復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)及包括此結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的提供一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)及包括此結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)，該復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)包括：一基板；以及一復(fù)合漸變折射層，形成于該基板上，其中該復(fù)合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減。本發(fā)明另提供一種包括此復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)。
【專利說明】復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)及包括此結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可增進(jìn)光取出效果及降低水氣滲透的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)以其自發(fā)光、無視角、省電、制作工藝簡(jiǎn)易、低成本、低操作溫度范圍及高應(yīng)答速度等優(yōu)點(diǎn)，使其具有極大的應(yīng)用潛力，其中白光OLED更被市場(chǎng)所重視，因其可用來做成固態(tài)照明光源，也可用來做成LCD背光源及全彩OLED顯示器(白光OLED搭配彩色濾光片)。最近，由于各國政府及業(yè)界積極投入推動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料、元件及照明應(yīng)用的研發(fā)，技術(shù)進(jìn)展快速，發(fā)光效率已突破601m/W，甚至可達(dá)1001m/W。雖白光OLED技術(shù)目前仍在實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段，一旦突破壽命問題、生產(chǎn)技術(shù)成熟，有可能成為白光照明及背光源主角，也被視為顯示器外，另一重要應(yīng)用領(lǐng)域。在白光OLED照明應(yīng)用中，除壽命問題外，發(fā)光效率也是需要提升的問題，對(duì)于底部發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管而言，其外部效率通常被限制為約20%，因有近80%的發(fā)射光，由于陽極透明電極與玻璃基板間的折射率差異，以及玻璃基板與空氣間的折射率差異造成波導(dǎo)效應(yīng)，而困于有機(jī)發(fā)光二極管中，因此，如何提升光取出效率已成為改善有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率的最重要因素之一，此問題將限制有機(jī)發(fā)光二極管整體效率，進(jìn)而影響其在顯示器與固態(tài)照明的發(fā)展。
[0003]目前，已有許多致力于改善有機(jī)電致發(fā)光器件光取出效率的方式，例如在玻璃基板表面噴砂造成散射效果、貼附擴(kuò)散膜、增亮膜與制作微透鏡陣列來改善基板與空氣間的臨界角效應(yīng)，使其光輸出比例獲得提升，或在基板表面制作納米微結(jié)構(gòu)，此外，也可在基板與透明導(dǎo)電膜(例如ΙΤ0)間利用光子晶體結(jié)構(gòu)提升光取出效率，其他諸如利用納米壓印制作方式對(duì)基板進(jìn)行圖案化，也對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率有改善效果，然而，上述方式所面臨的是制作成本較高，步驟復(fù)雜，生產(chǎn)速率慢等問題，較不適合用于現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)做生產(chǎn)，為考慮以簡(jiǎn)便方式提升OLED光取出效率，通常會(huì)在基板與透明導(dǎo)電膜(例如ΙΤ0)間插入幾種不同折射率折射層的方式，使其折射率變化不至過于明顯，也可達(dá)到降低臨界角損耗的功效；一般以高分子材料(例如 fluorinated ethylene propylene (η=1.34)/Acrylicadhesive (n=l.47) /Zeonor cyclo olefin (n=l.53))多層堆疊于透明導(dǎo)電膜與基板之間作為漸變折射層，來達(dá)成光取出效果，但，此類結(jié)構(gòu)中折射率的變化范圍過小且其與透明導(dǎo)電膜ITO的折射率(n=1.8)仍有些許差距，致出光效果改善較為有限。此外，在基板與透明導(dǎo)電膜(例如ΙΤ0)間加入一圖案化薄膜也可改善出光臨界角，但其將面臨后續(xù)蒸鍍有機(jī)層時(shí)因表面不平整所導(dǎo)致整體阻水/阻氣效果不佳的情況，造成OLED元件壽命減少或損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，包括:一基板；以及一復(fù)合漸變折射(graded refractive index, GRI)層，形成于該基板上,其中該復(fù)合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
[0005]本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一復(fù)合漸變折射(GRI)層，形成于該基板上，其中該復(fù)合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設(shè)置于該復(fù)合漸變折射層的該第一表面。
[0006]本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一第一復(fù)合漸變折射(GRI)層，形成于該基板上，其中該第一復(fù)合漸變折射層具有一第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該第一復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該第一復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及一電子元件，設(shè)置于該第一復(fù)合漸變折射層的該第一表面與該基板之間。
