等離子體發(fā)生裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子體發(fā)生裝置。僅在與空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體而消除在不必要的部分中的放電并抑制臭氧的產(chǎn)生。所述等離子體發(fā)生裝置具備：圍繞流路R而形成的環(huán)形的低電介質(zhì)層2；記載低電介質(zhì)層2的同時(shí)，圍繞流路R而形成的第一電極3及第二電極4；在第一電極3及第二電極4、第一電極3或第二電極4之中的至少一個(gè)與低電介質(zhì)層2之間，圍繞流路R而形成的環(huán)形的高電介質(zhì)層。
【專利說(shuō)明】等離子體發(fā)生裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種等離子體發(fā)生裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于最近的特異反應(yīng)性、哮喘、過敏性癥狀持有者的增加或新型流感的暴發(fā)性流行等中所能看到的感染性風(fēng)險(xiǎn)的增加等原因，使得對(duì)殺菌或除臭等生活環(huán)境的空氣質(zhì)量控制的要求越來(lái)越高。此外，隨著生活變得富裕，保管食品的量增加或者吃剩的食品的保管機(jī)會(huì)在增加，從而以冰箱為代表的保管機(jī)器內(nèi)的環(huán)境控制的重要性也變得越來(lái)越大。
[0003]并且，在大氣中產(chǎn)生等離子體并利用其中生成的化學(xué)活性種來(lái)試圖殺菌或除臭的手段最近一直在增加。
[0004]通過放電而在大氣中產(chǎn)生等離子體并利用其中生成的離子或自由基(以下，活性種)執(zhí)行殺菌或除臭的技術(shù)可分類成以下2種形式。
[0005](I)使在大氣中浮游的細(xì)菌或病毒(以下，浮游細(xì)菌)，或惡臭物質(zhì)(以下，惡臭)在裝置內(nèi)的限定的容積內(nèi)與活性種反應(yīng)的，所謂的被動(dòng)型等離子體發(fā)生裝置(例如，專利文獻(xiàn)
O
[0006](2)將在等離子體發(fā)生部生成的活性種向比(I)容積更大的封閉空間(例如，客廳、衛(wèi)生間、轎車的車內(nèi)等)釋放后，通過大氣中的活性種和浮游細(xì)菌或惡臭之間發(fā)生碰撞而使其反應(yīng)的，所謂的能動(dòng)型等離子體發(fā)生裝置(例如，專利文獻(xiàn)2)
[0007]但是在被動(dòng)型等離子體發(fā)生裝置中，效果僅限于流入到該裝置的空氣流中所包含的浮游細(xì)菌或惡臭，而對(duì)于能動(dòng)型等離子體發(fā)生裝置的情況，只能期待針對(duì)濃度低的浮游細(xì)菌、附著細(xì)菌、惡臭的效果。即，利用現(xiàn)有技術(shù)能實(shí)現(xiàn)的，僅限于“浮游細(xì)菌的殺菌和除臭”或“濃度低的浮游細(xì)菌、附著細(xì)菌的殺菌及附著惡臭的除臭”中之一。
[0008]這里，如專利文獻(xiàn)3中所示，作為兼?zhèn)渖鲜龅谋粍?dòng)型及能動(dòng)型的等離子體發(fā)生裝置，考慮到的是，使具有流體流通孔的2個(gè)導(dǎo)體基板對(duì)向的同時(shí)，在導(dǎo)體基板的對(duì)向面中的至少一個(gè)形成電介質(zhì)膜，并在形成于2個(gè)基板之間的間隙發(fā)生等離子體放電。
[0009]然而，由于在從流體流通孔相隔的間隙區(qū)域發(fā)生放電，因此具有滯留于該間隙的空氣中的氧氣被臭氧化而使臭氧的發(fā)生量變多的問題。
[0010]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)
[0012]1.日本專利公開第2002 — 224211號(hào)公報(bào)
[0013]2.日本專利公開第2003 - 79714號(hào)公報(bào)
[0014]3.日本專利公開第2007 - 250284號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]技術(shù)問題
[0016]本發(fā)明是為了解決如上所述技術(shù)問題而提供的，所期望解決的問題是僅在與空氣接觸的部分上產(chǎn)生等離子體而消除在不必要的部分上的放電并抑制臭氧的發(fā)生。
[0017]技術(shù)方案
[0018]根據(jù)本發(fā)明的等離子體發(fā)生裝置，其特征在于，具備:圍繞流路而形成的環(huán)形的低電介質(zhì)層；夾設(shè)低電介質(zhì)層的同時(shí)，圍繞流路而形成的第一電極及第二電極；在第一電極或第二電極中的至少一個(gè)與低電介質(zhì)層之間，圍繞流路而形成的環(huán)形的高電介質(zhì)層。
