高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法、以及高速傳輸電纜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種與在芯材的表面形成有由Ag構(gòu)成的包覆層的產(chǎn)品相比成本低廉、同時(shí)連接可靠性及高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法，以及高速傳輸電纜。本發(fā)明的高速傳輸電纜用導(dǎo)體（1）具備以銅作為主成分的芯材（2），以及在芯材（2）的表面形成的具有非晶體層（3）的表面處理層，所述非晶體層（3）含有與氧的親和性比銅高的金屬元素（例如鋅）及氧。
【專利說(shuō)明】高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法、以及高速傳輸電纜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種使用由銅或銅合金構(gòu)成的芯材的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法，以及高速傳輸電纜。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于服務(wù)器、路由器、存儲(chǔ)設(shè)備等電子設(shè)備而言，要處理傳輸速度為數(shù)Gbps以上的高速數(shù)字信號(hào)。在這種電子設(shè)備中，對(duì)于裝置間、裝置內(nèi)的底架(chassis)間、裝置內(nèi)的基板間等的信號(hào)傳輸，要求信號(hào)波形的惡化少、高頻傳輸特性優(yōu)異的接口。該接口之一為高速傳輸電纜。
[0003]該高速傳輸電纜一般使用同軸電纜。同軸電纜由芯線(也稱為內(nèi)部導(dǎo)體、中心導(dǎo)體)、覆蓋芯線外周的絕緣體、覆蓋絕緣體外周的外導(dǎo)體(也稱為外部導(dǎo)體)和覆蓋外導(dǎo)體外周的外套(也稱為護(hù)套)構(gòu)成。
[0004]將電子設(shè)備的信號(hào)線與芯線連接，將電子設(shè)備的地線與外導(dǎo)體連接，通過(guò)芯線傳輸信號(hào)。將表層配置有電阻高的材質(zhì)的電鍍線等用于同軸電纜時(shí)，如果所傳輸?shù)男盘?hào)的頻率高(=傳輸速度大)，則在芯線上產(chǎn)生的表皮效應(yīng)的影響導(dǎo)致傳輸損失變大。電纜長(zhǎng)度越長(zhǎng)，該傾向表現(xiàn)得越顯著。其結(jié)果，若將信號(hào)進(jìn)行長(zhǎng)距離傳輸，則原本為矩形的數(shù)字信號(hào)波形鈍化，傳輸信號(hào)惡化，不再能進(jìn)行正常的信號(hào)傳輸。
[0005]在將一般的電纜中所使用的鍍錫銅線用于高速傳輸電纜時(shí)，由于在導(dǎo)體表層存在明顯低于軟銅的100%IACS的、導(dǎo)電率為15%IACS的Sn，因此，在表皮效應(yīng)的影響下，在高頻區(qū)域的由導(dǎo)體的電阻導(dǎo)致的傳輸信號(hào)的衰減量增大。
[0006]因此，作為在高頻區(qū)域使用的高速傳輸電纜用的導(dǎo)體，選擇表面形成有導(dǎo)電率高的鍍Ag的導(dǎo)體(例如，參見專利文獻(xiàn)1、2)。
[0007]關(guān)于專利文獻(xiàn)I所公開的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，為了難以產(chǎn)生斷線，為在由銅或銅合金構(gòu)成的線材形成有比其更硬的鍍Ag層的導(dǎo)體。關(guān)于專利文獻(xiàn)2公開的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，為了與純銅相比更增加耐彎曲性，為在由純銅或銅合金構(gòu)成的芯材的外周形成有由Ag或Ag合金構(gòu)成的包覆層的導(dǎo)體。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-307277號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)2:日本特開2008-293894號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0013]但是，關(guān)于在由銅或銅合金構(gòu)成的芯材的表面形成有由Ag構(gòu)成的包覆層的、現(xiàn)有的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，雖然傳輸信號(hào)的衰減量少，但Ag原材料的價(jià)格高，因此不可避免地成為高成本的產(chǎn)品。[0014]在將導(dǎo)電率與鍍Ag導(dǎo)體同樣優(yōu)異的裸銅導(dǎo)體用于高速傳輸電纜時(shí)，雖然在高頻傳輸特性方面沒有問(wèn)題，但因電纜制造中的熱、材料保存中的溫濕度會(huì)導(dǎo)致銅導(dǎo)體表面的氧化膜生長(zhǎng)，產(chǎn)生焊接時(shí)的不良品，在連接可靠性方面存在問(wèn)題。
