半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。半導(dǎo)體器件包括晶體管，晶體管形成在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中。晶體管包括源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)段以及鄰近溝道區(qū)的柵極電極，柵極電極配置為控制形成在溝道區(qū)中的溝道的傳導(dǎo)性。溝道區(qū)和漂移區(qū)段沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面。溝道區(qū)具有沿第一方向延伸的突脊的形狀并且漂移區(qū)段包括超級結(jié)層堆疊。
【專利說明】半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說明書涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常在汽車和工業(yè)電子系統(tǒng)中采用的MOS功率晶體管或DMOS功率器件在被接通時(shí)應(yīng)當(dāng)具有低接通電阻(Rm)。在關(guān)斷狀態(tài)中，它們應(yīng)當(dāng)具有高擊穿電壓特性并且耐受高源極-漏極電壓。例如，當(dāng)被關(guān)斷時(shí)，MOS功率晶體管應(yīng)當(dāng)耐受數(shù)十到數(shù)百伏特的漏極到源極電壓Vds。作為進(jìn)一步的示例，在低電壓降Vds時(shí)MOS功率晶體管傳導(dǎo)可以在大約2到20V的柵極-源極電壓下多達(dá)數(shù)百安培的非常大的電流。
[0003]根據(jù)通常采用的技術(shù)，使用橫向MOS晶體管，其包括漏極延伸區(qū)或基于所謂的降低表面電場(resurf)概念。根據(jù)降低表面電場概念，在斷開狀態(tài)中，通過設(shè)置在漂移區(qū)下面的摻雜部分去除電荷。可替代地，這個(gè)摻雜部分可以實(shí)施為設(shè)置在漂移區(qū)上并且與漂移區(qū)絕緣的電極。為了進(jìn)一步減少Rdsm和寄生電容，正在探索用于實(shí)施晶體管的新概念。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括晶體管，晶體管形成在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中。晶體管包括源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)段以及鄰近溝道區(qū)的柵極電極，柵極電極配置為控制形成在溝道區(qū)中的溝道的傳導(dǎo)性。溝道區(qū)和漂移區(qū)段沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面，并且溝道區(qū)具有沿第一方向延伸的突脊的形狀。漂移區(qū)段包括超級結(jié)層堆疊。
[0005]根據(jù)實(shí)施例，制造半導(dǎo)體器件的方法包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中形成晶體管。形成晶體管包括形成源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)段和鄰近溝道區(qū)的柵極電極，其中溝道區(qū)和漂移區(qū)段被形成為沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面。形成溝道區(qū)包括形成沿第一方向延伸的突脊，并且形成漂移區(qū)段包括形成超級結(jié)層堆疊。
[0006]根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括形成在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管。晶體管包括源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)段以及鄰近溝道區(qū)的柵極電極，柵極電極配置為控制形成在溝道區(qū)中的溝道的傳導(dǎo)性。溝道區(qū)和漂移區(qū)段沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面。漂移區(qū)段包括超級結(jié)層堆疊，超級結(jié)層堆疊包括在堆疊方向上以交替方式堆疊的η摻雜和P摻雜層，堆疊方向相對于第一主表面垂直。源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一個(gè)延伸到一深度使得源極區(qū)或漏極區(qū)和半導(dǎo)體襯底之間的底邊界設(shè)置在層堆疊的η摻雜和P摻雜層之間的底分界面下面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖被包括以提供對本發(fā)明的實(shí)施例的進(jìn)一步的理解以及被合并到本說明書中并且組成本說明書的部分。附圖圖示了本發(fā)明的實(shí)施例并且與描述一起用于解釋原理。本發(fā)明的其它實(shí)施例和許多預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)將容易了解，因?yàn)橥ㄟ^參考后面的詳細(xì)描述它們變得更好理解。附圖的元件不一定相對于彼此按比例。相似的參考數(shù)字指定對應(yīng)的類似部分。
