基于雙tft調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件及其制備方法，發(fā)光器件包括透明襯底，空穴傳輸層源極，空穴傳輸層漏極，空穴傳輸層，發(fā)光層引出電極；發(fā)光層，電子傳輸層，電子傳輸層源極，電子傳輸層漏極；本方法為在鍍有高功函數(shù)源漏電極以及發(fā)光層引出電極的玻璃基板上采用高真空蒸鍍的方法或旋涂發(fā)依次生長(zhǎng)空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，最后采用真空蒸鍍的方法蒸鍍低功函數(shù)源漏電極。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)電子和空穴濃度的平衡，抑制過剩載流子而造成的激子猝滅。
【專利說明】基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子學(xué)及材料學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，基于“三明治”結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件是在外界電壓的驅(qū)動(dòng)下，由陰極注入的電子和陽極注入的空穴分別從電子傳輸層和空穴傳輸層向有機(jī)發(fā)光層遷移，在有機(jī)層中復(fù)合，釋放能量，使得有機(jī)發(fā)光物質(zhì)分子受到激發(fā)，躍遷到激發(fā)態(tài)，受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生發(fā)光。
[0003]在傳統(tǒng)的器件結(jié)構(gòu)中，由于不同的有機(jī)電子材料與空穴材料電極兩端注入空穴、電子的難易程度、遷移速率不同，導(dǎo)致載流子不平衡問題，存在復(fù)合區(qū)域不能局限于EML層(發(fā)光層)，發(fā)生偏移移向ETL (電子傳輸層)或HTL (空穴傳輸層)的問題。一方面發(fā)光界面因離接觸電極較近，形成的激子在電極附近猝熄而失光的幾率增大；另一方面電子或空穴可以不經(jīng)由復(fù)合很容易地?cái)U(kuò)散或漂移至電極，有機(jī)電致發(fā)光的效率降低。對(duì)于磷光器件，由于三重態(tài)激子激發(fā)態(tài)的壽命較長(zhǎng)，易做長(zhǎng)距離的漂移，只能通過多層結(jié)構(gòu)加入空穴阻擋層、電子阻擋層等把發(fā)光區(qū)域限制在發(fā)光層。現(xiàn)今許多高效器件都屬于此種結(jié)構(gòu)，多層器件導(dǎo)致在量產(chǎn)時(shí)比較繁瑣，材料浪費(fèi)，成本較高。
[0004]另外，在傳統(tǒng)的OLED器件結(jié)構(gòu)中，為了有利于電子的注入，陰極經(jīng)常使用功函數(shù)比較低的金屬，例如，鋰金屬會(huì)顯著提高器件的功能，但器件在較短的時(shí)間有明顯老化的現(xiàn)象，因?yàn)殇嚁U(kuò)散到有機(jī)薄膜層而產(chǎn)生消光性的物質(zhì)。而陽極材料需與空穴注入材料的HOMO能級(jí)相匹配，對(duì)于底發(fā)射器件還需要考慮到所用的陽極材料有較高的透明度。
[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件及其制備方法。能夠增大有機(jī)電致發(fā)光的效率，減少激子猝滅的幾率，解決載流子不平衡問題，同時(shí)節(jié)約材料，降低成本。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的構(gòu)思是:
基于雙TFT有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件，器件主要避免電極對(duì)激子的猝滅，以及通過分別獨(dú)立調(diào)制源漏電壓改變空穴或電子的電流密度而達(dá)到電子、空穴注入平衡。通過頂層電子傳輸層源漏之間電壓的調(diào)制改變電子的電流密度，底層空穴傳輸層源漏之間電壓的調(diào)制改變空穴的電流密度，中間有機(jī)發(fā)光層絕緣柵極分別與空穴層源極之間所施加的負(fù)電壓，拉動(dòng)空穴向柵極發(fā)光層移動(dòng)；中間有機(jī)發(fā)光層絕緣柵極分別與電子層源極之間所施加的正電壓，拉動(dòng)電子向柵極發(fā)光層移動(dòng):而在發(fā)光層上下層積累的空穴與電子形成內(nèi)建電場(chǎng)，促使空穴和電子在發(fā)光層復(fù)合釋放能量，有機(jī)發(fā)光物質(zhì)分子受到激發(fā)，躍遷到激發(fā)態(tài)，受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)產(chǎn)生發(fā)光。
[0007]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件，包括透明襯底，空穴傳輸層源極，空穴傳輸層漏極，空穴傳輸層，發(fā)光層引出電極，發(fā)光層，電子傳輸層，電子傳輸層源極，電子傳輸層漏極；在透明襯底上生長(zhǎng)空穴傳輸層源極和空穴傳輸層漏極，在兩電極及透明襯底上生長(zhǎng)空穴傳輸層；在空穴傳輸層上生長(zhǎng)發(fā)光層，在發(fā)光層兩側(cè)生長(zhǎng)發(fā)光層引出電極；在發(fā)光層上生長(zhǎng)電子傳輸層；在電子傳輸層上生長(zhǎng)電子傳輸層源極和電子傳輸層漏極。
[0008]進(jìn)一步地，所述透明襯底為具有較高透光率的剛性玻璃或柔性塑料基板。
[0009]一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
