煌该麟姌O、透明絕緣介質(zhì)層以及第二透明電極，形成具有粗化表面的透明電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粗化表面的透明電容的制造方法，其中粗化表面如下形成: 將含鎳納米粒子分散液旋涂在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面，從而形成單層鎳納米粒子薄膜； 對單層鎳納米粒子薄膜進(jìn)行烘干，形成ICP刻蝕所需的單層鎳納米粒子的掩模層；利用單層鎳納米粒子的掩模層對第一透明電極和第二透明電極進(jìn)行ICP刻蝕，從而在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面形成粗化表面； 去除單層鎳納米粒子的掩模層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粗化表面的透明電容的制造方法，其中粗化表面如下形成: 在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面分別排列單層自組裝聚苯乙烯顆粒，并在單層自組裝聚苯乙烯顆粒的間隙之間填充二氧化硅凝膠； 對單層自組裝聚苯乙烯顆粒進(jìn)行加熱，從而使單層自組裝聚苯乙烯顆粒氣化，形成二氧化硅凹凸圖案； 利用二氧化硅凹凸圖案對第一透明電極和第二透明電極進(jìn)行ICP刻蝕，從而將凹凸圖案轉(zhuǎn)移到在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面，從而形成粗化表面。
【文檔編號】H01G4/008GK103594245SQ201310554440
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】張翠 申請人:溧陽市江大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司