[0008]圖1A示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的橫截面圖；
圖1B示出了平行于半導(dǎo)體襯底的第一主表面取得的圖1A中示出的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；
圖1C示出了根據(jù)實(shí)施例的沿與沿其取得圖1A的橫截面圖的方向垂直的方向取得的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；
圖2A到21示出了當(dāng)執(zhí)行制造方法的處理方法時(shí)半導(dǎo)體襯底的橫截面圖；
圖3示意地示出了根據(jù)實(shí)施例的圖示用于制造半導(dǎo)體器件的步驟的流程圖；和 圖4A和4B示出了根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]在后面的詳細(xì)描述中參考附圖，附圖形成本詳細(xì)描述的部分并且在附圖中通過圖示的方式圖示了在其中可以實(shí)踐本發(fā)明的具體實(shí)施例。在這點(diǎn)上，參考被描述的附圖的定向使用方向術(shù)語諸如“頂”、“底”、“前”、“背”、“首”、“尾”等。因?yàn)楸景l(fā)明的實(shí)施例的部件可以多個(gè)不同的定向放置，所以方向術(shù)語用于圖示的目的并且決不限制。要理解的是在不脫離由權(quán)利要求限定的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例并且可以作出結(jié)構(gòu)或邏輯的改變。
[0010]實(shí)施例的描述不是限制的。尤其，在下文中描述的實(shí)施例的元件可以與不同實(shí)施例的元件相結(jié)合。
[0011]在后面的描述中使用的術(shù)語“晶片”、“襯底”或“半導(dǎo)體襯底”可以包括具有半導(dǎo)體表面的任何基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。晶片和結(jié)構(gòu)要理解為包括硅、絕緣體上硅(SOI)、藍(lán)寶石上硅(S0S)、摻雜的和未摻雜的半導(dǎo)體、由基礎(chǔ)半導(dǎo)體基部支持的硅的外延層、和其它半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體不一定是基于硅的。半導(dǎo)體還可以是硅-鍺、鍺或砷化鎵。根據(jù)本申請的實(shí)施例，通常，碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)是半導(dǎo)體襯底材料的進(jìn)一步的示例。
[0012]在本說明書中使用的術(shù)語“橫向的”和“水平的”意圖描述平行于半導(dǎo)體襯底或半導(dǎo)體主體的第一表面的定向。這可以例如是晶片或管芯的表面。
[0013]在本說明書中使用的術(shù)語“垂直的”意圖描述布置得垂直于半導(dǎo)體襯底或半導(dǎo)體主體的第一表面的定向。
[0014]附圖和描述通過緊隨摻雜類型“η”或“p”指示或“ + ”來圖示相對摻雜濃度。例如，“η_”表示比“η”摻雜區(qū)的摻雜濃度低的摻雜濃度，而“η+”摻雜區(qū)具有比“η”摻雜區(qū)高的摻雜濃度。相同相對摻雜濃度的摻雜區(qū)不一定具有相同的絕對摻雜濃度。例如，兩個(gè)不同“η”摻雜區(qū)可能具有相同或不同的絕對摻雜濃度。在附圖和描述中，為了更好理解，摻雜部分經(jīng)常被指定為是“P”或“η”摻雜的。如將被清楚理解的那樣，這個(gè)指定決不意圖限制。只要實(shí)現(xiàn)所描述的功能，摻雜類型可以是任意的。另外，在所有實(shí)施例中，摻雜類型可以反轉(zhuǎn)。
[0015]如在本說明書中采用的，術(shù)語“耦合”和/或“電耦合”不意圖表示元件必須直接耦合在一起——在被“耦合”或“電耦合”的元件之間可以提供介入元件。術(shù)語“電連接”意圖描述電連接在一起的元件之間的低電阻電連接。[0016]通常，為了圖案化材料層，可以使用在其中提供適當(dāng)?shù)墓饪棠z材料的光刻方法。使用適當(dāng)?shù)墓庋谀ひ怨饪谭绞綀D案化光刻膠材料。圖案化的光刻膠層在隨后的處理步驟期間可以用作掩膜。例如，如常見的，可以在要被圖案化的材料層上提供硬掩膜層或由適當(dāng)?shù)牟牧?諸如氮化硅、多晶硅或碳)制成的層。例如使用刻蝕過程以光刻方式圖案化硬掩膜層。把圖案化的硬掩膜層當(dāng)作刻蝕掩膜，圖案化材料層。
