用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板的制作方法
【專利摘要】本文中公開了一種用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板，該承載板包括：芯片保持區(qū)域，被設(shè)置在承載板的預(yù)定區(qū)域中并且在芯片保持區(qū)域中形成用于將半導(dǎo)體芯片插入并固定至金屬板的多個(gè)通孔；以及吸附區(qū)域，被設(shè)置在芯片保持區(qū)域的外側(cè)部分中并且被用于通過(guò)吸附襯墊來(lái)吸附和固定，其中，在吸附區(qū)域的上表面和下表面中形成用于增加基底（金屬板）與硅之間的粘附力的多個(gè)非直狀的溝槽。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式，通過(guò)使用不同于傳統(tǒng)的全蝕刻法的半蝕刻法以非直狀的結(jié)構(gòu)處理承載板的芯片保持區(qū)域外部的吸附區(qū)域的表面，從而當(dāng)硅形成時(shí)增強(qiáng)了基底（板）與承載板的硅之間的粘附力。
【專利說(shuō)明】用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年12月 28 日提交的題為“Carrier Plate for ManufacturingSemiconductor Chip”的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2012-0156858號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)弓I
用結(jié)合于本申請(qǐng)中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板，更具體地，涉及一種用于制造具有當(dāng)硅形成時(shí)用于增強(qiáng)基底(板)與承載板的硅之間的粘附力的構(gòu)件的半導(dǎo)體芯片的承載板。
【背景技術(shù)】
[0004]承載板是在制造小芯片的過(guò)程期間用于涂覆諸如多層陶瓷電容器(MLCC)的小芯片的兩端上的外部電極的芯片固定設(shè)備。當(dāng)外部電極被涂覆時(shí)，將各個(gè)部分吸附在真空中以平坦化并固定承載板以實(shí)現(xiàn)均一的質(zhì)量。如果由于硅與基底(板)之間的低粘附力而出現(xiàn)凸起或脫落，則其不可以被用作承載板。
[0005]按照慣例，如圖1A和圖1B中所示，可通過(guò)穿過(guò)在具有真空吸附面的吸附區(qū)域120的基底(金屬板)100中所形成的硅固定孔120s來(lái)連接基底板(金屬板)100兩側(cè)的硅101。這個(gè)連接部分用作固定基底板(金屬板)100兩側(cè)的硅101。此外，硅101被連接至形成在芯片保持區(qū)域Iio中的芯片固定孔IlOc并且硅101被連接至芯片105，并且這樣無(wú)需進(jìn)行考慮。然而，在對(duì)于僅存在硅101的區(qū)域，芯片固定孔IlOc是必不可少的情況下，產(chǎn)生另外的孔以穿過(guò)硅101。
[0006]然而，這種傳統(tǒng)的方法難以增強(qiáng)硅的外側(cè)部分的粘附力并且具有的用于增強(qiáng)粘附力的孔的總面積是有限的。因此，最重要的是傳統(tǒng)的方法不可以增強(qiáng)硅的外側(cè)部分的粘附力，傳統(tǒng)的方法具有有限的孔數(shù)量和孔密度，并且具有孔的數(shù)量越多，基底的剛性越低的問(wèn)題。
[0007][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009](專利文獻(xiàn)I)韓國(guó)專利公開第10-2011-0072507號(hào)
[0010](專利文獻(xiàn)2)韓國(guó)專利公開第10-2001-0030200號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供了一種用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板，該承載板通過(guò)使用不同于傳統(tǒng)的全蝕刻法的半蝕刻法以非直狀的結(jié)構(gòu)處理承載板的芯片保持區(qū)域外部的吸附區(qū)域的表面，從而當(dāng)硅形成時(shí)增強(qiáng)基底(板)與承載板的硅之間的粘附力。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，提供了一種用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板，該承載板包括:芯片保持區(qū)域，被設(shè)置在承載板的預(yù)定區(qū)域中并且在芯片保持區(qū)域中形成用于將半導(dǎo)體芯片插入并固定至金屬板的多個(gè)通孔；以及吸附區(qū)域，被設(shè)置在芯片保持區(qū)域的外側(cè)部分中并且用于通過(guò)吸附襯墊吸附與固定，其中，在吸附區(qū)域的上表面和下表面中形成用于增加基底(金屬板)與硅之間的粘附力的多個(gè)非直狀的溝槽。
