電子部件的制作方法
【專利摘要】根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種電子部件包括：具有多個(gè)電極的器件；與所述多個(gè)電極中每一個(gè)電極電連接的導(dǎo)線；密封所述導(dǎo)線的一部分和所述器件的第一樹脂體；以及連接至所述導(dǎo)線并能夠與第二導(dǎo)體接觸的第一導(dǎo)體。
【專利說(shuō)明】電子部件
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)基于2012年12月27日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)N0.2012-286118并要求其優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]在此描述的實(shí)施例一般地涉及電子部件。
【背景技術(shù)】
[0004]近來(lái)，其中使用諸如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)之類的寬禁帶半導(dǎo)體作為功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)已經(jīng)受到矚目。
[0005]然而，通常寬禁帶半導(dǎo)體器件與硅半導(dǎo)體器件相比，對(duì)靜電的耐性較低。即使在寬禁帶半導(dǎo)體器件被包含在樹脂密封的半導(dǎo)體封裝內(nèi)的情況下，該情況也保持不變。
[0006]為了改善半導(dǎo)體封裝對(duì)靜電的耐性，存在一種與半導(dǎo)體封裝一起安裝外部保護(hù)電路的方法。然而，這類技術(shù)需要額外的工作并且導(dǎo)致成本增加。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1A是根據(jù)第一實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖，圖1B是根據(jù)第一實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖；
[0008]圖2A是導(dǎo)體剝離前的電子部件的示意性平面圖，圖2B是導(dǎo)體移除后的電子部件的示意性平面圖；
[0009]圖3A是根據(jù)第二實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖，圖3B是根據(jù)第二實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖；
[0010]圖4A是根據(jù)第三實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖，圖4B是根據(jù)第三實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖；
[0011]圖5A是根據(jù)第四實(shí)施例的電子部件的示意性截面圖，圖5B是根據(jù)第四實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖；
[0012]圖6是根據(jù)第五實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖；
[0013]圖7A是根據(jù)第六實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖，圖7B是根據(jù)第六實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖；以及
[0014]圖8是根據(jù)第七實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]一般地，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種電子部件包括:具有多個(gè)電極的器件；與所述多個(gè)電極中每一個(gè)電極電連接的導(dǎo)線；密封所述導(dǎo)線的一部分和所述器件的第一樹脂體；以及連接至所述導(dǎo)線并能夠與第二導(dǎo)體接觸的第一導(dǎo)體。
[0016]其后，將參考附圖如下描述各實(shí)施例。在隨后的描述中，相同的參考編號(hào)應(yīng)用于相同的元件，并且對(duì)于已經(jīng)描述過(guò)一次的元件，將適當(dāng)省略其描述。
[0017](第一實(shí)施例)