a.在透明襯底上，通過磁控濺射方法，淀積具有高功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極空穴傳輸層源極和空穴傳輸層漏極；
b.在兩電極及透明襯底上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，空穴傳輸層；
c.在空穴傳輸層上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)發(fā)光層；
d.在生長(zhǎng)發(fā)光層上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)電子傳輸層；
e.在電子傳輸層上，通過真空蒸鍍法，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的電子傳輸層漏極和電子傳輸層源極，并在發(fā)光層兩側(cè)，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極作發(fā)光層引出電極。
[0010]進(jìn)一步地，所述步驟a中的空穴傳輸層源極和空穴傳輸層漏極為ITO、ZnO, AZ0、N1、Au、Pt 中的一種。
[0011]進(jìn)一步地，所述步驟b中的空穴傳輸層材料采用成對(duì)偶聯(lián)的二胺類化合物、“星形”三苯胺化合物、螺型結(jié)構(gòu)和枝形的三苯胺、三芳胺聚合物、咔唑類化合物、有機(jī)硅類或有機(jī)金屬配合物。
[0012]進(jìn)一步地，所述步驟c中的發(fā)光層為具有能量傳遞的主客摻雜系統(tǒng)、多摻雜系統(tǒng)、雙主體摻雜系統(tǒng)、以及非摻雜系統(tǒng)，包括發(fā)光材料和激光材料；在真空中通過共蒸的方式，調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率來控制摻雜濃度，或旋涂過程中溶夜的配比濃度改變摻雜濃度。
[0013]進(jìn)一步地，所述發(fā)光材料包括:
紅色突光材料:DCJTB [4- (dicyanomethyene) -2-t-butyl~6 (1,1,7, 7-tetramethyIjulolidyl-9-enyl)-4H-pyran]> RD3 [tetraphenyldibenzoperiflanthene], DPP [6,13-diphenylpentacene]和 PAAA {7_( 9-anthryl)dibenzo [a, o] perylene}；
藍(lán)色突光材料:以9,10-di (2-naphtyl) anthracene (AND)為代表性二芳基蒽衍生物、二苯乙烯芳香衍生物 4，4' -Bis (2，2-diphenylvinyl)-1，I' -biphenyl (DPVBi)和 diphenyl-(4-{2-[4-(2-pyridin-4-yl-vinyl)-phenyl]-vinyl}-phenyl)-amine (DPVPA)、以方定環(huán)雙荷基以 2, 7-bis [2- (4-tert-buty lpheny I) pyrimidine-5-yl] -9, 91 -spirobif luorene (TBPSF)為代表；
綠色突光材料:香豆素系列 2, 3, 6, 7-tetrahydro-l, I, 7, 7, -tetramethyl-lH, 5H, IlH-10-(2-benzothiazolyl) quinolizino-[9, 9a, lgh] coumarin (C545T)及 C545TB、多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔铩⑧灌ね苌锏木G光摻雜物；
紅光磷光材料:4，4 ' -bis (9-carbazolyl) biphenyl (CBP)作為主體摻雜的Btp2Ir (acac) bis [2- (2'-benzothienyI)pyridinato-N, C3’ ] (acetylacetonate)iridium、Ir (piq)3 [tris [ l-phenylisoquinolinato-C2, N] iriium( III) ]、Ir (BPPa) 3 ；藍(lán)色憐光材料:EL 材料 FIrpic [ iridiumbis (4,6-dif lorophenyl-pyridinato-N,C ' )picolinate、Fir6 [ iridium ( III ) bis ( 4,6-dif luorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate、FIrN4 [Iriium ( III ) bis ( 4,6-difluorophenyl-pyridinato)-5- ( pyridine-2-yl)-lH-tetrazolate ；
綠色憐光材料:Ir (ppy)3 [fac-tris (2-phenylpyridine) iridium]、(ppy)2Ir (acac)[bis(2-phenylpyridine)iridium (acetyl-acetonate)]、Ir ( BPPya)3 [tris [3,6-bis(phenyl)- pyridazinato - N1,C2' ] iridium]。
[0014]進(jìn)一步地，所述激光材料包括:紅光中的DCJTB [4-(dicyanomethyene)-2_t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran]> 藍(lán)光中的 binaphthyl(BN) derivatives 、綠光中的 stilbene material[I，4_bis[2_[4_[N， N_di (p-toly)amino]-phenyl]vinyl]benzene] (DSB)。
