薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法，其中，薄膜晶體管基板包括：形成在基板上的有源層；對(duì)有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極；與有源層的一端區(qū)域連接的源極；與有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及形成在有源層下方以阻止光進(jìn)入有源層的遮光層。
【專利說明】薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管，更具體地說，涉及用作顯示裝置的開關(guān)元件的薄膜晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管廣泛用作諸如液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光裝置等的顯示裝置的開關(guān)裝置。
[0003]薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極。該薄膜晶體管根據(jù)電極的排布可以被劃分為交錯(cuò)結(jié)構(gòu)和共面結(jié)構(gòu)。
[0004]在交錯(cuò)結(jié)構(gòu)中，柵極和源/漏極相對(duì)于有源層上下排布，而在共面結(jié)構(gòu)中，柵極和源/漏極共同排布在有源層上。
[0005]下文中，將參照附圖描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的薄膜晶體管。
[0006]圖1A是例示相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0007]如圖1A 所示，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板包括基板10、緩沖層
20、有源層30、柵絕緣膜40、柵極50、絕緣隔層60、源極70a、漏極70b、鈍化膜80和像素電極90。
[0008]雖然主要使用玻璃作為基板10，但是可以使用可以彎曲的透明塑料作為基板10。
[0009]緩沖層20形成在基板10上，并且用于防止基板10上含有的材料在高溫沉積工藝期間擴(kuò)散到有源層30。
[0010]有源層30形成在緩沖層20上。
[0011]柵絕緣膜40形成在有源層30上，以使柵極50與有源層30絕緣。
[0012]柵極50形成在柵絕緣膜40上。
[0013]絕緣隔層60形成在基板的包括柵極50的整個(gè)表面上。然而，由于絕緣隔層60在預(yù)定區(qū)域中包括第一接觸孔CH1，所以有源層30的一端區(qū)域和另一端區(qū)域經(jīng)由第一接觸孔CHl而露出。
[0014]源極70a和漏極70b形成在絕緣隔層60上。具體地，源極70a和漏極70b通過第一接觸孔CHl與有源層30的露出的一端區(qū)域和露出的另一端區(qū)域連接。
[0015]鈍化膜80形成在基板的包括源極70a和漏極70b的整個(gè)表面上。然而，由于鈍化膜80在預(yù)定區(qū)域中包括第二接觸孔CH2，所以漏極70b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2而露出。
[0016]像素電極90形成在鈍化膜80上。具體地，像素電極90通過第二接觸孔CH2與露出的漏極70b的預(yù)定區(qū)域連接。
[0017]然而，上述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板具有以下問題。
[0018]有源層30被暴露于從基板10的下部進(jìn)入的光，由此，隨著時(shí)間流逝，有源層30的可靠性降低。
[0019]圖1B是例示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖。[0020]如圖1B所示，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板包括基板10、柵極50、柵絕緣膜40、有源層30、源極70a、漏極70b、鈍化膜80和像素電極90。
[0021]柵極50形成在基板10上。
[0022]柵絕緣膜40形成在柵極50上并使柵極50與有源層30絕緣。
[0023]有源層30形成在柵絕緣膜40上。
[0024]源極70a和漏極70b形成在有源層30上。更具體地，源極70a形成在有源層30的一端區(qū)域上，而漏極70b形成在有源層30的另一端區(qū)域上。
[0025]鈍化膜80形成在基板的包括源極70a和漏極70b的整個(gè)表面上。然而，由于鈍化膜80在預(yù)定區(qū)域中設(shè)置有第二接觸孔CH2，所以漏極70b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2露出。
[0026]像素電極90形成在鈍化膜80上。具體地，像素電極90通過第二接觸孔CH2與露出的漏極70b的預(yù)定區(qū)域連接。
[0027]然而，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板具有以下問題。
[0028]柵極50被形成為大尺寸，以防止從基板10的下部進(jìn)入的光照射到有源層30。在這種情況下，由于增加了柵極50的尺寸，所以在設(shè)計(jì)薄膜晶體管方面可能存在限制。而且，由于增加了柵極50的尺寸，所以可能增加?xùn)艠O50與源極70a之間、以及柵極50與漏極70b之間的寄生電容，借此可能使裝置的高速驅(qū)動(dòng)劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0029]因此，本發(fā)明致力于一種基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問題的薄膜晶體管、顯示裝置及其制造方法。
[0030]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供防止有源層的可靠性由于從共面結(jié)構(gòu)的基板的下部進(jìn)入的光而降低并且在交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的情況下可以減小柵極尺寸的薄膜晶體管及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。
[0031]本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)和特征將在下面的描述中部分地得到闡述，并且，在某種程度上，對(duì)于查閱下面內(nèi)容的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明確，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐來得到了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
[0032]為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中具體實(shí)現(xiàn)和廣義描述的，一種薄膜晶體管基板包括:形成在基板上的有源層；對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極；與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極；與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及形成在所述有源層下方以阻止光進(jìn)入所述有源層的遮光層。