[0018]圖1A是根據(jù)第一實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。圖1B是根據(jù)第一實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖。
[0019]圖1A和圖1B中所示的電子部件I是其中在樹脂內(nèi)密封諸如晶體管等的半導(dǎo)體器件的所謂半導(dǎo)體封裝。電子部件I還因?yàn)楸话惭b在隨后描述的電路板上而被稱為表面安裝封裝。半導(dǎo)體器件包括功率半導(dǎo)體器件。
[0020]電子部件I包括半導(dǎo)體器件10、多根導(dǎo)線20、樹脂體30 (第一樹脂體)、多個(gè)導(dǎo)體
40(第一導(dǎo)體)和導(dǎo)體50 (第二導(dǎo)體)。
[0021]半導(dǎo)體器件10例如是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。半導(dǎo)體器件10具有多個(gè)電極。多個(gè)電極例如是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極、源極電極和漏極電極。半導(dǎo)體器件10的半導(dǎo)體襯底包括氮化鎵(GaN)層和碳化硅(SiC)層之一。可替換地，半導(dǎo)體器件10的半導(dǎo)體襯底可以是硅(Si)層。
[0022]當(dāng)半導(dǎo)體器件10的半導(dǎo)體襯底包括氮化鎵層或碳化硅層時(shí)，該半導(dǎo)體器件10是以降低的功率損失進(jìn)行高速切換方面優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體器件。注意該半導(dǎo)體器件10不限于場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以是二極管。當(dāng)半導(dǎo)體器件10是二極管時(shí)，多個(gè)電極包括陽(yáng)極和陰極等。
[0023]多根導(dǎo)線20包括導(dǎo)線20a、20b和20e，它們電連接至半導(dǎo)體器件10的相應(yīng)的多個(gè)電極。例如，對(duì)于多根導(dǎo)線20，導(dǎo)線20a連接至半導(dǎo)體器件10的柵極電極10g，導(dǎo)線20b連接至半導(dǎo)體器件10的源極電極10s，而導(dǎo)線20e連接至半導(dǎo)體器件10的漏極電極10d。
[0024]注意，導(dǎo)線20c和20d與導(dǎo)線20b —起并聯(lián)連接至半導(dǎo)體器件10的源極電極10s，導(dǎo)線20d至20h與導(dǎo)線20e —起并聯(lián)連接至半導(dǎo)體器件10的漏極電極10d。
[0025]半導(dǎo)體器件10和多根導(dǎo)線20的各自的部分被密封在樹脂體30內(nèi)。每根導(dǎo)線20包括作為由樹脂體30密封部分的內(nèi)導(dǎo)線以及從樹脂體30的表面突出的外導(dǎo)線。樹脂體30具有絕緣屬性。多個(gè)導(dǎo)體40分別被設(shè)置在樹脂體30上。多個(gè)導(dǎo)體40分別連接至多根導(dǎo)線20a、20b和20e。例如，多個(gè)導(dǎo)體40可以分別能夠接觸到多根導(dǎo)線20a、20b和20e的外導(dǎo)體。多個(gè)導(dǎo)體40可以各自接觸導(dǎo)體50。導(dǎo)體50能夠被安裝在樹脂體30的表面上，并且能從該表面移除。在安裝之后，在樹脂體30上設(shè)置導(dǎo)體50并將其連接至多個(gè)導(dǎo)體40中的全部導(dǎo)體。
[0026]樹脂體30包括上表面30u、下表面30d和側(cè)表面30w。樹脂體30的外形例如可以是立方體。多根導(dǎo)線20中每根導(dǎo)線具有由樹脂體30密封的部分。除了多根導(dǎo)線20中的每根導(dǎo)線的上述部分以外的每根導(dǎo)線的部分從樹脂體30的一個(gè)或者其他的側(cè)表面30w突出。導(dǎo)體40在這些突出部分連接至導(dǎo)線20。
[0027]多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體沿著樹脂體30的側(cè)表面30w從多根導(dǎo)線20a、20b和20e中的相應(yīng)導(dǎo)線延伸至樹脂體30的上表面30u。多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體由金屬層形成。
[0028]在本實(shí)施例中，“金屬”指代包括從銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)等中選出的至少一種金屬的材料。同樣地，“樹脂”指代包括環(huán)氧樹脂的樹脂。[0029]在樹脂體30的上表面30u上以及延伸至上述樹脂體30的上表面30u的多個(gè)導(dǎo)體40上設(shè)置導(dǎo)體50。多個(gè)導(dǎo)體40的電阻以及多個(gè)導(dǎo)體40與導(dǎo)體50的接觸電阻總計(jì)為150 Ω或更小。
