發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)金屬支架及承載座模塊的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架及承載座模塊，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架包括兩間隔設(shè)置的導(dǎo)電架與多個分別自該兩導(dǎo)電架一體延伸形成的延伸臂。每一導(dǎo)電架具有正面、背面、及相連于正面與背面周緣的環(huán)側(cè)面。每一導(dǎo)電架的正面定義有密封區(qū)與大致被密封區(qū)所包圍的承載區(qū)。每一導(dǎo)電架自其密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且分隔槽連通于環(huán)側(cè)面并于環(huán)側(cè)面上形成兩開口，以使每一導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開該些延伸臂的至少其中之一與承載區(qū)。由此，通過形成有分隔槽而使絕緣體包覆金屬支架后，兩者的結(jié)合性增加并能減緩水氣入侵。
【專利說明】發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)金屬支架及承載座模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架、及用以供多個發(fā)光二極管芯片安裝的承載座模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)隨著高瓦數(shù)輸出，其所使用的熱塑性(Thermoplastic)塑料已逐漸被熱固性(Thermoset)塑料所取代。然而，由于公知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架與塑料之間的接觸面積比例較小，進(jìn)而產(chǎn)生許多問題，例如:導(dǎo)電架與塑料之間的結(jié)合性問題以及水氣入侵問題。
[0003]于是，本發(fā)明人有感上述缺失的可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理的運用，終于提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺失的本發(fā)明。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其金屬支架、以及承載座模塊，其皆能通過設(shè)置位于密封區(qū)的分隔槽(如連通相鄰環(huán)側(cè)面且位于導(dǎo)電架四邊角落的分隔槽，或者環(huán)繞承載區(qū)外圍的環(huán)狀分隔槽)而使金屬支架與絕緣體之間結(jié)合性增加并能有效地減緩水氣入侵。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括:一金屬支架，其具有兩間隔設(shè)置的導(dǎo)電架與多個分別自該兩導(dǎo)電架一體延伸形成的延伸臂，每一導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一大致被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)；其中，每一導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩開口，以使每一導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開所述延伸臂的至少其中之一與該承載區(qū)；一發(fā)光二極管芯片，裝設(shè)于該金屬支架的承載區(qū)上并電性連接于該兩導(dǎo)電架；以及一絕緣體，其包覆于該金屬支架，且該兩導(dǎo)電架的背面部分區(qū)域以及該些延伸臂的末端面顯露于該絕緣體之外。
