集成電路封裝及制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)一種集成電路（IC）封裝器件，其包含基板，該基板具有頂表面、多個(gè)平行的導(dǎo)體層、多個(gè)絕緣層和延伸穿過(guò)導(dǎo)體層和絕緣層的多個(gè)電鍍穿孔（PTH），其中所述頂表面具有IC管芯安裝區(qū)域和包圍該安裝區(qū)域的外周區(qū)域域。本申請(qǐng)公開(kāi)了各種基板結(jié)構(gòu)，其中某些PTH和/或?qū)w層和/或絕緣層具有與其他元件不同的CTE。所述各種結(jié)構(gòu)可以減少由于與基板和IC管芯之間的CTE不匹配相關(guān)的基板變形和/或焊料接頭損傷所導(dǎo)致的電路失效。
【專利說(shuō)明】集成電路封裝及制造方法
【背景技術(shù)】
[0001]術(shù)語(yǔ)“倒裝芯片”表示利用已被沉積在芯片焊盤上的焊料凸塊將半導(dǎo)體器件(如集成電路(IC)芯片)與外部電路系統(tǒng)互連的方法。具有這種焊料凸塊的IC管芯被稱為“倒裝芯片”。焊料凸塊通常在最終晶片處理步驟期間被沉積在晶片頂側(cè)上的芯片焊盤上。為了將芯片安裝到外部電路系統(tǒng)上，它被“翻轉(zhuǎn)/倒裝”以使得其頂側(cè)面朝下，并且被定位成使得其焊盤與外部電路上的匹配焊盤對(duì)準(zhǔn)。然后，使焊料凸塊中的焊料流動(dòng)以完成互連。在完成焊料鍵合之后，應(yīng)用被稱為底部填料的材料來(lái)填充焊料凸塊之間的開(kāi)放空間。然后，力口熱底部填料以將其鍵合到相鄰結(jié)構(gòu)。底部填料對(duì)凸塊提供額外的支撐，并且?guī)椭辗駝t可能引起焊料鍵合破裂的應(yīng)力。
[0002]倒裝芯片可以通過(guò)上述方式被直接附連到印刷電路板。在某些情況下，倒裝芯片焊料凸塊的大小和/或間距不同于其將附連到的印刷電路板上的焊盤的大小和/或間距。在這些情況下，可以通過(guò)將倒裝芯片安裝到芯片載體上并且然后將芯片載體直接附連到印刷電路板來(lái)將倒裝芯片提供到集成電路(IC)封裝件中。經(jīng)常與倒裝芯片一起使用的一種類型的芯片載體被稱為球柵陣列(BGA)載體，因?yàn)樗谄涞妆砻嫔暇哂泻噶锨虻臇鸥?。具有可操作地安裝到球柵陣列載體的頂表面上的倒裝芯片的IC封裝件被稱為倒裝芯片球柵陣列(FCBGA)封裝件。在這樣的封裝件中，載體上的焊料球陣列在規(guī)模上通常顯著地大于倒裝芯片的焊料凸塊柵格，但是二者均可能包含相同數(shù)目的觸點(diǎn)?？梢酝ㄟ^(guò)類似于倒裝芯片附連的方式將FCBGA封裝件附連到基板。FCBGA封裝件的底部上的焊料球被布置成與基板的頂表面上的相應(yīng)接觸焊盤接觸。然后，該組裝件例如在回流爐中被加熱以將焊料球鍵合到接觸焊盤上。在焊料球之間應(yīng)用焊料鍵合底部填充材料之后，再次加熱該組裝件以便將底部填料鍵合到封裝件、基板和焊料球的相鄰部分。
[0003]其他類型的倒裝芯片封裝包含倒裝芯片/引腳柵格陣列封裝、圓柱柵格陣列封裝、焊區(qū)陣列封裝和封裝包裝上的封裝(package on package packages)。倒裝芯片可以被連接到多種類型的電基板上(例如，印刷電路板、IC封裝件中的管芯載體或其他電基板，所有這些被通稱為“基板/襯底”)。
[0004]可以用不同的物質(zhì)制造電基板，這取決于它們的預(yù)期用途。一些電基板是用有機(jī)材料/塑料材料制造的并且被稱為有機(jī)基板或塑料基板。這樣的基板通常在基板的頂表面上具有某種圖案的銅焊盤，該圖案與將被安裝到該基板上的倒裝芯片上的焊料球的圖案匹配。倒裝芯片被放置在基板上(如利用拾取和放置的機(jī)器)，其中倒裝芯片上的焊料凸塊與基板上的相應(yīng)焊盤接觸。然后，例如在回流爐中或通過(guò)紅外加熱器加熱該組裝件，使得焊料球液化或“流動(dòng)”。之后，焊料冷卻并凝固，從而在物理上和電學(xué)上將倒裝芯片連接到基板。
[0005]與倒裝芯片相關(guān)的一個(gè)缺點(diǎn)是，焊料凸塊不能以較長(zhǎng)的引線能夠彎曲的方式進(jìn)行彎曲，因?yàn)楹噶贤箟K是緊湊的且不順從的。在倒裝芯片裝配和熱循環(huán)期間由有機(jī)基板和硅倒裝芯片之間的熱膨脹系數(shù)CTE的差異引起的彎曲可能導(dǎo)致有機(jī)基板變形。這樣的彎曲也可能導(dǎo)致底部填料從基板脫層，這可能導(dǎo)致相鄰的焊料鍵合破裂?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是在其上具有管芯安裝區(qū)域的基板的示意性頂部平面圖。