[0007]本發(fā)明提供一種應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)元件的光取出結(jié)構(gòu)，以兩種折射率差異較大的氧化物(氧化鋅、二氧化硅)作為靶材通過調(diào)變氧化鋅濺鍍功率與二氧化娃派鍍功率制作成以氧化鋅娃(ZnxSiyOz)無機(jī)氧化層為主的復(fù)合漸變折射(gradedrefractive index, GRI)層,其折射率大小自入光側(cè)至出光側(cè)之間依序由大至小排列，一方面利用復(fù)合漸變折射層的折射率漸變特性使光由例如ITO的透明導(dǎo)電層入射至復(fù)合漸變折射層時(shí)，可有效降低入射光臨界角損失，另方面，具有高阻水氣效果(<0.01g/m2-day)的復(fù)合漸變折射層也可阻擋入侵的水氣/氧氣，大幅增進(jìn)OLED元件的光取出效果。此外，本發(fā)明復(fù)合漸變折射層可利用共濺鍍(co-sputter)技術(shù)于同一腔體中連續(xù)鍍制，免去一般制作工藝須傳片與傳片時(shí)的微粒污染，可達(dá)省時(shí)、提高良率及降低成本的目的。此外，本發(fā)明整體封裝結(jié)構(gòu)的可見光穿透率可達(dá)95%，具有極高光穿透率。
[0008]為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，作詳細(xì)說明如下:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)；
[0010]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種復(fù)合漸變折射(GRI)層；
[0011]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種復(fù)合漸變折射(GRI)層；
[0012]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種復(fù)合漸變折射(GRI)層；
[0013]圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種復(fù)合漸變折射(GRI)層；
[0014]圖6是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種封裝結(jié)構(gòu)；
[0015]圖6-1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種封裝結(jié)構(gòu)；
[0016]圖7是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種封裝結(jié)構(gòu)；
[0017]圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種封裝結(jié)構(gòu)；
[0018]圖8-1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種封裝結(jié)構(gòu)；
[0019]圖9是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，OLED封裝結(jié)構(gòu)的光取出效率；
[0020]圖10是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,不同鋅、娃比例的單一氧化鋅娃(ZnxSiyOz)化合物層的阻水氣率(WVTR)。[0021]主要元件符號(hào)說明
[0022]10?復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)；
[0023]12、120 ?基板；
[0024]14、140、140’?復(fù)合漸變折射層；
[0025]16、160、160’?復(fù)合漸變折射層第一表面；
[0026]18、180、180’?復(fù)合漸變折射層第二表面；
[0027]20?第一折射層；
[0028]22?第二折射層；
[0029]24?第三折射層；
[0030]26?第四折射層；
[0031]28?第五折射層；
[0032]100、100，、100” ?封裝結(jié)構(gòu)；
[0033]300?電子元件；
[0034]320?第一電極；
[0035]340?發(fā)光層；
[0036]360?第二電極；
[0037]nl?第一折射率；
[0038]n2?第二折射率；
[0039]n3?第三折射率；
[0040]n4?第四折射率；
[0041]n5?第五折射率。
【具體實(shí)施方式】
[0042]本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖1，說明一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)。復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)10包括一基板12與一復(fù)合漸變折射(graded refractive index, GRI)層14。復(fù)合漸變折射(GRI)層14形成于基板12上?；?2可為玻璃基板。復(fù)合漸變折射層14具有一第一表面16與一第二表面18,第一表面16為一入光側(cè),第二表面18為一出光側(cè)。值得注意的是，復(fù)合漸變折射層14的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz，化學(xué)式中，1，0l，0〈z<3。此外，復(fù)合漸變折射層14的折射率自第一表面16至第二表面18遞減，變化范圍大體介于1.46?2.3之間。
[0043]在一實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖1與圖2，復(fù)合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20與一第二折射層22。第一折射層20具有一第一折射率nl，第二折射層22具有一第二折射率n2。第一折射層20包括第一表面16,第二折射層22包括第二表面18,第一表面16為一入光側(cè),第二表面18為一出光側(cè)。第一折射率nl大于第二折射率n2。
[0044]在一實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖1與圖3，復(fù)合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22與一第三折射層24。第一折射層20具有一第一折射率nl,第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3。第一折射層20包括第一表面16,第三折射層24包括第二表面18,第一表面16為一入光側(cè),第二表面18為一出光側(cè)。第一折射率nl大于第二折射率n2，第二折射率n2大于第三折射率n3。[0045]在一實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖1與圖4，復(fù)合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22、一第三折射層24與一第四折射層26。第一折射層20具有一第一折射率nl，第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3，第四折射層26具有一第四折射率n4。第一折射層20包括第一表面16，第四折射層26包括第二表面18,第一表面16為一入光側(cè),第二表面18為一出光側(cè)。第一折射率nl大于第二折射率n2，第二折射率n2大于第三折射率n3，第三折射率n3大于第四折射率n4。