[0006]本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，包括:兩導(dǎo)電架，其呈間隔設(shè)置，每一導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一大致被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)；以及多個延伸臂，其分別自該兩導(dǎo)電架一體延伸形成；其中，每一導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩開口，以使每一導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開所述延伸臂的至少其中之一與該承載區(qū)。
[0007]本發(fā)明又提供一種承載座模塊，用以供多個發(fā)光二極管芯片安裝于其上，該承載座模塊包括:多個金屬支架，其一體相連成單片構(gòu)造，每一金屬支架包含有兩導(dǎo)電架與多個分別自該兩導(dǎo)電架一體延伸形成的延伸臂，每一導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一大致被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)；其中，每一導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩開口，以使每一導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開該延伸臂至少其中之一與該承載區(qū)；其中，每一金屬支架的兩導(dǎo)電架分別定義為一第一導(dǎo)電架與一第二導(dǎo)電架，沿一第一方向上的任兩相鄰金屬支架通過其中一金屬支架的第一導(dǎo)電架延伸臂斜向地一體相連于其中另一金屬支架的第二導(dǎo)電架延伸臂，且該斜向一體相連的延伸臂大致與該第一方向相夾有一銳角；以及多個絕緣座，其包覆于該些金屬支架外緣。
[0008]綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架、及承載座模塊，其通過形成有分隔槽，使絕緣體與導(dǎo)電架正面之間的結(jié)合性被有效地提升。再者，通過延伸臂滲入于導(dǎo)電架與絕緣體之間的水氣，能有效地被分隔槽與絕緣體相接合的部位所隔絕。并且，通過分隔槽的分布位置，以達(dá)到避免水氣入侵所述導(dǎo)電架承載區(qū)的功效。
[0009]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用于說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的權(quán)利要求范圍作任何的限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明第一實施例的承載座的立體示意圖。
[0011]圖2為圖1另一視角的立體示意圖。
[0012]圖3為圖1中金屬支架的立體示意圖。
[0013]圖4為圖1中金屬支架另一視角的立體示意圖。
[0014]圖5為圖1沿A-A剖線的剖視示意圖。
[0015]圖6A為本發(fā)明第一實施例的承載座另一實施態(tài)樣的立體不意圖。
[0016]圖6B為圖6A沿B-B剖線的剖視示意圖。
[0017]圖6C為圖6B中的C區(qū)塊的局部放大示意圖。
[0018]圖7為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的立體示意圖。
[0019]圖8為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)另一實施態(tài)樣的立體示意圖。
[0020]圖9為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)又一實施態(tài)樣的立體示意圖。
[0021]圖10為本發(fā)明第一實施例的承載座模塊的立體不意圖。
[0022]圖11為圖10中金屬支架的立體示意圖。
[0023]圖12為圖10中金屬支架另一視角的立體示意圖。
[0024]圖13為圖10切割后的立體示意圖。
[0025]圖14為本發(fā)明第二實施例的金屬支架的立體示意圖。
[0026]圖15為圖14另一視角的立體示意圖。
[0027]圖16為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的立體示意圖。
[0028]圖17為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)另一實施態(tài)樣的立體示意圖。