[0007]圖2是具有安裝在管芯安裝區(qū)域內(nèi)的管芯的圖1的基板的示意性頂部平面圖。
[0008]圖3是沿著圖2中的線3-3截取的橫截面正視圖。
[0009]圖4是沿著圖3中的線4-4截取的電鍍穿孔的橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]圖1示意性地圖示有機(jī)(塑料)電基板10，如印刷電路板或芯片載體，其可用于將半導(dǎo)體器件(例如，硅管芯集成電路器件)連接至外部電路系統(tǒng)。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“基板”意味著印刷電路板或芯片載體或半導(dǎo)體器件可以直接連接到的其他電基板。參考圖1，基板10可以包含上表面12和相對(duì)布置的下表面14 (圖3)。繼續(xù)參考圖1,如圖所示,可以在上表面12上形成管芯安裝區(qū)域20。管芯安裝區(qū)域20可以包含多個(gè)導(dǎo)電焊區(qū)(land) 30 (包含個(gè)體焊區(qū)32、34和36)，以便有利于基板10和將被安裝在管芯安裝區(qū)域20內(nèi)的半導(dǎo)體器件(例如，硅管芯集成電路器件50，圖2-3)之間的電連接?；?0的上表面12也可以包含圍繞管芯安裝區(qū)域20的外圍區(qū)域40。在圖1中用虛線22示意性地指示管芯安裝區(qū)域20和外圍區(qū)域40之間的邊界。
[0011]圖2和圖3示出通過(guò)在基板10的管芯安裝區(qū)域20內(nèi)(圖1)安裝硅管芯集成電路器件50所形成的集成電路封裝件100。具體地，參考圖3，電路器件50可以是倒裝芯片并且基板焊區(qū)(例如焊區(qū)32、34、36)可以通過(guò)焊料凸塊(例如分別為焊料凸塊52、54、56)電連接到管芯50上的相應(yīng)互連焊盤(未圖示)。也可以用常規(guī)方式在管芯50和基板上表面12之間提供底部填充材料58以提供穩(wěn)定性。進(jìn)一步參考圖3，集成電路封裝件100也可以包含多個(gè)互相連接的引腳或突出部(tab) 60，其如圖所示包含個(gè)體互連突出部62、64和66?；ミB突出部60可以被提供以允許將集成電路封裝件100連接到其他電子電路系統(tǒng)例如下襯基板。可以使用其他類型的互連結(jié)構(gòu)來(lái)代替互連突出部60。例如，如圖3中的假想線所示，互連結(jié)構(gòu)可以是具有焊料球72、74、76等等和底部填料78的球柵陣列70。因此，集成電路封裝件100用于通過(guò)基板10將管芯50電連接到外部電路系統(tǒng)。應(yīng)該注意，盡管在圖中沒(méi)有示出，集成電路封裝件10可以根據(jù)需要包含覆蓋管芯50的蓋子。使用蓋子在本領(lǐng)域是常規(guī)的且已知的。
[0012]應(yīng)該注意，管芯50被圖示為通過(guò)焊料凸塊互連技術(shù)安裝到下襯基板10的倒裝芯片類型的器件。然而，應(yīng)該理解，該具體的配置僅為了示例目的而示出。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文描述的概念可容易地應(yīng)用于其他類型的集成電路器件和安裝方案。
[0013]如先前所討論，集成電路封裝件100中的不期望的彎曲或變形可能由基板(例如圖1中的基板10)和所附連的半導(dǎo)體器件(例如圖2中的硅管芯50)之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異所導(dǎo)致。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了，大多數(shù)這種變形發(fā)生在當(dāng)以上述方式將管芯附連到基板(例如通過(guò)焊料回流工藝)時(shí)以及當(dāng)將底部填充材料嵌入管芯和基板之間并固化時(shí)的加熱步驟期間。由于硅管芯50和基板10具有不同的熱膨脹系數(shù)，加熱和冷卻導(dǎo)致兩個(gè)部分的不同膨脹和收縮量。因此，可能發(fā)生一個(gè)或兩個(gè)部分的彎曲或變形，并且底部填料58可能變得與相鄰結(jié)構(gòu)脫層。