[0019]據(jù)此，由于具有圍繞用于使空氣流通的流路而形成的環(huán)形的低電介質(zhì)層，并構(gòu)成為在低電介質(zhì)層產(chǎn)生等離子體，因此可以僅在與流通空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體而抑制臭氧的產(chǎn)生。并且，由于在不必要的部分不產(chǎn)生等離子體，因此可提高電力效率。進(jìn)而，可通過僅在與空氣流通的流路面對(duì)的部分上產(chǎn)生等離子體的構(gòu)成，使空氣和等離子體有效地接觸，從而可提高除臭、分解及殺菌性能。
[0020]作為具體實(shí)施的一方面，優(yōu)選為，包含具有形成流路的流路形成孔的絕緣基板，并在流路形成孔的內(nèi)側(cè)周圍面形成低電介質(zhì)層及高電介質(zhì)層。這樣，只要在流路形成孔的內(nèi)側(cè)周圍面形成低電介質(zhì)層及高電介質(zhì)層，即可使等離子體發(fā)生裝置的構(gòu)成變得簡(jiǎn)單。并且，由于可以與絕緣基板的厚度無(wú)關(guān)地產(chǎn)生等離子體，因此可提高設(shè)計(jì)自由度。根據(jù)這種構(gòu)成，如果對(duì)第一電極及第二電極施加電壓，則電場(chǎng)產(chǎn)生為使大部分電力線通過高電介質(zhì)層而發(fā)生電場(chǎng)，并且在低電介質(zhì)層使電力線朝流路的內(nèi)側(cè)突出而集中電場(chǎng)，從而使等離子體的發(fā)生變得簡(jiǎn)單。
[0021]優(yōu)選為，在絕緣基板的流路形成孔的一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第一電極，在絕緣基板的流路形成孔的另一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第二電極。這里，第一電極及第二電極的形狀優(yōu)選為，從流路形成孔的開口邊緣到電極的半徑方向內(nèi)側(cè)端的距離為I μ m至500μπι，導(dǎo)體槽的寬度為ΙΟμπι至5000μπι，并且電阻率為1Ω (每單位長(zhǎng)度)以上。這樣，由于可以減小第一電極及第二電極的面積而使靜電容量變小，因此可減少對(duì)電極施加電壓的驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)荷。由此，既可以實(shí)現(xiàn)使絕緣基板大面積化而具有流路形成孔的構(gòu)成，又能抑制電容量的增加。
[0022]優(yōu)選為，在形成于流路形成孔的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面的高電介質(zhì)層，沿著周向形成凹槽而形成有低電介質(zhì)層。這樣，例如可以僅通過在流路形成孔的內(nèi)側(cè)周圍面形成高電介質(zhì)層后形成凹槽的方式構(gòu)成，從而使等離子體發(fā)生裝置的構(gòu)成變得簡(jiǎn)單。
[0023]凹槽的剖面形狀可以是四邊形、梯形或半圓形。并且，為了在凹槽產(chǎn)生等離子體，高電介質(zhì)層5、6的相對(duì)介電常數(shù)是10至1000，優(yōu)選為10至100，高電介質(zhì)層5、6的厚度是
Iμ m至500 μ m,凹槽的深度是I μ m至500 μ m,凹槽的寬度是I μ m至500 μ m,優(yōu)選為Iym至100 μ m，施加電壓是100V至5000V。并且，在高電介質(zhì)層因凹槽而被分割的情況下，高電介質(zhì)層的距離為I μ m至500 μ m,優(yōu)選為I μ m至100 μ m。進(jìn)而,在凹槽的剖面形狀為梯形或三角形的情況下，其開口角度是10至60度。在凹槽的剖面形狀為半圓形的情況下，其半徑為I μ m至500 μ m。
[0024]在凹槽的內(nèi)表面優(yōu)選為形成凹凸。此時(shí)，將內(nèi)表面的凹凸，優(yōu)選的，設(shè)為RzlOym至100 μ m, SmlO μ m至100 μ m (以線粗糙度規(guī)定)。
[0025]優(yōu)選為，在形成于流路形成孔的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面的高電介質(zhì)層，沿著周向形成凹槽，并在該凹槽設(shè)置低電介質(zhì)材料而形成低電介質(zhì)層。這里，為了在凹槽產(chǎn)生等離子體，高電介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為100至1000，低電介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為I至IOo
[0026]優(yōu)選為，第一電極和第二電極中的一個(gè)由具有形成流路的流路形成孔的導(dǎo)體基板構(gòu)成，低電介質(zhì)層、高電介質(zhì)層、及第一電極和第二電極中的一個(gè)被設(shè)置為與導(dǎo)體基板的流路形成孔連通。
