全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法及全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法及全背電極太陽(yáng)能電池，方法的步驟如下：對(duì)襯底硅片進(jìn)行前置處理，在硅片背面形成N、P相間的區(qū)域，并在前后表面分別形成第一、第二鈍化膜層；然后在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔；在襯底硅片背面位于點(diǎn)接觸孔的部位印刷金屬漿料，經(jīng)過(guò)燒結(jié)處理后，形成第一金屬電極和第二金屬電極，第一金屬電極具有第一點(diǎn)接觸部分和第一金屬部分，第一點(diǎn)接觸部分與N型區(qū)形成歐姆接觸，第一金屬部分與N型區(qū)間留有第二鈍化膜層；第二金屬電極具有第二金屬部分和多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分，第二點(diǎn)接觸部分與P型區(qū)形成歐姆接觸，第二金屬部分與P型區(qū)間留有第二鈍化膜層。通過(guò)該方法不僅能夠?qū)⒔饘匐姌O與背面鈍化膜層保持良好的接觸，而且能夠降低金屬電極與硅片的接觸面積，從而減少?gòu)?fù)合，提高轉(zhuǎn)換效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法及全背電極太陽(yáng)能電池
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法及全背電極太陽(yáng)能電池，屬于太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，全背電極太陽(yáng)能電池由于其優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率而備受青睞，是高效太陽(yáng)電池的主流技術(shù)之一。顧名思義，全背電極太陽(yáng)能電池即指金屬電極全部在電池背面，而正面無(wú)電極的電池，增大了受光面積，提高了電池效率。此種電池一般由N型襯底材料制備，通過(guò)在背面進(jìn)行硼擴(kuò)散和磷擴(kuò)散來(lái)形成P區(qū)和N區(qū)，經(jīng)鈍化后再印刷相應(yīng)的金屬接觸形成背面電極，為了進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，背面電極可采用點(diǎn)接觸的方式，減小金屬與硅的復(fù)合，但是，現(xiàn)有技術(shù)的點(diǎn)接觸技術(shù)大致分為兩種方法:其一，分別印刷用于點(diǎn)接觸的金屬漿料，經(jīng)燒結(jié)形成接觸點(diǎn)后，再覆蓋一層起連接作用的金屬漿料(一般為非燒穿的低溫漿料)，最后經(jīng)烘干而形成電池的金屬化。此種方法可能引起兩種金屬漿料的界面接觸不好，而直接影響填充因子和效率；其二，利用刻蝕漿料對(duì)接觸區(qū)的鈍化膜進(jìn)行刻蝕，完全去除該區(qū)域的鈍化膜，再在點(diǎn)接觸區(qū)域和連接區(qū)域都印刷非燒穿的金屬漿料，使點(diǎn)接觸的區(qū)域與硅形成直接接觸，而鈍化膜存在的區(qū)域保持其鈍化特性，此種方法的特點(diǎn)在于使用的漿料為非燒穿漿料，此種漿料的燒結(jié)溫度一般很低，可能存在與鈍化膜之間的接觸不良問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，通過(guò)該方法不僅能夠?qū)⒔饘匐姌O與背面鈍化膜層保持良好的接觸，使制備的電池保持良好的鈍化效果，而且能夠降低金屬電極與硅片的接觸面積，從而減少?gòu)?fù)合，提高轉(zhuǎn)換效率。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，該方法的步驟如下:
1)對(duì)襯底硅片進(jìn)行拋光去損傷處理；
2)對(duì)襯底硅片的背面進(jìn)行擴(kuò)散處理，使其背面形成pn結(jié)；
3)在襯底硅片的背面形成掩膜；
4)對(duì)襯底硅片的正面進(jìn)行制絨處理，使其正面形成絨面層，然后除去背面形成的掩
5)在具有pn結(jié)和絨面層的襯底硅片的正面和背面分別形成氧化掩膜；
6)在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)(背場(chǎng))的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜，并對(duì)該部分進(jìn)行擴(kuò)散處理，使該部分形成N型區(qū)，背面其余部分則形成P型區(qū)(emitter)接著去除其兩面的氧化掩膜；
7)在襯底硅片的正面形成第一鈍化膜層，在襯底硅片的背面形成第二鈍化膜層；
8)在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔，并且點(diǎn)接觸孔的底面處還留有第二鈍化膜層；