[0033]在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟:在基板上形成有源層；在所述基板上形成對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極；形成與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極和與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及在所述有源層下方形成遮光層，以阻止光進(jìn)入所述有源層。
[0034]在本發(fā)明的又一方面中，一種顯示裝置包括薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括形成在基板上的有源層；對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極；與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極；與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及形成在所述有源層下方以阻止光進(jìn)入所述有源層的遮光層。
[0035]在本發(fā)明的又一方面中，一種顯示裝置的制造方法包括薄膜晶體管基板的制造方法，所述薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟:在基板上形成有源層；在所述基板上形成對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極；形成與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極和與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及在所述有源層下方形成遮光層，以阻止光進(jìn)入所述有源層。
[0036]應(yīng)該理解，對(duì)本發(fā)明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]包括附圖來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖被結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0038]圖1A是例示相關(guān)技術(shù)的共面結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖，并且圖1B是例示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0039]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0040]圖3是例示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0041]圖4A至圖4G是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0042]圖5A至圖5F是例示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0043]圖6是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0044]圖7是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0045]圖8A至圖SE是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0046]圖9A至圖9E是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0047]圖10是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0048]圖11是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0049]圖12A至圖12F是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0050]圖13A至圖13F是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0051]圖14是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0052]圖15是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；
[0053]圖16A至圖16G是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；
[0054]圖17A至圖17G是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖；[0055]圖18是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的截面圖；
[0056]圖19是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；以及
[0057]圖20是例示非晶硅的遮光效果的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0058]現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中例示出了本發(fā)明的示例。在可能的情況下，相同的附圖標(biāo)記在所有附圖中將用于指代相同或類似的部件。
[0059]在本說明書中，術(shù)語“在…上”表示元件直接形成在另一元件上，以及第三元件插入在這些元件之間。
[0060]下文將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0061]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0062]如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板包括基板100、遮光層110、緩沖層120、有源層130、柵絕緣膜140、柵極150、絕緣隔層160、源極170a、漏極170b、鈍化膜180和像素電極190。
[0063]雖然玻璃主要用作基板100，但是可以彎曲的透明塑料(例如，聚酰亞胺)也可以用作基板100。如果聚酰亞胺用作基板100的材料，則考慮到在基板100上執(zhí)行高溫沉積工藝，可以忍耐高溫的、具有優(yōu)秀耐熱性的聚酰亞胺可以用作基板100。
[0064]在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖。遮光層110用于阻止光從基板100的下部進(jìn)入有源層130。因此，遮光層·110形成為遮蔽有源層130。遮光層110形成為具有與有源層130的面積相同或比其大的面積。
[0065]遮光層110由不包括具有優(yōu)秀電導(dǎo)性的金屬的材料制成。
[0066]如果遮光層110由具有優(yōu)秀電導(dǎo)性的金屬的材料制成，則在遮光層110與其它電極之間會(huì)出現(xiàn)寄生電容，由此可能使裝置的驅(qū)動(dòng)特性劣化。為了防止出現(xiàn)寄生電容，金屬制成的遮光層110可以與柵極150連接，以形成雙柵結(jié)構(gòu)。在這種情況下，出現(xiàn)的問題在于可能使用于在遮光層110與柵極150之間進(jìn)行連接的設(shè)計(jì)和工藝步驟復(fù)雜。