[0027]并且，根據(jù)本發(fā)明的等離子體發(fā)生裝置，其特征在于，具備:由向一個(gè)方向延伸的低介電常數(shù)材料構(gòu)成的支撐體；在沿著支撐體的延伸方向延伸的一對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡谝桓唠娊橘|(zhì)層；在沿著支撐體的延伸方向延伸的其他對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡诙唠娊橘|(zhì)層；形成于第一高電介質(zhì)層與第二高電介質(zhì)層之間的低電介質(zhì)層；接觸第一高電介質(zhì)層而形成的第一電極；接觸第二高電介質(zhì)層而形成的第二電極。
[0028]據(jù)此，由于在支撐體的外表面形成第一高電介質(zhì)層及第二高電介質(zhì)層，并在其之間形成低電介質(zhì)層，因此可以僅在與外部空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體而抑制臭氧的產(chǎn)生。并且，由于在不必要的部分不產(chǎn)生等離子體，因此可提高電力效率。進(jìn)而，可通過在與空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體的構(gòu)成，使空氣和等離子體有效地接觸，從而可提高除臭、分解及殺菌性能。進(jìn)而，可將等離子體發(fā)生裝置以線型實(shí)現(xiàn)，從而大幅減小壓力損失。
[0029]優(yōu)選為，具備在支撐體設(shè)有第一高電介質(zhì)層、第二高電介質(zhì)層、低電介質(zhì)層、第一電極及第二電極的多個(gè)線型構(gòu)造體。在這種情況下，可運(yùn)用細(xì)長(zhǎng)構(gòu)造來(lái)構(gòu)成大面積的等離子體發(fā)生裝置。
[0030]優(yōu)選為，多個(gè)線型構(gòu)造體被交織。由此，可提高強(qiáng)度。
[0031]優(yōu)選為，具備在支撐體設(shè)有第一高電介質(zhì)層、第二高電介質(zhì)層、低電介質(zhì)層、第一電極及第二電極的線型構(gòu)造體，并使線型構(gòu)造體彎曲或曲折而配置在所定區(qū)域。這樣，即可利用一個(gè)線型構(gòu)造體在所定范圍內(nèi)增大與空氣的接觸面積，又可使電配線變得簡(jiǎn)單。即，可以實(shí)現(xiàn)能在一個(gè)線型構(gòu)造體的一端部連接驅(qū)動(dòng)電路的，極其簡(jiǎn)單的電配線。
[0032]進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的等離子體發(fā)生裝置，其特征在于，具備:沿著一個(gè)方向延伸的絕緣構(gòu)件、以及在絕緣構(gòu)件的外表面沿著延伸方向形成的低電介質(zhì)層、夾設(shè)低電介質(zhì)層的同時(shí)，沿著延伸方向形成的第一電極及第二電極、在第一電極和第二電極中的至少一個(gè)及低電介質(zhì)層之間，沿著延伸方向形成高電介質(zhì)層。
[0033]這樣，在絕緣構(gòu)件的外表面形成低電介質(zhì)層，并構(gòu)成為在低電介質(zhì)層產(chǎn)生等離子體，因此僅在與空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體從而可抑制臭氧的產(chǎn)生。并且，由于在不必要的部分不產(chǎn)生等離子體，因此可提高電力效率。進(jìn)而，可通過在與空氣流通的流路面對(duì)的部分上產(chǎn)生等離子體的構(gòu)成，使空氣和等離子體有效地接觸，從而可提高除臭、分解及殺菌性能。進(jìn)而，可將等離子體發(fā)生裝置以線型實(shí)現(xiàn)而大幅減小壓力損失。
[0034]發(fā)明效果
[0035]根據(jù)這樣構(gòu)成的本發(fā)明，可以僅在與空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體而消除在不必要的部分中的放電并抑制臭氧的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；
[0037]圖2是示意性示出上述實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的構(gòu)成的平面圖；
[0038]圖3是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；[0039]圖4是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；
[0040]圖5是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；
[0041]圖6是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；