9)在襯底硅片背面位于點(diǎn)接觸孔的部位印刷金屬漿料，經(jīng)過(guò)燒結(jié)處理后，形成與N型區(qū)相對(duì)應(yīng)的第一金屬電極和與P型區(qū)相對(duì)應(yīng)的第二金屬電極，第一金屬電極具有第一點(diǎn)接觸部分和第一金屬部分，并保證第一點(diǎn)接觸部分燒穿第二鈍化膜層后與N型區(qū)形成歐姆接觸，第一金屬部分與N型區(qū)間留有第二鈍化膜層，第二金屬電極具有第二金屬部分和連接在第二金屬部分上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分，第二點(diǎn)接觸部分燒穿第二鈍化膜層后與P型區(qū)形成歐姆接觸，第二金屬部分與P型區(qū)間留有第二鈍化膜層。
[0005]進(jìn)一步提供了一種第一鈍化膜層和第二鈍化膜層的結(jié)構(gòu)，使其具有更好的鈍化效果，所述的第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層和SiNx鈍化膜層。
[0006]進(jìn)一步提供了一種在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔的方法，在步驟8)中，在第二鈍化膜層上印刷點(diǎn)狀分布的刻蝕漿料，并通過(guò)控制刻蝕時(shí)間來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔。
[0007]進(jìn)一步提供了另一種在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔的方法，在步驟8)中，在第二鈍化膜層上預(yù)留出形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔的部位，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液刻蝕的方法來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔，最后除去掩膜。
[0008]進(jìn)一步，所述的步驟3)中的掩膜為SiNx掩膜。
[0009]進(jìn)一步，所述的步驟2)中的擴(kuò)散處理為硼擴(kuò)散處理，所述的步驟6)中的擴(kuò)散處理為磷擴(kuò)散處理。
[0010]進(jìn)一步提供了一種形成N型區(qū)的方法，所述的步驟6)中，在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法為:在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)的部分通過(guò)激光刻蝕開(kāi)槽,并用堿液腐蝕掉該開(kāi)槽部分。
[0011]進(jìn)一步提供了另一種形成N型區(qū)的方法，所述的步驟6)中，在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法為:在襯底硅片的背面預(yù)留出需要形成N型區(qū)的部分，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液或堿溶液刻蝕的方法依次去除該部分的氧化掩膜和Pn結(jié)，最后除去掩膜。
[0012]本發(fā)明還提供了一種該全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法所制備的全背電極太陽(yáng)能電池，它包括襯底硅片，襯底硅片的正面具有絨面層，襯底硅片的背面具有由P型區(qū)和N型區(qū)排列而成的P-N型區(qū)，并且襯底硅片的絨面層的外表面上生長(zhǎng)有第一鈍化膜層，襯底硅片的P-N型區(qū)的外表面上生長(zhǎng)有第二鈍化膜層，第二鈍化膜層上設(shè)置有第一金屬電極和第二金屬電極，第一金屬電極具有第一點(diǎn)接觸部分和第一金屬部分，并且第一點(diǎn)接觸部分穿過(guò)第二鈍化膜層后與N型區(qū)形成歐姆接觸，第一金屬部分與N型區(qū)間留有第二鈍化膜層，第二金屬電極具有第二金屬部分和連接在第二金屬部分上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分，第二點(diǎn)接觸部分穿過(guò)第二鈍化膜層后與P型區(qū)形成歐姆接觸，第二金屬部分與P型區(qū)間留有第二鈍化膜層。
[0013]進(jìn)一步，所述的第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層和SiNx鈍化膜層。