[0067]因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的遮光層110由具有較差電導(dǎo)性的材料制成，具體地，可以由諸如非晶硅(a-Si)或黑色樹脂材料等的半導(dǎo)體材料制成。
[0068]同時(shí)，由于執(zhí)行高于300°C的高溫沉積工藝來制造根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管，所以遮光層110的材料應(yīng)經(jīng)受住高溫沉積工藝。考慮到該耐熱特性，與黑色樹脂材料相比，諸如a-Si等的半導(dǎo)體材料更優(yōu)選地用作遮光層110的材料。
[0069]如果諸如a-Si的半導(dǎo)體材料用作遮光層110的材料，則優(yōu)選地，半導(dǎo)體材料具有1000人至3000人的厚度。如果半導(dǎo)體材料的厚度小于1000 A,則可能降低遮光效果。如果半導(dǎo)體材料的厚度超過3000 A，則會(huì)很小程度地提高遮光效果，而薄膜晶體管的總厚度增加。
[0070]圖20是例示非晶硅的遮光效果的曲線圖。
[0071]參照圖20，比較例I是例示在雖然未形成遮光層但入射光被遮蔽的狀態(tài)下，Vth(閾值電壓)基于時(shí)間的變化的曲線圖，比較例2是例示在未形成遮光層且未遮蔽入射光的狀態(tài)下，Vth基于時(shí)間的變化的曲線圖，并且實(shí)施方式是例示在形成a-Si遮光層而入射光未被遮蔽的狀態(tài)下Vth基于時(shí)間的變化的曲線圖。[0072]由于比較例I例示出入射光被遮蔽，所以有源層未受到光的影響。由于比較例2例示出入射光未被遮蔽，所以有源層受到光的影響。要注意的是，比較例2的曲線圖例示出與比較例I中相比，Vth變化更加顯著。
[0073]另一方面，由于實(shí)施方式例示出入射光未被遮蔽，所以有源層可能受到光的影響。然而，要注意的是，實(shí)施方式例示出與比較例I類似的Vth行為。因此，圖20的曲線圖表明a-Si遮蔽光透射。
[0074]再次參照圖2，緩沖層120形成在基板100的包括遮光層110的整個(gè)表面上。緩沖層120用于防止基板100上含有的材料在高溫沉積工藝期間擴(kuò)散到有源層130。而且，如果根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光裝置，則緩沖層120可以用于防止外部的水或濕氣滲透到有機(jī)發(fā)光裝置中。緩沖層120可以由二氧化硅或氮化硅制成。根據(jù)情況，可以省略緩沖層。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，如果必要，則可以在薄膜晶體管基板中省略緩沖層120。
[0075]有源層130形成在緩沖層120上。有源層130可以由但不限于諸如In-Ga-Zn-O(IGZO)的氧化物半導(dǎo)體制成。
[0076]在有源層130的中心部上對(duì)柵絕緣膜140進(jìn)行構(gòu)圖。柵絕緣膜140用于使柵極150與有源層130絕緣。
[0077]柵絕緣膜140可以由但不限于諸如二氧化硅或氮化硅的無機(jī)絕緣材料制成。柵絕緣膜140可以由諸如感光亞克力或BCB的有機(jī)絕緣材料制成。
[0078]在柵絕緣膜140上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖，以控制有源層130內(nèi)部的電子遷移。可以同時(shí)對(duì)柵極150與柵絕緣膜140進(jìn)行構(gòu)圖。因此，柵極150可以形成為與柵絕緣膜140相同的圖案。在這種情況下，柵極150具有與柵絕緣膜140相同的圖案的含義應(yīng)包括在工藝步驟期間出現(xiàn)細(xì)微差別的情況。
[0079]柵極150可以由Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd、Cu或它們的合金制成，或者可以由單層上述各個(gè)金屬或合金或多層(不少于兩層)上述金屬或合金制成。
[0080]絕緣隔層160形成在柵極150和有源層130上。尤其地，絕緣隔層160形成在基板的整個(gè)表面上。然而，由于絕緣隔層160在預(yù)定區(qū)域中包括第一接觸孔CH1，所以有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域經(jīng)由第一接觸孔CHl而露出。
[0081]絕緣隔層160可以由但不限于諸如二氧化硅或氮化硅的無機(jī)絕緣材料制成。絕緣隔層160可以由諸如感光亞克力或BCB的有機(jī)絕緣材料制成。
[0082]在絕緣隔層160上將源極170a和漏極170b構(gòu)圖為彼此面對(duì)。
[0083]源極170a通過第一接觸孔CHl與有源層130的一端區(qū)域連接，并且漏極170b通過第一接觸孔CHl與有源層130的另一端區(qū)域連接。
[0084]源極170a和漏極170b每一個(gè)均可以由Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd、Cu或它們的合金制成，或者可以由單層上述各個(gè)金屬或合金或多層(不少于兩層)上述金屬或合金制成。
[0085]鈍化膜180形成在源極170a和漏極170b上。尤其地，鈍化膜180形成在基板的整個(gè)表面上。然而，由于鈍化膜180在預(yù)定區(qū)域中包括第二接觸孔CH2，所以漏極170b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2而露出。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，如果必要，則可以在薄膜晶體管基板中省略鈍化膜180。
[0086]鈍化膜180可以由但不限于諸如二氧化硅或氮化硅的無機(jī)絕緣材料制成。鈍化膜180可以由諸如感光亞克力或BCB的有機(jī)絕緣材料制成。
[0087]在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖。具體地，像素電極190通過第二接觸孔CH2與露出的漏極170b連接。
[0088]像素電極190可以由但不限于諸如ITO的透明金屬氧化物制成。根據(jù)情況，像素電極190可以由不透明金屬制成。
[0089]圖3是例示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。除了改變了遮光層Iio的位置之外，圖3的薄膜晶體管基板與圖2的薄膜晶體管基板相同。因此，相同的附圖標(biāo)記在所有附圖中將用于指代相同或類似的部件，并且將省略相同或類似部件的重復(fù)描述。
[0090]圖4A至圖4G是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及圖2的薄膜晶體管的工藝步驟。下文中將省略各個(gè)元件的材料和結(jié)構(gòu)的重復(fù)描述。
[0091]首先，如圖4A所示，在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括遮光層Iio的整個(gè)表面上形成緩沖層120。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，如果必要，則可以在薄膜晶體管基板上省略緩沖層120。
[0092]可以按照以下方式形成遮光層110:利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法來沉積a-Si，然后利用光刻沉積、曝光、顯影、蝕刻和剝離的掩模工藝(第一掩模工藝)對(duì)a-Si進(jìn)行構(gòu)圖。下文中，可以利用上述曝光、顯影、蝕刻和剝離的掩模工藝來執(zhí)行后面要描述的各個(gè)元件的構(gòu)圖。