[0015]進(jìn)一步地，所述步驟d中的電子傳輸層材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3)類金屬配合物、噁二唑類化合物、喹喔啉類化合物、含氰基的聚合物、其他含氮雜環(huán)化合物、有機(jī)硅材料、全氟化材料、有機(jī)硼材料。
[0016]進(jìn)一步地，所述步驟e中的發(fā)光層引出電極及電子傳輸層源極和電子傳輸層漏極為鎂銀合金或鋰招合金。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著地優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明器件由于在結(jié)構(gòu)和材料的要求，中間發(fā)光層具有較低的空穴、電子遷移率，不但抑制來自空穴傳輸層的空穴越過發(fā)光層向電子層傳輸，而且抑制電子運(yùn)輸層的電子越過發(fā)光層向空穴層傳輸，中間有機(jī)發(fā)光層?xùn)艠O分別與空穴層源極之間所施加的負(fù)電壓，與電子層源極之間所施加的正電壓，分別拉動(dòng)空穴、電子向柵極發(fā)光層移動(dòng)。發(fā)光層上下層積累的空穴與電子形成內(nèi)建電場(chǎng)，吸附過來的電子與空穴在此復(fù)合，釋放能量產(chǎn)生激子發(fā)光。而且能夠抑制由于不同的有機(jī)電子材料與空穴材料電極兩端注入空穴、電子的難易程度、遷移速率不同導(dǎo)致載流子不平衡問題。當(dāng)空穴濃度較高或較低時(shí)，通過改變空穴傳輸層源極漏電極之間的電壓變小或增大，達(dá)到調(diào)節(jié)空穴濃度的目的。當(dāng)電子濃度較高或較低時(shí)，通過改變電子傳輸層源極漏電極之間的電壓變小或增大，達(dá)到調(diào)節(jié)電子濃度的目的。最終實(shí)現(xiàn)電子和空穴濃度的平衡，抑制過剩載流子而造成的激子猝滅。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖。
[0019]圖2為本發(fā)明雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件測(cè)試過程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做進(jìn)一步的說明。
[0021]如圖1所示，一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件，包括透明襯底1，空穴傳輸層源極2,空穴傳輸層漏極3,空穴傳輸層4,發(fā)光層5,電子傳輸層6,發(fā)光層引出電極7，電子傳輸層漏極8 ;電子傳輸層源極9 ;在透明襯底I上生長(zhǎng)空穴傳輸層源極2和空穴傳輸層漏極3,在兩電極及透明襯底I上生長(zhǎng)空穴傳輸層4 ;在空穴傳輸層4上生長(zhǎng)發(fā)光層5,在發(fā)光層5上生長(zhǎng)電子傳輸層6 ;在電子傳輸層上同時(shí)生長(zhǎng)發(fā)光層引出電極7,和電子傳輸層漏極8，生長(zhǎng)電子傳輸層源極9。所述透明襯底I為具有較高透光率的剛性玻璃或柔性塑料基板。
[0022]一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
a.在透明襯底I上，通過磁控濺射方法，淀積具有高功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極空穴傳輸層源極2和空穴傳輸層漏極3 ；
b.在兩電極及透明襯底I上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，空穴傳輸層4；
c.在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)發(fā)光層5；
d.在生長(zhǎng)發(fā)光層5上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)電子傳輸層6；
e.在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍法，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的電子傳輸層漏極8和電子傳輸層源極9，并在發(fā)光層5兩側(cè)，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極作發(fā)光層引出電極7。
[0023]實(shí)施例1:
選擇透明的玻璃基板，通過磁控濺射的方法生長(zhǎng)兩條為ITO作為的空穴傳輸層源極和空穴傳輸層漏極。在兩電極及透明襯底，在2 cm寬X2.5 cm長(zhǎng)的掩模版上，通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)以 N，N-bis-(naphthyl)-N, N' -diphenyl-1, I' -biphenyl-4, 4' -diamine(NPB)為材料的空穴傳輸層，更換掩模版3 cm寬X2.5 cm長(zhǎng)的掩模版上通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)以 4,4' -bis (9-carbazolyl)biphenyl (CBP)作為主體摻雜 Ir (ppy) 3[fac-tris (2-phenylpyridine) iridium]為客體10%共蒸摻雜的發(fā)光層，再次更換為2 cm寬 X2.5 cm長(zhǎng)的掩模版生長(zhǎng)以 1，3，5-tris (2-N-phenylbenzimidazolyl) benzene (TPBi)的材料的電子傳輸層，再次更換掩模版，通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)四條鋁電極分為作為發(fā)光層5兩側(cè)生長(zhǎng)發(fā)光層引出電極7，電子傳輸層漏極8和電子傳輸層源極9。