[0014]為了解決這一問(wèn)題，本文描述了用于選擇性地控制有機(jī)基板10 (特別是在基板10的管芯安裝區(qū)域22處)的CTE的多種工藝。更具體地，可以按照將在本文更詳細(xì)描述的方式改變基板10，以使其CTE更接近硅管芯50的CTE，并因此減少硅管芯50和基板10之間的CTE失配量。
[0015]現(xiàn)在將詳細(xì)地描述用于選擇性地控制有機(jī)基板的CTE的第一工藝。參考圖3，如圖所示，基板10可以包含核心200。第一多個(gè)電路層220可以位于核心200上方，并且第二多個(gè)電路層240可以位于核心200下方?？梢园凑粘Ｒ?guī)方式用交替的導(dǎo)電材料層和絕緣材料層來(lái)構(gòu)造電路層220、240，以便在基板10內(nèi)形成期望的電路配置。例如，第一多個(gè)電路層220可以包含大致平行的導(dǎo)電層222、226和230以及交替的絕緣層224、228和232。以相似的方式，第二多個(gè)電路層240可以包含大致平行的導(dǎo)電層242、246和250以及交替的絕緣層244和248。如可從圖3看出，形成絕緣層224、228、232、244和248的材料也可以在導(dǎo)電層內(nèi)的部分導(dǎo)電材料之間延伸(例如，如圖3所示，其中一部分絕緣材料254在導(dǎo)電層242內(nèi)的導(dǎo)電材料部分256、258之間延伸)。至少某些導(dǎo)電層包括電跡線。
[0016]在常規(guī)基板結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電電路層例如可以由導(dǎo)電銅箔材料形成。常規(guī)絕緣層可以由有機(jī)介電材料如環(huán)氧樹(shù)脂形成。
[0017]繼續(xù)參考圖3，包含個(gè)體電鍍穿孔262、264、266和268的多個(gè)電鍍穿孔(PTH)(工業(yè)上有時(shí)被稱為“通孔(via)”)260可以在基板10內(nèi)相對(duì)于電路層220、240橫貫地延伸。常規(guī)基板可包含盲孔(blind via)(即只在基板的一邊暴露的孔)和埋孔(buried via)(即用于連接內(nèi)部層而不在基板的任何表面上暴露的孔)?；逵袝r(shí)也可以包含散熱通孔(thermalvia)，其攜帶熱量遠(yuǎn)離功率設(shè)備，并且通常用于大約一打的陣列中。應(yīng)該注意，為了說(shuō)明清楚的目的，在圖3中只示出了盲孔。然而，應(yīng)該理解，基板10可以包含其他類型的通孔以及圖3中具體圖示的那些通孔。
[0018]進(jìn)一步參考圖3，可以按照常規(guī)方式提供電鍍穿孔260，以便在基板10內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)電層(例如導(dǎo)電層222、226、230、242、246、250)之間建立導(dǎo)電路徑。圖4是沿著圖3中的線4-4截取的PTH262的橫截面圖?，F(xiàn)在參考圖4，電鍍穿孔262可以包含由穿過(guò)核心200并穿過(guò)基板10的多個(gè)電路層形成的孔限定的大致圓形的外周界270。如圖所示，導(dǎo)電層272可以形成在外周界270內(nèi)并且可以延伸所述穿孔的整個(gè)長(zhǎng)度。應(yīng)該注意，為了說(shuō)明性的目的，在圖4中夸大了導(dǎo)電層272的相對(duì)厚度。事實(shí)上，導(dǎo)電層272可以是通過(guò)例如電鍍工藝施加的非常薄的材料層?？商鎿Q地，可以通過(guò)用導(dǎo)電材料形成的管或鉚釘來(lái)襯墊孔270，從而形成導(dǎo)電層272。封堵材料274可以位于由導(dǎo)電層272的內(nèi)表面273限定的細(xì)長(zhǎng)孔276內(nèi)，并且也可以延伸該穿孔的整個(gè)長(zhǎng)度。封堵材料274可以用于向?qū)щ妼?72提供結(jié)構(gòu)支撐。為了使電鍍穿孔262在基板10內(nèi)建立期望的導(dǎo)電通路，可以按照常規(guī)方式構(gòu)造所選擇的導(dǎo)電層以便與導(dǎo)電層272具有連續(xù)性?？梢园凑张c關(guān)于電鍍穿孔262的上述方式類似的方式形成基板10中的其他電鍍穿孔(例如電鍍穿孔264、266、268)。
[0019]在常規(guī)基板構(gòu)造中，電鍍穿孔導(dǎo)電層可以通過(guò)電解鍍覆來(lái)形成并且可以具有大約12 μ m的厚度。例如，可以通過(guò)利用硅土填充的有機(jī)基礎(chǔ)的環(huán)氧樹(shù)脂的絲網(wǎng)印刷來(lái)形成常規(guī)的電鍍穿孔封堵材料。