[0042]圖7是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的立體圖；
[0043]圖8是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的剖面圖；
[0044]圖9是根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的立體圖；
[0045]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的應(yīng)用例的圖；
[0046]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明變形實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置的其他應(yīng)用例的圖；
[0047]圖12是示出具有送風(fēng)單元的等離子體發(fā)生裝置的示意圖。
[0048]符號(hào)說(shuō)明:
[0049]100等離子體發(fā)生裝置
[0050]R 流路
[0051]2 低電介質(zhì)層
[0052]3 第一電極
[0053]4 第二電極
[0054]5 第一高電介質(zhì)層
[0055]6 第二高電介質(zhì)層
[0056]71流路形成孔
[0057]7 絕緣基板
[0058]71a內(nèi)側(cè)周圍面
[0059]M 凹槽
[0060]30導(dǎo)體基板
[0061]31流路形成孔
[0062]8 支撐體
[0063]10線型構(gòu)造體
【具體實(shí)施方式】
[0064]以下，參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的等離子體發(fā)生裝置的一種實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
[0065]如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的等離子體發(fā)生裝置100具備:圍繞流路R而形成的環(huán)形的低電介質(zhì)層2 ;夾設(shè)該低電介質(zhì)層2的同時(shí)，圍繞流路R而形成的第一電極3及第二電極4 ;在第一電極3與低電介質(zhì)層2之間，圍繞流路R而形成的環(huán)形的第一高電介質(zhì)層5 ；在第二電極4與低電介質(zhì)層2之間，圍繞流路R而形成的環(huán)形的第二高電介質(zhì)層6。
[0066]具體而言，如圖2所示，等離子體發(fā)生裝置100具有形成有形成流路R的多個(gè)流路形成孔71的例如四角平板形狀的由低電介質(zhì)材料構(gòu)成的絕緣基板7，并且，如圖1所示，在形成于該絕緣基板7的流路形成孔71的內(nèi)側(cè)周圍面71a形成環(huán)形的低電介質(zhì)層2，并且隔著低電介質(zhì)層2而形成第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6。
[0067]此外，在絕緣基板7的流路形成孔71的一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第一電極3，在絕緣基板7的流路形成孔71的另一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第二電極4。這里，第一電極3與第一高電介質(zhì)層5接觸,第二電極4與第二高電介質(zhì)層6接觸。該第一電極3和第二電極4連接有驅(qū)動(dòng)電路(圖中未示出)，并且基于該驅(qū)動(dòng)電路，例如向各個(gè)電極3、4施加脈沖電壓，使該脈沖電壓的峰值在IOOV以上且5000V以下的范圍內(nèi)，并使脈沖寬度在0.1 μ秒以上且300 μ以下的范圍。
[0068]進(jìn)而，本實(shí)施形態(tài)中，低電介質(zhì)層2構(gòu)成為，在形成于流路形成孔71的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面71a的由高電介質(zhì)膜構(gòu)成的高電介質(zhì)層，沿著周向形成凹槽Μ。即，本實(shí)施形態(tài)的低電介質(zhì)層2基于空氣而構(gòu)成。圖1中雖然凹槽M的剖面形狀是三角形，但是此外，也可以是四邊形、梯形或半圓形。此外，低電介質(zhì)層2的與流路直交的方向(半徑方向)的厚度，與形成于高電介質(zhì)層的凹槽M的深度或高電介質(zhì)層的半徑方向的厚度一致。
[0069]對(duì)于這樣構(gòu)成的等離子體發(fā)生裝置100，如果對(duì)第一電極3及第二電極4施加電壓，則電場(chǎng)產(chǎn)生為使大部分電力線通過第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6，并且在低電介質(zhì)層2使電力線朝流路R的內(nèi)側(cè)突出而集中電場(chǎng)，從而使等離子體的發(fā)生變得簡(jiǎn)單。即，向流路R擠出地發(fā)生等離子體。