[0029]圖18為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)又一實施態(tài)樣的立體示意圖。

【具體實施方式】
[0030][第一實施例]
[0031]參閱圖1和圖2，提供一種QFN(quad flat no-lead)工藝的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的承載座100。承載座100包含有一金屬支架I與一絕緣座2，上述金屬支架I具有兩間隔設(shè)置的導(dǎo)電架11與多個分別自該兩導(dǎo)電架11 一體延伸形成的延伸臂12。
[0032]絕緣座2可由熱固性塑膠所制成,如環(huán)氧樹脂(Epoxy)、娃樹脂(Silicone),且絕緣座2包覆兩導(dǎo)電架11與延伸臂12,并使兩導(dǎo)電架11被絕緣座2所分尚，所述兩導(dǎo)電架11的部分區(qū)域(即后述的承載區(qū)1112與焊接區(qū)1122)以及延伸臂12的末端面121顯露于絕緣座2之外，使得焊接區(qū)1122的表面及延伸臂12的末端面121與絕緣座2齊平。兩導(dǎo)電架11間的間隔被絕緣座2所充填，而絕緣座2充填于兩導(dǎo)電架11間的該部位定義為一絕緣隔離部21。值得注意的是，絕緣座2的材料并不以上述熱固性塑膠為限，也可采用熱塑性塑膠，如聚對苯二甲酸1，4-環(huán)己燒二甲酯(Polyl, 4-cyclohexylene dimethyleneterephthalate,簡稱 PCT)。
[0033]參閱圖3并適時參酌圖1，兩導(dǎo)電架11為不同外型的一凸形第一導(dǎo)電架Ila與一凹形第二導(dǎo)電架lib。所述兩導(dǎo)電架11各具有一相同的預(yù)定厚度(T)，每一導(dǎo)電架11定義有一正面111、一背面112、及相連于正面111與背面112周緣的一環(huán)側(cè)面113。每一導(dǎo)電架11正面111與背面112之間的最大距離即為上述預(yù)定厚度(T)，并且每一導(dǎo)電架11的正面111定義有一密封區(qū)1111與一承載區(qū)1112。上述承載區(qū)1112大致被密封區(qū)1111所包圍，且承載區(qū)1112用以承載(固設(shè))至少一發(fā)光二極管芯片或供打線連接之用。
[0034]密封區(qū)1111被絕緣座2所包覆，承載區(qū)1112則顯露于絕緣座2之外，所述兩導(dǎo)電架11的承載區(qū)1112大致位于密封區(qū)1111之間，且兩導(dǎo)電架11的正面111及位于兩導(dǎo)電架11之間的絕緣隔離部21頂面大致呈共平面設(shè)置。
[0035]絕緣座2頂面的大致中央處凹設(shè)形成有一大致呈圓槽狀的容置孔22，并且每一導(dǎo)電架11正面111的承載區(qū)1112經(jīng)由上述容置孔22而露出于絕緣座2之外。上述容置孔22可以如圖1所示為圓槽狀，而于實際應(yīng)用時，容置孔22亦可以形成如方槽狀等構(gòu)造。
[0036]每一導(dǎo)電架11自其正面111的密封區(qū)1111凹設(shè)(如:蝕刻)形成有兩大致呈三角狀構(gòu)造的分隔槽1113，且每一分隔槽1113連通于上述環(huán)側(cè)面113并于環(huán)側(cè)面113上形成大小相異的兩開口 1113a、1113b，以使每一分隔槽1113能區(qū)隔開至少一延伸臂12頂面與承載區(qū)1112。進(jìn)一步地說，于每一分隔槽1113中，其較小的開口 1113a朝向?qū)щ娂?1內(nèi)部，且形成在該三角狀構(gòu)造的其中一角落，而較大的開口 1113b朝向?qū)щ娂?1外部，且形成在該角落的對邊，三角狀構(gòu)造的斜邊大致上沿著圓槽狀的弧線延伸。再者，分隔槽1113的凹陷深度較佳為二分之一的預(yù)定厚度(1/2T)，但不以此為限，上述分隔槽1113的凹陷深度可大致為四分之一的預(yù)定厚度(1/4T)至四分之三的預(yù)定厚度(3/4T)。值得注意的是，分隔槽1113與圓槽狀容置孔22至少距離100微米，使得絕緣座2可以足夠包覆兩導(dǎo)電架11與延伸臂12。