[0015]另一方面，在由銅或銅合金構(gòu)成的芯材的表面形成有由Sn構(gòu)成的包覆層的、現(xiàn)有的傳輸電纜用導(dǎo)體用于高頻傳輸用途時(shí)，傳輸信號(hào)的衰減量增大。
[0016]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種與芯材表面形成有由Ag構(gòu)成的包覆層的產(chǎn)品相比成本低廉、同時(shí)連接可靠性及高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法，以及高速傳輸電纜。
[0017]用于解決問(wèn)題的方法
[0018]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式提供以下的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法，以及高速傳輸電纜。
[0019][I] 一種高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其具備以銅作為主成分的芯材和在所述芯材的表面形成的具有非晶體層的表面處理層，所述非晶體層含有與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。
[0020][2]上述[I]所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其中，構(gòu)成所述表面處理層的所述非晶體層還含有從所述芯材擴(kuò)散的銅。
[0021][3]上述[2]所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其中，所述表面處理層在所述非晶體層的下方還具有擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層含有銅及與氧的親和性比銅高的金屬元素，或者含有銅、與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。
[0022][4]上述[I]?[3]中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其中，構(gòu)成所述非晶體層的、所述與氧的親和性比銅高的金屬元素為鋅。
[0023][5]上述[I]?[4]中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其中，所述表面處理層的厚度為3nm以上0.6 μ m以下。
[0024][6] 一種高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其在以銅為主成分的芯材的表面，形成由與氧的親和性比銅高的金屬元素構(gòu)成的包覆層，將所述包覆層在溫度為50°C以上150°C以下、時(shí)間為30秒以上60分鐘以下的條件下進(jìn)行加熱處理，從而形成表面處理層。
[0025][7]上述[6]所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其中，所述與氧的親和性比銅高的金屬元素為鋅。
[0026][8]上述[6]或[7]所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其中，所述表面處理層的厚度為3nm以上0.6 μ m以下。
[0027][9] 一種高速傳輸電纜，其使用了上述[I]?[5]中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體作為內(nèi)部導(dǎo)體。
[0028]發(fā)明效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種與芯材表面形成有由Ag構(gòu)成的包覆層的產(chǎn)品相比成本低廉、同時(shí)連接可靠性及高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及其制造方法，以及高速傳輸電纜。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為模式地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的截面圖；
[0031]圖2為模式地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的截面圖；