[0024]測(cè)試過程,如圖2所示，
1.中間有機(jī)發(fā)光層?xùn)艠O與空穴傳輸層源極之間所施加負(fù)電壓即發(fā)光層?xùn)艠O接負(fù)極，空穴傳輸層源極接正極。
[0025]2.空穴傳輸層源極漏電極之間源極接正極，漏極接負(fù)極。
[0026]3.中間有機(jī)發(fā)光層?xùn)艠O與電子傳輸層源極之間所施加正電壓即發(fā)光層?xùn)艠O接正極，電子傳輸層源極接負(fù)極。
[0027]4.電子傳輸層源極漏電極之間源極接負(fù)極，漏極接正極。
[0028]實(shí)施例2:
選擇透明的玻璃基板，通過磁控濺射的方法生長(zhǎng)兩條為ITO作為的空穴傳輸層源極和空穴傳輸層漏極。在兩電極及透明襯底，在2 cm寬X2.5 cm長(zhǎng)的掩模版上，通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)以 N，N-bis-(naphthyl)-N, N' -diphenyl-1, I' -biphenyl-4, 4' -diamine(NPB)為材料的空穴傳輸層，更換掩模版3 cm寬X 2.5 cm長(zhǎng)的掩模版上通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)以 Alq3 作為主體摻雜 DCJTB [4_(dicyanomethyene)-2-t-butyl_6 (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H_pyran]為客體2%共蒸摻雜的發(fā)光層，再次更換為2 cm寬 X 2.5 cm 長(zhǎng)的掩模版生長(zhǎng)以 Bphen (4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline)為材料的電子傳輸層，再次更換掩模版，通過真空蒸鍍的方法，生長(zhǎng)四條鋁電極分為作為發(fā)光層5兩側(cè)生長(zhǎng)發(fā)光層引出電極7,電子傳輸層漏極8和電子傳輸層源極9。
[0029]測(cè)試過程,如圖2所示， 1.中間有機(jī)發(fā)光層?xùn)艠O與空穴傳輸層源極之間所施加負(fù)電壓即發(fā)光層?xùn)艠O接負(fù)極，空穴傳輸層源極接正極。
[0030]2.空穴傳輸層源極漏電極之間源極接正極，漏極接負(fù)極。
[0031]3.中間有機(jī)發(fā)光層?xùn)艠O與電子傳輸層源極之間所施加正電壓即發(fā)光層?xùn)艠O接正極，電子傳輸層源極接負(fù)極。
[0032]4.電子傳輸層源極漏電極之間源極接負(fù)極，漏極接正極。
【權(quán)利要求】
1.一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件,其特征在于:包括透明襯底(1)，空穴傳輸層源極(2),空穴傳輸層漏極(3),空穴傳輸層(4),發(fā)光層(5),電子傳輸層(6)，發(fā)光層引出電極(7)，電子傳輸層漏極(8)，電子傳輸層源極(9);在透明襯底(I)上生長(zhǎng)空穴傳輸層源極(2)和空穴傳輸層漏極(3)，在兩電極及透明襯底(I)上生長(zhǎng)空穴傳輸層(4);在空穴傳輸層(4)上生長(zhǎng)發(fā)光層(5),在發(fā)光層(5)上生長(zhǎng)電子傳輸層(6);在電子傳輸層(6 )上同時(shí)生長(zhǎng)發(fā)光層兩側(cè)引出電極(7 )及電子傳輸層漏極(8 )和電子傳輸層源極(9 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件，其特征在于:所述透明襯底(I)為具有較高透光率的剛性玻璃或柔性塑料基板。
3.一種基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: a.在透明襯底(I)上，通過磁控濺射方法，淀積具有高功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極空穴傳輸層源極(2)和空穴傳輸層漏極(3)； b.在兩電極及透明襯底(I)上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，空穴傳輸層(4)； c.在空穴傳輸層(4)上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)發(fā)光層(5)； d.在生長(zhǎng)發(fā)光層(5)上，通過真空蒸鍍或旋涂的方法，生長(zhǎng)電子傳輸層(6)； e.在電子傳輸層(6)上，通過真空蒸鍍法，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的電子傳輸層漏極(8)和電子傳輸層源極(9)，并在發(fā)光層(5)兩側(cè)，生長(zhǎng)具有較低功函數(shù)的兩條導(dǎo)電電極作發(fā)光層引出電極(7)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟a中的空穴傳輸層源極(2)和空穴傳輸層漏極(3)為ITO、ZnO,AZ0, Ni, Au, Pt 