[0046]在一實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖1與圖5，復(fù)合漸變折射(GRI)層14包括一第一折射層20、一第二折射層22、一第三折射層24、一第四折射層26與一第五折射層28。第一折射層20具有一第一折射率nl，第二折射層22具有一第二折射率n2，第三折射層24具有一第三折射率n3,第四折射層26具有一第四折射率n4,第五折射層28具有一第五折射率n5。第一折射層20包括第一表面16,第五折射層28包括第二表面18,第一表面16為一入光側(cè)，第二表面18為一出光側(cè)。第一折射率nl大于第二折射率n2,第二折射率n2大于第三折射率n3，第三折射率n3大于第四折射率n4，第四折射率n4大于第五折射率n5。
[0047]值得注意的是，復(fù)合漸變折射(GRI)層14的水氣滲透率(WVTR)低于5 X 10_3g/m2/day。
[0048]本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖6，說明一種封裝結(jié)構(gòu)。封裝結(jié)構(gòu)100包括一基板120、一復(fù)合漸變折射層140與一電子元件300?；?20可為玻璃基板。復(fù)合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側(cè)，第二表面180為一出光側(cè)。復(fù)合漸變折射層140形成于基板120上。電子元件300設(shè)置于復(fù)合漸變折射層140的第一表面160。值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中，O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0<ζ ( 3。此外，復(fù)合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化范圍大體介于1.46~2.3之間。
[0049]在此實(shí)施例中，電子兀件300為一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)兀件，由一第一電極320, —發(fā)光層340與一第二電極360所構(gòu)成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實(shí)施例中，電子元件300為一下發(fā)光裝置。
[0050]在此實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)100更包括一第二復(fù)合漸變折射層140’，形成于電子元件300上，如圖6-1所示。
[0051]第二復(fù)合漸變折射層140’的各層由氧化鋅娃所構(gòu)成,例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中，O ^ X ^ 1,0 ( Y ( 1,0<z < 3。
[0052]值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140與第二復(fù)合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低于 5X 10_3g/m2/day。
[0053]本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖7，說明一種封裝結(jié)構(gòu)。封裝結(jié)構(gòu)100’包括一基板120、一復(fù)合漸變折射層140與一電子元件300?；?20可為玻璃基板。復(fù)合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180,第一表面160為一入光側(cè)，第二表面180為一出光側(cè)。復(fù)合漸變折射層140形成于基板120上。電子元件300設(shè)置于復(fù)合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中，O ^x^l,0^y^ 1,0<ζ ( 3。此外，復(fù)合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化范圍大體介于1.46~
2.3之間。[0054]在此實(shí)施例中，電子兀件300為一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)兀件，由一第一電極320, —發(fā)光層340與一第二電極360所構(gòu)成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實(shí)施例中，電子元件300為一上發(fā)光裝置。
[0055]本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖8，說明一種封裝結(jié)構(gòu)。封裝結(jié)構(gòu)100’’包括一基板120、一復(fù)合漸變折射層140與一電子元件300?；?20可為玻璃基板。復(fù)合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側(cè)，第二表面180為一出光側(cè)。復(fù)合漸變折射層140形成于基板120上。電子元件300設(shè)置于復(fù)合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中，O ≤x≤l,0≤y≤ 1,0<ζ≤ 3。此外，復(fù)合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化范圍大體介于1.46~
2.3之間。
[0056]在此實(shí)施例中，電子兀件300為一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)兀件，由一第一電極320, —發(fā)光層340與一第二電極360所構(gòu)成。第一電極320例如為銦錫氧化物(ITO)電極，第二電極360例如為金屬電極，因此，在此實(shí)施例中，電子元件300為一上發(fā)光裝置。
[0057]在此實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)100’’更包括一第二復(fù)合漸變折射層140’，形成于電子元件300與基板120之間。值得注意的是，第二復(fù)合漸變折射層140’的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中,O ≤ x≤1,0 ≤y≤l,0〈z≤ 3。