[0093]可以利用PECVD法來形成緩沖層120。
[0094]接著，如圖4B所示，在緩沖層120上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖。
[0095]可以按照以下方式形成有源層130:通過利用濺射或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在緩沖層120上沉積諸如a-1GZO的非晶氧化物半導(dǎo)體，通過執(zhí)行借助于熔爐的高于650°C的高溫?zé)崽幚砉に嚮蚩焖贌崽幚?RTP)而使非晶氧化物半導(dǎo)體結(jié)晶，并且通過掩模工藝(第二掩模工藝)對(duì)非晶氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行構(gòu)圖。
[0096]接著，如圖4C所示，在有源層130上對(duì)柵絕緣膜140和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0097]可以按照以下方式形成柵絕緣膜140和柵極150:通過PECVD在有源層130上沉積柵絕緣膜140層，通過濺射沉積柵極150層并且通過掩模工藝(第三掩模工藝)對(duì)柵絕緣膜140層和柵極150層進(jìn)行構(gòu)圖。
[0098]如上所述，如果通過一個(gè)掩模工藝形成柵絕緣膜140和柵極150，則它們形成為相
同圖案。
[0099]接著，如圖4D所示，在有源層130和柵極150上對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖。
[0100]通過掩模工藝(第四掩模工藝)來對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域露出的第一接觸孔CHl。
[0101]接著，如圖4E所示，在絕緣隔層160上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0102]通過掩模工藝(第五掩模工藝)對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第一接觸孔CHl與有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域連接。
[0103]接著，如圖4F所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖。
[0104]通過掩模工藝(第六掩模工藝)對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，如果必要，則可以在薄膜晶體管基板中省略鈍化膜180。
[0105]接著，如圖4G所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖。
[0106]通過掩模工藝(第七掩模工藝)對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0107]圖5A至圖5F是例示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及圖3的薄膜晶體管的工藝步驟。下文中將省略關(guān)于上述實(shí)施方式的重復(fù)描述。
[0108]首先，如圖5A所示，在基板100的整個(gè)表面上形成緩沖層120，并且在緩沖層120上對(duì)遮光層110和有源層130進(jìn)行構(gòu)圖。
[0109]可以按照以下方式形成遮光層110和有源層130:利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在緩沖層120上沉積a-Si，通過利用濺射或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)來沉積諸如a-1GZO的非晶氧化物半導(dǎo)體，通過執(zhí)行借助于熔爐的高于650°C的高溫?zé)崽幚砉に嚮蚩焖贌崽幚?RTP)而使非晶氧化物半導(dǎo)體結(jié)晶，并且通過掩模工藝(第一掩模工藝)對(duì)a-Si和氧化物半導(dǎo)體一起進(jìn)行構(gòu)圖。
[0110]如上所述，如果通過一個(gè)掩模工藝形成遮光層110和有源層130，則它們形成為相
同圖案。
[0111]接著，如圖5B所示，在有源層130上形成柵絕緣膜140和柵極150。
[0112]可以通過一個(gè)掩模工藝(第二掩模工藝)對(duì)柵絕緣膜140和柵極150 —起進(jìn)行構(gòu)圖。
[0113]接著，如圖5C所示，通過掩模工藝(第三掩模工藝)在有源層130和柵極150上對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖。
[0114]接著，如圖所示，通過掩模工藝(第四掩模工藝)在絕緣隔層160上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0115]接著，如圖5E所示，通過掩模工藝(第五掩模工藝)在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖。
[0116]接著，如圖5F所示，通過掩模工藝(第六掩模工藝)在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖。在以下實(shí)施方式中將省略與上述實(shí)施方式相同元件的重復(fù)描述。
[0117]圖6是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0118]如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板包括基板100、遮光層110、緩沖層120、柵極150、柵絕緣膜140、有源層130、源極170a、漏極170b、鈍化膜180和像素電極190。
[0119]在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖。
[0120]緩沖層120形成在基板100的包括遮光層110的整個(gè)表面上。
[0121]在緩沖層120上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0122]柵絕緣膜140形成在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上。
[0123]在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖。
[0124]在有源層130上將源極170a和漏極170b構(gòu)圖為彼此面對(duì)。具體地，在有源層130的一端區(qū)域上對(duì)源極170a進(jìn)行構(gòu)圖，而在有源層130的另一端區(qū)域上對(duì)漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0125]鈍化膜180形成在基板的包括源極170a和漏極170b的整個(gè)表面上。然而，由于鈍化膜180設(shè)置有第二接觸孔CH2，所以漏極170b的預(yù)定區(qū)域經(jīng)由第二接觸孔CH2露出。
[0126]在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖。具體地，像素電極190通過第二接觸孔CH2與露出的漏極170b的預(yù)定區(qū)域連接。
[0127]在如上所述圖6的實(shí)施方式的情況下，由于遮光層110可以防止光照射到有源層130，所以可以減小柵極150的尺寸。因此，可以降低對(duì)設(shè)計(jì)薄膜晶體管的限制，并且可以減小柵極150與源極170a之間以及柵極150與漏極170b之間的寄生電容，以使得能夠進(jìn)行裝置的聞速驅(qū)動(dòng)。