[0014]采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明形成的第一金屬電極和第二金屬電極將第二鈍化膜層分隔成兩種不同厚度的鈍化膜，其中薄鈍化膜即為第一點(diǎn)接觸部分或第二點(diǎn)接觸部分以下的第二鈍化膜層，它呈點(diǎn)狀分布，在燒結(jié)后形成金屬接觸區(qū)，能夠降低金屬電極與硅片的接觸面積，從而減少?gòu)?fù)合，提高轉(zhuǎn)換效率；而厚鈍化膜即為第一金屬部分或第二金屬部分以下的第二鈍化膜層，在起鈍化作用的同時(shí)阻擋了金屬漿料的燒穿，使制備的電池保持良好的鈍化效果，使第一金屬部分或第二金屬部分不直接與硅接觸，該區(qū)域的金屬起到連接點(diǎn)狀接觸，降低串阻的作用，并且該第一金屬部分或第二金屬部分能夠與背面鈍化膜層保持良好的接觸。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明在經(jīng)過(guò)步驟8)時(shí)的全背電極太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為為本發(fā)明在經(jīng)過(guò)步驟9)時(shí)印刷上金屬漿料時(shí)的全背電極太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明方法制備的全背電極太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，
如圖f 3所示，一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，該方法的步驟如下:
O對(duì)襯底娃片I進(jìn)行拋光去損傷處理；襯底娃片可以為N型襯底娃片。
[0017]2)對(duì)襯底硅片I的背面進(jìn)行擴(kuò)散處理，使其背面形成pn結(jié)；
3)在襯底硅片I的背面形成掩膜；
4)對(duì)襯底硅片I的正面進(jìn)行制絨處理，使其正面形成絨面層，然后除去背面形成的掩
膜；
5)在具有pn結(jié)和絨面層的襯底硅片I的正面和背面分別形成氧化掩膜；在氧化的高溫過(guò)程中同時(shí)推進(jìn)硼。
[0018]6)在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜，并對(duì)該部分進(jìn)行擴(kuò)散處理，使該部分形成N型區(qū)1-1，背面其余部分則形成P型區(qū)(emitter)1-2，接著去除其兩面的氧化掩膜；
7)在襯底硅片I的正面形成第一鈍化膜層，在襯底硅片I的背面形成第二鈍化膜層；
8)在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔3-1，并且點(diǎn)接觸孔3-1的底面處還留有第二鈍化膜層；該點(diǎn)接觸孔3-1的特征為其下面仍存在一定厚度的第二鈍化膜層，而其周?chē)牡诙g化膜層厚度保持不變；
9)在襯底硅片I背面位于點(diǎn)接觸孔3-1的部位印刷金屬漿料3-1-1，經(jīng)過(guò)燒結(jié)處理后，形成與N型區(qū)1-1相對(duì)應(yīng)的第一金屬電極4和與P型區(qū)1-2相對(duì)應(yīng)的第二金屬電極5，第一金屬電極4具有第一點(diǎn)接觸部分4-1和第一金屬部分4-2，并保證第一點(diǎn)接觸部分4-1燒穿第二鈍化膜層后與N型區(qū)1-1形成歐姆接觸，第一金屬部分4-2與N型區(qū)1-1間留有第二鈍化膜層，第二金屬電極5具有第二金屬部分5-2和連接在第二金屬部分5-2上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分5-1，第二點(diǎn)接觸部分5-1燒穿第二鈍化膜層后與P型區(qū)1-2形成歐姆接觸，第二金屬部分5-2與P型區(qū)1-2間留有第二鈍化膜層。
[0019]在步驟8)和步驟9)中，是通過(guò)控制點(diǎn)接觸孔3-1下和點(diǎn)接觸孔3-1周?chē)牡诙g化膜層的厚度差異，來(lái)達(dá)到控制金屬漿料燒穿點(diǎn)接觸孔3-1下的第二鈍化膜層，形成第一點(diǎn)接觸部分4-1、第二點(diǎn)接觸部分5-1，同時(shí)保持N型區(qū)1-1和第一金屬部分4-2，P型區(qū)1-2和第二金屬部分5-2間分別留有第二鈍化膜層。
[0020]如圖3所示，第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層2和SiNx鈍化膜層3。
[0021]在步驟8)中，可以在第二鈍化膜層上印刷點(diǎn)狀分布的刻蝕漿料，并通過(guò)控制刻蝕時(shí)間來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔3-1。在步驟8)中，也可以在第二鈍化膜層上預(yù)留出形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔3-1的部位，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液刻蝕的方法來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔3-1，最后除去掩膜。
[0022]步驟3)中的掩膜為SiNx掩膜。