[0058]值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140與第二復(fù)合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低于 5X 10_3g/m2/day。
[0059]本發(fā)明的一實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖8-1，說明一種封裝結(jié)構(gòu)。封裝結(jié)構(gòu)100’’’包括一基板120、一復(fù)合漸變折射層140與一電子元件300?；?20可為玻璃基板。復(fù)合漸變折射層140具有一第一表面160與一第二表面180，第一表面160為一入光側(cè)，第二表面180為一出光側(cè)。復(fù)合漸變折射層140形成于基板120上。電子元件300設(shè)置于復(fù)合漸變折射層140的第一表面160與基板120之間。值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140的各層由氧化鋅娃所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中,O≤x≤1,0≤ y≤ 1,0<ζ≤3。此外，復(fù)合漸變折射層140的折射率自第一表面160至第二表面180遞減，變化范圍大體介于
1.46~2.3之間。
[0060]在此實(shí)施例中，電子兀件300為一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)兀件，由一第一電極320, 一發(fā)光層340與一第二電極360所構(gòu)成。當(dāng)?shù)谝浑姌O320與第二電極360同樣為銦錫氧化物(ITO)電極時(shí)，電子元件300為一上下兩面發(fā)光裝置。
[0061]在此實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)100’’’更包括一第二復(fù)合漸變折射層140’，形成于電子元件300與基板120之間。第二復(fù)合漸變折射層140’具有一第一表面160’與一第二表面180’，第一表面160’為一入光側(cè)，第二表面180’為一出光側(cè)。在此實(shí)施例中，電子元件300設(shè)置于復(fù)合漸變折射層140的第一表面160與第二復(fù)合漸變折射層140’的第一表面160’之間。值得注意的是，第二復(fù)合漸變折射層140’的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，例如具有化學(xué)式ZnxSiyOz,化學(xué)式中，O ≤ x≤ 1,0 ≤ y ≤ 1,0<ζ ≤ 3。此外,第二復(fù)合漸變折射層140’的折射率自第一表面160’至第二表面180’遞減，變化范圍大體介于1.46~2.3之間。
[0062]值得注意的是，復(fù)合漸變折射層140與第二復(fù)合漸變折射層140’的水氣滲透率(WVTR)低于 5X l0~3g/m2/day。[0063]以下說明本發(fā)明復(fù)合漸變折射層的制備方法，以共濺鍍(co-sputter)技術(shù)為例作說明，首先，通入氬氣(流量IOsccm)至真空腔體中，在工作壓力5mtorr，基板溫度25°C條件下，調(diào)變氧化鋅(ZnO)與二氧化硅(Si02)濺鍍功率，以將兩種不同折射率的氧化鋅與二氧化硅靶材制鍍成多層折射率漸變的氧化鋅硅(ZnxSiyOz)化合物層。氧化鋅濺鍍功率調(diào)變范圍可介于O~1，000W，二氧化硅濺鍍功率調(diào)變范圍可介于O~1，000W。
[0064]本發(fā)明提供一種應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)元件的光取出結(jié)構(gòu)，以兩種折射率差異較大的氧化物(氧化鋅、二氧化硅)作為靶材通過調(diào)變氧化鋅濺鍍功率與二氧化娃派鍍功率制作成以氧化鋅娃(ZnxSiyOz)無機(jī)氧化層為主的復(fù)合漸變折射(gradedrefractive index, GRI)層,其折射率大小自入光側(cè)至出光側(cè)之間依序由大至小排列，一方面利用復(fù)合漸變折射層的折射率漸變特性使光由例如ITO的透明導(dǎo)電層入射至復(fù)合漸變折射層時(shí)，可有效降低入射光臨界角損失，另方面，具有高阻水氣效果(<0.01g/m2-day)的復(fù)合漸變折射層也可阻擋入侵的水氣/氧氣，大幅增進(jìn)OLED元件的光取出效果。此外，本發(fā)明復(fù)合漸變折射層可利用共濺鍍(co-sputter)技術(shù)于同一腔體中連續(xù)鍍制，免去一般制作工藝須傳片與傳片時(shí)的微粒污染，可達(dá)省時(shí)、提高良率及降低成本的目的。此外，本發(fā)明整體封裝結(jié)構(gòu)的可見光穿透率可達(dá)95%，具有極高光穿透率。
[0065]【實(shí)施例】
[0066]【實(shí)施例1】
[0067]本發(fā)明漸變折射(GRI)層的折射率范圍
[0068]表1為本發(fā)明在不同氧化鋅濺鍍功率與二氧化硅濺鍍功率條件下所制得漸變折射(GRI)層(氧化鋅硅(ZnxSiyOz)化合物層)的折射率變化范圍。
[0069]表1`
[0070]
氧化鋅濺鍍功二氧化硅濺鍍功鋅/(鋅+硅)(％)折射率 率(W)率(W)(at 460nm)
12510083.321.94
12512582.961.89
12515080.491.82
10015071.781.78
7515058.011.67
2515034.681.62
[0071]由表1可看出，本發(fā)明通過調(diào)變氧化鋅濺鍍功率與二氧化硅濺鍍功率所制得的漸變折射(GRI)層(氧化鋅硅(ZnxSiyOz)化合物層)其折射率可達(dá)大的變化范圍。
[0072]【實(shí)施例2】
[0073]本發(fā)明漸變折射(GRI)層的穿透率
[0074]表2為本發(fā)明在不同氧化鋅功率與二氧化硅功率條件下所制得漸變折射(GRI)層(氧化鋅硅(ZnxSiyOz)化合物層)的穿透率。
[0075]表2[0076]
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，包括: 基板；以及 復(fù)合漸變折射(graded refractive index, GRI)層,形成于該基板上,其中該復(fù)合漸變折射層具有第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，其中該氧化鋅硅具有化學(xué)式ZnxSiyOz，O ^ X ^ 1,0 ^ y ^ l，0〈z ( 3。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，其中該復(fù)合漸變折射層的折射率介于1.46~2.3之間。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，其中該復(fù)合漸變折射層包括第一折射層與第二折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第二折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率。