中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟b中的空穴傳輸層(4)材料采用成對(duì)偶聯(lián)的二胺類化合物、“星形”三苯胺化合物、螺型結(jié)構(gòu)和枝形的三苯胺、三芳胺聚合物、咔唑類化合物、有機(jī)硅類或有機(jī)金屬配合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟c中的發(fā)光層(5)為具有能量傳遞的主客摻雜系統(tǒng)、多摻雜系統(tǒng)、雙主體摻雜系統(tǒng)、以及非摻雜系統(tǒng)，包括發(fā)光材料和激光材料；在真空中通過共蒸的方式，調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率來控制摻雜濃度，或旋涂過程中溶夜的配比濃度改變摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光材料包括: 紅色突光材料:DCJTB [4_(dicyanomethyene)-2-t-butyl_6 (I, I, 7, 7-tetramethyIjulolidyl-9-enyl)_4H_pyran]、 RD3 [tetraphenyldibenzoperiflanthene], DPP [6,13-diphenylpentacene]和 PAAA {7_( 9-anthryl)dibenzo [a, o] perylene}； 藍(lán)色突光材料:以9,10-di (2-naphtyl) anthracene (AND)為代表性二芳基蒽衍生物、二苯乙烯芳香衍生物 4，4' -Bis (2，2-diphenylvinyl)-1，I' -biphenyl (DPVBi)和 diphenyl-(4-{2-[4-(2-pyridin-4-yl-vinyl)-phenyl]-vinyl}-phenyl)-amine (DPVPA)、以方定環(huán)雙荷基以 2, 7-bis [2-(4-tert-butylphenyI)pyrimidine-5-yl]-9, 91 -spirobifluorene (TBPSF)為代表；綠色焚光材料:香豆素系列 2，3，6，7-tetrahydro-l，1，7，7，-tetramethyl-lH，5H，IlH-10-(2-benzothiazolyl) quinolizino_[9，9a，lgh] coumarin (C545T)及 C545TB、多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔?、喹吖啶酮衍生物的綠光摻雜物； 紅光磷光材料:4，4丨-bis (9-carbazolyl) biphenyl (CBP)作為主體摻雜的Btp2Ir (acac) bis[2_(2’-benzothienyI)pyridinato-N，C3’ ] (acetylacetonate)iridium、Ir (piq)3 [tris [ l-phenylisoquinolinato_C2，N] iriium( III) ]、Ir (BPPa) 3 ；藍(lán)色憐光材料:EL 材料 FIrpic [ iridiumbis (4,6-dif lorophenyl-pyridinato-N,C 1 )picolinate、Fir6 [iridium ( III ) bis ( 4,6-difluorophenylpyridinato)tetrakis (1-pyrazolyl)borate、FIrN4 [lriium ( III ) bis ( 4,6-difluorophenyl-pyridinato)-5-( pyridine-2-yl)-lH-tetrazolate ；
綠色憐光材料:Ir (ppy)3 [fac-tris (2-phenylpyridine) iridium]、(ppy)2Ir (acac)[bis (2-phenylpyridine)iridium(acety1-acetonate) Ir ( BPPya)3 [tris [3，6-bis(phenyl)- pyridazinato - Nl，C2r ] iridium]。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述激光材料包括:紅光中的DCJTB [4-(dicyanomethyene)-2-t-butyl-6(1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)_4H_pyran]、藍(lán)光中的 binaphthyl(BN) derivatives 、綠光中的 stilbene material[1，4_bis[2_[4_[N， N_di (p-toly)amino]-phenyl]vinyl]benzene] (DSB)0
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟d中的電子傳輸層(6)材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3)類金屬配合物、噁二唑類化合物、喹喔啉類化合物、含氰基的聚合物、其他含氮雜環(huán)化合物、有機(jī)硅材料、全氟化材料、有機(jī)硼材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙TFT調(diào)制的有機(jī)電致發(fā)光及激光發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟e中的發(fā)光層引出電極(7)及電子傳輸層漏極(8)和電子傳輸層源極(9)為鎂銀合金或鋰鋁合金。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103594636SQ201310589620
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月21日
【發(fā)明者】張琪, 李明, 魏夢(mèng)杰, 徐韜, 魏斌 申請(qǐng)人:上海大學(xué)