[0030]導(dǎo)體50例如是導(dǎo)電密封。導(dǎo)電密封例如是導(dǎo)電膜或金屬蒸汽沉積膜(metal vapordeposition film)等。導(dǎo)電密封是具有導(dǎo)電和粘合兩者屬性的密封,并且能夠容易地從樹脂體30剝離。
[0031 ] 此外，可以為導(dǎo)電密封選擇在被加熱至預(yù)定溫度時(shí)呈現(xiàn)出導(dǎo)電性急劇變化的材料。例如，當(dāng)電子部件I被安裝在電路板上時(shí)，通常使用焊料作為半導(dǎo)體部件I和電路板之間的接合材料。對(duì)于導(dǎo)電密封而言，可以選擇在焊料的熔點(diǎn)(例如，為150至300°C)之上呈現(xiàn)出電阻急劇增加的材料。
[0032]注意，導(dǎo)體50不限于導(dǎo)電密封，也可以是包括導(dǎo)電材料和粘合材料兩者的導(dǎo)體。導(dǎo)電材料例如可以是金屬或金屬微粒等，粘合材料例如可以是聚酯纖維粘合材料和粘合性丙烯酸材料等。導(dǎo)體50是導(dǎo)電材料和粘合材料的混合物?？商鎿Q地，導(dǎo)體50可以是導(dǎo)電膠。
[0033]對(duì)于粘合材料而言，可以選擇在被加熱至預(yù)定溫度(諸如焊料的熔點(diǎn))時(shí)呈現(xiàn)出黏度急劇下降的材料。
[0034]進(jìn)一步地，導(dǎo)體50可以是金屬薄膜、導(dǎo)電蒸汽沉積膜等。
[0035]圖2A是導(dǎo)體剝離前的電子部件的示意性平面圖，圖2B是導(dǎo)體移除后的電子部件的示意性平面圖。
[0036]在圖2A中，例示了電子部件I剛安裝在電路板60上之后的狀態(tài)。電子部件I在電路板60上的安裝使用回流工藝執(zhí)行。在回流工藝中，加熱以將溫度升至焊料70的熔點(diǎn)或更高，并且隨后冷卻該焊料70，以使得焊料70的溫度落至熔點(diǎn)以下。
[0037]結(jié)果，與半導(dǎo)體器件10的柵極電極IOg相連接的導(dǎo)線20a經(jīng)由焊料70聯(lián)接至電路板60上的電路圖案60a。與半導(dǎo)體器件10的源極電極IOs相連接的導(dǎo)線20b經(jīng)由焊料70聯(lián)接至電路板60的電路圖案60b。與半導(dǎo)體器件10的漏極電極IOd相連接的導(dǎo)線20e經(jīng)由焊料70聯(lián)接至電路板60的電路圖案60c。
[0038]接下來(lái)，如圖2B所示，從電子部件I移除導(dǎo)體50。對(duì)于圖2B所示的導(dǎo)體50，例如可以使用上述導(dǎo)電密封。例如，可以通過(guò)自動(dòng)或手動(dòng)剝離導(dǎo)體50來(lái)從電子部件I移除導(dǎo)體50。在已將導(dǎo)體50從電子部件I移除之后，半導(dǎo)體器件10的柵極電極10g、源極電極IOs和漏極電極IOd各自處于未被電連接的狀態(tài)。注意，由從電子部件I移除導(dǎo)體50所得到的電子部件的形態(tài)同樣被包括在該第一實(shí)施例中。
[0039]從將半導(dǎo)體器件10的分離片密封在樹脂體30中開始到剛安裝后為止，該導(dǎo)體50被設(shè)置在樹脂體30的表面上。因此，在使用樹脂體30密封半導(dǎo)體器件10和剛安裝后之間的時(shí)間段(其后稱為“時(shí)間段”)內(nèi)，半導(dǎo)體器件10的柵極電極10g、源極電極IOs和漏極電極IOd各自被電短路。
[0040]短路是電連接至柵極電極IOg的導(dǎo)線20a、電連接至源極電極IOs的導(dǎo)線20b以及電連接至漏極電極IOd的導(dǎo)線20e經(jīng)由導(dǎo)體40分別連接至導(dǎo)體50的結(jié)果。
[0041]在此時(shí)間段內(nèi)，電子部件I被可靠地保護(hù)免于靜電。提供這一保護(hù)是因?yàn)闁艠O電極log、源極電極IOs和漏極電極IOd由于短路全都處于同一電勢(shì)。于是，即使靜電被施加于電子部件I上的任意位置處，柵極電極log、源極電極IOs和漏極電極IOd的任意之間也不會(huì)有放電電流流動(dòng)。
[0042]在半導(dǎo)體器件10的襯底是諸如GaN或SiC的寬禁帶半導(dǎo)體的情況下，半導(dǎo)體器件10的抗靜電屬性傾向于比硅半導(dǎo)體器件的抗靜電屬性要弱。這一傾向?qū)τ谄渲惺褂脴渲瑏?lái)密封半導(dǎo)體器件10的電子部件I不會(huì)改變?？轨o電屬性低下的一個(gè)因素是寬禁帶半導(dǎo)體器件的寄生電容比硅半導(dǎo)體器件的寄生電容小。