[0037]兩導(dǎo)電架11的分隔槽1113各形成未封閉的三角半蝕結(jié)構(gòu)，該些分隔槽1113為圍繞絕緣座2容置孔22設(shè)置，且位于金屬支架I的四周角落。由此，通過形成有分隔槽1113，以使導(dǎo)電架11正面111呈現(xiàn)高低起伏的構(gòu)造，進(jìn)而令絕緣座2與導(dǎo)電架11正面111之間的結(jié)合性被有效地提升。再者，分隔槽1113與絕緣座2相接合的部位，由于兩者的結(jié)合性較周圍高，因而使得通過延伸臂12滲入于導(dǎo)電架11與絕緣座2之間的水氣，能有效地被分隔槽1113與絕緣座2相接合的部位所隔絕。并且，通過分隔槽1113的分布位置，以達(dá)到避免水氣入侵所述導(dǎo)電架11的承載區(qū)1112的功效。
[0038]于每一導(dǎo)電架11中，所述環(huán)側(cè)面113對應(yīng)于每一分隔槽1113的較小開口 1113a的部位形成一由正面111貫通至背面112的缺槽114。由此，因應(yīng)承載座100設(shè)計時，為求最大固晶及散熱區(qū)域，而使導(dǎo)電架11與絕緣座2的結(jié)合面積變少的情況，絕緣座2能通過結(jié)合于缺槽114的角狀延伸邊料穿透結(jié)構(gòu)，以提升絕緣座2與導(dǎo)電架11之間的結(jié)合力。
[0039]請參閱圖4并適時參酌圖2所示，每一導(dǎo)電架11的背面112定義有一包覆區(qū)1121與一焊接區(qū)1122。其中，包覆區(qū)1121是自背面112周緣(亦即，背面112鄰接于環(huán)側(cè)面113的部位)所凹設(shè)形成(如:蝕刻)的槽狀構(gòu)造。包覆區(qū)1121被絕緣座2所包覆，而焊接區(qū)1122則顯露于絕緣座2之外。每一導(dǎo)電架11的焊接區(qū)1122大致位于其包覆區(qū)1121內(nèi)側(cè)，而兩導(dǎo)電架11的焊接區(qū)1122及連接于兩導(dǎo)電架11的絕緣座2底面大致呈共平面設(shè)置。
[0040]環(huán)側(cè)面113的厚度大致為二分之一的預(yù)定厚度(1/2T)，但不以此為限，環(huán)側(cè)面113的厚度可大致為四分之一的預(yù)定厚度(1/4T)至四分之三的預(yù)定厚度(3/4T)。
[0041]所述延伸臂12分別自每一導(dǎo)電架11的環(huán)側(cè)面113 —體延伸所形成，且延伸臂12的厚度大致等同于環(huán)側(cè)面113的厚度。亦即，延伸臂12的厚度為四分之一的預(yù)定厚度(1/4T)至四分之三的預(yù)定厚度(3/4T)，延伸臂12的厚度于本實施例為二分之一的預(yù)定厚度(1/2T)。換個角度來看，延伸臂12的厚度大致等同于形成有分隔槽1113的導(dǎo)電架11部位的厚度。
[0042]請參閱圖5并適時參酌圖3和圖4，上述凸形第一導(dǎo)電架Ila設(shè)有一凸出部111a，凹形第二導(dǎo)電架Ilb于對應(yīng)該凸出部Illa的部位設(shè)有對應(yīng)于上述凸出部Illa的一凹陷部Illb0其中，凸出部Illa的下表面即為上述呈槽狀構(gòu)造的包覆區(qū)1121，而凹陷部Illb的上表面凹設(shè)有一凹槽1111b，借以使得填充于兩導(dǎo)電架11之間的塑料呈現(xiàn)上下錯位，以強化絕緣隔離部21，并通過上下均有外延伸塑料阻絕水氣入侵，來強化絕緣座2與導(dǎo)電架11之間的結(jié)合力。
[0043]本發(fā)明的金屬支架I選用凸形的第一導(dǎo)電架Ila與凹形的第二導(dǎo)電架11b，以通過凹凸配合的導(dǎo)電架11達(dá)到克服側(cè)向機械剪力的效果，并進(jìn)而有效地解決上述導(dǎo)電架11與絕緣隔離部21剝離的現(xiàn)象。
[0044]如圖6A，所述絕緣隔離部21位于容置孔22的部位，其突出并高于兩側(cè)的第一與第二導(dǎo)電架IlaUlb的承載區(qū)1112，借此達(dá)到減少水氣入侵的效果，并防止芯片發(fā)出的光從底部漏出。更詳細(xì)地說，如圖6B和圖6C所示，上述絕緣隔離部21位于容置孔22的部位，其相較于兩側(cè)的第一與第二導(dǎo)電架IlaUlb的承載區(qū)1112而言，較佳可突出300-500微米，并且覆蓋在所述承載區(qū)1112的截面寬度較佳為300-500微米，除了有效地阻隔水氣由承載座100底面入侵外，還可避免因絕緣隔離部21的遮擋到芯片出光角度，而影響到封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。