[0070]這里，低電介質(zhì)層2中的電場(chǎng)，由高電介質(zhì)層5、6的相對(duì)介電常數(shù)、高電介質(zhì)層5、6的厚度、凹槽M的深度、凹槽M的寬度、以及施加的電壓而定。例如，高電介質(zhì)層5、6的相對(duì)介電常數(shù)是10至1000，優(yōu)選為10至100，高電介質(zhì)層5、6的厚度是I μ m至500 μ m，凹槽M的深度是I μ m至500 μ m,凹槽M的寬度是I μ m至500 μ m,優(yōu)選為I μ m至100 μ m,施加電壓是100V至5000V。并且，凹槽M的開口角度是10至60度。
[0071]根據(jù)這樣構(gòu)成的等離子體發(fā)生裝置100，由于構(gòu)成為圍繞使空氣流通的流路R而形成環(huán)形的低電介質(zhì)層2，并且使等離子體在低電介質(zhì)層2產(chǎn)生，因此僅在與流通的空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體，從而可抑制臭氧的產(chǎn)生。并且，由于在不必要的部分不產(chǎn)生等離子體，因此可提高電力效率。進(jìn)而，可通過僅在與使空氣流通的流路R面對(duì)的部分上產(chǎn)生等離子體的構(gòu)成，使空氣和等離子體有效地接觸，據(jù)此可提高除臭、分解及殺菌性能。
[0072]并且，只要在流路形成孔71的內(nèi)側(cè)周圍面71a形成低電介質(zhì)層2及高電介質(zhì)層5、6即可，因此可以使等離子體發(fā)生裝置100的構(gòu)成變得簡(jiǎn)單。并且，與絕緣基板7的厚度無(wú)關(guān)地，可通過由凹槽M形成的低電介質(zhì)層2產(chǎn)生等離子體，因此可提高設(shè)計(jì)自由度。
[0073]進(jìn)而，由于在絕緣基板7的流路形成孔71的開口邊緣具有環(huán)形的第一電極3及第二電極4，因此可減小第一電極3及第二電極4的面積。由此，電極3、4的靜電容量變小，從而可減少對(duì)電極3、4施加電壓的驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)荷。因此，既可以實(shí)現(xiàn)使絕緣基板7大面積化而具有多個(gè)流路形成孔71的構(gòu)成，又能抑制電容量的增加。
[0074]同時(shí)，本發(fā)明不局限于實(shí)施形態(tài)。
[0075]例如，如圖3所示，也可以在凹槽M的內(nèi)表面形成凹凸。這里，如圖3所示，在凹槽M到達(dá)至絕緣基板7而使高電介質(zhì)層被物理分離為第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6的情況下，將在各個(gè)高電介質(zhì)層5、6的對(duì)向面形成凹凸。這樣，可通過在凹槽M的內(nèi)表面形成凹凸而減小等離子體發(fā)生電壓。同時(shí)，作為凹凸形狀，可考慮將凹槽M的內(nèi)表面粗糙度設(shè)為RzlO μ m至100 μ m, SmlO μ m至100 μ m (以線粗糙度規(guī)定)。
[0076]并且，如圖4所示，在實(shí)施形態(tài)的低電介質(zhì)層充填低電介質(zhì)材料。從實(shí)施形態(tài)來(lái)看，在形成于流路形成孔71的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面71a的高電介質(zhì)層5、6，沿著周向形成凹槽M并在該凹槽M具備低電介質(zhì)材料21從而形成低電介質(zhì)層。在這種情況下，高電介質(zhì)層5、6的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為10至1000,低電介質(zhì)層(低電介質(zhì)材料)的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為I 至 10。
[0077]進(jìn)而，如圖5所示，可構(gòu)成，第一電極3由具備形成流路R的流路形成孔31的導(dǎo)體基板30構(gòu)成，且與導(dǎo)體基板30的流路形成孔31連通地具備低電介質(zhì)層即低電介質(zhì)材料21、第一高電介質(zhì)層5、第二高電介質(zhì)層6及第二電極4。在這種情況下，低電介質(zhì)材料21、第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6，與實(shí)施形態(tài)一致地，設(shè)在絕緣基板7的流路形成孔71的內(nèi)側(cè)周圍面71a。S卩，絕緣基板7及導(dǎo)體基板30被疊置為使絕緣基板7的流路形成孔71和導(dǎo)體基板30的流路形成孔31連通。同時(shí)，也可以使第一電極3及第二電極4構(gòu)成為相反，從而將第二電極4用具有流路形成孔的導(dǎo)體基板來(lái)設(shè)置。此外，也可將第一電極3及第二電極4都用具有流路形成孔的導(dǎo)體基板來(lái)設(shè)置。