[0013]多個(gè)非直狀的溝槽可通過(guò)使用不同于全蝕刻法的半蝕刻法來(lái)形成。
[0014]當(dāng)在吸附區(qū)域的上表面和下表面中形成多個(gè)非直狀的溝槽時(shí)，上表面和下表面的非直狀的溝槽可以不以多個(gè)非直狀的溝槽彼此對(duì)應(yīng)的位置形成而是以多個(gè)非直狀的溝槽交錯(cuò)的方式而交替的位置形成。
[0015]多個(gè)非直狀的溝槽可以以這樣的方式形成:從底面越接近入口，非直狀的溝槽的寬度變得越小。
[0016]多個(gè)非直狀的溝槽可以以正方形、矩形、圓形、三角形、六邊形或者其它不確定的形狀中的任何一種來(lái)形成。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1A是用于制造半導(dǎo)體芯片的傳統(tǒng)承載板的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0018]圖1B是用于制造半導(dǎo)體芯片的傳統(tǒng)承載板的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0019]圖2A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板的結(jié)構(gòu)的平面圖；以及
[0020]圖2B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板的結(jié)構(gòu)的截面圖。【具體實(shí)施方式】
[0021]本說(shuō)明書和權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)和詞匯不應(yīng)被解釋為一般的或詞典上的含義，而應(yīng)被理解為基于
【發(fā)明者】為了以最佳的方式描述他們自己的發(fā)明能夠適當(dāng)?shù)叵薅ㄐg(shù)語(yǔ)的概念的原則，具有滿足本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的意義和概念。
[0022]在整個(gè)說(shuō)明書中，詞語(yǔ)“包括(comprise)”和諸如“包含(comprises)”或“含有(comprising)”的變型應(yīng)理解為旨在包含所述元件，但不排除任何其它元件，除非明確說(shuō)明并非如此。此外，在說(shuō)明書中描述的術(shù)語(yǔ)“_er”、“-or”、“模塊(module)”以及“單元(unit)”表示用于處理至少一個(gè)功能和操作的單元，并且可通過(guò)硬件組件或軟件組件以及其組合加以實(shí)施。
[0023]現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。
[0024]圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板的結(jié)構(gòu)。圖2A是該結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2B是該結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0025]參照?qǐng)D2A和圖2B，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板包括芯片保持區(qū)域210和吸附區(qū)域220。
[0026]芯片保持區(qū)域210被設(shè)置在承載板基底(金屬板)200的預(yù)定區(qū)域中。在芯片保持區(qū)域210中形成用于將半導(dǎo)體芯片205插入并固定至金屬板200的多個(gè)通孔210c。
[0027]吸附區(qū)域220被設(shè)置在芯片保持區(qū)域210的外側(cè)部分中，并且該吸附區(qū)域220被用于通過(guò)吸附襯墊(未示出)來(lái)吸附和固定。
[0028]在這方面，具體地，在吸附區(qū)域220的上表面(正面)和下表面(背面)中形成用于增加承載板基底(金屬板)200與硅201之間的粘附力的多個(gè)非直狀(uneven)的溝槽200y。在這方面，非直狀的溝槽200y是通過(guò)使用半蝕刻法而不是全蝕刻法形成的。
[0029]在這方面，當(dāng)可以優(yōu)選地在吸附區(qū)域220的上表面和下表面中形成非直狀的溝槽200y時(shí)，上表面和下表面的非直狀的溝槽200y不是以非直狀的溝槽200y彼此對(duì)應(yīng)的位置形成，而是以非直狀的溝槽200y以交錯(cuò)的形式交替的位置形成。
[0030]此外，非直狀的溝槽200y可優(yōu)選地以這樣的方式形成:即，從底面越接近入口，非直狀的溝槽200y的寬度變得越小，以便通過(guò)使用入口的窄突出部作為完整的(single單個(gè))突起部，而防止被充入并硬化在非直狀的溝槽200y的內(nèi)部中的硅201逃逸。