[0045]再者，上述承載座100能搭配其他元件而形成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。具體來說，請參閱圖7所示，其為一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包含所述承載座100、裝設(shè)于承載座100上的兩發(fā)光二極管芯片200、及設(shè)置于承載座100且密封發(fā)光二極管芯片200的透光件300 (如:透鏡)。
[0046]發(fā)光二極管芯片200的型態(tài)可以是打線式、覆晶式。發(fā)光二極管芯片200位于絕緣座2的容置孔22內(nèi)且裝設(shè)于第一導(dǎo)電架Ila的承載區(qū)1112上，發(fā)光二極管芯片200通過打線而分別電性連接于第一導(dǎo)電架Ila與第二導(dǎo)電架lib。所述透光件300部分充填于絕緣座2的容置孔22內(nèi)，以密封發(fā)光二極管芯片200，而透光件300的其余部分則顯露于絕緣座2頂面之外并形成半球狀的構(gòu)造。另，上述透光件300亦能形成如圖8的構(gòu)造，亦即，透光件300填平于上述容置孔22內(nèi)，且透光件300頂面與絕緣座2頂面呈共平面。
[0047]發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)亦能僅由所述金屬支架1、發(fā)光二極管芯片200與透光件300所構(gòu)成。如圖9所示，透光件300直接一體包覆導(dǎo)電架11與發(fā)光二極管芯片200，以形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。換言之，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)亦能以透光件300取代絕緣座2。其中，兩導(dǎo)電架11的背面112的焊接區(qū)1122以及該些延伸臂12的末端面121顯露于透光件300之外。
[0048]總合來說，本實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)是由金屬支架1、設(shè)置于金屬支架I上的發(fā)光二極管芯片200、及包覆于金屬支架I與發(fā)光二極管芯片200的一絕緣體所構(gòu)成。
[0049]其中，當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為圖7或圖8的態(tài)樣時，絕緣體包含非透光的絕緣座2與透光件300。當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為圖9的態(tài)樣時，絕緣體則限定為透光件300。但無論發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為何種態(tài)樣，所述兩導(dǎo)電架11的背面112的焊接區(qū)1122以及該些延伸臂12的末端面121皆需顯露于絕緣體之外。
[0050]此外，本實施例所述的單個承載座100，其在被制造時是通過切割一承載座模塊400而形成(如圖10)。具體而言，承載座模塊400包含有多個相連成一體的承載座100，用以供多個發(fā)光二極管芯片200安裝于其上。為便于說明，本實施例的圖式僅以部分承載座100說明。
[0051 ] 在形成該承載座模塊400之前，先形成一體相連為單片構(gòu)造的多個金屬支架I (請參閱圖11和圖12)。其中，若由一第一方向Dl來看,每一金屬支架I的第一導(dǎo)電架Ila分別與位于其相反兩側(cè)的第一導(dǎo)電架Ila通過各自的延伸臂12—體相連。而每一金屬支架I的第二導(dǎo)電架Ilb分別與位于其相反兩側(cè)的第二導(dǎo)電架Ilb通過各自的延伸臂12 —體相連，且所述多個相連接的延伸臂12大致平行于第一方向D1。若由垂直于上述第一方向Dl的一第二方向D2來看，任兩相鄰的金屬支架I通過其中一金屬支架I的第一導(dǎo)電架Ila延伸臂12與其中另一金屬支架I的第二導(dǎo)電架Ilb延伸臂12—體相連接，且所述多個相連接的延伸臂12大致平行于第二方向D2。