[0023]步驟2)中的擴(kuò)散處理為硼擴(kuò)散處理。
[0024]步驟6)中的擴(kuò)散處理為磷擴(kuò)散處理。
[0025]步驟6)中，在襯底硅片I的背面需要形成N型區(qū)1-1的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法可以為:在襯底硅片I的背面需要形成N型區(qū)1-1的部分通過(guò)激光刻蝕開(kāi)槽，并用堿液腐蝕掉該開(kāi)槽部分。
[0026]在步驟6)中，在襯底硅片I的背面需要形成N型區(qū)1-1的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法還可以為:在襯底硅片I的背面預(yù)留出需要形成N型區(qū)1-1的部分，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液或堿溶液刻蝕的方法依次去除該部分的氧化掩膜和pn結(jié),最后除去掩膜。
[0027]如圖3所示，一種上述全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法所制備的全背電極太陽(yáng)能電池，它包括襯底硅片1，襯底硅片I的正面具有絨面層，襯底硅片I的背面具有由P型區(qū)1-2和N型區(qū)1-1排列而成的P-N型區(qū)，并且襯底硅片I的絨面層的外表面上生長(zhǎng)有第一鈍化膜層，襯底硅片I的P-N型區(qū)的外表面上生長(zhǎng)有第二鈍化膜層，第二鈍化膜層上設(shè)置有第一金屬電極4和第二金屬電極5,第一金屬電極4具有第一點(diǎn)接觸部分4-1和第一金屬部分4-2，并且第一點(diǎn)接觸部分4-1穿過(guò)第二鈍化膜層后與N型區(qū)1-1形成歐姆接觸，第一金屬部分4-2與N型區(qū)1-1間留有第二鈍化膜層，第二金屬電極5具有第二金屬部分5-2和連接在第二金屬部分5-2上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分5-1，第二點(diǎn)接觸部分5-1穿過(guò)第二鈍化膜層后與P型區(qū)1-2形成歐姆接觸，第二金屬部分5-2與P型區(qū)1-2間留有第二鈍化膜層。第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層2和SiNx鈍化膜層3。
[0028]本發(fā)明的工作原理如下:
本發(fā)明形成的第一金屬電極4和第二金屬電極5將第二鈍化膜層分隔成兩種不同厚度的鈍化膜，其中薄鈍化膜即為第一點(diǎn)接觸部分4-1或第二點(diǎn)接觸部分5-1以下的第二鈍化膜層，它呈點(diǎn)狀分布，在燒結(jié)后形成金屬接觸區(qū)，能夠降低金屬電極與硅片的接觸面積，從而減少?gòu)?fù)合，提高轉(zhuǎn)換效率；而厚鈍化膜即為第一金屬部分4-2或第二金屬部分5-2以下的第二鈍化膜層，在起鈍化作用的同時(shí)阻擋了金屬漿料的燒穿，使制備的電池保持良好的鈍化效果，使第一金屬部分4-2或第二金屬部分5-2不直接與硅接觸，該區(qū)域的金屬起到連接點(diǎn)狀接觸，降低串阻的作用，并且該第一金屬部分或第二金屬部分能夠與背面鈍化膜層保持良好的接觸。[0029] 以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于該方法的步驟如下: 1)對(duì)襯底硅片(1)進(jìn)行拋光去損傷處理； 2)對(duì)襯底硅片(1)的背面進(jìn)行擴(kuò)散處理，使其背面形成Pn結(jié)； 3)在襯底硅片(1)的背面形成掩膜； 4)對(duì)襯底硅片(1)的正面進(jìn)行制絨處理，使其正面形成絨面層，然后除去背面的掩膜； 5)在具有pn結(jié)和絨面層的襯底硅片(I)的正面和背面分別形成氧化掩膜； 6)在襯底硅片的背面需要形成N型區(qū)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜，并對(duì)該部分進(jìn)行擴(kuò)散處理，使該部分形成N型區(qū)(1-1 )，背面其余部分則形成P型區(qū)(1-2)，接著去除其兩面的氧化掩膜； 7)在襯底硅片(1)的正面形成第一鈍化膜層，在襯底硅片(I)的背面形成第二鈍化膜層； 8)在第二鈍化膜層上形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔(3-1)，并且點(diǎn)接觸孔(3-1)的底面處還留有第二鈍化膜層； 9)在襯底硅片(I)背面位于點(diǎn)接觸孔(3-1)的部位印刷金屬漿料(3-1-1),經(jīng)過(guò)燒結(jié)處理后，形成與N型區(qū)(1-1)相對(duì)應(yīng)的第一金屬電極(4)和與P型區(qū)(1-2)相對(duì)應(yīng)的第二金屬電極(5)，第一金屬電極(4)具有第一點(diǎn)接觸部分(4-1)和第一金屬部分(4-2)，并保證第一點(diǎn)接觸部分(4-1)燒穿第二鈍化膜層后與N型區(qū)(1-1)形成歐姆接觸，第一金屬部分(4-2)與N型區(qū)(1-1)間留有第二鈍化膜層；第二金屬電極(5)具有第二金屬部分(5-2)和連接在第二金屬部分(5-2)上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分(5-1 )，第二點(diǎn)接觸部分(5-1)燒穿第二鈍化膜層后與P型區(qū)(1-2)形成歐姆接觸，第二金屬部分(5-2)與P型區(qū)(1-2)間留有第二鈍化膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:所述的第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層(2)和SiNx鈍化膜層(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:在步驟8)中，在第二鈍化膜層上印刷點(diǎn)狀分布的刻蝕漿料，并通過(guò)控制刻蝕時(shí)間來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔(3-1)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:在步驟8)中，在第二鈍化膜層上預(yù)留出形成多個(gè)點(diǎn)接觸孔(3-1)的部位，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液刻蝕的方法來(lái)得到所要深度的多個(gè)點(diǎn)接觸孔(3-1)，最后除去掩膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:所述的步驟3)中的掩膜為SiNx掩膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:所述的步驟2)中的擴(kuò)散處理為硼擴(kuò)散處理，所述的步驟6)中的擴(kuò)散處理為磷擴(kuò)散處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:所述的步驟6)中，在襯底硅片(1)的背面需要形成N型區(qū)(1-1)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法為:在襯底硅片(1)的背面需要形成N型區(qū)(1-1)的部分通過(guò)激光刻蝕開(kāi)槽，并用堿液腐蝕掉該開(kāi)槽部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于:所述的步驟6)中，在襯底硅片(I)的背面需要形成N型區(qū)(1-1)的部分去除其表面的pn結(jié)和氧化掩膜的方法為:在襯底硅片(I)的背面預(yù)留出需要形成N型區(qū)(1-1)的部分，并在其余部位上印刷掩膜，然后通過(guò)酸溶液或堿溶液刻蝕的方法依次去除該部分的氧化掩膜和pn結(jié),最后除去掩膜。
9.一種如權(quán)利要求1所述的全背電極太陽(yáng)能電池的制作方法所制備的全背電極太陽(yáng)能電池，其特征在于:它包括襯底硅片(1)，襯底硅片(I)的正面具有絨面層，襯底硅片(I)的背面具有由P型區(qū)(1-2)和N型區(qū)(1-1)排列而成的P-N型區(qū)，并且襯底硅片(I)的絨面層的外表面上生長(zhǎng)有第一鈍化膜層，襯底硅片(I)的P-N型區(qū)的外表面上生長(zhǎng)有第二鈍化膜層，第二鈍化膜層上設(shè)置有第一金屬電極(4)和第二金屬電極(5),第一金屬電極(4)具有第一點(diǎn)接觸部分(4-1)和第一金屬部分(4-2)，并且第一點(diǎn)接觸部分(4-1)穿過(guò)第二鈍化膜層后與N型區(qū)(1-1)形成歐姆接觸，第一金屬部分(4-2)與N型區(qū)(1-1)間留有第二鈍化膜層；第二金屬電極(5)具有第二金屬部分(5-2)和連接在第二金屬部分(5-2)上的多個(gè)第二點(diǎn)接觸部分(5-1 )，第二點(diǎn)接觸部分(5-1)穿過(guò)第二鈍化膜層后與P型區(qū)(1-2)形成歐姆接觸，第二金屬部分(5-2)與P型區(qū)(1-2)間留有第二鈍化膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的全背電極太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述的第一鈍化膜層和第二鈍化膜層為疊層鈍化膜層，由里向外均依次包括三氧化二鋁鈍化膜層(2)和SiNx鈍化膜層( 3)。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK103594564SQ201310635112
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月3日
【發(fā)明者】李中蘭, 楊陽(yáng), 張學(xué)玲, 威靈頓·皮埃爾·J 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司