[0020]管芯50和基板10之間的CTE失配本身表現(xiàn)為在加熱或冷卻期間管芯安裝區(qū)域22中的基板10的膨脹或收縮與附連到其上的管芯50的膨脹或收縮不匹配。結(jié)果，通過(guò)倒裝芯片焊料凸塊(或用于其他類型的管芯連接的其他連接結(jié)構(gòu))的回流在基板和管芯之間形成的焊料接頭被置于應(yīng)力作用下，并且基板10可能變形。在焊料凸塊52、54、56的回流加熱期間管芯50與基板10的耦合以及在底部填料固化期間管芯50與基板10的耦合是倒裝芯片管芯封裝件100中引起大多數(shù)的問(wèn)題的兩個(gè)加熱/冷卻循環(huán)。在倒裝芯片球柵陣列封裝中，與焊料球連接相關(guān)的加熱和冷卻循環(huán)進(jìn)一步向組裝件添加加熱和冷卻循環(huán)。下面描述的修改結(jié)構(gòu)致使管芯安裝區(qū)域22處的基板10的CTE更接近硅管芯50的CTE。這使得在加熱和冷卻循環(huán)期間基板10和管芯50的膨脹或收縮量的差異更小，導(dǎo)致基板10的較小變形并因而導(dǎo)致更平坦的基板10。也降低了底部填料脫層和焊料接頭破裂的可能性。
[0021]所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)使得基板10的管芯附連區(qū)域22處的基板10的CTE更接近地匹配管芯50的CTE，導(dǎo)致較小的變形并因此導(dǎo)致更平坦的基板。實(shí)現(xiàn)這種結(jié)果的一種方法是通過(guò)利用低CTE材料(S卩比大多數(shù)當(dāng)前基板中所用的有機(jī)封堵樹(shù)脂低的CTE)填充基板10的管芯安裝區(qū)域22內(nèi)的電鍍穿孔(PTH) 264、266。這種較低CTE材料的示例包含鑰(通常用于基板制造工藝)、Cu糊劑(即商品名ALIVH)、碳纖維、其他低CTE合金(Invar)、金屬?gòu)?fù)合物和/或陶瓷填料或者可由前述材料形成以實(shí)現(xiàn)管芯安裝區(qū)域20處的相對(duì)低基板CTE的材料組合。因?yàn)楣苄景惭b區(qū)域20是最需要控制CTE的基板區(qū)域，所以不需要利用與用于填充PTH264、266相同的低CTE材料來(lái)填充管芯安裝區(qū)域20以外的電鍍穿孔262、268。因此，可以提供在管芯安裝區(qū)域20中具有PTH264、266的基板10，其中利用與用于填充位于管芯安裝區(qū)域22外面的PTH262、268的材料相比的低CTE材料來(lái)填充PTH264、266，以便減少基板變形等。這樣的結(jié)構(gòu)也可以降低焊料接頭破裂的危險(xiǎn)。
[0022]也可以通過(guò)改變導(dǎo)電層222、226、230、242、246和250中使用的材料來(lái)減少管芯50和基板10之間的CTE失配。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，所有的導(dǎo)電層都用具有比常規(guī)層(如銅層)低的CTE的導(dǎo)電金屬來(lái)形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，不是所有的導(dǎo)體層都由相同的材料組成。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，頂部導(dǎo)體層230和底部導(dǎo)體層250都由相對(duì)低CTE導(dǎo)體材料例如鎳或鑰-銅形成，而剩余的導(dǎo)體層222、226、242、246由較高CTE材料例如銅形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，只有底部導(dǎo)體層250由相對(duì)低CTE材料形成，而剩余的層由較高CTE材料例如銅形成。出人意料地， 申請(qǐng)人:已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，只減小底部導(dǎo)體層250的CTE比只減小頂部導(dǎo)體層230的CTE對(duì)減少基板10的變形具有更大的作用。