[0017]如本文中使用的，術(shù)語“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等是開放的術(shù)語，其指示所述元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征。冠詞“一”、“一個(gè)”和“該”意圖包括復(fù)數(shù)以及單數(shù)，除非上下文另外清楚地指示。
[0018]圖1A示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖，并且圖1B示出了圖1A中示出的半導(dǎo)體器件的不同的橫截面圖。圖1A的橫截面圖在圖1B中示出的I和I’之間取得。I和I’之間的方向?qū)?yīng)于本說明書內(nèi)使用的第一方向。圖1B的橫截面圖平行于第一主表面110很近地在第一主表面110下面取得以便劃分子層310。
[0019]圖1A中示出的半導(dǎo)體器件包括源極區(qū)201、漏極區(qū)205、溝道區(qū)220和漂移區(qū)段260?？梢杂玫谝粋鲗?dǎo)類型的摻雜劑(例如η型摻雜劑)摻雜源極區(qū)201和漏極區(qū)205。溝道區(qū)220布置在源極區(qū)201和漂移區(qū)段260之間。用第二傳導(dǎo)類型(例如P摻雜)的摻雜劑摻雜溝道區(qū)220。漂移區(qū)段260可以布置在溝道區(qū)220和漂移區(qū)205之間。源極區(qū)201、溝道區(qū)220、漂移區(qū)段260和漏極區(qū)205沿第一方向設(shè)置。
[0020]源極區(qū)201連接到源極電極202。漏極區(qū)205連接到漏極電極206。
[0021]圖1B示出了沿平行于半導(dǎo)體襯底100的第一主表面110的平面取得的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。如示出的，由柵極電極210細(xì)分溝道區(qū)220。
[0022]圖1A和IB中示出的布置實(shí)施了包括晶體管200的半導(dǎo)體器件I，晶體管200形成在包括第一主表面110的半導(dǎo)體襯底100中。晶體管200實(shí)施為所謂的FinFET，在其中溝道區(qū)220具有沿第一方向延伸的突脊的形狀。晶體管200進(jìn)一步包括漂移區(qū)段260，漂移區(qū)段260包括超級結(jié)層堆疊300。超級結(jié)層堆疊300包括具有相反極性的摻雜的單晶半導(dǎo)體子層310、320的序列。例如P慘雜子層310可以后面是η慘雜的子層320，并且反之亦然。例如,超級結(jié)層堆疊300可以包括至少兩個(gè)P摻雜子層310或至少兩個(gè)η摻雜子層320。源極和漏極區(qū)201、205的摻雜濃度可以比組成漂移區(qū)段260的子層320的摻雜濃度高。
[0023]在包括超級結(jié)層堆疊的所謂的補(bǔ)償器件中，在斷開電壓施加到晶體管的情況中，可以有效地阻斷電流流動(dòng)，因?yàn)楦髯跃哂胁煌膿诫s類型的鄰近子層的電荷載流子彼此補(bǔ)償。因此，使得在斷開狀態(tài)中鄰近的P和η摻雜區(qū)完全耗盡。因此，為了實(shí)現(xiàn)與常規(guī)器件類似的擊穿特性，可以增加摻雜層的摻雜濃度，導(dǎo)致在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的減小的電阻率。在超級結(jié)層堆疊中，可以選擇每個(gè)子層的厚度以便在斷開電壓的情況中，子層可以被完全耗盡。
[0024]根據(jù)實(shí)施例，子層310、320在第一方向上延伸。例如,可以在垂直于第一主表面110的堆疊方向上堆疊子層310、320?？商娲?，可以在平行于第一主表面110的堆疊方向上堆疊子層310、320。例如，超級結(jié)層堆疊300可以具有至少I μπι的厚度。
[0025]如由圖1A中的點(diǎn)線指示的，在附圖描繪的平面之前和之后的平面中，柵極溝槽212被設(shè)置得鄰近溝道區(qū)220。柵極溝槽212從第一主表面110在襯底100的深度方向上延伸。因此，溝道區(qū)220具有突脊的形狀。另外，柵極電極210可被設(shè)置得鄰近突脊的側(cè)壁220b并且鄰近突脊的頂側(cè)220a。柵極電極210借助于絕緣柵極介電材料211(諸如氧化硅)與溝道區(qū)220絕緣。當(dāng)適當(dāng)?shù)碾妷菏┘拥綎艠O電極210時(shí)，在溝道區(qū)220中形成的溝道的傳導(dǎo)性將由柵極電壓控制。通過控制形成在溝道區(qū)220中的溝道的傳導(dǎo)性，可以控制從源極區(qū)201經(jīng)由形成在溝道區(qū)220中的溝道和漂移區(qū)段260到漏極區(qū)205的電流流動(dòng)。當(dāng)對應(yīng)于斷開狀態(tài)的電壓施加到柵極電極210時(shí)，在溝道區(qū)220和絕緣柵極介電材料211之間的邊界處無導(dǎo)電溝道形成，使得無電流流動(dòng)。另外，超級結(jié)層堆疊300的子層被完全耗盡，使得電流流動(dòng)被阻止并且器件具有高電壓阻斷特性。