[0032]圖3為模式地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜的截面圖；
[0033]圖4為表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例3所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體在恒溫(100°C)保持試驗(yàn)中的3600小時(shí)試驗(yàn)品的、從表層反復(fù)進(jìn)行濺射的同時(shí)進(jìn)行深度方向的俄歇元素分析的結(jié)果的圖表；
[0034]圖5為表示本發(fā)明的實(shí)施例3、比較例I及現(xiàn)有例I所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體在恒溫(100°C)保持試驗(yàn)中的、從表層起的氧侵入深度(氧化膜厚度)的時(shí)間變化的圖表；
[0035]圖6為表示本發(fā)明的實(shí)施例3所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的RHEED分析結(jié)果的電子射線衍射圖像；
[0036]圖7為表示本發(fā)明的實(shí)施例3、現(xiàn)有例1、3所涉及的焊料浸潤(rùn)性試驗(yàn)結(jié)果的圖表；
[0037]圖8為表示本發(fā)明的實(shí)施例3、現(xiàn)有例1、3所涉及的高頻傳輸特性(電阻衰減量)的圖表。
[0038]符號(hào)說(shuō)明
[0039]I高速傳輸電纜用導(dǎo)體；2芯材；3非晶體層；4擴(kuò)散層；5絕緣體；
[0040]6外部導(dǎo)體；7護(hù)套；10高速傳輸電纜
【具體實(shí)施方式】
[0041]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式及實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。并且，各圖中關(guān)于實(shí)質(zhì)上具有同一功能的構(gòu)成要素，記為同一符號(hào)并省略對(duì)其的重復(fù)說(shuō)明。
[0042][實(shí)施方式的概要]
[0043]本實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體具備以銅為主成分的芯材和在所述芯材的表面形成的具有非晶體層的表面處理層，所述非晶體層含有與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。
[0044]表面處理層由于不同種元素在界面上相接觸，因此在不同種元素的界面上通常顯示出平緩的濃度變化，難以定義表面處理層的厚度。因此，在本說(shuō)明書中，將表面處理層的厚度定義為“含有與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧、以及根據(jù)情況含有銅的層的厚度，且以作為元素含有比率的原子濃度(at%)計(jì)，構(gòu)成該層的元素的任一種均含有2at%以上的層的厚度”。
[0045][第一實(shí)施方式]
[0046]圖1為模式地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的截面圖。本實(shí)施方式的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I具備以銅為主成分的截面為圓形的芯材2，以及在芯材2的表面形成的非晶體層3。非晶體層3為表面處理層的一個(gè)例子。
[0047]作為構(gòu)成芯材2的、以銅為主成分的材料，可使用例如無(wú)氧銅、韌煉銅等純銅，或銅合金。作為銅合金，可使用例如含有3?15質(zhì)量ppm的硫、2?30質(zhì)量ppm的氧和5?55質(zhì)量ppm的Ti的低銅合金等。
[0048]非晶體層3含有例如與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧，或者含有與氧的親和性比銅高的金屬元素、氧以及從芯材2擴(kuò)散的銅。[0049]作為構(gòu)成非晶體層3的、與氧的親和性比銅高的金屬元素優(yōu)選為鋅。除鋅以外，還可舉出如T1、Mg、Zr、Al、Fe、Sn、Mn等。特別地,從再循環(huán)的觀點(diǎn)來(lái)看,優(yōu)選為在制造銅時(shí)易氧化去除的T1、Mg及Zr。
[0050]由于可認(rèn)為與元素有序排列的結(jié)晶質(zhì)層相比，元素?zé)o規(guī)配置的非晶體層3為致密結(jié)構(gòu)，因此該非晶體層3可抑制乃至降低作為銅原材料氧化原因的、銅向表面處理層表面的擴(kuò)散及氧向銅原材料中的侵入。