[0031]此外，非直狀的溝槽200y可以以正方形、矩形、圓形、三角形、六邊形或者其它不確定的形狀形成。
[0032]如上所述，本發(fā)明的承載板可使用不同于傳統(tǒng)的全蝕刻法的半蝕刻法。因此，預(yù)計(jì)將增強(qiáng)粘附力，這歸因于硅的約束和通過(guò)蝕刻表面的表面積增加?？赏ㄟ^(guò)使用半蝕刻法在兩側(cè)上交替地蝕刻圖案來(lái)防止通孔，這有助于維持基底適當(dāng)?shù)膭傂?。此外，根?jù)現(xiàn)有的硅的形狀，對(duì)于半蝕刻所使用的圖案可以以各種方式(諸如矩形形狀、圓形形狀等)應(yīng)用。因此，可通過(guò)最小化基底的剛性退化來(lái)增加粘附力。非直狀的溝槽的形狀是這樣的:從入口至內(nèi)部，其直徑增加，這樣更加確定地將進(jìn)入到非直狀的溝槽中的硅約束，并且因此可進(jìn)一步增加硅與基底之間的粘附力。此外，如果需要，可以通過(guò)調(diào)整蝕刻深度來(lái)適當(dāng)?shù)恼{(diào)整粘附力和基底的剛性。
[0033]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板通過(guò)使用不同于傳統(tǒng)的全蝕刻法的半蝕刻法，來(lái)以非直狀的結(jié)構(gòu)加工承載板的芯片保持區(qū)域外部的吸附區(qū)域的表面，從而當(dāng)形成硅時(shí)增強(qiáng)了基底(板)與承載板的硅之間的粘附力。因此，根據(jù)硅的外側(cè)部分的形狀增加了硅與基底之間的粘附力，從而延長(zhǎng)了承載板的使用期限，并且減緩了基底的剛性退化，從而當(dāng)涂覆電極時(shí)減少了承載板的變形。
[0034]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，通過(guò)使用不同于傳統(tǒng)全蝕刻法的半蝕刻法，來(lái)以非直狀的結(jié)構(gòu)處理承載板的芯片保持區(qū)域外部的吸附區(qū)域的表面，從而當(dāng)形成硅時(shí)增強(qiáng)了基底(板)與承載板的硅之間的粘附力。
[0035]盡管出于示例性的目的已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式，但本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不背離在所附權(quán)利要求中所公開的本發(fā)明的范圍和精神的前提下，可以進(jìn)行各種變形、添加和替換。因此，這樣的變形、添加和替換也應(yīng)當(dāng)理解為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造半導(dǎo)體芯片的承載板，所述承載板包括: 芯片保持區(qū)域，被設(shè)置在所述承載板的預(yù)定區(qū)域中，并且在所述芯片保持區(qū)域中形成用于將所述半導(dǎo)體芯片插入并固定至金屬板的多個(gè)通孔；以及 吸附區(qū)域，被設(shè)置在所述芯片保持區(qū)域的外側(cè)部分中并且用于通過(guò)吸附襯墊來(lái)吸附和固定， 其中，在所述吸附區(qū)域的上表面和下表面中形成多個(gè)非直狀的溝槽，所述多個(gè)非直狀的溝槽用于增加所述金屬板與硅之間的粘附力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，通過(guò)使用不同于全蝕刻法的，半蝕刻法來(lái)形成所述多個(gè)非直狀的溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，當(dāng)在所述吸附區(qū)域的所述上表面和所述下表面中形成所述多個(gè)非直狀的溝槽時(shí)，所述上表面和所述下表面的所述非直狀的溝槽不是以所述多個(gè)非直狀的溝槽彼此對(duì)應(yīng)的位置形成，而是以所述多個(gè)非直狀的溝槽以交錯(cuò)的方式交替的位置形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述多個(gè)非直狀的溝槽以這樣的方式形成:從底面越接近入口，所述多個(gè)非直狀的溝槽的直徑變得越小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述多個(gè)非直狀的溝槽以正方形、矩形、圓形、三角形、六邊形或者其它不確定的形狀中的任一種形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述金屬板被用作基底。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK103915349SQ201310603846
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】李在九, 安正賢 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社