[0043]在這類狀況下，除非提供導(dǎo)體50，否則存在有在即將安裝前源于靜電的放電電流在柵極電極log、源極電極IOs和漏極電極IOd的任意之間流動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)。更具體地，電子部件在即將安裝前可能由靜電導(dǎo)致缺陷。
[0044]為了防止即將安裝前的靜電破壞，例如已經(jīng)為硅半導(dǎo)體器件設(shè)置齊納二極管以保護(hù)器件內(nèi)部免受靜電的影響。然而，無(wú)法為寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)置齊納二極管。
[0045]還存在有在電子部件I的外部設(shè)置齊納二極管的對(duì)策，但是這一對(duì)策會(huì)導(dǎo)致成本增加和性能降低。在此，“性能降低”指的是電子部件I的寄生電容由于外部齊納二極管的設(shè)置而實(shí)質(zhì)性地增加。換句話說(shuō)，這就失去了使用寬禁帶半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體器件10的襯底的意義。
[0046]于是，在一個(gè)實(shí)施例中，雖然半導(dǎo)體器件10是寬禁帶半導(dǎo)體器件，但是該電子部件I的抗靜電屬性通過(guò)設(shè)置導(dǎo)體50而得到改善。
[0047]而且，能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的剝離動(dòng)作將導(dǎo)體50從電子部件I移除。于是，電子部件I的使用不會(huì)導(dǎo)致電子部件I用戶側(cè)的額外工作。而且，由于導(dǎo)體50具有構(gòu)造簡(jiǎn)單，因此電子部件I的成本增加不多。
[0048]同樣地，連接至導(dǎo)線20的導(dǎo)體40從導(dǎo)線20的部分沿著樹脂體30的側(cè)表面30w行進(jìn)至樹脂體30的上表面30u。導(dǎo)體50被設(shè)置在上表面30u上。在此，上表面30u例如是二維平坦表面。于是，在第一實(shí)施例中，保留二維平坦表面作為設(shè)置導(dǎo)體50的區(qū)域。這一區(qū)域的設(shè)置使得由導(dǎo)體50歪斜等變形引起的與導(dǎo)體40的接觸不良難以發(fā)生。于是能夠確保導(dǎo)體50的粘合和保護(hù)。進(jìn)一步地，導(dǎo)體50能被容易地移除。同樣地，由于導(dǎo)體50能被可靠移除，因此導(dǎo)體50移除后的電子部件I (半導(dǎo)體器件10)的可靠性增加。
[0049]注意，移除導(dǎo)體50的方式不限于剝離。
[0050]例如，可以通過(guò)在回流工藝期間加熱導(dǎo)體50以改變導(dǎo)電性來(lái)使該導(dǎo)體50的導(dǎo)電性滅活化(deactivate)?？商鎿Q地,可以通過(guò)在回流工藝期間加熱以使粘合材料的粘合力滅活化來(lái)移除導(dǎo)體50。
[0051]進(jìn)一步地，可以在安裝之后通過(guò)物理的(例如，拉開)、化學(xué)的(溶解)、熱的(熔化、變質(zhì))或光學(xué)的(使用紫外線分解、激光切斷)方式來(lái)斷開導(dǎo)體50。
[0052](第二實(shí)施例)
[0053]圖3A是根據(jù)第二實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。圖3B是根據(jù)第二實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖。
[0054]在圖3A和圖3B中，省略對(duì)半導(dǎo)體器件10的描述。電子部件2包括圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件10。進(jìn)一步地，設(shè)置在電子部件2上的導(dǎo)體51的材料與導(dǎo)體50的材料相同。然而，導(dǎo)體51在縱向上比導(dǎo)體50長(zhǎng)。在樹脂體30上設(shè)置導(dǎo)體51并將其與多個(gè)導(dǎo)體40中的全部導(dǎo)體接觸。[0055]根據(jù)第二實(shí)施例的電子部件2除了電子部件I的元件之外，還包括帽狀樹脂體31(第二樹脂體)。樹脂體31具有絕緣屬性。樹脂體31經(jīng)由導(dǎo)體51覆蓋樹脂體30的上表面30a以及側(cè)表面30wa和側(cè)表面30wb各自的一部分。換句話說(shuō)，密封半導(dǎo)體器件10的樹脂體的結(jié)構(gòu)是包括樹脂體30和樹脂體31的雙層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體51被設(shè)置在該雙層結(jié)構(gòu)的樹脂層之間。