[0023] 申請(qǐng)人:也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，降低絕緣層224、228、232、244、248的CTE也可以減輕基板10和管芯50的CTE之間的CTE失配。這可以按照與關(guān)于導(dǎo)體層的上述方式類似的方式來(lái)完成。在一個(gè)實(shí)施例中，只有頂部和底部絕緣層232、248由絕緣材料形成，例如由日本的AJINOMOTO Fine Techno C0.，Inc.以商品名ABF GX-T31或GZ41出售的絕緣材料，其具有比例如由日本AJINOMOTOFine Techno C0.，Inc.以商品名GX-13或GX-3出售的常規(guī)絕緣材料相對(duì)低的CTE。同樣出人意料地，當(dāng)只有底部絕緣材料層248由相比其他絕緣層的較低CTE材料構(gòu)造時(shí)，基板變形的減少量大于當(dāng)只有頂部絕緣材料層232由相比其他絕緣層的同樣較低CTE材料構(gòu)造時(shí)的基板變形的減少量。
[0024]因此，上面已經(jīng)公開(kāi)了控制基板變形和/或焊料接頭損傷的三種不同方法。一種方法通過(guò)在位于管芯安裝區(qū)域22下面的PTH如264和266中利用具有一個(gè)CTE的PTH填充材料并且在位于區(qū)域22外面的基板10的外周區(qū)域40下面的PTH如262、268中利用具有不同CTE的另一種填充材料來(lái)減少基板10和管芯50的CTE之間的失配。第二種方法通過(guò)制造底部和頂部導(dǎo)電層例如具有第一 CTE的第一導(dǎo)體材料的層250和230以及利用具有不同于第一 CTE的第二 CTE的第二導(dǎo)體材料制造內(nèi)層222、226、242和246來(lái)減少基板10和管芯50之間的CTE失配。在一個(gè)實(shí)施例中，只有底部導(dǎo)體層250用不同于其他導(dǎo)體層的材料制造。第三種方法通過(guò)利用具有第一 CTE的第一導(dǎo)體材料制造底部和頂部絕緣層例如層248和232并且利用具有不同于第一 CTE的第二 CTE的第二導(dǎo)電材料制造內(nèi)層222、226、242和246來(lái)減少基板10和管芯50之間的CTE失配。在一個(gè)實(shí)施例中，只有底部絕緣層248用具有不同于其他絕緣層的CTE的材料制造。同樣，上述方法中的任何一種可以與任何其他方法結(jié)合以控制CTE失配，并因此減少基板10變形和/或?qū)苄?0和基板10之間的焊料鍵合的損傷。在具體描述的實(shí)施例中，管芯50的CTE低于基板10的CTE。然而，如果管芯的CTE大于該管芯安裝到其上的基板的CTE，該相同的基本方法可以用于控制變形等。換句話說(shuō)，可以通過(guò)利用上述方法和結(jié)構(gòu)來(lái)減少任何兩個(gè)附連的電基板的CTE失配。
[0025]為了說(shuō)明和描述的目的已經(jīng)展示了管芯和基板組裝件的具體實(shí)施例的前述描述。所描述的具體實(shí)施例不意欲是詳盡的或表明局限于所公開(kāi)的精確形式，并且鑒于上述教導(dǎo)內(nèi)容，很多修改和變化都是可能的。選擇和描述圖示的實(shí)施例是為了最好地解釋原理和實(shí)際應(yīng)用，以便使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠最好地利用具有適于預(yù)期的具體用途的多種修改的多種實(shí)施例。希望隨附的權(quán)利要求的語(yǔ)言被寬泛地解讀為覆蓋除了由現(xiàn)有技術(shù)限制的那些之外由本文明確公開(kāi)的結(jié)構(gòu)和方法的不同實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路IC封裝件，其包括: 基板，其具有:頂表面，所述頂表面具有IC管芯安裝區(qū)域和包圍所述安裝區(qū)域的外周區(qū)域；多個(gè)大致平行的導(dǎo)體層；以及在垂直于所述導(dǎo)體層的方向上延伸穿過(guò)所述導(dǎo)體層的多個(gè)電鍍穿孔PTH，所述多個(gè)PTH包括位于所述IC管芯安裝區(qū)域之下并利用具有第一填料熱膨脹系數(shù)CTE的填料材料填充的所述多個(gè)的第一部分以及位于所述外周區(qū)域之下并利用具有不同于所述第一填料CTE的第二填料CTE的材料填充的所述多個(gè)的第二部分，以及 