[0051]本實(shí)施方式的由非晶體層3構(gòu)成的表面處理層的厚度依據(jù)熱處理?xiàng)l件的不同而不同，但優(yōu)選為3nm以上0.6 μ m以下，更優(yōu)選6nm以上0.6 μ m以下。
[0052]為了形成非晶體層3，需要優(yōu)先使氧與銅以外的其他金屬元素結(jié)合，為了促進(jìn)該非晶體層3的形成，優(yōu)選將與氧的親和性比作為芯材2的銅更高的金屬元素(例如鋅)配置在芯材2的表面。
[0053](第一實(shí)施方式的制造方法)
[0054]下面，對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0055]首先，準(zhǔn)備以銅為主成分的芯材2。
[0056]然后，在芯材2的表面形成由與氧的親和性比銅高的金屬元素構(gòu)成的包覆層，例如Zn層。為了形成Zn層，可使用例如電鍍法、濺射法、真空蒸鍍法、覆層法等。這些方法中，電鍍法(電解電鍍)因成膜步驟的成本低而優(yōu)選。其中，Zn層的厚度優(yōu)選在最終產(chǎn)品中為0.6 μ m以下。
[0057]接著，在大氣中，在溫度為50°C以上150°C以下、時(shí)間為30秒以上60分鐘以下的條件下進(jìn)行加熱處理。加熱處理并不限于有意識(shí)地在導(dǎo)體的制造工序中加入，若在例如導(dǎo)體的輸送過(guò)程中或通過(guò)擠出等向?qū)w包覆絕緣材料的包覆工序中附帶給予上述條件，也能夠得到同樣的效果。通過(guò)如上所述，制造高速傳輸電纜用導(dǎo)體I。
[0058]予以說(shuō)明，作為其他制造方法，也可以用如下方法進(jìn)行制造，即在加工成最終產(chǎn)品的尺寸、形狀之前，預(yù)先進(jìn)行由鋅構(gòu)成的鍍敷(優(yōu)選為20 μ m以下，更優(yōu)選為15 μ m以下)，然后加工成最終廣品的尺寸、形狀，使包覆層為0.6 μ m以下。
[0059](第一實(shí)施方式的效果)
[0060]根據(jù)本實(shí)施方式，可起到以下效果。
[0061](a)僅通過(guò)在以銅為主成分的芯材的表面包覆鋅并實(shí)施規(guī)定的加熱處理的簡(jiǎn)單方法，能夠形成含有鋅及氧的非晶體層。
[0062](b)因?yàn)閷?duì)于包覆層使用比Ag廉價(jià)的鋅，因此能夠以低成本制造高速傳輸電纜用導(dǎo)體。
[0063](c)因?yàn)橥ㄟ^(guò)包覆芯材的表面而防止氧化膜在芯材的表面生長(zhǎng)，所以能夠提供連接可靠性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體。
[0064]Cd)雖然包覆層的鋅的導(dǎo)電率為約28%IACS，較低，但由于本技術(shù)中所需的包覆層厚度與Sn等相比足夠薄，因此能夠提供高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體。
[0065]本發(fā)明的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及高速傳輸電纜，用于5GHz以上的高頻傳輸?shù)男Ч?。作為其原因，在使用了現(xiàn)有技術(shù)的鍍Sn導(dǎo)體時(shí)，在小于5GHz的頻率區(qū)域中，從由于表皮效應(yīng)電流主要流動(dòng)的表層起的厚度(以下，稱為表皮厚度)比較厚，因此電流也在作為芯材的銅中流動(dòng)，由表層的Sn導(dǎo)致的導(dǎo)電率降低的影響小。另一方面，在5GHz以上的頻率中，由于表皮厚度薄，因此導(dǎo)電率降低明顯，在5GHz以上的頻率中不能使用鍍Sn導(dǎo)體。本發(fā)明由于即使對(duì)于高頻區(qū)域下的表皮厚度，表面處理層的厚度也小，因此在5GHz以上的高頻傳輸中能夠使傳輸特性難以降低。
[0066]在高頻傳輸電纜的導(dǎo)體末端的連接方法中，除焊料連接以外，還可以使用超聲波連接等。但是，使用在導(dǎo)體表面實(shí)施有鍍Sn的鍍Sn導(dǎo)體時(shí)，由于Sn的熔點(diǎn)低，為232°C，因此因超聲波連接時(shí)的摩擦熱導(dǎo)致表層的Sn熔融，難以通過(guò)超聲波連接得到充分的連接強(qiáng)度。另一方面，本發(fā)明的高速傳輸電纜用導(dǎo)體中，由于表面處理層為具有氧的非晶體層且厚度足夠薄，因此在超聲波連接時(shí)能夠不發(fā)生熔融而接合。因此，能夠通過(guò)超聲波連接得到充分的連接強(qiáng)度。
[0067][第二實(shí)施方式]
[0068]圖2為模式地表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的截面圖。本實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I是在第一實(shí)施方式中的非晶體層3的下方形成有擴(kuò)散層4。其中，本實(shí)施方式的非晶體層3及擴(kuò)散層4構(gòu)成表面處理層。