[0052]除上述大致平行于第一方向Dl或第二方向D2的延伸臂12之外，當(dāng)由第一方向Dl來看，任兩相鄰的金屬支架I通過其中一金屬支架I的第一導(dǎo)電架Ila延伸臂12斜向地一體相連于其中另一金屬支架I的第二導(dǎo)電架Ilb延伸臂12，且該些相連接的延伸臂12大致與第一方向Dl相夾有一銳角。借此，兩相鄰的金屬支架I通過上述斜向相連的延伸臂12，以增強該兩相鄰金屬支架I之間的穩(wěn)定度，進(jìn)而利于提升后續(xù)成形絕緣座2時的射出良率、及降低后續(xù)制程中因溢膠產(chǎn)生毛邊的可能性。
[0053]當(dāng)所述多個相連為一體的金屬支架I外緣成形有相連為一體的多個絕緣座2，以形成多個相連成一體的承載座100之后，實施一切割步驟，以使該些相連成一體的承載座100被切割為多個彼此分離的承載座100 (如圖13)。
[0054]其中，通過延伸臂12的厚度小于導(dǎo)電架11的預(yù)定厚度，如，延伸臂12的厚度為四分之一的預(yù)定厚度(1/4T)至四分之三的預(yù)定厚度(3/4T)。借此，于切割步驟中，能減少刀具所需切割的延伸臂12厚度，進(jìn)而降低刀具損耗且能減少毛邊的產(chǎn)生機率，并且可有效避免延伸臂12末端面121 (切斷點)與絕緣座2產(chǎn)生剝離現(xiàn)象，以減緩水氣由延伸臂12入侵的速度。
[0055][第二實施例]
[0056]參閱圖14至圖18，其為本發(fā)明的第二實施例，本實施例與上述第一實施例類似，相同處則不再復(fù)述，而兩者的差異主要在于導(dǎo)電架11上的分隔槽1113，具體說明如下。
[0057]如圖14和圖15所示，每一導(dǎo)電架11自其正面111的密封區(qū)1111凹設(shè)(如:蝕刻)形成有一大致呈U字狀構(gòu)造且具有相等寬度的分隔槽1113，上述兩U字狀分隔槽1113沿絕緣座2的容置孔22外側(cè)分布以包圍所述承載區(qū)1112。進(jìn)一步地說，所述兩導(dǎo)電架11的分隔槽1113圍繞于承載區(qū)1112外，并位于金屬支架I的外周緣之內(nèi)。亦即，所述兩導(dǎo)電架11的分隔槽1113的內(nèi)緣大于等于承載區(qū)1112外緣，而所述兩導(dǎo)電架11的分隔槽1113的外緣小于等于金屬支架I的外緣。
[0058]每一分隔槽1113連通于兩導(dǎo)電架11架彼此相向的環(huán)側(cè)面113，并且U字狀分隔槽1113的兩末端于環(huán)側(cè)面113上形成大小大致相同的兩開口 1113a (亦即，分隔槽1113的兩開口 1113a分別形成于U字狀構(gòu)造的兩末端)，以使每一分隔槽1113區(qū)隔開承載區(qū)1112與所有延伸臂12頂面。
[0059]于本實施例的分隔槽1113凹陷深度大致為二分之一的預(yù)定厚度(1/2T)，而寬度小于等于1T，但不以此為限。上述分隔槽1113的凹陷深度可為四分之一的預(yù)定厚度(1/4T)至四分之三的預(yù)定厚度(3/4T)。
[0060]再者，于每一導(dǎo)電架11中，所述環(huán)側(cè)面113對應(yīng)于每一分隔槽1113的兩開口1113a的部位各形成一由正面111貫通至背面112的缺槽114。
[0061]另，本實施例所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)亦能形成如同第一實施例圖7至圖9所示的構(gòu)造。如:圖16所示為本實施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)對應(yīng)于第一實施例圖7所示的構(gòu)造；圖17所示為本實施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)對應(yīng)于第一實施例圖8所示的構(gòu)造；圖18所示為本實施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)對應(yīng)于第一實施例圖9所不的構(gòu)造。
[0062][本發(fā)明實施例的可能功效]
[0063]綜上所述，本發(fā)明實施例通過形成有分隔槽，以令絕緣座與導(dǎo)電架正面之間的結(jié)合性被有效地提升，進(jìn)而令通過延伸臂滲入于導(dǎo)電架與絕緣座之間的水氣，能有效地被分隔槽與絕緣座相接合的部位所隔絕。并且，通過分隔槽的分布位置，以達(dá)到避免水氣入侵所述導(dǎo)電架的承載區(qū)的功效。另，絕緣座能通過結(jié)合于缺槽的角狀延伸邊料穿透結(jié)構(gòu)，以提升絕緣座與導(dǎo)電架之間的結(jié)合力。