[0056]在電子部件2中，例如能夠以方向A將導(dǎo)體51從樹脂體30和樹脂體31之間拉出。例如，在電子部件2被安裝在電路板上之后，能夠通過(guò)從樹脂體30和樹脂體31之間拉出導(dǎo)體51而將導(dǎo)體51從電子部件2移除。在已將導(dǎo)體51從電子部件2移除之后，半導(dǎo)體器件10的柵極電極10g、源極電極IOs和漏極電極IOd各自處于未被電連接的狀態(tài)。注意，由從電子部件2移除導(dǎo)體51所得到的電子部件的形態(tài)同樣被包括在該第二實(shí)施例中。
[0057]電子部件2包括導(dǎo)體51。結(jié)果，電子部件2具有與電子部件I相同的效果。電子部件2還具有如下效果。
[0058]在電子部件2中，即便在從電子部件2移除導(dǎo)體51的情況下，樹脂體31也被設(shè)置在導(dǎo)體40上。因此，在從電子部件2移除導(dǎo)體51之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每一個(gè)都被樹脂體31覆蓋。
[0059]隨著電子部件2的平坦表面變得越來(lái)越小，電子部件2變得越來(lái)越易受靜電影響。例如,在電子部件2的平坦表面尺寸為邊長(zhǎng)5mm正方形或更小時(shí)，連接至導(dǎo)線20a的導(dǎo)體40和連接至導(dǎo)線20e的導(dǎo)體40之間的距離可以是幾毫米量級(jí)(例如，3mm)。
[0060]在這類狀況下，如果多個(gè)導(dǎo)體40在安裝之后沒(méi)有被樹脂體31覆蓋，多個(gè)導(dǎo)體40將會(huì)更易受靜電影響。更具體地，即使在安裝之后，也存在有放電電流在柵極電極10g、源極電極IOs和漏極電極IOd中的任意之間流動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)。結(jié)果，在電路板上設(shè)置的電子部件會(huì)由靜電導(dǎo)致缺陷。
[0061]作為一種對(duì)策，在電子部件2中，即便在移除導(dǎo)體51之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每一個(gè)導(dǎo)體仍被樹脂體31覆蓋。于是，在安裝之后，靜電將不會(huì)被施加在多個(gè)導(dǎo)體40的任意導(dǎo)體上。因此，對(duì)于電子部件2，安裝前后的抗靜電屬性得到改善。
[0062](第三實(shí)施例)
[0063]圖4A是根據(jù)第三實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。圖4B是根據(jù)第三實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖。
[0064]圖4B例示了剛安裝后的電路板60以及電子部件3。
[0065]在圖4A和圖4B中，省略對(duì)半導(dǎo)體器件10的描述。電子部件3包括圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件10。進(jìn)一步地，設(shè)置在電子部件3上的導(dǎo)體52的材料與導(dǎo)體50的材料相同。導(dǎo)體52在縱向上比導(dǎo)體50長(zhǎng)。
[0066]在根據(jù)第三實(shí)施例的電子部件3中，導(dǎo)體52被設(shè)置在樹脂體30的下表面30d上。導(dǎo)體52與多個(gè)導(dǎo)體40中的全部導(dǎo)體接觸。
[0067]更具體地，樹脂體30包括上表面30a、下表面30d和側(cè)表面30w。多根導(dǎo)線20中的每根導(dǎo)線的一部分從樹脂體30的兩個(gè)側(cè)表面30w之一突出。多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體從多根導(dǎo)線20a、20b和20e中的對(duì)應(yīng)導(dǎo)線沿著側(cè)表面30w延伸至下表面30d。導(dǎo)體52與延伸至下表面30d的多個(gè)導(dǎo)體40接觸。
[0068]在電子部件3中，導(dǎo)體52能被從樹脂體30移除。在電子部件3的情況下，在將電子部件3安裝在電路板60之后，導(dǎo)體52例如能以箭頭A所標(biāo)記的方向被從樹脂體30和電路板60之間拉出。在已將導(dǎo)體52從電子部件3移除之后，半導(dǎo)體器件10的柵極電極10g、源極電極IOs和漏極電極IOd各自處于未被電連接的狀態(tài)。注意，由從電子部件3移除導(dǎo)體52所得到的電子部件的形態(tài)同樣被包括在該第三實(shí)施例中。