[0128]圖7是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。除了緩沖層120不形成在遮光層110與柵極150之間之外，圖7的薄膜晶體管基板與圖6的薄膜晶體管基板相同。
[0129]如圖7所示，柵極150直接形成在遮光層110上，借此柵極150與遮光層110直接接觸。
[0130]圖8A至圖SE是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖6的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0131]首先，如圖8A所示，在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括遮光層Iio的整個(gè)表面上形成緩沖層120。可以使用第一掩模工藝來對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖。
[0132]接著，如圖8B所示，在緩沖層120上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140?？梢允褂玫诙谀９に噥韺?duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0133]接著，如圖8C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谌谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第四掩模工藝來對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0134]接著，如圖8D所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谖逖谀９に噥韺?duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0135]接著，如圖8E所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诹谀９に噥韺?duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0136]圖9A至圖9E是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖7的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0137]首先，如圖9A所示，在基板100上對(duì)遮光層110和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0138]在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖，并且在遮光層110上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。可以經(jīng)由通過使用半色調(diào)掩模的一次曝光工藝的第一掩模工藝來對(duì)遮光層Iio和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0139]接著，如圖9B所示，在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140。
[0140]接著，如圖9C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诙谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第三掩模工藝來對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0141]接著，如圖9D所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谒难谀９に噥韺?duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0142]接著，如圖9E所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谖逖谀９に噥韺?duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0143]圖10是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。除了蝕刻阻止層135另外形成在有源層130與源極170a之間以及有源層130與漏極170b之間之外，圖10的薄膜晶體管基板與圖6的薄膜晶體管基板相同。
[0144]如圖10所示，遮光層110、緩沖層120、柵極150、柵絕緣膜140和有源層130順序形成在基板100上。
[0145]蝕刻阻止層135形成在有源層130上。蝕刻阻止層135用于防止有源層130的溝道區(qū)域被蝕刻。蝕刻阻止層135可以由諸如氮化硅的無機(jī)絕緣膜形成，但不限于此。
[0146]在蝕刻阻止層135上將源極170a和漏極170b構(gòu)圖為彼此面對(duì)，并且設(shè)置有第二接觸孔CH2的鈍化膜180形成在源極170a和漏極170b上。通過第二接觸孔CH2與露出的漏極170b的預(yù)定區(qū)域連接的像素電極190形成在鈍化膜180上。
[0147]圖11是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。除了緩沖層120不形成在遮光層110與柵極150之間之外，圖11的薄膜晶體管基板與圖10的薄膜晶體管基板相同。
[0148]如圖11所示，柵極150直接形成在遮光層110上，借此柵極150與遮光層110直
接接觸。
[0149]圖12A至圖12F是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖10的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0150]首先，如圖12A所示，在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖，并且緩沖層120形成在基板100的包括遮光層110的整個(gè)表面上?？梢允褂玫谝谎谀９に噥韺?duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖。
[0151]接著，如圖12B所示，在緩沖層120上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140?？梢允褂玫诙谀９に噥韺?duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0152]接著，如圖12C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)蝕刻阻止層135進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谌谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第四掩模工藝來對(duì)蝕刻阻止層135進(jìn)行構(gòu)圖。