附連到所述管芯安裝區(qū)域的管芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝件，其中至少一個(gè)所述導(dǎo)體層是用具有第一導(dǎo)體CTE的第一導(dǎo)體材料形成的，并且至少一個(gè)所述導(dǎo)體層是用具有不同于所述第一導(dǎo)體CTE的第二導(dǎo)體CTE的第二導(dǎo)體材料形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC封裝件，其中所述基板進(jìn)一步包括布置在所述多個(gè)平行的導(dǎo)體層之間的多個(gè)絕緣層，其中至少一個(gè)所述絕緣層是用具有第一絕緣體CTE的第一絕緣材料形成的，并且至少一個(gè)所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體CTE的第二絕緣體CTE的第二絕緣材料形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝件，其中所述基板進(jìn)一步包括布置在所述多個(gè)大致平行的導(dǎo)體層之間的多個(gè)平行的絕緣層，其中至少一個(gè)所述絕緣層是用具有第一絕緣體CTE的第一絕緣材料形成的，并且至少一個(gè)所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體CTE的第二絕緣體CTE的第二絕緣材料形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)表面上具有球柵陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)表面上具有球柵陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)面對(duì)表面上具有球柵陣列。
11.一種集成電路IC組裝件，其包括: 基板，其具有:頂表面，其中所述頂表面具有在其上形成的集成電路IC管芯安裝區(qū)域，外圍區(qū)域包圍所述安裝區(qū)域；以及多個(gè)大致平行的導(dǎo)體層，其中至少一個(gè)所述導(dǎo)體層是用具有第一導(dǎo)體熱膨脹系數(shù)CTE的第一導(dǎo)體材料形成的，并且至少一個(gè)所述導(dǎo)體層是用具有不同于所述第一導(dǎo)體CTE的第二導(dǎo)體CTE的第二導(dǎo)體材料形成的；以及 安裝在所述IC管芯安裝區(qū)域上的IC管芯。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)表面上具有球柵陣列。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的IC封裝件，其中所述基板進(jìn)一步包括布置在所述多個(gè)平行的導(dǎo)體層之間的多個(gè)大致平行的絕緣層，其中至少一個(gè)所述絕緣層是用具有第一絕緣體CTE的第一絕緣材料 形成的，并且至少一個(gè)所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體CTE的第二絕緣體CTE的第二絕緣材料形成的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)表面上具有球柵陣列。
17.一種集成電路IC組裝件，其包括: 基板，其具有:頂表面，其中所述頂表面具有在其上形成的集成電路IC管芯安裝區(qū)域，外圍區(qū)域包圍所述安裝區(qū)域；以及多個(gè)絕緣層，其中至少一個(gè)所述絕緣層是用具有第一絕緣熱膨脹系數(shù)CTE的第一絕緣材料形成的，并且至少一個(gè)所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣CTE的第二絕緣CTE的第二絕緣材料形成的；以及安裝在所述IC管芯安裝區(qū)域上的IC管芯。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的IC封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)表面上具有球柵陣列。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC封裝件，其中所述基板在其一個(gè)面對(duì)的表面上具有球柵陣列。
【文檔編號(hào)】H01L23/14GK103839897SQ201310581594
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】J·M·威廉姆森, N·夏海迪, Y·龐 申請(qǐng)人:德克薩斯儀器股份有限公司