[0026]如圖1A中進(jìn)一步示出的，半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括鄰近漂移區(qū)段260布置的場板250。場板250借助于絕緣場介電層251 (諸如場氧化物)與漂移區(qū)段260絕緣。場板250可以與柵極電極210絕緣。代替場板，具有合適層厚度的端子子層可以設(shè)置在超級結(jié)層堆疊300的頂上。可以選擇端子子層的厚度以便發(fā)生電荷載流子的合適補(bǔ)償。例如，這個(gè)端子子層可以具有超級結(jié)層堆疊300的其它層的厚度的大約一半的厚度。
[0027]如在圖1A中特別圖示的，源極區(qū)201從主表面110在襯底100的深度方向上(即相對于主表面Iio垂直地)延伸。溝道區(qū)220和漂移區(qū)段260沿平行于第一主表面110的第一方向設(shè)置在源極區(qū)201和漏極區(qū)205之間。漏極區(qū)205類似地在襯底100的深度方向上從第一主表面110延伸。
[0028]圖1A進(jìn)一步示出了設(shè)置在主體區(qū)220下面和在漂移區(qū)段260的部分下面的主體連接注入?yún)^(qū)225。主體連接注入?yún)^(qū)225將溝道區(qū)220連接到源極觸點(diǎn)以便抑制當(dāng)晶體管200設(shè)置到斷開狀態(tài)時(shí)可能由于碰撞電離引起的寄生雙極效應(yīng)。另外，主體連接注入?yún)^(qū)225在漂移區(qū)段260下面延伸，以便在晶體管200的斷開狀態(tài)中，漂移區(qū)260可以更容易地被耗盡。
[0029]圖1C圖示了在圖1B中的II和II’之間取得的襯底100的橫截面圖。II和II’之間的方向垂直于第一方向。如在圖1C中示出的，溝道區(qū)220具有突脊的形狀，突脊具有寬度Cl1和深度或高度例如，突··脊可以具有頂側(cè)220a和兩個(gè)側(cè)壁220b。側(cè)壁220b可以垂直地或以相對于第一主表面110大于75°的角度延伸。柵極電極210可以設(shè)置得鄰近突脊的至少兩側(cè)。
[0030]在每個(gè)突脊下面，設(shè)置深主體連接注入?yún)^(qū)225。柵極介電層211設(shè)置在柵極電極210和溝道區(qū)220之間。
[0031]根據(jù)實(shí)施例，溝道區(qū)220的寬度Cl1是=Cl1 < 2Xld，其中(I1表示在柵極電極210和溝道區(qū)220之間的分界面處形成的耗盡區(qū)段的長度。例如，耗盡區(qū)段的寬度可以如下確定:
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管，所述晶體管包括: 源極區(qū)； 漏極區(qū)； 溝道區(qū)； 漂移區(qū)段；以及 柵極電極，鄰近所述溝道區(qū)，所述柵極電極配置為控制形成在所述溝道區(qū)中的溝道的傳導(dǎo)性， 所述溝道區(qū)和所述漂移區(qū)段沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面，所述溝道區(qū)具有沿第一方向延伸的突脊的形狀，以及 所述漂移區(qū)段包括超級結(jié)層堆疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極電極設(shè)置在所述突脊的至少兩側(cè)處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述突脊包括頂側(cè)和兩個(gè)側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中當(dāng)所述器件在導(dǎo)通狀態(tài)中運(yùn)行時(shí)，沿側(cè)壁中的至少一個(gè)形成導(dǎo)電反型層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括設(shè)置得鄰近超級結(jié)層堆疊的場板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述溝道區(qū)的突脊的寬度滿足以下關(guān)系:Cl1 ( 2X Id,其中Id表示·在所述溝道區(qū)和柵極電介質(zhì)之間的分界面處形成的耗盡區(qū)段的長度，柵極電介質(zhì)設(shè)置在溝道區(qū)和柵極電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述超級結(jié)層堆疊包括在堆疊方向上以交替方式堆疊的η摻雜和P摻雜層，堆疊方向相對于第一主表面垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述超級結(jié)層堆疊包括在堆疊方向上以交替方式布置的η摻雜和P摻雜層，堆疊方向在平行于第一主表面和相對于深度方向垂直的方向上延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中沿第一方向測量的突脊的長度Si和相對于第一方向垂直地測量的突脊的寬度dl滿足以下的關(guān)系:sl/dl>2.0。