[0069]電子部件3包括導(dǎo)體52。結(jié)果，電子部件3具有與電子部件I相同的效果。電子部件3還具有如下效果。
[0070]在電子部件3中，即便在從電子部件3移除導(dǎo)體52的情況下，樹脂體30也被設(shè)置在導(dǎo)體40上。因此，在從電子部件3移除導(dǎo)體52之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每一個(gè)導(dǎo)體都被樹脂體30覆蓋。換句話說(shuō)，多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體都被樹脂體30本身覆蓋。
[0071]于是，在電子部件3中，即便在移除導(dǎo)體52之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每一個(gè)導(dǎo)體仍被樹脂體30覆蓋。于是，在安裝之后，靜電將不會(huì)被施加在多個(gè)導(dǎo)體40的任意導(dǎo)體上。因此，對(duì)于電子部件3，安裝前后的抗靜電屬性得到改善。
[0072](第四實(shí)施例)
[0073]圖5A是根據(jù)第四實(shí)施例的電子部件的示意性截面圖。圖5B是根據(jù)第四實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖。
[0074]圖5A例示了圖5B中X-Y的截面圖。
[0075]在圖5A和圖5B中，省略對(duì)半導(dǎo)體器件10的描述。電子部件4包括圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件10。
[0076]除了上述半導(dǎo)體器件10之外，電子部件4包括多根導(dǎo)線20、樹脂體30、多個(gè)通孔
41(導(dǎo)體)和導(dǎo)體50。
[0077]多個(gè)通孔41分別被連接至多根導(dǎo)線20a、20b和20e。多個(gè)通孔41各自具有被樹脂體30密封的部分。在樹脂體30的上表面30u處，多個(gè)通孔41中每個(gè)通孔的上端41u被暴露。導(dǎo)體50被設(shè)置在樹脂體30上。導(dǎo)體50與多個(gè)通孔41中的全部通孔接觸。
[0078]在電子部件4中，電連接至柵極電極IOg的導(dǎo)線20a、電連接至源極電極IOs的導(dǎo)線20b以及電連接至漏極電極IOd的導(dǎo)線20e各自經(jīng)由相應(yīng)通孔41連接至導(dǎo)體50。于是，電子部件4具有與電子部件I相同的效果。
[0079](第五實(shí)施例)
[0080]圖6是根據(jù)第五實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。
[0081]在第二實(shí)施例中，在已從電子部件2中移除導(dǎo)體51之后，導(dǎo)體40由樹脂體31保護(hù)。然而，電保護(hù)導(dǎo)體40的元件不限于樹脂體31。
[0082]在圖6中，省略對(duì)半導(dǎo)體器件10的描述。電子部件5包括圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件10。除了上述半導(dǎo)體器件10之外，電子部件5包括多根導(dǎo)線20、樹脂體30、導(dǎo)體40和絕緣體32。
[0083]絕緣體32被設(shè)置在樹脂體30上。絕緣體32與多個(gè)導(dǎo)體40中的全部導(dǎo)體接觸。絕緣體32在從電子部件5剝離上述導(dǎo)體50之后通過(guò)涂覆法等形成。
[0084]在電子部件5中，即便在移除導(dǎo)體50之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體仍被絕緣體32覆蓋。于是，在安裝之后，靜電將不會(huì)被施加在多個(gè)導(dǎo)體40的任意導(dǎo)體上，因此，對(duì)于電子部件5，安裝前后的抗靜電屬性得到改善。
[0085](第六實(shí)施例)[0086]圖7A是根據(jù)第六實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。圖7B是根據(jù)第六實(shí)施例的電子部件的示意性平面圖。
[0087]圖7A例示了圖7B中X-Y的截面圖。
[0088]在圖7A和圖7B中，省略對(duì)半導(dǎo)體器件10的描述。電子部件6包括圖1A和圖1B所示的半導(dǎo)體器件10。
[0089]除了上述半導(dǎo)體器件10之外，電子部件6包括多根導(dǎo)線20、樹脂體30、導(dǎo)體40和絕緣體33。