[0153]接著，如圖12D所示，在蝕刻阻止層135上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谖逖谀９に噥韺?duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0154]接著，如圖12E所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诹谀９に噥韺?duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0155]接著，如圖12F所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谄哐谀９に噥韺?duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0156]圖13A至圖13F是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖11的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0157]首先，如圖13A所示，在基板100上對(duì)遮光層110和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0158]可以經(jīng)由通過使用半色調(diào)掩模的一次曝光工藝的第一掩模工藝來對(duì)遮光層110和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0159]接著，如圖13B所示，在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140。
[0160]接著，如圖13C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)蝕刻阻止層135進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诙谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第三掩模工藝來對(duì)蝕刻阻止層135進(jìn)行構(gòu)圖。
[0161]接著，如圖13D所示，在蝕刻阻止層135上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谒难谀９に噥韺?duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0162]接著，如圖13E所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖。可以使用第五掩模工藝來對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0163]接著，如圖13F所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诹谀９に噥韺?duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0164]圖14是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0165]如圖14所示，遮光層110、緩沖層120、柵極150、柵絕緣膜140和有源層130順序形成在基板100上。
[0166]掩模層136形成在有源層130上。掩模層136覆蓋有源層130的溝道區(qū)域，借此可以僅在除了溝道區(qū)域之外的區(qū)域中執(zhí)行導(dǎo)電工藝。即，有源層130的用掩模層136覆蓋的中心區(qū)域是用于遷移電子的溝道，且具有半導(dǎo)體特征，而有源層130的沒有用掩模層136覆蓋的一端區(qū)域和另一端區(qū)域通過后面要描述的導(dǎo)電工藝可以是具有優(yōu)秀電導(dǎo)性的層，借此可以更積極地執(zhí)行電子遷移。
[0167]掩模層136可以由諸如氮化硅的無機(jī)絕緣膜形成，但不限于此。
[0168]絕緣隔層160形成在基板的包括掩模層136的整個(gè)表面上。然而，因?yàn)榻^緣隔層160在預(yù)定區(qū)域中具有第一接觸孔CHl，所以導(dǎo)電的有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域經(jīng)由第一接觸孔CHl露出。
[0169]通過第一接觸孔CHl與有源層130的一端區(qū)域連接的源極170a和通過第一接觸孔CHl與有源層130的另一端區(qū)域連接的漏極170b彼此面對(duì)地形成在絕緣隔層160上。
[0170]設(shè)置有第二接觸孔CH2的鈍化膜180形成在源極170a和漏極170b上，并且通過第二接觸孔CH2與露出的漏極170b的預(yù)定區(qū)域連接的像素電極190形成在鈍化膜180上。
[0171]圖15是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。除了緩沖層120不形成在遮光層110與柵極150之間之外，圖15的薄膜晶體管基板與圖14的薄膜晶體管基板相同。
[0172]如圖15所示，柵極150直接形成在遮光層110上，借此柵極150與遮光層110直
接接觸。
[0173]圖16A至圖16G是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖14的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0174]首先，如圖16A所示，在基板100上對(duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括遮光層110的整個(gè)表面上形成緩沖層120?？梢允褂玫谝谎谀９に噥韺?duì)遮光層110進(jìn)行構(gòu)圖。
[0175]接著，如圖16B所示，在緩沖層120上對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖，并且在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140。可以使用第二掩模工藝來對(duì)柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0176]接著，如圖16C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谌谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第四掩模工藝來對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖。
[0177]在對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖之后，針對(duì)有源層130的沒有用掩模層136覆蓋的一端區(qū)域和另一端區(qū)域執(zhí)行導(dǎo)電工藝。
[0178]通過對(duì)構(gòu)成有源層130的氧化物半導(dǎo)體執(zhí)行等離子體處理的工藝，可以執(zhí)行導(dǎo)電工藝。即，如果對(duì)諸如IGZO的氧化物半導(dǎo)體執(zhí)行等離子體處理，則氧化物半導(dǎo)體的特征被改變，然后使其導(dǎo)電。
[0179]通過等離子體蝕刻工藝或增強(qiáng)電容耦合等離子體處理工藝可以執(zhí)行針對(duì)氧化物半導(dǎo)體的等離子處理。由于使用現(xiàn)有的干法蝕刻設(shè)備可以執(zhí)行等離子蝕刻工藝或增強(qiáng)電容耦合等離子體處理工藝，所以優(yōu)點(diǎn)在于可以降低用于設(shè)備開發(fā)的成本。
[0180]接著，如圖16D所示，在有源層130和掩模層136上對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖。