[0064]更詳細(xì)的說，在第一實施例中，容置孔形狀為圓槽狀，分隔槽對應(yīng)圓槽狀的容置孔，在有限的密封區(qū)內(nèi)設(shè)計出座落在導(dǎo)電架四個角落且連通環(huán)側(cè)面的三角半蝕結(jié)構(gòu)，來增加絕緣座與導(dǎo)電架的結(jié)合力。在第二實施例中，容置孔為方槽狀，分隔槽對應(yīng)方槽狀的容置孔，沿方槽狀容置孔的外緣設(shè)計出U字狀分隔槽，增加了絕緣座與導(dǎo)電架的結(jié)合力。
[0065]本發(fā)明實施例所提供的金屬支架，其通過凹凸配合的兩導(dǎo)電架達(dá)到克服側(cè)向機械剪力的效果，并有效地解決上述導(dǎo)電架與絕緣隔離部剝離的現(xiàn)象。再者，通過凸出部的下表面呈槽狀構(gòu)造，而凹陷部的上表面設(shè)有凹槽，使得填充于兩導(dǎo)電架之間的塑料呈現(xiàn)上下錯位，以強化絕緣隔離部，并通過上下均有外延伸塑料阻絕水氣入侵，來強化絕緣座與導(dǎo)電架之間的結(jié)合力。
[0066]本發(fā)明實施例所提供的承載座模塊中，任兩相鄰的金屬支架通過斜向相連的延伸臂，以增強該兩相鄰金屬支架之間的穩(wěn)定度，進(jìn)而利于提升后續(xù)成形絕緣座時的射出良率、及降低后續(xù)制程中因溢膠產(chǎn)生毛邊的可能性。再者，通過延伸臂的厚度小于導(dǎo)電架的預(yù)定厚度，借此在切割步驟中，減少刀具所需切割的延伸臂厚度，進(jìn)而降低刀具損耗且能減少毛邊的產(chǎn)生機率，并且可有效避免延伸臂末端面與絕緣座產(chǎn)生剝離現(xiàn)象，以減緩水氣由延伸臂入侵的速度。
[0067]以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實施例，其并非用以局限本發(fā)明的專利范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的任何變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明所述的述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一金屬支架，其具有兩個間隔設(shè)置的導(dǎo)電架與多個分別自所述兩個導(dǎo)電架一體延伸形成的延伸臂，每一所述導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一所述導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)； 其中，每一所述導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩個開口，以使每一所述導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開所述多個延伸臂的至少其中之一與該承載區(qū)； 一發(fā)光二極管芯片，裝設(shè)于該金屬支架的承載區(qū)上并電性連接于所述兩個導(dǎo)電架；以及 一絕緣體，其包覆于該金屬支架，且所述兩個導(dǎo)電架的背面部分區(qū)域以及所述多個延伸臂的末端面顯露于該絕緣體之外。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣體包含有一絕緣座，該絕緣座包覆在所述兩個導(dǎo)電架與所述多個延伸臂，且所述兩個導(dǎo)電架間的間隔被該絕緣座所充填，以使所述兩個導(dǎo)電架被該絕緣座所分離，所述兩個導(dǎo)電架的正面承載區(qū)與背面部分區(qū)域以及所述多個延伸臂的末端面顯露于該絕緣座之外。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣座充填于所述兩個導(dǎo)電架間的部位定義為一絕緣隔離部，而該絕緣隔離部表面齊平或突伸出所述兩個導(dǎo)電架的正面承載區(qū)。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣座頂面凹設(shè)形成有一容置孔，且每一所述導(dǎo)電架正面的承載區(qū)通過該容置孔而露出于該絕緣座之外，該發(fā)光二極管芯片位于該絕緣座的容置孔內(nèi)，該絕緣體還包含有一透光件，該透光件至少部分充填于該絕緣座的容置孔內(nèi)，以密封該發(fā)光二極管芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣體進(jìn)一步限定為一透光件，該透光件一體包覆該金屬支架與該發(fā)光二極管芯片，且所述兩個導(dǎo)電架的背面部分區(qū)域以及所述多個延伸臂的末端面顯露于該透光件之外。