[0069]擴(kuò)散層4為晶體層，在這一點(diǎn)上與非晶體層3不同。擴(kuò)散層4可以含有銅及與氧的親和性比銅高的金屬元素，或者可以含有銅、與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。其中，擴(kuò)散層4優(yōu)選由銅、與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧構(gòu)成。
[0070]關(guān)于構(gòu)成擴(kuò)散層4的、與氧的親和性比銅高的金屬元素，可以使用與構(gòu)成非晶體層3的、與氧的親和性比銅高的金屬元素的情況同樣的物質(zhì)，優(yōu)選使用與非晶體層3相同的屬素。
[0071]本實(shí)施方式的由非晶體層3及擴(kuò)散層4構(gòu)成的表面處理層的厚度，根據(jù)擴(kuò)散層4的厚度及加熱處理?xiàng)l件的不同而不同，但優(yōu)選為6nm以上0.6μηι以下。
[0072]擴(kuò)散層4的厚度，作為其下限值沒有特別限定，只要包覆作為芯材的銅即可，在實(shí)際使用上，下限的包覆厚度優(yōu)選為3nm左右。此外，擴(kuò)散層4的厚度的上限值，優(yōu)選為0.5 μ m以下。如果超過(guò)0.5 μ m，則有時(shí)會(huì)難以穩(wěn)定形成有助于表現(xiàn)高耐腐蝕性的非晶體層3。作為非晶體層3的厚度沒有特別限制，優(yōu)選為3nm以上。
[0073](第二實(shí)施方式的制造方法)
[0074]下面，對(duì)第二實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0075]首先，準(zhǔn)備以銅為主成分的芯材2。
[0076]然后，在芯材2的表面形成擴(kuò)散層4。擴(kuò)散層4可以通過(guò)在芯材2的表面包覆鋅、在50°C以上的溫度由環(huán)境氣體加熱或保持在油浴、鹽浴中來(lái)形成。并且，也可以利用基于通電的電阻發(fā)熱來(lái)形成。
[0077]形成擴(kuò)散層4后，在其外周，與第一實(shí)施方式同樣地形成非晶體層3。S卩，通過(guò)在擴(kuò)散層4的表面電解電鍍由與氧的親和性比銅高的金屬元素構(gòu)成的包覆層、例如鋅層來(lái)形成。
[0078]接著，在大氣中，在溫度為50°C以上150°C以下、時(shí)間為30秒以上60分鐘以下的條件下進(jìn)行加熱處理。通過(guò)如上所述，制造高速傳輸電纜用導(dǎo)體I。
[0079](第二實(shí)施方式的效果)[0080]根據(jù)本實(shí)施方式，可起到以下效果。
[0081](a)僅通過(guò)在以銅為主成分的芯材的表面形成擴(kuò)散層，在擴(kuò)散層的表面包覆鋅并實(shí)施規(guī)定的加熱處理的簡(jiǎn)單方法，能夠形成含有鋅及氧的非晶體層。
[0082](b)與第一實(shí)施方式同樣，能夠以低成本制造高速傳輸電纜用導(dǎo)體I。
[0083](c)與第一實(shí)施方式同樣，能夠提供連接可靠性及高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜用導(dǎo)體。
[0084]本發(fā)明的高速傳輸電纜用導(dǎo)體及高速傳輸電纜，用于5GHz以上的高頻傳輸?shù)男Ч?。作為其原因，在使用了現(xiàn)有技術(shù)的鍍Sn導(dǎo)體時(shí)，在小于5GHz的頻率區(qū)域中，從由于表皮效應(yīng)電流主要流動(dòng)的表層起的厚度(以下，稱為表皮厚度)比較厚，因此電流也在作為芯材的銅中流動(dòng)，由表層的Sn導(dǎo)致的導(dǎo)電率降低的影響小。另一方面，在5GHz以上的頻率中，由于表皮厚度薄，因此導(dǎo)電率降低明顯，在5GHz以上的頻率中不能使用鍍Sn導(dǎo)體。本發(fā)明由于即使對(duì)于高頻區(qū)域下的表皮厚度，表面處理層的厚度也小，因此在5GHz以上的高頻傳輸中能夠使傳輸特性難以降低。
[0085]在高頻傳輸電纜的導(dǎo)體末端的連接方法中，除焊料連接以外，還可以使用超聲波連接等。但是，使用在導(dǎo)體表面實(shí)施有鍍Sn的鍍Sn導(dǎo)體時(shí)，由于Sn的熔點(diǎn)低，為232°C，因此因超聲波連接時(shí)的摩擦熱導(dǎo)致表層的Sn熔融，難以通過(guò)超聲波連接得到充分的連接強(qiáng)度。另一方面，本發(fā)明的高速傳輸電纜用導(dǎo)體中，由于表面處理層為具有氧的非晶體層且厚度足夠薄，因此在超聲波連接時(shí)能夠不發(fā)生熔融而接合。因此，能夠通過(guò)超聲波連接得到充分的連接強(qiáng)度。
[0086][第三實(shí)施方式]