[0181]可以通過第五掩模工藝來對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使導(dǎo)電的有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域露出的第一接觸孔CHl。
[0182]接著，如圖16E所示，在絕緣隔層160上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0183]可以使用第六掩模工藝來對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖，使得源極170a通過第一接觸孔CHl與有源層130的一端區(qū)域連接，并且漏極170b通過第一接觸孔CHl與有源層130的另一端區(qū)域連接。
[0184]接著，如圖16F所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谄哐谀９に噥韺?duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0185]接著，如圖16G所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖。可以使用第八掩模工藝來對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0186]圖17A至圖17G是例示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的工藝步驟的截面圖，并且涉及上述圖15的薄膜晶體管基板的工藝步驟。
[0187]首先，如圖17A所示，在基板100上對(duì)遮光層110和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0188]可以經(jīng)由通過使用半色調(diào)掩模的一次曝光工藝的第一掩模工藝來對(duì)遮光層110和柵極150進(jìn)行構(gòu)圖。
[0189]接著，如圖17B所示，在基板100的包括柵極150的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜140。
[0190]接著，如圖17C所示，在柵絕緣膜140上對(duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且在有源層130上對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诙谀９に噥韺?duì)有源層130進(jìn)行構(gòu)圖，并且可以使用第三掩模工藝來對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖。
[0191]在對(duì)掩模層136進(jìn)行構(gòu)圖之后，針對(duì)有源層130的沒有用掩模層136覆蓋的一端區(qū)域和另一端區(qū)域執(zhí)行導(dǎo)電工藝。
[0192]接著，如圖17D所示，在有源層130和掩模層136上對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖。
[0193]可以通過第四掩模工藝來對(duì)絕緣隔層160進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使導(dǎo)電的有源層130的一端區(qū)域和另一端區(qū)域露出的第一接觸孔CHl。
[0194]接著，如圖17E所示，在絕緣隔層160上對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖。
[0195]可以經(jīng)由第五掩模工藝來對(duì)源極170a和漏極170b進(jìn)行構(gòu)圖，使得源極170a通過第一接觸孔CHl與有源層130的一端區(qū)域連接，并且漏極170b通過第一接觸孔CHl與有源層130的另一端區(qū)域連接。
[0196]接著，如圖17F所示，在源極170a和漏極170b上對(duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫诹谀９に噥韺?duì)鈍化膜180進(jìn)行構(gòu)圖，以具有使漏極170b露出的第二接觸孔CH2。
[0197]接著，如圖17G所示，在鈍化膜180上對(duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖?？梢允褂玫谄哐谀９に噥韺?duì)像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以通過第二接觸孔CH2與漏極170b連接。
[0198]圖18是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的截面圖，并且涉及應(yīng)用了圖2的薄膜晶體管基板的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0199]如圖18所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置包括圖2的上述薄膜晶體管基板，并且在薄膜晶體管基板上還包括堤岸層200、發(fā)光部件210和上電極220。
[0200]堤岸層200形成在鈍化膜180上。更詳細(xì)地，堤岸層200形成為特別是在除了像素區(qū)域之外的區(qū)域中與源極170a和漏極170b交疊。換言之，顯示圖片圖像的像素區(qū)域被堤岸層200包圍。
[0201]堤岸層200可以由但不限于諸如聚酰亞胺、感光亞克力或BCB的有機(jī)絕緣材料制成。
[0202]發(fā)光部件210形成在像素電極190上。雖然未示出，但是發(fā)光部件210可以形成為順序堆疊空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的堆疊結(jié)構(gòu)。然而，可以省略空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的一個(gè)或更多個(gè)。除了組合上述層之外，可以對(duì)發(fā)光部件210進(jìn)行本領(lǐng)域已知的各種修改。
[0203]上電極220形成在發(fā)光部件210上。上電極220可以充當(dāng)公共電極。在這種情況下，上電極220可以形成在除了發(fā)光部件210之外的堤岸層200上。
[0204]上電極220可以由但不限于諸如Ag的金屬制成。
[0205]按照以下方式來制造上述圖18的有機(jī)發(fā)光裝置:通過圖4A至圖4G的工藝步驟來制造薄膜晶體管基板，在源極170a和漏極170b上方的鈍化膜180上對(duì)堤岸層200進(jìn)行構(gòu)圖，在像素電極190上對(duì)發(fā)光部件210進(jìn)行構(gòu)圖，并且在發(fā)光部件210上形成上電極220。
[0206]雖然未示出，但是應(yīng)用了根據(jù)上述實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的有機(jī)發(fā)光裝置和應(yīng)用了根據(jù)上述實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0207]圖19是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖，并且涉及應(yīng)用了圖2的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置。
[0208]如圖19所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置包括上述圖2的薄膜晶體管基板、與薄膜晶體管基板相對(duì)的對(duì)置基板300和形成在上述基板之間的液晶層400。