6.一種承載座模塊，其特征在于，用以供多個發(fā)光二極管芯片安裝于其上，該承載座模塊包括: 多個金屬支架，其一體相連成單片構(gòu)造，每一所述金屬支架包含有兩個導(dǎo)電架與多個分別自所述兩個導(dǎo)電架一體延伸形成的延伸臂，每一所述導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一所述導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)； 其中，每一所述導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩個開口，以使每一所述導(dǎo)電架的分隔槽能區(qū)隔開該延伸臂至少其中之一與該承載區(qū)； 其中，每一所述金屬支架的兩個導(dǎo)電架分別定義為一第一導(dǎo)電架與一第二導(dǎo)電架，沿一第一方向上的任意兩個相鄰金屬支架通過其中一金屬支架的第一導(dǎo)電架延伸臂斜向地一體相連于其中另一金屬支架的第二導(dǎo)電架延伸臂，且該斜向一體相連的延伸臂與該第一方向相夾有一銳角；以及 多個絕緣座，其包覆于所述多個金屬支架外緣。
7.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，其特征在于，包括: 兩個導(dǎo)電架，其呈間隔設(shè)置，每一所述導(dǎo)電架具有一正面、一背面、及相連于該正面與該背面周緣的一環(huán)側(cè)面，且每一所述導(dǎo)電架的正面定義有一密封區(qū)與一被該密封區(qū)所包圍的承載區(qū)；以及 多個延伸臂，其分別自所述兩個導(dǎo)電架一體延伸形成； 其中，每一所述導(dǎo)電架自其正面的密封區(qū)凹設(shè)形成有至少一分隔槽，且該至少一分隔槽連通于該環(huán)側(cè)面并于該環(huán)側(cè)面上形成兩個開口，以使每一所述導(dǎo)電架的所述至少一分隔槽能區(qū)隔開所述多個延伸臂的至少其中之一與該承載區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，其中，每一所述導(dǎo)電架的分隔槽數(shù)量為多個，且每一所述分隔槽呈三角狀構(gòu)造，每一所述分隔槽的兩開口的大小相異，于每一所述分隔槽中，其較小的開口形成在該三角狀構(gòu)造的其中一角落，而較大的開口則形成在該角落的對邊。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，其中，于每一所述導(dǎo)電架中，該環(huán)側(cè)面對應(yīng)于每一所述分隔槽的較小開口的部位形成一由該正面貫通至該背面的缺槽。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，其中，每一所述導(dǎo)電架的分隔槽數(shù)量為單個且呈U字狀構(gòu)造，于每一所述導(dǎo)電架中，該分隔槽的兩個開口的大小相同且分別形成于該U字狀構(gòu)造的兩末端，該分隔槽區(qū)隔開該承載區(qū)與所述多個延伸臂。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架,其中，于每一所述導(dǎo)電架中，該環(huán)側(cè)面對應(yīng)于該分隔槽兩個開口的部位各形成一由該正面貫通至該背面的缺槽。
12.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的金屬支架，其中，所述兩個導(dǎo)電架的其中一導(dǎo)電架呈凸形且設(shè)有一凸出部，而另一導(dǎo)電架呈凹形且于對應(yīng)該凸出部的部位設(shè)有對應(yīng)于該凸出部的一凹陷部，該凸出部的下表面形成槽狀構(gòu)造，而該凹陷部的上表面凹設(shè)有一凹槽。
【文檔編號】H01L33/48GK104282821SQ201310647783
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】林貞秀 申請人:光寶光電(常州)有限公司, 光寶科技股份有限公司