[0090]絕緣體33被設(shè)置在樹脂體30上。絕緣體33與多個(gè)導(dǎo)體40中的全部導(dǎo)體接觸。在從電子部件6剝離上述導(dǎo)體50之后，絕緣體33的一部分作為與樹脂體30緊密配合的結(jié)果附接至該樹脂體30。例如，絕緣體33上的突出部33a與設(shè)置在樹脂體30側(cè)表面上的凹入部30h緊密配合。
[0091]在電子部件6中，即便在移除導(dǎo)體50之后，多個(gè)導(dǎo)體40中的每個(gè)導(dǎo)體仍被絕緣體33保護(hù)。于是，在安裝之后，靜電將不會(huì)被施加在多個(gè)導(dǎo)體40的任意導(dǎo)體上。因此，對(duì)于電子部件6，安裝前后的抗靜電屬性得到改善。
[0092](第七實(shí)施例)
[0093]圖8是根據(jù)第七實(shí)施例的電子部件的示意性立體圖。
[0094]根據(jù)本實(shí)施例的電子部件不限于上述表面安裝封裝，可以是插入型封裝。
[0095]圖8例示的電子部件7是用樹脂體35密封的諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之類的半導(dǎo)體器件。電連接至半導(dǎo)體器件的柵極電極的導(dǎo)線20g、電連接至源極電極的導(dǎo)線20s以及電連接至漏極電極的導(dǎo)線20d經(jīng)由導(dǎo)體40連接至導(dǎo)體53。導(dǎo)體53的材料與導(dǎo)體50的材料相同。這一形態(tài)的電子部件同樣被包括在本實(shí)施例中。
[0096]進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件10不限于MOSFET或二極管，可以是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件或磁性存儲(chǔ)器器件。因此，根據(jù)本實(shí)施例的電子部件包括這類器件。
[0097]至此，參考具體例子描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于這些具體的例子。也就是說(shuō)，這些具體例子能由本領(lǐng)域技術(shù)人員適當(dāng)添加設(shè)計(jì)變形，并且這些具體例子被包括在含有各實(shí)施例的特征的實(shí)施例范圍內(nèi)。包括在前述具體例子中的部件及其布置、材料、狀況、形狀或大小等不限于例示，并且能夠被適當(dāng)修改。
[0098]包括在前述實(shí)施例中的各部件只要技術(shù)上可行能夠彼此組合，并且這些組合只要符合本發(fā)明精神則也被涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還能夠設(shè)想各實(shí)施例精神范圍內(nèi)的各種其他變形和修改，并且應(yīng)該理解這些變形和修改也被涵蓋在各實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0099]雖然已經(jīng)描述了一些實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅作為例子呈現(xiàn)，而非旨在限制本發(fā)明的范圍。在此描述的新的實(shí)施例的確能夠以各種其他形式具體化；此外，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)，可以對(duì)在此描述的各實(shí)施例形式做出各種省略、替換和變更。所附權(quán)利要求及其等同旨在覆蓋落入本發(fā)明范圍和精神內(nèi)的這些形式或修改。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件，包括: 具有多個(gè)電極的器件； 與所述多個(gè)電極中每一個(gè)電極電連接的導(dǎo)線； 密封所述導(dǎo)線的一部分和所述器件的第一樹脂體；以及 連接至所述導(dǎo)線并能夠與第二導(dǎo)體接觸的第一導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件，還包括所述第二導(dǎo)體，所述第二導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)體接觸，并且所述第二導(dǎo)體被設(shè)置在所述第一樹脂體的表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其中所述第一樹脂體包括上表面、下表面和側(cè)表面， 除所述導(dǎo)線的所述一部分之外的部分從所述第一樹脂體的所述側(cè)表面突出， 所述第一導(dǎo)體從所述導(dǎo)線沿著所述側(cè)表面延伸至所述上表面，并且 所述第二導(dǎo)體被設(shè)置在所述上表面上以及延伸至所述上表面的所述第一導(dǎo)體上。