[0078]同時(shí)，如圖6及圖7所示，也可以具備:向一個(gè)方向延伸的由低介電常數(shù)材料構(gòu)成的支撐體8 ;在沿著支撐體8的延伸方向的一對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡谝桓唠娊橘|(zhì)層5 ;在沿著支撐體8的延伸方向的其他對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡诙唠娊橘|(zhì)層6 ；在第一高電介質(zhì)層5與第二高電介質(zhì)層6之間形成的低電介質(zhì)層2 ;接觸第一高電介質(zhì)層5而形成的第一電極3 ;接觸第二高電介質(zhì)層6而形成的第二電極4。
[0079]這里，支撐體8是，例如具有四邊形剖面形狀的桿狀構(gòu)件。并且，第一高電介質(zhì)層
5、第二高電介質(zhì)層6及低電介質(zhì)層2，如同實(shí)施形態(tài)，可以考慮構(gòu)成為在高電介質(zhì)層沿著延伸方向形成凹槽M。進(jìn)而,第一電極3及第二電極4,形成于第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6的外表面。同時(shí)，第一電極3及第二電極4，針對(duì)外表面既可以形成于整個(gè)表面，也可形成于其一部分。此外，第一電極3及第二電極4也可以埋設(shè)于第一高電介質(zhì)層5與第二高電介質(zhì)層6和支撐體8之間而形成。
[0080]并且，如圖8及圖9中所示，也可以具備:向一個(gè)方向延伸的由低介電常數(shù)材料構(gòu)成的支撐體8 ;在沿著支撐體8的延伸方向的一對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡谝桓唠娊橘|(zhì)層5 ;在沿著支撐體8的延伸方向的其他對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蛐纬傻牡诙唠娊橘|(zhì)層6 ;在第一高電介質(zhì)層5與第二高電介質(zhì)層6之間形成的低電介質(zhì)層2 ;接觸第一高電介質(zhì)層5而形成的第一電極3 ;接觸第二高電介質(zhì)層6而形成的第二電極4。
[0081]這里。支撐體8是，例如具有圓形剖面形狀的玻璃纖維。并且，第一高電介質(zhì)層5、第二高電介質(zhì)層6及低電介質(zhì)層2，如同實(shí)施形態(tài)，可以考慮構(gòu)成為在高電介質(zhì)層沿著延伸方向形成凹槽M。同時(shí),第一電極3及第二電極4,形成于第一高電介質(zhì)層5及第二高電介質(zhì)層6的內(nèi)表面。
[0082]并且，等離子體發(fā)生裝置100，具有在支撐體8設(shè)有第一高電介質(zhì)層5、第二高電介質(zhì)層6、低電介質(zhì)層2、第一電極3及第二電極4的多個(gè)線型構(gòu)造體10，并且如圖10所示，例如也可以以格子形狀配置或者以網(wǎng)格形狀編織而構(gòu)成。這樣，不妨礙空氣的流動(dòng)并大幅減少壓力損失從而可增大與空氣的接觸面積。并且，可提高機(jī)械強(qiáng)度。
[0083]進(jìn)而，又如圖11所示，可以考慮:通過彎曲或曲折線型構(gòu)造體10而配置在所定區(qū)域，所述線型構(gòu)造體10在支撐體8具備第一高電介質(zhì)層5、第二高電介質(zhì)層6、低電介質(zhì)層
2、具備第一電極3及第二電極4。例如，可以考慮:將一個(gè)線型構(gòu)造體10變形為線圈形狀的同時(shí)，將其構(gòu)成為密集地鋪在平面上。在這種情況下，可通過在線型構(gòu)造體10的一端部連接驅(qū)動(dòng)電路而使電路構(gòu)成變得極其簡(jiǎn)單。
[0084]進(jìn)而，又如圖12所示，也可以具有向流路R產(chǎn)生空氣流的送風(fēng)單元9。該送風(fēng)單元9，例如為風(fēng)扇，只要能向流路R產(chǎn)生空氣流，則可配置在流路R的前端或后端中的任一端。同時(shí)，這樣構(gòu)成的等離子體發(fā)生裝置100的除臭性能、殺菌性能取決于空氣流的風(fēng)量、風(fēng)速、驅(qū)動(dòng)電路的電壓、交流頻率、以及等離子體發(fā)生裝置與附著細(xì)菌之間的距離等。