5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，其中該復(fù)合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層與一第三折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第三折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率。
6.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)`，其中該復(fù)合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層、第三折射層與第四折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第四折射層具有第四折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第四折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率，該第`三折射率大于該第四折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合漸變折射層結(jié)構(gòu)，其中該復(fù)合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層、第三折射層、第四折射層與第五折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第四折射層具有第四折射率，該第五折射層具有第五折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第五折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率，該第三折射率大于該第四折射率，該第四折射率大于該第五折射率。
8.—種封裝結(jié)構(gòu),包括: 基板； 復(fù)合漸變折射層，形成于該基板上，其中該復(fù)合漸變折射層具有第一表面與第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及 電子元件，設(shè)置于該復(fù)合漸變折射層的該第一表面。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該氧化鋅娃具有化學(xué)式ZnxSiyOz,O ^ x ^ I,O ^ y ^ l，0〈z ( 3。
10.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該復(fù)合漸變折射層的折射率介于1.46~2.3之間。
11.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括第二復(fù)合漸變折射層，形成于該電子元件上。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該氧化鋅娃具有化學(xué)式ZnxSiyOz,O ≤x ≤ 1,.O ≤ y ≤ l，0≤z ≤ 3。
14.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括: 基板； 第一復(fù)合漸變折射層，形成于該基板上，其中該第一復(fù)合漸變折射層具有第一表面與第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該第一復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成，且該第一復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及 電子元件，設(shè)置于該第一復(fù)合漸變折射層的該第一表面與該基板之間。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該氧化鋅娃具有化學(xué)式ZnxSiyOz,O ≤ x ≤ I,.O ≤y ≤ l，0≤z ≤ 3。
16.如權(quán)利要求14所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一復(fù)合漸變折射層的折射率介于1.46~.2.3之間。
17.如權(quán)利要求14所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括一第二復(fù)合漸變折射層，形成于該電子元件與該基板之間。
18.如權(quán)利要求17所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝結(jié)構(gòu),其中該氧化鋅娃具有化學(xué)式ZnxSiyOz,O ≤x ≤ I,.O ≤y ≤l，0≤z ≤ 3。
20.如權(quán)利要求14所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該電子元件為一上下兩面發(fā)光裝置。
21.如權(quán)利要求20所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括第二復(fù)合漸變折射層，形成于該電子元件與該基板之間，其中該第二復(fù)合漸變折射層具有第一表面與第二表面，該第一表面為一入光側(cè)，該第二表面為一出光側(cè)，該第二復(fù)合漸變折射層的各層由氧化鋅娃所構(gòu)成，且該第二復(fù)合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減。
22.如權(quán)利要求21所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該電子元件設(shè)置于該第一復(fù)合漸變折射層的該第一表面與該第二復(fù)合漸變折射層的該第一表面之間。
23.如權(quán)利要求21所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第二復(fù)合漸變折射層的折射率介于1.46~.2.3之間。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103887441SQ201310586720
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】陳俊廷, 林昆蔚, 賴豐文 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院