4.如權(quán)利要求2所述的電子部件，還包括第二樹脂體，并且所述第二樹脂體經(jīng)由所述第二導(dǎo)體覆蓋所述第一樹脂體的所述側(cè)表面的一部分和所述上表面。
5.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其中所述第一樹脂體包括上表面、下表面和側(cè)表面， 除所述導(dǎo)線的所述一部分之外的部分從所述第一樹脂體的所述側(cè)表面突出， 所述第一導(dǎo)體從所述導(dǎo)線經(jīng)由所述側(cè)表面延伸至所述上表面，并且 所述第二導(dǎo)體被設(shè)置在所述下表面上并且與延伸至所述下表面的所述第一導(dǎo)體相接觸。
6.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其中所述第二導(dǎo)體是導(dǎo)電密封、導(dǎo)電膠和導(dǎo)電沉積膜中的一種。
7.如權(quán)利要求6所述的電子部件，其中所述導(dǎo)電密封包括導(dǎo)電材料和粘合材料。
8.如權(quán)利要求7所述的電子部件，其中所述粘合材料的粘合力通過(guò)加熱而下降。
9.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其中所述第二導(dǎo)體通過(guò)加熱而變形。
10.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其中所述器件是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且 所述多個(gè)電極包括所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極、源極電極和漏極電極。
11.如權(quán)利要求10所述的電子部件，其中所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括氮化鎵層或碳化硅層。
12.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其中所述多個(gè)第一導(dǎo)體的電阻以及所述多個(gè)第一導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)體的接觸電阻總計(jì)為150 Ω或更少。
13.一種電子部件，包括: 具有多個(gè)電極的器件； 與所述多個(gè)電極中每一個(gè)電極電連接的導(dǎo)線； 密封所述導(dǎo)線的一部分和所述器件的第一樹脂體；以及 連接至所述導(dǎo)線并能夠與第二導(dǎo)體接觸的第一導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)體的一部分被所述第一樹脂體密封。
14.如權(quán)利要求13所述的電子部件，還包括所述第二導(dǎo)體，所述第二導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)體接觸，并且所述第二導(dǎo)體被設(shè)置在所述第一樹脂體的表面上。
15.如權(quán)利要求14所述的電子部件，其中所述第一樹脂體包括上表面、下表面和側(cè)表 面，所述第一導(dǎo)體從所述導(dǎo)線延伸至所述上表面，并且 所述第二導(dǎo)體被設(shè)置在所述上表面上以及延伸至所述上表面的所述導(dǎo)線上。
16.如權(quán)利要求14所述的電子部件，還包括第二樹脂體，并且所述第二樹脂體經(jīng)由所述第二導(dǎo)體覆蓋所述第一樹脂體的所述側(cè)表面的一部分和所述上表面。
17.如權(quán)利要求14所述的電子部件，其中所述第二導(dǎo)體是導(dǎo)電密封、導(dǎo)電膠和導(dǎo)電沉積膜中的一種。
18.如權(quán)利要求17所述的電子部件，其中所述導(dǎo)電密封包括導(dǎo)電材料和粘合材料。
19.如權(quán)利要求18所述的電子部件，其中所述粘合材料的粘合力通過(guò)加熱而下降。
20.—種電子部件，包括: 具有多個(gè)電極的器件； 與所述多個(gè)電極中每一個(gè)電極電連接的導(dǎo)線； 密封所述導(dǎo)線的一部分和所述器件的樹脂體； 設(shè)置在所述樹脂體上并連接至所述導(dǎo)線的導(dǎo)體；以及 設(shè)置在所述樹脂體上并與所述導(dǎo)體相接觸的絕緣體。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103904043SQ201310729392
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】池田健太郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