[0209]盡管未示出，但是可以同時(shí)在薄膜晶體管基板上另外形成用于形成電場的公共電極和用于驅(qū)動(dòng)液晶的像素電極190。
[0210]雖然未示出，但是對(duì)置基板300可以包括黑底和濾色器層。
[0211]黑底被形成為矩陣排布結(jié)構(gòu)，以阻止光泄露到除了像素區(qū)域之外的區(qū)域，并且濾色器層形成在黑底的矩陣結(jié)構(gòu)之間。
[0212]根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置可以應(yīng)用于本領(lǐng)域已知的各種模式的液晶顯示裝置，諸如扭曲向列(TN)模式、垂直對(duì)準(zhǔn)(VA)模式和共平面開關(guān)(IPS)模式。[0213]按照以下方式來制造上述圖19的液晶顯示裝置:通過圖4A至圖4G的工藝步驟來制造薄膜晶體管基板，制造對(duì)置基板300，并且在基板之間具有液晶層400的同時(shí)將基板彼此結(jié)合。
[0214]可以利用真空注入法或液晶分配法來執(zhí)行基板結(jié)合工藝。
[0215]雖然未示出，但是應(yīng)用了根據(jù)上述實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示裝置和應(yīng)用了根據(jù)上述實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的液晶顯示裝置的制造方法在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0216]根據(jù)如上所述的本發(fā)明，可以獲得以下優(yōu)點(diǎn)。
[0217]由于根據(jù)本發(fā)明的遮光層形成在基板上，所以該遮光層可以阻止光進(jìn)入有源層，由此可以維持有源層的可靠性，而不會(huì)下降。具體地，由于根據(jù)本發(fā)明的遮光層由具有較差電導(dǎo)性的半導(dǎo)體材料或黑色樹脂材料制成，所以寄生電容不會(huì)在遮光層與其它電極之間出現(xiàn)，由此不需要設(shè)計(jì)和工藝步驟復(fù)雜的雙柵結(jié)構(gòu)。
[0218]而且，根據(jù)本發(fā)明，由于遮光層形成在基板上，所以可以減小柵極的尺寸，借此可以降低薄膜晶體管的設(shè)計(jì)限制，并且可以減小柵極與源極之間以及柵極與漏極之間的寄生電容，以使得能夠進(jìn)行裝置的高速驅(qū)動(dòng)。
[0219]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很明顯，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
[0220]相關(guān)申請的交叉引用
[0221]本申請要求2012年12月3日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0138737和2013年4月29日提交的韓國專利申請N0.10-2013-0047635的權(quán)益，此處為了一切目的以引證的方式并入上述申請，如同在本文中完全闡述一樣。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括: 形成在基板上的有源層； 對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極； 與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極； 與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及 形成在所述有源層下方以阻止光進(jìn)入所述有源層的遮光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述遮光層由半導(dǎo)體材料或黑色樹脂材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，所述半導(dǎo)體材料由非晶硅制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中，所述非晶硅被形成為1000A至3000 A的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述遮光層與所述有源層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，在所述遮光層與所述有源層之間另外形成有緩沖層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述遮光層與所述柵極接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，在所述遮光層與所述柵極之間另外形成有緩沖層。
9.一種薄膜晶體管基 板的制造方法，所述方法包括以下步驟: 在基板上形成有源層； 在所述基板上形成對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極； 形成與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極和與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及 在所述有源層下方形成遮光層，以阻止光進(jìn)入所述有源層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述遮光層由半導(dǎo)體材料或黑色樹脂材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過一個(gè)掩模工藝一起對(duì)所述遮光層和所述有源層進(jìn)行構(gòu)圖。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，該方法還包括在所述遮光層與所述有源層之間形成緩沖層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過一個(gè)掩模工藝一起對(duì)所述遮光層和所述柵極進(jìn)行構(gòu)圖。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，該方法還包括在所述遮光層與所述柵極之間形成緩沖層。
15.一種包括薄膜晶體管基板的顯示裝置， 所述薄膜晶體管基板包括: 形成在基板上的有源層； 對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極； 與所述有源層的一端區(qū)域連 接的源極；與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及 形成在所述有源層下方以阻止光進(jìn)入所述有源層的遮光層。
16.一種顯示裝置的制造方法，該方法包括薄膜晶體管基板的制造方法， 所述薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟: 在基板上形成有源層； 在所述基板上形成對(duì)所述有源層內(nèi)的電子遷移進(jìn)行控制的柵極； 形成與所述有源層的一端區(qū)域連接的源極和與所述有源層的另一端區(qū)域連接的漏極；以及 在所述有源層 下方形成遮光層，以阻止光進(jìn)入所述有源層。
【文檔編號(hào)】H01L29/423GK103855225SQ201310632892
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月3日
【發(fā)明者】田承峻, 曹基述, 徐誠模 申請人:樂金顯示有限公司