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中源極和漏極區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)并且在半導(dǎo)體襯底的深度方向上從第一主表面近似地延伸到所述柵極電極延伸到的深度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中的至少一個(gè)延伸到大于Iym的深度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述超級結(jié)層堆疊包括至少兩個(gè)η摻雜層或至少兩個(gè)P摻雜層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括: 源極觸點(diǎn)，耦合到所述源極區(qū)；和 漏極觸點(diǎn)，耦合到所述漏極區(qū)， 其中所述源極觸點(diǎn)延伸到第一主表面并且所述漏極觸點(diǎn)延伸到與第一主表面相對的第二主表面，并且其中所述漏極區(qū)在第一主表面的區(qū)處被絕緣。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括: 源極觸點(diǎn)，耦合到所述源極區(qū)；和漏極觸點(diǎn)，耦合到所述漏極區(qū)， 其中所述漏極觸點(diǎn)延伸到第一主表面并且所述源極觸點(diǎn)延伸到與第一主表面相對的第二主表面，并且其中所述源極區(qū)在第一主表面的區(qū)處被絕緣。
15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中形成晶體管，其中所述形成晶體管包括: 形成源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)段和鄰近溝道區(qū)的柵極電極，其中所述溝道區(qū)和所述漂移區(qū)段被形成為沿第一方向設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面，其中形成所述溝道區(qū)包括形成沿第一方向延伸的突脊，并且形成所述漂移區(qū)段包括形成超級結(jié)層堆疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成所述超級結(jié)層堆疊包括外延地生長不同摻雜層的序列。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中生長不同摻雜層的序列通過順序地互換在生長不同摻雜層的生長過程期間饋送的摻雜劑的源來完成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成溝道區(qū)在形成超級結(jié)層堆疊之后執(zhí)行，并且其中形成溝道區(qū)包括外延生長過程。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成突脊和形成柵極電極通過包括在溝道區(qū)中形成柵極溝槽和形成導(dǎo)電層以便填充鄰近的溝槽的方法來完成。
20.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管，所述晶體管包括: 源極區(qū)； 漏極區(qū)； 溝道區(qū)； 漂移區(qū)段；以及 柵極電極，鄰近所述溝道區(qū)，所述柵極電極配置為控制形成在所述溝道區(qū)中的溝道的傳導(dǎo)性， 所述溝道區(qū)和所述漂移區(qū)段沿第一方向設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間，第一方向平行于第一主表面，所述漂移區(qū)段包括超級結(jié)層堆疊，超級結(jié)層堆疊包括在堆疊方向上以交替方式堆疊的η摻雜和P摻雜層，堆疊方向相對于第一主表面垂直，以及 所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中的至少一個(gè)延伸到一深度，得所述源極區(qū)或所述漏極區(qū)和所述半導(dǎo)體襯底之間的底邊界設(shè)置在所述層堆疊的η摻雜和P摻雜層之間的底分界面下面。
【文檔編號】H01L21/336GK103855222SQ201310635904
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月3日
【發(fā)明者】A.邁澤, T.施勒澤 申請人:英飛凌科技股份有限公司