[0087]圖3為模式地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜的截面圖。本實(shí)施方式所涉及的高速傳輸電纜10使用第一實(shí)施方式的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I作為內(nèi)部導(dǎo)體，用絕緣體5覆蓋該內(nèi)部導(dǎo)體的表面，用具有噪音遮蔽功能的外部導(dǎo)體6覆蓋絕緣體5的周圍，用護(hù)套7覆蓋外部導(dǎo)體6的周圍。
[0088]根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供在低成本的同時(shí)連接可靠性及高頻傳輸特性優(yōu)異的高速傳輸電纜。
[0089]并且，可以使用第二實(shí)施方式的高速傳輸電纜用導(dǎo)體I來(lái)代替高速傳輸電纜用導(dǎo)體I。此外,作為內(nèi)部導(dǎo)體,還可以為將多根高速傳輸電纜用導(dǎo)體I捻合成的捻線。
[0090][實(shí)施例1]
[0091]將對(duì)應(yīng)于本發(fā)明第一實(shí)施方式的實(shí)施例1~8、比較例I~3及現(xiàn)有例I~3的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的構(gòu)成示于表1中。此外，關(guān)于后述的評(píng)價(jià)項(xiàng)目的評(píng)價(jià)結(jié)果也示于表I中。表1中，關(guān)于高頻傳輸特性，在將頻率為IOGHz時(shí)的現(xiàn)有例3的電阻衰減量作為基準(zhǔn)時(shí)，電阻增加小于10%的為〇，電阻增加為10%以上且小于20%的為Λ，電阻增加為20%以上的為X。此外，關(guān)于成本，以Ag的價(jià)格為X時(shí)，價(jià)格為Ag的七成以下為〇。關(guān)于綜合評(píng)價(jià)，綜合評(píng)價(jià)連接不良率、高頻傳輸特性、成本的項(xiàng)目，良好為〇，不足為Λ，不適合為X。
[0092]表1
[0093]表1
[0094]
【權(quán)利要求】
1.一種高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其特征在于，具備以銅作為主成分的芯材以及在所述芯材的表面形成的具有非晶體層的表面處理層； 所述非晶體層含有與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其特征在于，構(gòu)成所述表面處理層的所述非晶體層還含有從所述芯材擴(kuò)散的銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其特征在于，所述表面處理層在所述非晶體層的下方還具有擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層含有銅及與氧的親和性比銅高的金屬元素，或者含有銅、與氧的親和性比銅高的金屬元素及氧。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其特征在于，構(gòu)成所述非晶體層的、所述與氧的親和性比銅高的金屬元素為鋅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體，其特征在于，所述表面處理層的厚度為3nm以上0.6 μ m以下。
6.一種高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，在以銅為主成分的芯材的表面，形成由與氧的親和性比銅高的金屬元素構(gòu)成的包覆層； 將所述包覆層在溫度為50°C以上150°C以下、時(shí)間為30秒以上60分鐘以下的條件下進(jìn)行加熱處理，從而形成表面處理層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，所述與氧的親和性比銅高的金屬元素為鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，所述表面處理層的厚度為3nm以上0.6 μ m以下。
9.一種高速傳輸電纜,其特征在于,使用了權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的高速傳輸電纜用導(dǎo)體作為內(nèi)部導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】H01B1/02GK103971782SQ201310627921
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月30日
【發(fā)明者】佐川英之, 青山正義, 鷲見亨, 藤戶啟輔, 黃得天 申請(qǐng)人:日立金屬株式會(huì)社