[0085]此外，本發(fā)明不局限于實(shí)施形態(tài)，并且在不脫離其宗旨的保護(hù)范圍的情況下，顯然可以對(duì)其進(jìn)行各種變形。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體發(fā)生裝置，所述等離子體發(fā)生裝置，具備: 圍繞流路而形成的環(huán)形的低電介質(zhì)層； 夾設(shè)所述低電介質(zhì)層的同時(shí)，圍繞所述流路而形成的第一電極及第二電極； 在所述第一電極或第二電極中的至少一個(gè)與所述低電介質(zhì)層之間，圍繞所述流路而形成的環(huán)形的高電介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置，其中， 具有絕緣基板，該絕緣基板具有形成所述流路的流路形成孔， 在所述流路形成孔的內(nèi)側(cè)周圍面形成所述低電介質(zhì)層及所述高電介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體發(fā)生裝置，其中， 在所述絕緣基板的所述流路形成孔的一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第一電極； 在所述絕緣基板的所述流路形成孔的另一側(cè)的開口邊緣具有環(huán)形的第二電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，在形成于所述流路形成孔的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面的高電介質(zhì)層，沿著周向形成凹槽而形成所述低電介質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，在形成于所述流路形成孔的幾乎整個(gè)內(nèi)側(cè)周圍面的高電介質(zhì)層，沿著周向形成凹槽，并在該凹槽設(shè)置低電介質(zhì)材料而形成所述低電介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，所述凹槽的剖面形狀為四邊形、梯形或半圓形?！?br> 7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任意一項(xiàng)所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，在所述凹槽的內(nèi)表面形成有凹凸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置，其中， 所述第一電極和所述第二電極中的一個(gè)，由具有形成所述流路的流路形成孔的導(dǎo)體基板構(gòu)成； 所述低電介質(zhì)層、高電介質(zhì)層、及所述第一電極和所述第二電極中的另一個(gè)被設(shè)置為與所述導(dǎo)體基板的流路形成孔連通。
9.一種離子體發(fā)生裝置，所述離子體發(fā)生裝置，具備: 支撐體，由向一個(gè)方向延伸的低介電常數(shù)材料構(gòu)成； 第一高電介質(zhì)層，在沿著所述支撐體的延伸方向延伸的一對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蚨纬桑? 第二高電介質(zhì)層，在沿著所述支撐體的延伸方向延伸的其他對(duì)向面?zhèn)妊刂由旆较蚨纬桑? 低電介質(zhì)層，形成于所述第一高電介質(zhì)層與所述第二高電介質(zhì)層之間； 第一電極，接觸所述第一高電介質(zhì)層而形成； 第二電極，接觸所述第二高電介質(zhì)層而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，具有在所述支撐體設(shè)有所述第一高電介質(zhì)層、所述第二高電介質(zhì)層、所述低電介質(zhì)層、所述第一電極及所述第二電極的多個(gè)線型構(gòu)造體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，編織有所述多個(gè)線型構(gòu)造體。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體發(fā)生裝置，其中，具有在所述支撐體設(shè)有所述第一高電介質(zhì)層、所述第二高電介質(zhì)層、所述低電介質(zhì)層、所述第一電極及所述第二電極的線型構(gòu)造體； 通過彎曲或曲折所述線型構(gòu)造體而配置在所定區(qū)域。
13.一種離子體發(fā)生裝置，所述離子體發(fā)生裝置，具備: 沿著一個(gè)方向延伸的絕緣構(gòu)件； 在所述絕緣構(gòu)件的外表面沿著延伸方向形成的低電介質(zhì)層； 夾設(shè)所述低電介質(zhì)層的同時(shí)，沿著延伸方向形成的第一電極及第二電極； 在所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)與所述低電介質(zhì)層之間，沿著延伸方向形成的高電介質(zhì)層。·
【文檔編號(hào)】H01T23/00GK103857167SQ201310631606
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月3日
【發(fā)明者】弓削政郞, 竹之下一利, 山田幸香, 宮本誠(chéng) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社